JPH045278A - 光学活性なピリミジン化合物 - Google Patents

光学活性なピリミジン化合物

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JPH045278A
JPH045278A JP2105283A JP10528390A JPH045278A JP H045278 A JPH045278 A JP H045278A JP 2105283 A JP2105283 A JP 2105283A JP 10528390 A JP10528390 A JP 10528390A JP H045278 A JPH045278 A JP H045278A
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JP
Japan
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benzoic acid
ester
group
optically active
acid
Prior art date
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Pending
Application number
JP2105283A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Iwane
寛 岩根
Masaki Saito
斉藤 正喜
Yukiyoshi Inui
乾 至良
Arata Kono
新 河野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH045278A publication Critical patent/JPH045278A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、新規な光学活性化合物に関するものである。
本発明の化合物は、それ自体でまたは他の液晶化合物と
フレンドして電気光学素子材料として使用される。
[従来の技術] 現在、?α晶表示素子はその低電圧駆動性、低消費電力
性及び小型、薄型化などの観点から各種の表示素子とし
て広く使用されている。
現在のところ、実用化されているほとんどが、ネマチッ
ク液晶を用いたTN(TwistedNematic)
型の表示素子である。しかし、この表示方式は応答時間
が高々数m s e cのオーダーで遅いといった欠点
があり、最近に至って、強誘電性スメクチック液晶を用
いれは、より高速な応答が得られることがわかフてきた
強誘電性スメチック液晶は、1975年、R,B。
M e ye rらにより開発された4−(4−n−デ
シルオキシベンジリデンアミノ)ケイ皮酸−2−メチル
ブチルエステル(以下、DOBAMBCと略記する)を
代表例とする化合物であり、そのカイラルスメクチック
C相に於て、強誘電性を示すことを特徴とするものであ
る(ジュルナル・ド・フィジーク(J、、Phys 1
que)36.L−69(1975))。
最近、N、  A、  Cf a r kら(アプライ
ド・)ィジックス・レターズ(App 1.  Phy
s、Le t t、)、36. 899 (1980)
 )によって、DOBAMBCの薄膜セルに於て、μs
ecオーダーの高速応答性が見いだされたことを契機に
、強誘電性スメクチック液晶はその高速応答性を利用し
て液晶テレビ等のデイスプレィ用のみならず、光プリン
タヘット、光フーリエ変換素子、ライトバルブなどのオ
ブトエレクトコニクス間達素子の素材用にも使用可能な
材料として注目を集めている。
しかしながら、現在知られている強誘電性液晶では単一
組成で実用に供せられるような広い温度範囲を有するも
のを得ることは困難であり、数種類の材料をブレンドす
ることによって、カイラルスメクチックC相の温度範囲
を拡大する方法が用いられているが、その強誘電性液晶
や適切な配合材の種類は少なく性能的にも不十分な状態
にあり、実用化に至っていないのが現状である。
なお、フェニルピリミジンカルボン酸のフェニルエステ
ルとして、次の化合物が知られている。
(特開昭62−149669号公報)。
(但し、Yはn−ヘキシル基、またはn−オクチル基、
あるいはn−デシル基を示し、零を付したCは不斉炭素
原子を示す。) しかしながら、前代の化合物はカイラルスメクチックC
相の温度範囲が高く狭く、実用上使用し難いものである
[発明が解決しようとする課題] 本発明は、前記のDOBAMBCや、その後に提案され
たいくつかの化合物の問題点を解決して、物理的化学的
安定性に優れ、単独、あるいは他の7化合物との混合に
より温度範囲が低く広い優れた化合物を提供するもので
ある。
[課題を解決するための手段] すなわち、本発明は一般式(I) (但し、上記式中R1は炭素数6〜18のアルキル基、
R2は炭素数1〜12のアルキル基、mは0又は1、n
は0又は1、*を付したCは不斉炭素原子を示す。)で
表わされる光学活性なピリミジン化合物を提供するもの
である。
本発明の化合物は例えばDOBAMBCと異なり、シッ
フ塩基を持たないため物理的化学的に安定であり、単独
あるいは他の化合物との混合により強誘電性液晶となり
、温度範囲が低く広く、高速応答性に優れるという特徴
を有している。
本発明の化合物は、例えば、次に述べる方法によって製
造することができる。
一般式(II) (ここでm、  n、  R”および*を付したCは式
(I)に同義である。) て表わされる光学活性フェノール化合物に、一般式(m
) (ここてR1は式(I)に同義である。)て表わされる
カルボン酸あるいはカルボン酸の活性誘導体である酸ク
ロリドを反応させることによって製造できる。
カルボン酸を用いるエステル化反応は、脱水剤としてジ
クロヘキシルカーボジイミト(DCC)などを使用し、
カルボン酸活性化触媒としてN。
N−ジメチル−4−アミノピリジンなどを使用し、溶媒
としてクロロホルム、塩化メチレンなどを使用する。反
応温度は0〜100℃で、反応時間は1〜24時間であ
る。
酸クロリドを用いるエステル化反応は、脱塩化水素剤と
してピリジン、トリエチルアミンなど塩基性物質を使用
し、溶媒としてヘキサン、トルエン、ジエチルエーテル
などを使用する。反応温度は0〜130℃で、反応時間
は1〜24時間であ一般式(II)の光学活性フェノー
ル化合物は、p−ヘンシルオキシ安息香酸あるいはp−
ヘンシルオキシ安息香酸クロリドを、 一般式(rV) (ここでm、  n、  R2および*を付したCは式
(I)に同義である。) で表わされる光学活性アルコール化合物とエステル化反
応させた後、保護基であるヘンシルエーテルを水素化分
解する方法などによって容易に合成することができる。
一般式(III)の化合物は、例えは特開昭62−29
2767号公報に記載の公知の方法により合成できる。
前記一般式(I)において、R1の炭素数6〜18のア
ルキル基としては、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、
トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキ
サデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基等の直鎖
状又は分岐状アルキル基が例示できる。また、R2の炭
素数1〜12のアルキル基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、メチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデ
シル基、ドデシル基等の直鎖状または分岐状アルキル基
が例示できる。
前記一般式(I)で表わされる光学活性なピリミジン化
合物の代表例としては、下記の■〜[相]の化合物があ
げられる。
すなわち、 ■:  4− (5−ドデシルオキシピリミジン−2−
イル)−安息香酸−(R)−4−[1−(メトキシカル
ボニル)エトキシ力ルポニルコフェニルエステル、 ■:  4− (5−ドデシルオキシピリミジン−2−
イル)−安息香酸−(S)−4−[1−(ブトキシカル
ボニル)エトキシ力ルポニルコフェニルエステル、 ■:  4− (5−ドデシルオキシピリミジン−2−
イル)−安息香酸−(R) −4−El−ドデシルオキ
シカルボニル)エトキシ力ルポニルコフェニルエステル
、 ■:  4− (5−)’デシルオキシピリミジンー2
−イル)−安息香酸−(S)−4−[1−(イソプロポ
キシカルボニル)エトキシ力ルポニルコフェニルエステ
ル、 ■:4−(5−へキシルオキシピリミシン−2−イル)
−安息香酸−(R)−4−[1−(ブトキシカルボニル
)エトキシカルボニルコフエニノしエステル、 ■:  4−(5−ドデシルオキシピリミジン−2−イ
ル)−安息香酸−(R)−4−[2−(エトキシカルボ
ニル)−1−メチルエトキカルポニルコフェニルエステ
ル、 ■: 4− (5−オクタデシルオキシピリミジン−2
−イル)−安息香酸−(R)−4−[2−()”デシル
オキシカルボニル)−1−メチルエトキシ力ルポニルコ
フェニルエステル、 ■:  4−(5−ドデシルオキシビリミジン−2−イ
ル)−安息香酸−(S)−4−[2−(、メトキシカル
ボニル)プロボキシカルポニルコフェニルエステル、 ■:  4− (5−ドデシルオキシピリミシン−2−
イノリー安息香酸−(R)−4−[2−(ブトキシカル
ボニル)プロポキシカルボニル]フェニルエステル、 [相]:  4− (5−ドデシルオキシピリミジン−
2イル)−安息香酸−(R)−4−[3−(メトキシカ
ルボニル)−2−メチルブロボキシカルホニルコフェニ
ルエステル、 ■:  4− [5−(16−メチルヘプタデシルオキ
シピリミジン)−2−イル]−安息香酸−(R)−4−
[1−(メトキシカルボニル)エトキシ力ルポニルコフ
ェニルエステル、 @:4−(5−イソプロポキシビリ′ミジンー2−イル
)−安息香酸−(R)−4−[2−(ブトキシカルボニ
ル)−1−メチルエトキシカルボニル]フェニルエステ
ル、 @:  4− (5−ter t−ブチルオキシピリミ
ジン−2−イル)−安息香酸−(R)−4−[1−(ヘ
キシルオキシ力ルホニル)エトキシ力ルポニルコフェニ
ルエステル、 @:  4− [5−(2,2−ジメチルオクチルオキ
シピリミジン)−2−イル)−安息香1m−(R)−4
−[1−(10−メチルウンデシルオキシカルボニル)
エトキシカルボニル]フェニルエステル、■:4−(5
−才クチルオキシピリミジン−2−イル)−安息香酸−
(R)−4−[1−(2,2−ジメチルオクチルオキシ
カルボニル)エトキシカルボニル]フェニルエステル、 @:4−<5−ドデシルオキシピリミジン−2−イル)
−安息香酸−(R)−4−[3−(ブトキシカルボニル
)−2−メチルブロボキシカルポニルコフェニルエステ
ル これらの化合物の中で特に好ましいものは、■:4−(
5−ドデシルオキシピリミジン−2−イル)−安息香酸
−(R) −4−[1−(メトキシカルボニル)エトキ
シカルボニル]フェニルエステル、 ■:  4− (5−ドデシルオキシピリミジン−2−
イル)−安息香酸−(S)−4−[1−(ブトキシカル
ボニル)エトキシ力ルポニルコフェニルエステル、 ■二 4−(5−ドデシルオキシピリミジン−2−イル
)−安息香酸−(S)−4−[1−(イソプロポキシカ
ルボニル)エトキシカルボニル]フェニルエステル、 ■:4−(5−ドデシルオキシピリミジン−2−イル)
−安息香酸−(R)−4−[2−(エトキシカルボニル
)−1−メチルエトキシ力ルポニルコフェニルエステル
、 ■:4−(5−ドデシルオキシピリミジン−2−イル)
−安息香酸−(S)−4−[2−(メトキシカルボニル
)プロポキシカルボニル]フェニルエステルである。
[実施例] 以下実施例により、本発明をさらに具体的に説明する。
なお、実施例中の相転移温度の測定と相の同定は、DS
C測定と偏光顕微鏡観察により実くし  − 施した。Cryは結晶相、SmC*aカイフルスメクチ
ックC相、SmAはスメクチックA相、Xlは帰属不明
の相、Isoは等方相を表わす。
実施例1゜ 4−(5−ドデシルオキシピリミジン−2−イル)−安
息香酸−(R)−4−[1−(メトキシカルボニル)エ
トキシ力ルポニルコフェニルエステル 50 m 1丸底フラスコに(R)−4−ヒドロキシ安
息香酸−(1−メトキシカルボニル)エチル191 m
g (0,850mmo 1 )及び4−(5−ドデシ
ルオキシピリミジン−2−イル)−安息香酸360mg
 (0,935mmo 1)およびN。
N−ジメチル−4−アミノピリジン10.4mg(0,
085mmol)および塩化メチレン20m1を入れ、
25℃で攪拌した。この混合物にジシクロへキシルカー
ポジイミド193mg(0゜935mmol)を入れ、
25℃で18時間反応を3回行い、次に10m1の5%
酢酸水溶液での洗浄を3回行い、再び10mff1の水
での洗浄を3回行った。減圧で有機溶媒を除去した後、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶剤:塩化メチ
レン/エーテル=20/1  v/v)により精製し、
ざらにヘキサンからの再結晶により目的物110mg 
(0,190mmo l)を得た。収率は22%であっ
た。
この化合物の特性値は次の通りであった。
’H−NMRCDCl2  δ[ppm]0.88(3
H,t)、  1.2〜1.6(18H,m)、  1
.65(3H,d)。
1.86 (2H,m) 、  3.79 (3H,S
) 、  4.14 (2H,t) 、  5゜36 
(l)t、q) 、  7.37 (2)1.d) 、
  8゜19 (2)1.d) 、  8.29(2H
,d) 、  8.50 (2H,S) 、  8.5
1 (2H,d)IRKBr  disk  波長[c
m=コ2900.2850 、1760 、1?20 
、1600.1570 、1435.1270.111
5、10?0,865,750 M5EI法 m/e(相対強度) 590(M”、  0.1)、  559(])、  
487(2)、  367(10相転移温度 [0C] DSC偏光顕微鏡 Cry  i  SmC*  仁 SmA  #   
Is。
実施例2゜ 4− (5−)デシルオキシビリミシン−2−イル)−
安息香酸−(S) −4−El −(ブトキシカルボニ
ル)エトキシカルボニルコフェニルエステル 実施例1において、 (R)−4−ヒドロキシ安息香酸
−(1−メトキシカルボニル)エチルの代わりに(S)
−4−ヒドロキシ安息香酸−(1−ブトキシカルボニル
)エチルを使用して、実施例1と同様に実施して、目的
物を得た。収率は6゜3%であった。
この化合物の特性値は次の通りであった。
’ H−N M RCD C支3   δ 口1) p
 nlコ0.89(3H,t)、  0.93(3N、
t)、  1.2〜1.7(25H,m)。
1.86 (2H,m)、  4.14 (2H,t)
、  4.19 (2H,t、)、  5゜34(IN
、q)、  7.36(2H,d)、  8.19(2
H,d)、  8.29(2N、d)、  8.50 
(2H,S)、  8.51 (2H,d)I RK 
B r  d i s k  波長[cm−’コ294
0.2900,2850,2830.1755.174
0.1730.1?15,1595.1570,154
0,1500,1435,1355,1270,120
0,1110,1055.880,865,765,7
50,735M5EI法 m/e(相対強度) 632(Mゝ、  0.1)、  487(1)、  
367(100)相転移温度 [’C]  DSC偏光
顕微鏡+8 実施例3゜ 4−(5−ドデシルオキシピリミシン−2−イル)−安
息香酸−(S)−4−[1−(イソプロポキシカルボニ
ル)エトキシ力ルポニルコフェニルエステル 実施例1において、 (R)−4−ヒドロキシ安息香酸
−(1−メトキシカルボニル)エチルの代わりに(S)
−4−ヒドロキシ安息香酸−(1−イソプロポキシカル
ボニル)エチルを使用して、実施例1と同様に実施して
、目的物を得た。収率は8.3%であった。
この化合物の特性値は次の通りであった。
H−NMRCDCJ!3  δ [p pmコ0.88
(3H,t)、  1.2〜1.6(24H,m)、 
 1.(33(3)1.d)。
1.85(2H,m)、  4.14(2H,t)、、
  5.10(IH,5ept)。
5.29(IH,q)、  7.35(2H,d)、 
 8.19(2N、d)、  8゜29 (2H,d)
 、  8.50 (2H,S) 、  8.51 (
2H,d)IRKBr  disk  波長[cm−’
コ2900.2840 、1?50 、1720 、1
600 、1570.1535 、1500 、143
0.1385,1270,1205,1105,106
5,1010.865.750M5Ef法 m/e(相
対強度) 618(M”、  0.1)、  559(1)、  
487(2)、  367(10相転移温度 [°C]
  DSC偏光顕微鏡?7     120    1
32 Cry  ”:;  SmC*  祐 SmA  # 
 Is。
実施例4 4−(5−ドデシルオキシピリミジン−2−イル)−安
息香酸−(R)−4−[2−(エトキシカルボニル)−
1−メチルエトキシ力ルポニルコフェニルエステル 実施例1において、 (R)−4−ヒドロキシ安息香酸
−(1−メトキシカルボニル)エチルの代わりに(R)
−4−ヒドロキシ安息香酸−[2−(エトキシカルボニ
ル)−1−メチル]エチルを使用して、実施例1と同様
に実施して、目的物を得た。収率は44%であった。
この化合物の特性値は次の通りてあフた。
’ HN M RCD CJ! 3  δ[ppm]0
.88(3H,t)、  1.2〜1.7(24)1.
m)、  1.86(2H,m)。
2.65(IH,dd)、  2.80(LH,dd)
、  4.12(21(、t)。
4.14 (2N、q) 、  5.54 (1N、m
) 、  7.34 (2H,d) 、  8゜12(
21(、d)、  8.29(2H,d)、  8.5
0(28,S)、  8.51(2)1.d) IRKBr  disk  波長[cm−’]2900
.2850 、1?10 、1600 、1570.1
540.1500.1435.1310.1270,1
200,1015,1050,1010.910.88
0.865.75MSEI法 m/e(相対強度) 618(M”、  0.1)、  367(100)相
転移温度 [’C:]  DSC偏光顕微鏡Cry  
#  SmC1:  #  SmA  #  l5O実
施例5 4−(5−ドデシルオキシピリミジン−2−イル)−安
息香酸−(S)−4−[2−(メトキシカルボニル)ブ
ロボキシカルホニル]フェニルエステル 実施例1において、 (R)−4−ヒドロキシ安息香酸
−(1−メトキシカルボニル)エチルの代わりに(S)
−4−ヒドロキシ安息香酸−[2−(メトキシカルボニ
ル)コブロピルを使用して、実施例1と同様に実施して
、目的物を得た。収率は38%であった。
この化合物の特性値は次の通りであった。
’ HN M RCD CJ13   δ [p pm
コ0.88(3N、t)、  L−2〜1.6(21N
、m)、  1.86(2H,m)。
2.98(IH,m)、  3.74(3)1.s)、
  4.14(2ft、t)、  4゜46 (2Lm
) 、  7.35 (2)1.d) 、  8.19
 (2)1.d) 、  8.29(2)1.d)、 
 8.50(2N、s)、  8.51(2N、d)I
RKBr  disk  波長[cm−’]2920.
2850 、1730.1605.1575.1545
.1505.1445.1330.1280,1210
,1165.1070,1015.870.75069
0M5  FAB法 m/e(相対強度)605(MH
”、  80)、  604(M”、 5)、  48
7(30)。
460 (25) 、  367 (100)相転移温
度 [’C:]  DSC偏光顕微鏡112     
  C27158 Cry  b  SmC*  #  SmA  #  
Is。
応用例 実施例1て得た光学活性なピリミジン化合物を、ポリイ
ミドを配向膜とし、I To (Ind i um−T
 i n−Ox i d e)膜を電極とした、セル厚
約3μmの液晶セルに封入し、等方相がら徐冷させて均
一なモノドメインのSmC*相を得た。
±IOVの交流矩型波印加時の分極反転電流のピークか
ら応答時間を求めたところ、107℃で16μsの高速
応答性が得られた。
[発明の効果コ 本発明の化合物は、物理化学的に安定であり、低く広い
温度範囲において高速応答性を有するため、電気光学素
子材料として、極めて好適なものである。
終わりに、本発明の化合物の例示の表を掲げることとす
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下記一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (但し、上記式中R^1は炭素数6〜18のアルキル基
    、R^2は炭素数1〜12のアルキル基、mは0又は1
    、nは0又は1、*を付したCは不斉炭素原子を示す。 )で表わされる光学活性なピリミジン化合物。
JP2105283A 1990-04-23 1990-04-23 光学活性なピリミジン化合物 Pending JPH045278A (ja)

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