JPH0452405B2 - - Google Patents
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- JPH0452405B2 JPH0452405B2 JP58037346A JP3734683A JPH0452405B2 JP H0452405 B2 JPH0452405 B2 JP H0452405B2 JP 58037346 A JP58037346 A JP 58037346A JP 3734683 A JP3734683 A JP 3734683A JP H0452405 B2 JPH0452405 B2 JP H0452405B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- cleaning liquid
- flux
- flux concentration
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/85—Investigating moving fluids or granular solids
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半田付け工程後のプリント基板等か
ら、半田付け工程で付着したフラツクスを除去す
るための洗浄に用いる洗浄装置に関し、特に洗浄
液中のフラツクス濃度を測定する方法に関する。
ら、半田付け工程で付着したフラツクスを除去す
るための洗浄に用いる洗浄装置に関し、特に洗浄
液中のフラツクス濃度を測定する方法に関する。
プリント基板の組立工程には一般に半田付け工
程が含まれるが、この半田付け工程では接続品質
を確保するためにフラツクスが使用される。この
フラツクスはプリント基板に残留させたままにし
ておくと、腐食や電気的接触不良等の問題を引き
起こす原因となるため、プリント基板を洗浄して
残留フラツクスを洗い流す必要がある。
程が含まれるが、この半田付け工程では接続品質
を確保するためにフラツクスが使用される。この
フラツクスはプリント基板に残留させたままにし
ておくと、腐食や電気的接触不良等の問題を引き
起こす原因となるため、プリント基板を洗浄して
残留フラツクスを洗い流す必要がある。
ところで、一定量の洗浄液中でプリント基板の
洗浄を繰り返すと、プリント基板から除去された
フラツクスが洗浄液中に蓄積するため、洗浄液中
のフラツクス濃度が徐々に上昇する。一方、洗浄
後のプリント基板の表面には、洗浄液中のフラツ
クス濃度に相当する量のフラツクスが残留する。
したがつて、洗浄液中のフラツクス濃度レベルを
あるレベル以下に管理しないと、プリント基板か
ら十分にフラツクスを除去できず、腐食や接触不
良等を十分に防止できない。
洗浄を繰り返すと、プリント基板から除去された
フラツクスが洗浄液中に蓄積するため、洗浄液中
のフラツクス濃度が徐々に上昇する。一方、洗浄
後のプリント基板の表面には、洗浄液中のフラツ
クス濃度に相当する量のフラツクスが残留する。
したがつて、洗浄液中のフラツクス濃度レベルを
あるレベル以下に管理しないと、プリント基板か
ら十分にフラツクスを除去できず、腐食や接触不
良等を十分に防止できない。
第１図は、洗浄液中フラツクス濃度と、プリン
ト基板上のコネクタの接触不良発生率との相関を
調べた結果を示している。この図から明らかなよ
うに、十分な洗浄効果を達成するには、洗浄液中
のフラツクス濃度を一定の濃度以下に保たねばな
らない。
ト基板上のコネクタの接触不良発生率との相関を
調べた結果を示している。この図から明らかなよ
うに、十分な洗浄効果を達成するには、洗浄液中
のフラツクス濃度を一定の濃度以下に保たねばな
らない。
さて、洗浄液中のフラツクス濃度を管理する前
提として、フラツクス濃度を知る必要がある。そ
こで従来は、洗浄槽から抜き取つた洗浄液の汚れ
具合を目視にて調べ、フラツクス濃度を推定した
り、洗浄液の比重とフラツクス濃度の相関からフ
ラツクス濃度を求めるという方法を採用してい
る。しかし、このような方法では、前記のような
10-2重量パーセント以下のオーダの濃度を精密に
測定することは困難であつた。
提として、フラツクス濃度を知る必要がある。そ
こで従来は、洗浄槽から抜き取つた洗浄液の汚れ
具合を目視にて調べ、フラツクス濃度を推定した
り、洗浄液の比重とフラツクス濃度の相関からフ
ラツクス濃度を求めるという方法を採用してい
る。しかし、このような方法では、前記のような
10-2重量パーセント以下のオーダの濃度を精密に
測定することは困難であつた。
本発明の目的は、洗浄装置における洗浄液中の
フラツクス濃度を簡単な構成で高精度に測定する
方法を提供することにあり、特に、１台または直
列的に接続された複数台の洗浄槽に、蒸留機を介
在させて洗浄液を循環させる構成の洗浄装置に好
適なフラツクス濃度測定方法を提供することにあ
る。
フラツクス濃度を簡単な構成で高精度に測定する
方法を提供することにあり、特に、１台または直
列的に接続された複数台の洗浄槽に、蒸留機を介
在させて洗浄液を循環させる構成の洗浄装置に好
適なフラツクス濃度測定方法を提供することにあ
る。
洗浄液中のフラツクスは、特定の波長の光に対
し固有の吸収特性を有する。また、その吸収量は
フラツクスの量、つまり濃度に依存する。したが
つて、特定の波長の光を洗浄液に入射し、その光
の吸収量または透過量を測定すれば、フラツクス
濃度を知ることができる。しかしこれは、吸収量
または透過量が洗浄液中のフラツクス以外の物質
によつて影響を受けない場合の話であり、実際の
洗浄装置にそのまま適用することはできない。こ
れについて、以下に説明する。
し固有の吸収特性を有する。また、その吸収量は
フラツクスの量、つまり濃度に依存する。したが
つて、特定の波長の光を洗浄液に入射し、その光
の吸収量または透過量を測定すれば、フラツクス
濃度を知ることができる。しかしこれは、吸収量
または透過量が洗浄液中のフラツクス以外の物質
によつて影響を受けない場合の話であり、実際の
洗浄装置にそのまま適用することはできない。こ
れについて、以下に説明する。
洗浄装置は一般に、洗浄槽中の汚れた洗浄液を
蒸留機に送り、そこで加熱蒸留してフラツクスを
除去した後、洗浄槽に再び送り込む構成であり、
洗浄液は繰り返し加熱冷却される。この加熱の繰
り返しによる洗浄液自体の化学的分解を防止する
ため、洗浄液中に分解防止剤が添付される。例え
ば代表的な洗浄液であるトリクロルエタン（クロ
ロセン）の場合、1.4−ジオキサン、ブチレンオ
キサイド、ニトロメタン等が分解防止剤として添
加される。これらの物質の中には、代表的なロジ
ン系フラツクス中のロジンと光の吸収波長領域が
一部重複する。しかも、分解防止剤の濃度は洗浄
液の使用時間、つまり蒸留再生の熱来歴に応じて
変化する。したがつて、光の吸収量または透過量
から10-2重量パーセント程度の微量なフラツクス
濃度を測定するには、分解防止剤による光吸収、
および分解防止剤の濃度変化による影響を除去す
ることが不可欠である。
蒸留機に送り、そこで加熱蒸留してフラツクスを
除去した後、洗浄槽に再び送り込む構成であり、
洗浄液は繰り返し加熱冷却される。この加熱の繰
り返しによる洗浄液自体の化学的分解を防止する
ため、洗浄液中に分解防止剤が添付される。例え
ば代表的な洗浄液であるトリクロルエタン（クロ
ロセン）の場合、1.4−ジオキサン、ブチレンオ
キサイド、ニトロメタン等が分解防止剤として添
加される。これらの物質の中には、代表的なロジ
ン系フラツクス中のロジンと光の吸収波長領域が
一部重複する。しかも、分解防止剤の濃度は洗浄
液の使用時間、つまり蒸留再生の熱来歴に応じて
変化する。したがつて、光の吸収量または透過量
から10-2重量パーセント程度の微量なフラツクス
濃度を測定するには、分解防止剤による光吸収、
および分解防止剤の濃度変化による影響を除去す
ることが不可欠である。
本発明はこのような考察に基づいたものであ
り、１台または直列的に接続された複数台の洗浄
槽に蒸留機を介在させて洗浄液を循環させる洗浄
装置において、蒸留機から送出された直後の洗浄
液について、特定波長の光の吸収量または透過量
を測定するとともに、蒸留機から送出された洗浄
液が最初に流入する最前段の洗浄槽内の洗浄液に
ついて同波長光の吸収量または透過量を調べ、上
記２個所の測定結果から最前段洗浄槽内の洗浄液
中のフラツクス濃度を正確に求めるものである。
り、１台または直列的に接続された複数台の洗浄
槽に蒸留機を介在させて洗浄液を循環させる洗浄
装置において、蒸留機から送出された直後の洗浄
液について、特定波長の光の吸収量または透過量
を測定するとともに、蒸留機から送出された洗浄
液が最初に流入する最前段の洗浄槽内の洗浄液に
ついて同波長光の吸収量または透過量を調べ、上
記２個所の測定結果から最前段洗浄槽内の洗浄液
中のフラツクス濃度を正確に求めるものである。
即ち、蒸留機から送出直後の洗浄液と、最前段
の洗浄槽内の洗浄液は、蒸留による熱来歴回数は
ほぼ等しいため、両方の洗浄液中の分解防止剤濃
度は極めて接近している。換言すれば、分解防止
剤による影響は、各測定位置に対して実質的に均
等に及ぶ。したがつて、各測定位置の測定値を減
算ないし比較すれば、分解防止剤に影響されるこ
となくフラツクス濃度を求めることができる。
の洗浄槽内の洗浄液は、蒸留による熱来歴回数は
ほぼ等しいため、両方の洗浄液中の分解防止剤濃
度は極めて接近している。換言すれば、分解防止
剤による影響は、各測定位置に対して実質的に均
等に及ぶ。したがつて、各測定位置の測定値を減
算ないし比較すれば、分解防止剤に影響されるこ
となくフラツクス濃度を求めることができる。
第２図によつて、本発明の一実施例を説明す
る。
る。
本実施例は２台の洗浄槽２，３を備える洗浄装
置の例であり、洗浄液７は前段の洗浄槽３から後
段の洗浄槽２に流れ、さらにポンプ４によつて蒸
留機５に送られる。この蒸留機５によつて蒸留さ
れ、フラツクスを除去された洗浄液は再び前段の
洗浄槽３に送り込まれる。蒸留機５は公知の構造
のものであり、洗浄液加熱用のヒータ８、凝縮用
の冷却コイル９、凝縮液（蒸留再生後の洗浄液）
を受ける受け皿１０を密閉容器内に備えて成る。
以上が洗浄装置の基本構成である。プリント基板
等のフラツクスの付着した被洗浄物１を洗浄する
場合、被洗浄物１をまず後段の洗浄槽２にて洗浄
して大部分のフラツクスを落とした後、その被洗
浄物１を前段の洗浄槽３で仕上げ洗浄する。した
がつて、洗浄液７中のフラツクス濃度は後段の洗
浄槽２の方が高い。最終的に被洗浄物１に残留す
るフラツクスの量は、前段洗浄槽３内の洗浄液中
のフラツクス濃度に依存するから、フラツクス濃
度の管理を行うためには同洗浄槽３内のフラツク
ス濃度を測定する必要がある。
置の例であり、洗浄液７は前段の洗浄槽３から後
段の洗浄槽２に流れ、さらにポンプ４によつて蒸
留機５に送られる。この蒸留機５によつて蒸留さ
れ、フラツクスを除去された洗浄液は再び前段の
洗浄槽３に送り込まれる。蒸留機５は公知の構造
のものであり、洗浄液加熱用のヒータ８、凝縮用
の冷却コイル９、凝縮液（蒸留再生後の洗浄液）
を受ける受け皿１０を密閉容器内に備えて成る。
以上が洗浄装置の基本構成である。プリント基板
等のフラツクスの付着した被洗浄物１を洗浄する
場合、被洗浄物１をまず後段の洗浄槽２にて洗浄
して大部分のフラツクスを落とした後、その被洗
浄物１を前段の洗浄槽３で仕上げ洗浄する。した
がつて、洗浄液７中のフラツクス濃度は後段の洗
浄槽２の方が高い。最終的に被洗浄物１に残留す
るフラツクスの量は、前段洗浄槽３内の洗浄液中
のフラツクス濃度に依存するから、フラツクス濃
度の管理を行うためには同洗浄槽３内のフラツク
ス濃度を測定する必要がある。
次に、フラツクス濃度の測定等について説明す
る。
る。
蒸留機５と前段洗浄槽３の間の洗浄液流路の途
中に、洗浄液を一時的にプールするための予備タ
ンク６が設けられている。この予備タンク６内の
洗浄液は小型ポンプ１２ａによつてセル１１ａに
送られ、セル１１ａを通過した洗浄液は再び予備
タンク６に戻される。また、前段洗浄槽３内の洗
浄液も、小型ポンプ１２ｂによつてセル１１ｂを
通じ循環させられる。
中に、洗浄液を一時的にプールするための予備タ
ンク６が設けられている。この予備タンク６内の
洗浄液は小型ポンプ１２ａによつてセル１１ａに
送られ、セル１１ａを通過した洗浄液は再び予備
タンク６に戻される。また、前段洗浄槽３内の洗
浄液も、小型ポンプ１２ｂによつてセル１１ｂを
通じ循環させられる。
セル１１ａを間に発光器１３ａと光度計１４ａ
が対向して設置され、同様にセル１１ｂを間に発
光器１３ｂと光度計１４ｂが対向配置されてい
る。発光器１３ａ，１３ｂは一定の強さの特定波
長の光をセル１１ａ，１１ｂに投射するものであ
り、その光の波長は洗浄液の循環によつても若干
異るが、ロジン系フラツクスの濃度の測定を意図
する場合、250nｍまたは310nｍ（波長）に選ぶ
ことができる。セル１１ａ，１１ｂはこのような
波長の光を効率良く透過させる透光性材料で作る
必要があり、例えば石英ガラス製とする。
が対向して設置され、同様にセル１１ｂを間に発
光器１３ｂと光度計１４ｂが対向配置されてい
る。発光器１３ａ，１３ｂは一定の強さの特定波
長の光をセル１１ａ，１１ｂに投射するものであ
り、その光の波長は洗浄液の循環によつても若干
異るが、ロジン系フラツクスの濃度の測定を意図
する場合、250nｍまたは310nｍ（波長）に選ぶ
ことができる。セル１１ａ，１１ｂはこのような
波長の光を効率良く透過させる透光性材料で作る
必要があり、例えば石英ガラス製とする。
光度計１４ａ，１４ｂは、発光器１３ａ，１３
ｂから出てセル１１ａ，１１ｂを透過した光を受
光し、その光度に比例（または反比例）した電圧
値または電流値の電気信号を出力する。つまり、
セル１１ａ，１１ｂ内の洗浄液を透過した光量
（または同洗浄液により吸収された光量）に比例
した値の電気信号が得られる。この電気信号の
値、つまり透過光量（または吸収光量）は、洗浄
液中のフラツクス濃度のみならず、分解防止剤の
濃度によつても変化することは前述の通りであ
る。ここで、セル１１ａ，１１ｂ内の洗浄液はほ
ぼ同じ蒸留再生熱来歴を持つため、そこに含まれ
る分解防止剤の濃度はほぼ同一とみなし得るか
ら、光度計１４ａ，１４ｂの出力信号値の差はセ
ル１１ａ，１１ｂ内の洗浄液中のフラツクス濃度
の差に相当すると考えてよい。しかも、セル１１
ａ内の洗浄液は蒸留直後であつてフラツクスは実
質的に含まないとみなし得るため、光度計１４
ａ，１４ｂの出力信号値の差はセル１１ｂ内の洗
浄液のフラツクス濃度に相当する。したがつて、
濃度測定回路１５によつて光度計１４ａ，１４ｂ
の出力信号値の減算または比較を行うことによ
り、セル１１ｂ内の洗浄液、つまり前段洗浄槽３
内の洗浄液中のフラツクス濃度を高精度で求める
ことができる。
ｂから出てセル１１ａ，１１ｂを透過した光を受
光し、その光度に比例（または反比例）した電圧
値または電流値の電気信号を出力する。つまり、
セル１１ａ，１１ｂ内の洗浄液を透過した光量
（または同洗浄液により吸収された光量）に比例
した値の電気信号が得られる。この電気信号の
値、つまり透過光量（または吸収光量）は、洗浄
液中のフラツクス濃度のみならず、分解防止剤の
濃度によつても変化することは前述の通りであ
る。ここで、セル１１ａ，１１ｂ内の洗浄液はほ
ぼ同じ蒸留再生熱来歴を持つため、そこに含まれ
る分解防止剤の濃度はほぼ同一とみなし得るか
ら、光度計１４ａ，１４ｂの出力信号値の差はセ
ル１１ａ，１１ｂ内の洗浄液中のフラツクス濃度
の差に相当すると考えてよい。しかも、セル１１
ａ内の洗浄液は蒸留直後であつてフラツクスは実
質的に含まないとみなし得るため、光度計１４
ａ，１４ｂの出力信号値の差はセル１１ｂ内の洗
浄液のフラツクス濃度に相当する。したがつて、
濃度測定回路１５によつて光度計１４ａ，１４ｂ
の出力信号値の減算または比較を行うことによ
り、セル１１ｂ内の洗浄液、つまり前段洗浄槽３
内の洗浄液中のフラツクス濃度を高精度で求める
ことができる。
このようにして求められたフラツクス濃度は電
気信号としてコントローラ１６に入力される。コ
ントローラ１６は、測定されたフラツクス濃度が
上限（例えば10-2重量パーセント）を越えること
のないように、ポンプ４および蒸留機５の動作を
制御して洗浄液の再生循環速度を調整し、前段洗
浄槽３内の洗浄液のフラツクス濃度を上限以下に
管理する。このように、本実施例はフラツクス濃
度を自動的に連続モニタリングする。
気信号としてコントローラ１６に入力される。コ
ントローラ１６は、測定されたフラツクス濃度が
上限（例えば10-2重量パーセント）を越えること
のないように、ポンプ４および蒸留機５の動作を
制御して洗浄液の再生循環速度を調整し、前段洗
浄槽３内の洗浄液のフラツクス濃度を上限以下に
管理する。このように、本実施例はフラツクス濃
度を自動的に連続モニタリングする。
なお、本実施例では２台の洗浄槽を直列的に接
続しているが、３台以上の洗浄槽を直列的に接続
した洗浄装置では、その最前段の洗浄槽内の洗浄
液中フラツクス濃度を同様に測定すればよい。ま
た洗浄槽が１台のみの場合は、その洗浄槽におけ
るフラツクス濃度を同様にして測定する。
続しているが、３台以上の洗浄槽を直列的に接続
した洗浄装置では、その最前段の洗浄槽内の洗浄
液中フラツクス濃度を同様に測定すればよい。ま
た洗浄槽が１台のみの場合は、その洗浄槽におけ
るフラツクス濃度を同様にして測定する。
以上に詳述したように、本発明によれば洗浄液
中の微量のフラツクス濃度を簡単な構成で高精度
に測定することができる。
中の微量のフラツクス濃度を簡単な構成で高精度
に測定することができる。
第１図は洗浄液中のフラツクス濃度と接触不良
発生率との相関を示す図、第２図は本発明の一実
施例である洗浄装置の構成図である。 ２，３……洗浄槽、４……ポンプ、５……蒸留
機、６……補助タンク、１１ａ，１１ｂ……セ
ル、１２ａ，１２ｂ……小型ポンプ、１３ａ，１
３ｂ……発光器、１４ａ，１４ｂ……光度計、１
５……濃度測定回路、１６……コントローラ。
発生率との相関を示す図、第２図は本発明の一実
施例である洗浄装置の構成図である。 ２，３……洗浄槽、４……ポンプ、５……蒸留
機、６……補助タンク、１１ａ，１１ｂ……セ
ル、１２ａ，１２ｂ……小型ポンプ、１３ａ，１
３ｂ……発光器、１４ａ，１４ｂ……光度計、１
５……濃度測定回路、１６……コントローラ。
Claims (1)
- １ １台または直列的に接続した複数台の洗浄槽
に蒸留機を介在させて洗浄液を循環させる構成の
洗浄装置において、蒸留機から送り出された洗浄
液が最初に流入する最前段の洗浄槽内の洗浄液に
ついて特定波長光の吸収量または透過量を測定す
るとともに、該蒸留機から送り出されて該最前段
洗浄槽に流入する前の洗浄液について該特定波長
光の吸収量または透過量を測定し、これら２つの
測定の測定値から該最前段洗浄槽内の洗浄液中の
フラツクス濃度を求めることを特徴とするフラツ
クス濃度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3734683A JPS59163541A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | フラツクス濃度測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3734683A JPS59163541A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | フラツクス濃度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59163541A JPS59163541A (ja) | 1984-09-14 |
| JPH0452405B2 true JPH0452405B2 (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=12495014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3734683A Granted JPS59163541A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | フラツクス濃度測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59163541A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0453484U (ja) * | 1990-09-11 | 1992-05-07 | ||
| WO1996029598A1 (en) * | 1995-03-17 | 1996-09-26 | Hitachi, Ltd. | Waste water control system |
| JP5303395B2 (ja) * | 2009-08-05 | 2013-10-02 | アクトファイブ株式会社 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228917A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Hitachi Condenser Co Ltd | ケース入りコンデンサ |
-
1983
- 1983-03-09 JP JP3734683A patent/JPS59163541A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59163541A (ja) | 1984-09-14 |
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