JPH0451996B2 - - Google Patents
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- JPH0451996B2 JPH0451996B2 JP57213229A JP21322982A JPH0451996B2 JP H0451996 B2 JPH0451996 B2 JP H0451996B2 JP 57213229 A JP57213229 A JP 57213229A JP 21322982 A JP21322982 A JP 21322982A JP H0451996 B2 JPH0451996 B2 JP H0451996B2
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- JP
- Japan
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- pulse
- shaping circuit
- pulse shaping
- electrode
- dielectric
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/159—Applications of delay lines not covered by the preceding subgroups
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高電圧かつ大電流の矩形波パルスを
得るのに好適なパルス整形回路に関する。このよ
うなパルスを必要とするものには、例えば、CO2
レーザやエキシマレーザ等がある。このうち、
CO2レーザは主として加工や熔接に利用され、エ
キシマレーザは、半導体のアニーリング、光エツ
チング、表面加工、光化学、ウランの同位体濃縮
もしくは核融合等に利用される。更には、高電
圧、大電流の電気素子の試験等にも使用すること
ができる。
得るのに好適なパルス整形回路に関する。このよ
うなパルスを必要とするものには、例えば、CO2
レーザやエキシマレーザ等がある。このうち、
CO2レーザは主として加工や熔接に利用され、エ
キシマレーザは、半導体のアニーリング、光エツ
チング、表面加工、光化学、ウランの同位体濃縮
もしくは核融合等に利用される。更には、高電
圧、大電流の電気素子の試験等にも使用すること
ができる。
従来技術
従来のこの種のパルス整形回路は、例えば第１
図に示すように、入力側からコンデンサＣに対し
て高電圧を印加してコンデンサＣに一旦電荷を蓄
積し、次にスイツチＳを閉じ、コンデンサＣに蓄
積された電荷を放電ギヤツプＧに供給して放電さ
せることにより、必要とするパルスを得ていた。
前記コンデンサＣは、平板型または同軸型の別を
問わず、誘電体としてマイラ、エポキシもしくは
ポリエチレン等のプラスチツクや、エチレングリ
コールもしくは水等の液体を用いていた。また、
セラミツクコンデンサを用いたものも知られてい
るが、円柱状または平板状に形成されたセラミツ
クの相対する両端面に電極を付与した一般的な構
造のセラミツクコンデンサを用い、その複数個を
平板状電極板等の間に並列に接続する構造であつ
た。
図に示すように、入力側からコンデンサＣに対し
て高電圧を印加してコンデンサＣに一旦電荷を蓄
積し、次にスイツチＳを閉じ、コンデンサＣに蓄
積された電荷を放電ギヤツプＧに供給して放電さ
せることにより、必要とするパルスを得ていた。
前記コンデンサＣは、平板型または同軸型の別を
問わず、誘電体としてマイラ、エポキシもしくは
ポリエチレン等のプラスチツクや、エチレングリ
コールもしくは水等の液体を用いていた。また、
セラミツクコンデンサを用いたものも知られてい
るが、円柱状または平板状に形成されたセラミツ
クの相対する両端面に電極を付与した一般的な構
造のセラミツクコンデンサを用い、その複数個を
平板状電極板等の間に並列に接続する構造であつ
た。
従来技術の欠点
しかしながら、プラスチツクを誘電体とした従
来のパルス整形回路では、誘電率が低いため、イ
ンピーダンスが高くかつパルス幅が短くなり、エ
キシマレーザ等で必要とされる大電流かつ長パル
スの回路を実現することができない。エチレング
リコール（εr〜40）や水（εr〜80）を用いた場合
は、同じパルス幅を得るのに、５倍以上の長さを
必要とし、しかも水の場合は絶縁抵抗が低いた
め、直流電圧を印加することができないという欠
点があつた。更に、通常構造のセラミツクコンデ
ンサを並列に接続したものは、パルス整形回路と
はならず、一つのコンデンサとして働かない。
来のパルス整形回路では、誘電率が低いため、イ
ンピーダンスが高くかつパルス幅が短くなり、エ
キシマレーザ等で必要とされる大電流かつ長パル
スの回路を実現することができない。エチレング
リコール（εr〜40）や水（εr〜80）を用いた場合
は、同じパルス幅を得るのに、５倍以上の長さを
必要とし、しかも水の場合は絶縁抵抗が低いた
め、直流電圧を印加することができないという欠
点があつた。更に、通常構造のセラミツクコンデ
ンサを並列に接続したものは、パルス整形回路と
はならず、一つのコンデンサとして働かない。
本発明の目的
本発明は、例えば1Ω以下の非常に低いインピ
ーダンスの負荷に対して、立上がりの速い高電圧
かつ大電流の矩形波パルスを、比較的長時間印加
することが可能で、高電圧、大電流の矩形波パル
スを必要とするエキシマレーザの励起、電気的ス
イツチ素子の試験等に最適であり、しかも小型化
が容易で実用性の高い高出力のパルス整形回路を
提供することを目的とする。
ーダンスの負荷に対して、立上がりの速い高電圧
かつ大電流の矩形波パルスを、比較的長時間印加
することが可能で、高電圧、大電流の矩形波パル
スを必要とするエキシマレーザの励起、電気的ス
イツチ素子の試験等に最適であり、しかも小型化
が容易で実用性の高い高出力のパルス整形回路を
提供することを目的とする。
本発明の構成
上記目的を達成するため、本発明に係るパルス
整形回路は、内周及び外周の各全面に内周電極及
び外周電極を被着形成した円筒状誘電体磁器を有
し、前記誘電体磁器の軸方向の一端側に位置する
前記内周電極及び前記外周電極の端部をパルス入
力端とし、他端側に位置する前記内周電極及び外
周電極の端部をパルス出力端とし、前記パルス入
力端にパルスが入力されたとき、前記パルス出力
端から前記誘電体磁器の軸方向長さにほぼ比例す
るパルス幅を有するパルスを出力するパルス整形
回路であつて、 前記誘電体磁器は複数個備えられ、各々は実質
的に同一の内径寸法及び外形寸法を有し、前記内
周電極同志及び前記外周電極同志が導通するよう
に軸方向に並べられていることを特徴とする。
整形回路は、内周及び外周の各全面に内周電極及
び外周電極を被着形成した円筒状誘電体磁器を有
し、前記誘電体磁器の軸方向の一端側に位置する
前記内周電極及び前記外周電極の端部をパルス入
力端とし、他端側に位置する前記内周電極及び外
周電極の端部をパルス出力端とし、前記パルス入
力端にパルスが入力されたとき、前記パルス出力
端から前記誘電体磁器の軸方向長さにほぼ比例す
るパルス幅を有するパルスを出力するパルス整形
回路であつて、 前記誘電体磁器は複数個備えられ、各々は実質
的に同一の内径寸法及び外形寸法を有し、前記内
周電極同志及び前記外周電極同志が導通するよう
に軸方向に並べられていることを特徴とする。
実施例
第２図は本発明の基礎となるパルス整形回路の
正面断面図、第３図は同じくその側面図である。
この実施例では、適当な誘電体磁器材料を用いて
形成した円筒状の誘電体磁器１の内周面及び外周
面に、それぞれ内周電極２及び外周電極３を形成
した構造となつている。前記電極２及び３は、通
常，磁器コンデンサを製造する際に適用される技
術、例えば銀焼付け電極として被着形成する。
正面断面図、第３図は同じくその側面図である。
この実施例では、適当な誘電体磁器材料を用いて
形成した円筒状の誘電体磁器１の内周面及び外周
面に、それぞれ内周電極２及び外周電極３を形成
した構造となつている。前記電極２及び３は、通
常，磁器コンデンサを製造する際に適用される技
術、例えば銀焼付け電極として被着形成する。
このパルス整形回路は、軸方向の一端イにおけ
る電極２−３間をパルス入力端とし、他端ロにお
ける電極２−３間をパルス出力端として動作させ
る。ここで、入力端イと出力端ロとの間のインピ
ーダンスＺ、出力端ロでのパルス幅τ及び容量Ｃ
は、 Ｚ＝60（１／√）ln（r2／r1）Ω τ＝2L√／ｖ sec Ｃ＝0.56εrL／ln（r2／r1）PF 但し、 r1は誘電体磁器１の内径 r2は誘電体磁器１の外径 Ｌは誘電体磁器１の長さ εrは誘電体磁器１の比誘電率 ｖは光速 となる。実現可能な具体的数値として、誘電体磁
器１の比誘電率εrをεr＝1200とし、その形状をr1
＝９mm、r2＝50mm、Ｌ＝84cm としたとすると、 Ｚ＝3Ω τ＝194ns Ｃ＝28.6nF が得られる。即ち、パルス幅τ＝194nsの長パル
スが簡単に得られるのである。またインピーダン
スＺは3Ωの低インピーダンスとなる。しかもイ
ンピーダンスＺの値は、上記構成のパルス整形回
路を並列に複数接続することにより、その並列接
続個数に逆比例して低下させることができる。例
えば上記構成のパルス整形回路の３本を並列に接
続すればインピーダンスＺは1Ωまで低下させる
ことができるのである。このため、例えば1Ω以
下の非常に低いインピーダンスの負荷に対して、
立上がりの速い高電圧かつ大電流の矩形波パルス
を、200ns程度の比較的長時間印加することが可
能で、高電圧、大電流の矩形波パルスを必要とす
るエキシマレーザの励起、電気的スイツチ素子の
試験等に最適な小型のパルス整形回路を実現する
ことができる。
る電極２−３間をパルス入力端とし、他端ロにお
ける電極２−３間をパルス出力端として動作させ
る。ここで、入力端イと出力端ロとの間のインピ
ーダンスＺ、出力端ロでのパルス幅τ及び容量Ｃ
は、 Ｚ＝60（１／√）ln（r2／r1）Ω τ＝2L√／ｖ sec Ｃ＝0.56εrL／ln（r2／r1）PF 但し、 r1は誘電体磁器１の内径 r2は誘電体磁器１の外径 Ｌは誘電体磁器１の長さ εrは誘電体磁器１の比誘電率 ｖは光速 となる。実現可能な具体的数値として、誘電体磁
器１の比誘電率εrをεr＝1200とし、その形状をr1
＝９mm、r2＝50mm、Ｌ＝84cm としたとすると、 Ｚ＝3Ω τ＝194ns Ｃ＝28.6nF が得られる。即ち、パルス幅τ＝194nsの長パル
スが簡単に得られるのである。またインピーダン
スＺは3Ωの低インピーダンスとなる。しかもイ
ンピーダンスＺの値は、上記構成のパルス整形回
路を並列に複数接続することにより、その並列接
続個数に逆比例して低下させることができる。例
えば上記構成のパルス整形回路の３本を並列に接
続すればインピーダンスＺは1Ωまで低下させる
ことができるのである。このため、例えば1Ω以
下の非常に低いインピーダンスの負荷に対して、
立上がりの速い高電圧かつ大電流の矩形波パルス
を、200ns程度の比較的長時間印加することが可
能で、高電圧、大電流の矩形波パルスを必要とす
るエキシマレーザの励起、電気的スイツチ素子の
試験等に最適な小型のパルス整形回路を実現する
ことができる。
第４図は本発明に係るパルス整形回路の実施例
を示している。この実施例の特徴は、内周及び外
周にそれぞれ電極２，３を被着形成した略同一形
状の円筒状誘電体磁器１を複数個用意し、各誘電
体磁器１，１，…を、内周電極２同志及び外周電
極３同志が導通するようにして、軸方向に並べた
ことである。
を示している。この実施例の特徴は、内周及び外
周にそれぞれ電極２，３を被着形成した略同一形
状の円筒状誘電体磁器１を複数個用意し、各誘電
体磁器１，１，…を、内周電極２同志及び外周電
極３同志が導通するようにして、軸方向に並べた
ことである。
上掲式τ＝2L√／ｖから明らかなように、
パルス幅τはパルス整形回路を構成する誘電体磁
器１の長さＬに比例する。したがつて、誘電体磁
器１の長さＬを調節することにより、パルス幅τ
も調節することができる。例えばより長いパルス
幅τが必要な場合は、誘電体磁器１の長さＬを長
くすればよいのである。しかるに、第２図及び第
３図では、一本の誘電体磁器１を用いているた
め、製造し得る長さに製造技術上からの限度があ
り、必要とする長さが得られない場合がある。第
４図の実施例の場合は、略同一形状の円筒状誘電
体磁器１を複数個用意し、各誘電体磁器１，１，
…を、内周電極２同志及び外周電極３同志が導通
するようにして、軸方向に並べた構造であるか
ら、一個の誘電体磁器の長さを小さくして、製造
上の技術的困難性を解決すると共に、誘電体磁器
１，１，…の個数を適当に選択することにより、
パルス整形回路としての実質的な長さＬを調整
し、パルス幅τを自由にかつ簡単にコントロール
することができる。
パルス幅τはパルス整形回路を構成する誘電体磁
器１の長さＬに比例する。したがつて、誘電体磁
器１の長さＬを調節することにより、パルス幅τ
も調節することができる。例えばより長いパルス
幅τが必要な場合は、誘電体磁器１の長さＬを長
くすればよいのである。しかるに、第２図及び第
３図では、一本の誘電体磁器１を用いているた
め、製造し得る長さに製造技術上からの限度があ
り、必要とする長さが得られない場合がある。第
４図の実施例の場合は、略同一形状の円筒状誘電
体磁器１を複数個用意し、各誘電体磁器１，１，
…を、内周電極２同志及び外周電極３同志が導通
するようにして、軸方向に並べた構造であるか
ら、一個の誘電体磁器の長さを小さくして、製造
上の技術的困難性を解決すると共に、誘電体磁器
１，１，…の個数を適当に選択することにより、
パルス整形回路としての実質的な長さＬを調整
し、パルス幅τを自由にかつ簡単にコントロール
することができる。
第５図は第４図に示した複合構造のパルス整形
回路の更に具体的な実施例を示す図である。この
実施例では、誘電体磁器１，１，…の各々は、軸
方向の両端面に適当な絶縁樹脂被覆４を施した構
造とし、誘電体磁器１，１…の両端面における沿
面絶縁破壊を絶縁樹脂被覆４によつて防止してあ
る。この誘電体磁器１，１，…は、その内径部内
に弾力性のある金属パイプ５を共通に貫通させ
て、軸方向に並べて一体化してある。金属パイプ
５はその肉厚部に割５１を入れて弾力性を持たせ
てある。このような構造であると、当該金属パイ
プ５を誘電体磁器１，１，…の内径部内に密着し
て嵌合させ、破損等を生じることなく、内周電極
２に弾力的に接触させることができる。
回路の更に具体的な実施例を示す図である。この
実施例では、誘電体磁器１，１，…の各々は、軸
方向の両端面に適当な絶縁樹脂被覆４を施した構
造とし、誘電体磁器１，１…の両端面における沿
面絶縁破壊を絶縁樹脂被覆４によつて防止してあ
る。この誘電体磁器１，１，…は、その内径部内
に弾力性のある金属パイプ５を共通に貫通させ
て、軸方向に並べて一体化してある。金属パイプ
５はその肉厚部に割５１を入れて弾力性を持たせ
てある。このような構造であると、当該金属パイ
プ５を誘電体磁器１，１，…の内径部内に密着し
て嵌合させ、破損等を生じることなく、内周電極
２に弾力的に接触させることができる。
金属パイプ５によつて軸方向に一体化された誘
電体磁器１，１，…の外周面には、金属網体６を
套装してあり、該金属網体６によつて誘電体磁器
１，１，…の各外周電極３を互いに導通接続させ
てある。
電体磁器１，１，…の外周面には、金属網体６を
套装してあり、該金属網体６によつて誘電体磁器
１，１，…の各外周電極３を互いに導通接続させ
てある。
更に、電気絶縁性を向上させるため、金属網体
６の上から熱収縮性絶縁チユーブ７を被せ、全体
を絶縁ハウジング８内に収納した構造となつてい
る。絶縁ハウジング８内のパルス整形回路の周囲
には、絶縁油、絶縁ガス、シリコンゴム等を満た
し、沿面絶縁破壊を防止してある。ただし、電圧
が低い場合は、絶縁ハウジング８は省略してもよ
い。
６の上から熱収縮性絶縁チユーブ７を被せ、全体
を絶縁ハウジング８内に収納した構造となつてい
る。絶縁ハウジング８内のパルス整形回路の周囲
には、絶縁油、絶縁ガス、シリコンゴム等を満た
し、沿面絶縁破壊を防止してある。ただし、電圧
が低い場合は、絶縁ハウジング８は省略してもよ
い。
第６図は本発明に係るパルス整形回路を希ガス
−ハライドエキシマレーザ発生装置に使用した例
を示す図である。図において、Ｒは入力抵抗、Ｃ
はコンデンサ、SG１はスパークギヤツプ、PFL
は第２図〜第５図で示した本発明に係るパルス整
形回路、SG２はレールギヤツプ、Ａは希ガス−
ハライドエキシマレーザ管である。パルス整形回
路PFLは入力端イ側の内周電極２をスパークギ
ヤツプSG１に、また外周電極３をコンデンサＣ
に接続すると共に、出力端ロ側の内周電極２をレ
ールギヤツプSG２に、外周電極３を希ガス−ハ
ライドエキシマレーザ管Ａの電極にそれぞれ接続
してある。
−ハライドエキシマレーザ発生装置に使用した例
を示す図である。図において、Ｒは入力抵抗、Ｃ
はコンデンサ、SG１はスパークギヤツプ、PFL
は第２図〜第５図で示した本発明に係るパルス整
形回路、SG２はレールギヤツプ、Ａは希ガス−
ハライドエキシマレーザ管である。パルス整形回
路PFLは入力端イ側の内周電極２をスパークギ
ヤツプSG１に、また外周電極３をコンデンサＣ
に接続すると共に、出力端ロ側の内周電極２をレ
ールギヤツプSG２に、外周電極３を希ガス−ハ
ライドエキシマレーザ管Ａの電極にそれぞれ接続
してある。
上記の希ガス−ハライドエキシマレーザ発生装
置において、入力抵抗Ｒを通して高圧を供給し、
コンデンサＣを充電した後、スパークギヤツプ
SG１を閉じ、パルス整形回路PFLをパルス充電
する。パルス整形回路PFLのパルス充電電圧が
一定の値になり、レールギヤツプSG２が閉じる
と、パルス整形回路PFLの中を電圧波が往復し、
矩形波パルスが希ガス−ハライドエキシマレーザ
管Ａに印加され、紫外線領域のエキシマレーザが
発生する。
置において、入力抵抗Ｒを通して高圧を供給し、
コンデンサＣを充電した後、スパークギヤツプ
SG１を閉じ、パルス整形回路PFLをパルス充電
する。パルス整形回路PFLのパルス充電電圧が
一定の値になり、レールギヤツプSG２が閉じる
と、パルス整形回路PFLの中を電圧波が往復し、
矩形波パルスが希ガス−ハライドエキシマレーザ
管Ａに印加され、紫外線領域のエキシマレーザが
発生する。
次にこの希ガス−ハライドエキシマレーザ発生
装置において、 εr＝1200 r1＝９mm r2＝50mm Ｌ＝84cm のパルス整形回路回路PFLを用いた実施例につ
いて説明する。この場合、一本のパルス整形回路
回路PFLでは、 Ｚ＝3Ω τ＝194ns Ｃ＝28.6nF となる。この実施例では、負荷となる希ガス−５
ライドエキシマレーザ管Ａとのインピーダンスマ
ツチングを考慮して、三本のパルス整形回路回路
PFLを並列に接続した。従つて、パルス整形回
路回路全体としては、 Ｚ＝1Ω τ＝194ns Ｃ＝86nF である。
装置において、 εr＝1200 r1＝９mm r2＝50mm Ｌ＝84cm のパルス整形回路回路PFLを用いた実施例につ
いて説明する。この場合、一本のパルス整形回路
回路PFLでは、 Ｚ＝3Ω τ＝194ns Ｃ＝28.6nF となる。この実施例では、負荷となる希ガス−５
ライドエキシマレーザ管Ａとのインピーダンスマ
ツチングを考慮して、三本のパルス整形回路回路
PFLを並列に接続した。従つて、パルス整形回
路回路全体としては、 Ｚ＝1Ω τ＝194ns Ｃ＝86nF である。
第７図は上記実施例における電圧波形図、第８
図は同じく電流波形図、第９図はレーザ波形図で
ある。まず、電圧は、第７図に示すように、レー
ザの放電時にインピーダンスＺが無限大から1Ω
以下に急激に低下するので、最初に急峻なピーク
があり、その後、パルス整形回路回路PFLのパ
ルス幅τ＝194nsに対応した一定の電圧が得られ
るている。電流については、第８図に示すよう
に、パルス整形回路回路PFLのパルス幅τ＝
194nsの間、ほぼ矩形波が得られ、しかも立上り
時間が20nsで約80KAの電流が得られている。レ
ーザについては、第９図に示すように、前記パル
ス幅τ＝194nsに対応して約150nsのパルス幅が得
られている。
図は同じく電流波形図、第９図はレーザ波形図で
ある。まず、電圧は、第７図に示すように、レー
ザの放電時にインピーダンスＺが無限大から1Ω
以下に急激に低下するので、最初に急峻なピーク
があり、その後、パルス整形回路回路PFLのパ
ルス幅τ＝194nsに対応した一定の電圧が得られ
るている。電流については、第８図に示すよう
に、パルス整形回路回路PFLのパルス幅τ＝
194nsの間、ほぼ矩形波が得られ、しかも立上り
時間が20nsで約80KAの電流が得られている。レ
ーザについては、第９図に示すように、前記パル
ス幅τ＝194nsに対応して約150nsのパルス幅が得
られている。
従来、希ガスーハライドエキシマレーザにおい
て、100ns以上のパルス幅の高出力を得るために、
水を誘電体とした平板形パルス整形回路を用いて
いたが、これを用いると200nsのパルス幅を得る
のに、3.3ｍの長さが必要であつた。これに対し、
本発明によれば、上記実施例で説明した通り、全
長Ｌが85cmで外径r2が50mmの誘電体磁器を用い
て、約200nsのパルス幅を持つパルス整形回路を
実現することができる。このため、装置が著しく
小型かつ簡単化される。しかも、水の循環装置や
脱イオン化装置が不要であるため、装置全体が著
しく小型化できる。
て、100ns以上のパルス幅の高出力を得るために、
水を誘電体とした平板形パルス整形回路を用いて
いたが、これを用いると200nsのパルス幅を得る
のに、3.3ｍの長さが必要であつた。これに対し、
本発明によれば、上記実施例で説明した通り、全
長Ｌが85cmで外径r2が50mmの誘電体磁器を用い
て、約200nsのパルス幅を持つパルス整形回路を
実現することができる。このため、装置が著しく
小型かつ簡単化される。しかも、水の循環装置や
脱イオン化装置が不要であるため、装置全体が著
しく小型化できる。
本発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、次のよう
な効果が得られる。
な効果が得られる。
(a) 円筒状誘電体磁器を用い、その軸方向の一端
をパルス入力端とし、他端をパルス出力端とし
たから、インピーダンスが低く、例えば1Ω以
下の低インピーダンス負荷であるエキシマレー
ザの励起、電気的スイツチ素子の試験等に適し
たパルス整形回路を提供できる。
をパルス入力端とし、他端をパルス出力端とし
たから、インピーダンスが低く、例えば1Ω以
下の低インピーダンス負荷であるエキシマレー
ザの励起、電気的スイツチ素子の試験等に適し
たパルス整形回路を提供できる。
(b) 円筒状誘電体磁器を用いたから、高電圧、大
電流の矩形波パルス整形に適し、エキシマレー
ザの励起、電気的スイツチ素子の試験等に好適
なパルス整形回路を提供できる。
電流の矩形波パルス整形に適し、エキシマレー
ザの励起、電気的スイツチ素子の試験等に好適
なパルス整形回路を提供できる。
(c) 円筒状誘電体磁器の軸方向の一端をパルス入
力端とし、他端をパルス出力端とし、パルス入
力端にパルスが入力されたとき、パルス出力端
から誘電体磁器の軸方向長さにほぼ比例するパ
ルス幅を有するパルスを出力するから、誘電体
磁器の軸方向長さによつて定まる比較的長いパ
ルス幅を有するパルスを出力できる。このた
め、比較的長い矩形波パルスを必要とするエキ
シマレーザの励起、電気的スイツチ素子の試験
等に適したパルス整形回路を提供できる。
力端とし、他端をパルス出力端とし、パルス入
力端にパルスが入力されたとき、パルス出力端
から誘電体磁器の軸方向長さにほぼ比例するパ
ルス幅を有するパルスを出力するから、誘電体
磁器の軸方向長さによつて定まる比較的長いパ
ルス幅を有するパルスを出力できる。このた
め、比較的長い矩形波パルスを必要とするエキ
シマレーザの励起、電気的スイツチ素子の試験
等に適したパルス整形回路を提供できる。
(d) 誘電体磁器は複数個備えられ、各々は実質的
に同一の内径寸法及び外形寸法を有し、内周電
極同志及び外周電極同志が導通するように軸方
向に並べられているから、誘電体磁器の個数選
択によつて、パルス幅を自由、かつ、簡単にコ
ントロールし得るパルス整形回路を提供でき
る。
に同一の内径寸法及び外形寸法を有し、内周電
極同志及び外周電極同志が導通するように軸方
向に並べられているから、誘電体磁器の個数選
択によつて、パルス幅を自由、かつ、簡単にコ
ントロールし得るパルス整形回路を提供でき
る。
第１図は従来のパルス整形回路回路の電気回路
接続図、第２図は本発明の基礎となるパルス整形
回路回路の正面断面図、第３図は同じくその側面
図、第４図は本発明に係るパルス整形回路回路の
別の実施例における正面断面図、第５図は同じく
更に別の実施例の正面断面図、第６図は本発明に
係るパルス整形回路回路を使用した希ガスーハラ
イドエキシマレーザ発生装置の電気回路接続図、
第７図は第６図の希ガスーハライドエキシマレー
ザ発生装置によつて得られた電圧波形図、第８図
は同じく電流波形図、第９図は同じくレーザ波形
図である。 １……誘電体磁器、２……電極、３……電極。
接続図、第２図は本発明の基礎となるパルス整形
回路回路の正面断面図、第３図は同じくその側面
図、第４図は本発明に係るパルス整形回路回路の
別の実施例における正面断面図、第５図は同じく
更に別の実施例の正面断面図、第６図は本発明に
係るパルス整形回路回路を使用した希ガスーハラ
イドエキシマレーザ発生装置の電気回路接続図、
第７図は第６図の希ガスーハライドエキシマレー
ザ発生装置によつて得られた電圧波形図、第８図
は同じく電流波形図、第９図は同じくレーザ波形
図である。 １……誘電体磁器、２……電極、３……電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 内周及び外周の各全面に内周電極及び外周電
極を被着形成した円筒状誘電体磁器を有し、前記
誘電体磁器の軸方向の一端側に位置する前記内周
電極及び前記外周電極の端部をパルス入力端と
し、他端側に位置する前記内周電極及び外周電極
の端部をパルス出力端とし、前記パルス入力端に
パルスが入力されたとき、前記パルス出力端から
前記誘電体磁器の軸方向長さにほぼ比例するパル
ス幅を有するパルスを出力するパルス整形回路で
あつて、 前記誘電体磁器は複数個備えられ、各々は実質
的に同一の内径寸法及び外形寸法を有し、前記内
周電極同志及び前記外周電極同志が導通するよう
に軸方向に並べられていることを特徴とするパル
ス整形回路。 ２ 前記誘電体磁器の各々は、内径部内を貫通さ
せた弾力性のある金属パイプによつて結合され、
前記内周電極が前記金属パイプによつて導通して
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載のパルス整形回路。 ３ 前記金属パイプは、軸方向に沿う割りを有
し、前記割りによる弾力性が付与されていること
を特徴とする特許請求の範囲第２項に記載のパル
ス整形回路。 ４ 前記誘電体磁器の外周に金属網体を套装し、
前記金属網体により前記外周電極の各々を導通さ
せたことを特徴とする特許請求の範囲第１項、第
２項または第３項に記載のパルス整形回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57213229A JPS59103392A (ja) | 1982-12-04 | 1982-12-04 | パルス整形回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57213229A JPS59103392A (ja) | 1982-12-04 | 1982-12-04 | パルス整形回路 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22187583A Division JPS59171185A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | エキシマレ−ザ発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59103392A JPS59103392A (ja) | 1984-06-14 |
| JPH0451996B2 true JPH0451996B2 (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=16635666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57213229A Granted JPS59103392A (ja) | 1982-12-04 | 1982-12-04 | パルス整形回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59103392A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2583228B1 (fr) * | 1985-06-05 | 1987-08-28 | Saint Louis Inst | Tube laser a vapeurs metalliques |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS516368Y2 (ja) * | 1971-03-09 | 1976-02-21 | ||
| JPS49140636U (ja) * | 1973-04-04 | 1974-12-04 | ||
| JPS56593U (ja) * | 1980-03-12 | 1981-01-06 |
-
1982
- 1982-12-04 JP JP57213229A patent/JPS59103392A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59103392A (ja) | 1984-06-14 |
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