JPH0453231A - 成膜方法および成膜装置 - Google Patents
成膜方法および成膜装置Info
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- JPH0453231A JPH0453231A JP16132190A JP16132190A JPH0453231A JP H0453231 A JPH0453231 A JP H0453231A JP 16132190 A JP16132190 A JP 16132190A JP 16132190 A JP16132190 A JP 16132190A JP H0453231 A JPH0453231 A JP H0453231A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は成膜方法および成膜装置に関するもので゛ある
。
。
［従来の技術ａ）よびその課題］
レーザＣＶ Ｄ直描配線形成による配線修正は、Ｌ、
Ｓ Ｉ等の多層配線構造を有する基板への適用が可能−
′Ｑあり、ＬＳＩの開発期間の短縮等の用途に人さく貢
献て゛きる。また装［δとしての操作性、安全性にも優
れているため、あらゆる１、ｓＩの生産現場への導入が
期待されている。
Ｓ Ｉ等の多層配線構造を有する基板への適用が可能−
′Ｑあり、ＬＳＩの開発期間の短縮等の用途に人さく貢
献て゛きる。また装［δとしての操作性、安全性にも優
れているため、あらゆる１、ｓＩの生産現場への導入が
期待されている。
しかし、上部に絶縁保護膜を右さない段階で基板を修正
り−る場合、基板表面の既存配線を横切っで直描配線を
形成する必要が牛し、両配線を必要箇所で′絶縁するこ
とか要求される。
り−る場合、基板表面の既存配線を横切っで直描配線を
形成する必要が牛し、両配線を必要箇所で′絶縁するこ
とか要求される。
このように、特定箇所に絶縁膜を形成する手段どじで、
レ−１１ＣＶ Ｄによる局所絶縁技術が有望であること
が、１９８８年秋期応用物理学会学術講演会講演予稿集
、５３４頁の樋浦等の論文に提案されている。この方法
は、紫外光による光化学反応でシリコン酸化膜を形成１
−るジシラン、曲酸化窒素カスの雰囲気中Ｃ゛、局所的
な絶縁を所望覆る箇所に紫外のへｒＦＩキシマレ−１）
光を照射して局所絶縁膜を形成するものである。
レ−１１ＣＶ Ｄによる局所絶縁技術が有望であること
が、１９８８年秋期応用物理学会学術講演会講演予稿集
、５３４頁の樋浦等の論文に提案されている。この方法
は、紫外光による光化学反応でシリコン酸化膜を形成１
−るジシラン、曲酸化窒素カスの雰囲気中Ｃ゛、局所的
な絶縁を所望覆る箇所に紫外のへｒＦＩキシマレ−１）
光を照射して局所絶縁膜を形成するものである。
しかしながらこの方法では、通常配線心構用のレーク゛
ＣＶＤに用いる可視光源とは別に、高価でフンニングコ
ストの高いＡ ｒ Ｆエキシマレーザを必要とするので
、装置が人がかりで複雑となり、実用性に劣る欠点があ
る。またジシランガスは空気２中で自然発火するなど危
険性の高いガスであるため、取り扱いにも注意が必要で
ある。
ＣＶＤに用いる可視光源とは別に、高価でフンニングコ
ストの高いＡ ｒ Ｆエキシマレーザを必要とするので
、装置が人がかりで複雑となり、実用性に劣る欠点があ
る。またジシランガスは空気２中で自然発火するなど危
険性の高いガスであるため、取り扱いにも注意が必要で
ある。
本発明はこのような従来の事情に対処しでなされたもの
で、レーザ画描による配線修正装置に大さな変更を加え
る必要がなく、また安全性も損なうことなく局所的に絶
縁膜を形成することのできる成膜方法ならびにかかる機
能を有する成膜装置を提供することを「１的とする。
で、レーザ画描による配線修正装置に大さな変更を加え
る必要がなく、また安全性も損なうことなく局所的に絶
縁膜を形成することのできる成膜方法ならびにかかる機
能を有する成膜装置を提供することを「１的とする。
［課題を解決づるための手段１
本発明は、表向に金属配線が露呈した基板トにシー１〜
状の絶縁膜をかぶせ、前記基板上の所望の箇所にレーザ
光を照射して、前記絶縁膜を溶融させると共に、前記基
板に付和させ−Ｃ’ＷＪ膜を形成リ−ることを特徴とす
る成膜方法である。
状の絶縁膜をかぶせ、前記基板上の所望の箇所にレーザ
光を照射して、前記絶縁膜を溶融させると共に、前記基
板に付和させ−Ｃ’ＷＪ膜を形成リ−ることを特徴とす
る成膜方法である。
また、この成膜方法を実施り−るための成膜装置は、シ
ー１〜状の絶縁膜と基板を近接して保持すると共に、前
記絶縁膜と前記基板の近接、頭１脱を（ｊう可動機構と
、レーザ光源と、該レーザ光源の出射光を前記絶縁膜に
照射すると共に、前記絶縁膜を通し−Ｃ’６：ｒ記基板
上の照射位置を観察′（゛きる黒用観察光学系とを有す
ることを特徴とする。
ー１〜状の絶縁膜と基板を近接して保持すると共に、前
記絶縁膜と前記基板の近接、頭１脱を（ｊう可動機構と
、レーザ光源と、該レーザ光源の出射光を前記絶縁膜に
照射すると共に、前記絶縁膜を通し−Ｃ’６：ｒ記基板
上の照射位置を観察′（゛きる黒用観察光学系とを有す
ることを特徴とする。
１作用］
ポリイミドなどの行間絶縁膜は可視光を吸収−りる。レ
ーザ光のような強い光を吸収−りると、照射部の温度が
その融点（〜３００℃）以トに達し、照射部は溶融する
。この際、ポリイミドが基板等の表面に接触していると
、溶融部か基板にｆ＝Ｊ看しノ、その後冷却されて、所
望部に薄膜か形成される。
ーザ光のような強い光を吸収−りると、照射部の温度が
その融点（〜３００℃）以トに達し、照射部は溶融する
。この際、ポリイミドが基板等の表面に接触していると
、溶融部か基板にｆ＝Ｊ看しノ、その後冷却されて、所
望部に薄膜か形成される。
本発明はこの現象を利用し−Ｃ１表面十に局所的な薄膜
形成を要り−るＩＳＩ等の基板−１Ｈに絶縁膜となるシ
ー１〜を載Ｕ、薄膜を要１６箇所に可視光レザを照射す
ることによって絶縁膜祠オ゛」の溶融を牛ホ゛シめ、薄
膜形成を行うものである。一箇所の溶融のみでは膜厚か
足りない場合には、シートをずらしで繰り返し成膜を行
うことににって、所望の膜厚を得ることができる。本発
明においては、薄膜の形成に可視光レーザを用いるため
、通常の配線画描時に用いる光源ｄ３よび光学系をその
まま利用覆ることかでき、配線修正を引き続いて行う場
合も操作性が損なわれることがない。また危険な原料ガ
スを用いないので作業上の安全性も損なわれない。
形成を要り−るＩＳＩ等の基板−１Ｈに絶縁膜となるシ
ー１〜を載Ｕ、薄膜を要１６箇所に可視光レザを照射す
ることによって絶縁膜祠オ゛」の溶融を牛ホ゛シめ、薄
膜形成を行うものである。一箇所の溶融のみでは膜厚か
足りない場合には、シートをずらしで繰り返し成膜を行
うことににって、所望の膜厚を得ることができる。本発
明においては、薄膜の形成に可視光レーザを用いるため
、通常の配線画描時に用いる光源ｄ３よび光学系をその
まま利用覆ることかでき、配線修正を引き続いて行う場
合も操作性が損なわれることがない。また危険な原料ガ
スを用いないので作業上の安全性も損なわれない。
［実施例］
次に、本発明の実施例について詳細に説明する。
なお、本実施例では、基板上に露出した配線を越えてそ
の両側の配線を結線する場合の配線修正に本発明による
方法および装置を適用した例について、図面を参照し−
Ｃ説明する。
の両側の配線を結線する場合の配線修正に本発明による
方法および装置を適用した例について、図面を参照し−
Ｃ説明する。
第１図は本発明による成膜装置の一例の概略構成図であ
る。Ａｒレーザ１の出射光は、シャッタ２、レンズ３、
窓４、ポリイミドシー］〜５を通して成膜室８の中の基
板シャッタ７に固定された基板６に照射される。基板−
リーセブタ７はモータセラ１へ９によって成膜室８の中
で外部からの制御信号によって基板面内方向（Ｘ、Ｙ）
および基板面に対して垂直方向（１）への移動が１Ｊ能
となっている。レーザ光照射部近傍は照明光源１３から
の照明光で照らされ、レンズ３、ハーフミラ−１１、接
眼レンズ１２ｈ）らなる光学系により結像させることに
よって、照射部を観察することができる構成となってい
る。Ａｒレーザの照射ビーム径は３庫φである。
る。Ａｒレーザ１の出射光は、シャッタ２、レンズ３、
窓４、ポリイミドシー］〜５を通して成膜室８の中の基
板シャッタ７に固定された基板６に照射される。基板−
リーセブタ７はモータセラ１へ９によって成膜室８の中
で外部からの制御信号によって基板面内方向（Ｘ、Ｙ）
および基板面に対して垂直方向（１）への移動が１Ｊ能
となっている。レーザ光照射部近傍は照明光源１３から
の照明光で照らされ、レンズ３、ハーフミラ−１１、接
眼レンズ１２ｈ）らなる光学系により結像させることに
よって、照射部を観察することができる構成となってい
る。Ａｒレーザの照射ビーム径は３庫φである。
基板６かポリイミドシー１〜５から削れている状態で、
基板りＩ＝ニブタフモータセラ１〜９により基板面内で
移動し、Ａｒレーリ“光の照射位置が局所絶縁を所望す
る箇所になるようにする。続いて、基板ｅ５がポリイミ
ドシーＩ−５と接触づるまで基板サセプタ７をモータセ
ット９により基板に対して垂直方向に移動する。シャッ
タ２を聞りて照射パワー１００ ｍＷ（ｑ近で２０秒程
度の照射の後、モタセット９により基板６をポリイミド
シー１〜５から霞１すことによって、ポリイミドシート
５の溶融した部分か基板６に何着した。シャッタ２を閉
じることによって、△ｒ゛レーザ１の出射光か遮断され
るので、ポリイミドシー１〜５の溶融して基板６にイ」
着した部分は冷ム１１シ、再固化してポリイミド膜どな
った。。
基板りＩ＝ニブタフモータセラ１〜９により基板面内で
移動し、Ａｒレーリ“光の照射位置が局所絶縁を所望す
る箇所になるようにする。続いて、基板ｅ５がポリイミ
ドシーＩ−５と接触づるまで基板サセプタ７をモータセ
ット９により基板に対して垂直方向に移動する。シャッ
タ２を聞りて照射パワー１００ ｍＷ（ｑ近で２０秒程
度の照射の後、モタセット９により基板６をポリイミド
シー１〜５から霞１すことによって、ポリイミドシート
５の溶融した部分か基板６に何着した。シャッタ２を閉
じることによって、△ｒ゛レーザ１の出射光か遮断され
るので、ポリイミドシー１〜５の溶融して基板６にイ」
着した部分は冷ム１１シ、再固化してポリイミド膜どな
った。。
続いて、ポリイミドシー １〜５を△ｒレレー“１の光
路から外して、原料リリ゛−バ１０のコックを聞き、タ
ングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）の蒸気を成膜室
８内に満たず。ＡＩ″レーザ１の出射光が再固化したポ
リイミド膜の十を通って結線すべき配線間に原則される
ように−し一タセッ１〜９を動作さｉ！ＸＹブノ向に基
板６を走査してタンゲスアンカルボニルを基板６上で熱
分解し、タングステン線を画描１ノーザＣＶ Ｄにより
形成した。
路から外して、原料リリ゛−バ１０のコックを聞き、タ
ングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）の蒸気を成膜室
８内に満たず。ＡＩ″レーザ１の出射光が再固化したポ
リイミド膜の十を通って結線すべき配線間に原則される
ように−し一タセッ１〜９を動作さｉ！ＸＹブノ向に基
板６を走査してタンゲスアンカルボニルを基板６上で熱
分解し、タングステン線を画描１ノーザＣＶ Ｄにより
形成した。
再固化したポリイミド膜で絶縁した既存配線と直面で形
成したＷ線との間にり、、 Ｓ Ｉの駆動に使用される
電圧より１−分に高い１０ Ｖ以上の電圧を印加しても
、リーク電流は１０ Ｉ）Ａ以下と小さく、再固化した
ポリイミド膜の絶縁膜としての特性は十分実用的なレベ
ルで必った。
成したＷ線との間にり、、 Ｓ Ｉの駆動に使用される
電圧より１−分に高い１０ Ｖ以上の電圧を印加しても
、リーク電流は１０ Ｉ）Ａ以下と小さく、再固化した
ポリイミド膜の絶縁膜としての特性は十分実用的なレベ
ルで必った。
本発明においては安定性、寿命に優れた可視光レーク゛
′を使用するので、局所絶縁作業を効率的に行うことか
できる。また金属心構による配線修正に用いられる可視
光レーク゛を用いるので、金属直描装置と同一の装置内
で、配線画描ど連続して局所絶縁を行うことかできる。
′を使用するので、局所絶縁作業を効率的に行うことか
できる。また金属心構による配線修正に用いられる可視
光レーク゛を用いるので、金属直描装置と同一の装置内
で、配線画描ど連続して局所絶縁を行うことかできる。
また本発明は危険性の高いＩ京料ガスを使用しないため
、安全に修正作業を行うことかできる。
、安全に修正作業を行うことかできる。
本発明においてはシー１〜状の絶縁膜どして必す−しも
ポリイミドシー１〜を使う必要はない、、絶縁性物質（
ル−Ｉア光黒用によって溶融づるイオ料であれば構わな
い。例えばポリカーボネート、弗素樹脂等のシー１〜ら
用いることか一゛Ｃきる。また、本発明にｄ）いては必
ザ′しバｂＡｒレーリ４を用いる必要はない。本発明の
趣旨を逸脱しない、Ｙ△０１ノー＝す゛、Ｈｅ−Ｃｄレ
ーザ、銅蒸気レージ“、Ｋ ｒ Ｌ／−１１、可視光半
導体レーク“等も用いることかできる。
ポリイミドシー１〜を使う必要はない、、絶縁性物質（
ル−Ｉア光黒用によって溶融づるイオ料であれば構わな
い。例えばポリカーボネート、弗素樹脂等のシー１〜ら
用いることか一゛Ｃきる。また、本発明にｄ）いては必
ザ′しバｂＡｒレーリ４を用いる必要はない。本発明の
趣旨を逸脱しない、Ｙ△０１ノー＝す゛、Ｈｅ−Ｃｄレ
ーザ、銅蒸気レージ“、Ｋ ｒ Ｌ／−１１、可視光半
導体レーク“等も用いることかできる。
［発明の効果］
以」二説明１ノだように、本発明の方法および装置にＪ
、れば、寿命に優れ、かつ金属心構による配線修正に用
いられる可視光１ノ−リ゛を用いるので、作業効率よく
局所に絶縁性の薄膜を形成することができると共に、危
険性の高い原料ガスを用いないので、安全性にｄ３いて
も優れている。
、れば、寿命に優れ、かつ金属心構による配線修正に用
いられる可視光１ノ−リ゛を用いるので、作業効率よく
局所に絶縁性の薄膜を形成することができると共に、危
険性の高い原料ガスを用いないので、安全性にｄ３いて
も優れている。
第１図は本発明による成膜装置の一例の概略構成図であ
る。 １・・・Ａｒ１ノー ！Ｊ” ２ ・・・シ
ャッタ３・・・レンズ ４・・・窓５・・
・ポリイミドシー１〜 ６・・・基板７・・・基板サセ
プタ ８・・・成膜室９・・・モータセラｌ−１
０・・・原料リザーバ１１・・・ハーフミラ−１２・・
・接眼レンズ１３・・・照明光源 特ｄ４出願人 口本電気株式会社
る。 １・・・Ａｒ１ノー ！Ｊ” ２ ・・・シ
ャッタ３・・・レンズ ４・・・窓５・・
・ポリイミドシー１〜 ６・・・基板７・・・基板サセ
プタ ８・・・成膜室９・・・モータセラｌ−１
０・・・原料リザーバ１１・・・ハーフミラ−１２・・
・接眼レンズ１３・・・照明光源 特ｄ４出願人 口本電気株式会社
Claims (2)
- （１）表面に金属配線が露呈した基板上にシート状の絶
縁膜を被せ、前記基板上の所望の箇所にレーザ光を照射
して、前記絶縁膜を溶融させると共に、前記基板に付着
させて薄膜を形成することを特徴とする成膜方法。 - （２）シート状の絶縁膜と基板を近接して保持すると共
に、前記絶縁膜と前記基板の近接、離脱を行う可動機構
と、レーザ光源と、該レーザ光源の出射光を絶縁膜に照
射すると共に、該絶縁膜を通して基板上の照射位置を観
察できる照射観察光学系とを有することを特徴とする成
膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16132190A JP2890695B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 成膜方法および成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16132190A JP2890695B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 成膜方法および成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453231A true JPH0453231A (ja) | 1992-02-20 |
| JP2890695B2 JP2890695B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=15732871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16132190A Expired - Lifetime JP2890695B2 (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 成膜方法および成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2890695B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07233640A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-09-05 | Penta Ocean Constr Co Ltd | コンクリート締固め装置用走行作業車 |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP16132190A patent/JP2890695B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07233640A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-09-05 | Penta Ocean Constr Co Ltd | コンクリート締固め装置用走行作業車 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2890695B2 (ja) | 1999-05-17 |
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