JPH0453252B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0453252B2 JPH0453252B2 JP60043388A JP4338885A JPH0453252B2 JP H0453252 B2 JPH0453252 B2 JP H0453252B2 JP 60043388 A JP60043388 A JP 60043388A JP 4338885 A JP4338885 A JP 4338885A JP H0453252 B2 JPH0453252 B2 JP H0453252B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- moisture
- diaphragm
- pellet
- sensitive
- humidity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は湿度検出装置に関する。
(ロ) 従来の技術
湿度検出体として感湿セラミツク等の如く湿度
による電気的特性の変わるものが知られている。
この検出体は、気体一固体界面の電気特性を利用
するものであり、従つてその界面が大気にさらさ
れ、汚染等の影響を受けやすく、長期安定性に欠
ける。これに対し、特開昭56−42126号公報に開
示された如き、毛髪やナイロンの様な感湿伸縮体
は長期的に安定である半面、その伸縮を電気信号
に変換し難い。
による電気的特性の変わるものが知られている。
この検出体は、気体一固体界面の電気特性を利用
するものであり、従つてその界面が大気にさらさ
れ、汚染等の影響を受けやすく、長期安定性に欠
ける。これに対し、特開昭56−42126号公報に開
示された如き、毛髪やナイロンの様な感湿伸縮体
は長期的に安定である半面、その伸縮を電気信号
に変換し難い。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
本発明は感湿伸縮体を用い、かつその伸縮を容
易にしかも敏感に電気信号に変換できる湿度検出
装置を提供するものである。
易にしかも敏感に電気信号に変換できる湿度検出
装置を提供するものである。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明の湿度検出装置は、シリコンダイアフラ
ム型圧力センサペレツトと、このセンサペレツト
への圧力印加体となる感湿伸縮体とを具備する。
ム型圧力センサペレツトと、このセンサペレツト
への圧力印加体となる感湿伸縮体とを具備する。
(ホ) 作 用
本発明装置にあつては、感湿伸縮体が被測定雰
囲気の湿度に応じて伸縮し、その伸縮力を圧力セ
ンサペレツトが電気信号に変換する。
囲気の湿度に応じて伸縮し、その伸縮力を圧力セ
ンサペレツトが電気信号に変換する。
(ヘ) 実施例
第1図に示す実施例装置は、シリコンダイアフ
ラム型圧力センサペレツト1を含む。このペレツ
トは、それ自体特公昭58−7179号等によつて周知
の如く、シリコンダイアフラムにおける半導体ピ
エゾ効果を利用してしたものである。本実施例に
おけるペレツト1は、より具体的には、約4mm角
の平面を持つN型単結晶シリコンからなり、厚さ
約300μmの環状基部2と、この基部と一体的に
連なる厚さ約20μmのダイアフラム3とを有す
る。ダイフラム3には拡散によりP型のピエゾ抵
抗領域4a〜4dが形成されており、各領域に連
なる配線路5,5…が拡散や蒸着で形成されてい
る。
ラム型圧力センサペレツト1を含む。このペレツ
トは、それ自体特公昭58−7179号等によつて周知
の如く、シリコンダイアフラムにおける半導体ピ
エゾ効果を利用してしたものである。本実施例に
おけるペレツト1は、より具体的には、約4mm角
の平面を持つN型単結晶シリコンからなり、厚さ
約300μmの環状基部2と、この基部と一体的に
連なる厚さ約20μmのダイアフラム3とを有す
る。ダイフラム3には拡散によりP型のピエゾ抵
抗領域4a〜4dが形成されており、各領域に連
なる配線路5,5…が拡散や蒸着で形成されてい
る。
ペレツト1はその基部2においてヘツド6に接
着され、ヘツダ6に植設されたリードピン7,7
…とペレツトの配線路5,5…とを金属細線8が
結ぶ。
着され、ヘツダ6に植設されたリードピン7,7
…とペレツトの配線路5,5…とを金属細線8が
結ぶ。
感湿伸縮体9は、厚みが約数十μm乃至数百μ
mのナイロンからなり、シリコンゴム等の接着材
によりセンサペレツトのダイフラム3の表面に貼
着されている。従つて感湿伸縮体9の伸縮はダイ
アフラム3を歪ませる。
mのナイロンからなり、シリコンゴム等の接着材
によりセンサペレツトのダイフラム3の表面に貼
着されている。従つて感湿伸縮体9の伸縮はダイ
アフラム3を歪ませる。
ヘツダ6に固定されたケース10はセンサペレ
ツト1を包囲し、ケース10の開口11と感湿伸
縮体9とを含む中央空間を除いて、ケース10と
センサペレツト1の表面との間にゲル状シリコン
12が埋められている。
ツト1を包囲し、ケース10の開口11と感湿伸
縮体9とを含む中央空間を除いて、ケース10と
センサペレツト1の表面との間にゲル状シリコン
12が埋められている。
よつて、感湿伸縮体9がケース開口11を通じ
て被測定雰囲気に接し、その湿度に応じて伸縮す
ると、ダイフラム3が歪み、それに応じてピエゾ
抵抗領域4a〜4dの抵抗値が変化する。各ピエ
ゾ抵抗領域4a〜4dは、通常の如く、リードピ
ン7,7…を通じ外部にて抵抗ブリツジ結合さ
れ、このブリツジの出力電圧値を読むことにより
ダイアフラム3の歪度、即ち湿度を測定できる。
て被測定雰囲気に接し、その湿度に応じて伸縮す
ると、ダイフラム3が歪み、それに応じてピエゾ
抵抗領域4a〜4dの抵抗値が変化する。各ピエ
ゾ抵抗領域4a〜4dは、通常の如く、リードピ
ン7,7…を通じ外部にて抵抗ブリツジ結合さ
れ、このブリツジの出力電圧値を読むことにより
ダイアフラム3の歪度、即ち湿度を測定できる。
第2図は他の実施例装置を示す。この装置で
は、ヘツド6に固定された支柱20がケース10
内に延び、ダイアフラム3上に一端を貼着した感
湿伸縮体9の他端が支柱20に張架されている。
その他の部分は第1図と同様であり同一番号が付
されている。この場合の感湿伸縮体9の伸縮力は
支柱20とダイアフラム3との間に作用し、同様
にダイアフラム3が歪む。
は、ヘツド6に固定された支柱20がケース10
内に延び、ダイアフラム3上に一端を貼着した感
湿伸縮体9の他端が支柱20に張架されている。
その他の部分は第1図と同様であり同一番号が付
されている。この場合の感湿伸縮体9の伸縮力は
支柱20とダイアフラム3との間に作用し、同様
にダイアフラム3が歪む。
第3図は更に他の実施例装置を示す。この場
合、感湿伸縮体9はペレツト1の基部2とヘツド
6との間に配置され、ヘツダ6の開口30を通じ
て被測定雰囲気と接触することにより、斯る雰囲
気の湿度に応じて伸縮する。この伸縮力は基部2
を通じてダイアフラム3に伝わりそれを歪ませ
る。
合、感湿伸縮体9はペレツト1の基部2とヘツド
6との間に配置され、ヘツダ6の開口30を通じ
て被測定雰囲気と接触することにより、斯る雰囲
気の湿度に応じて伸縮する。この伸縮力は基部2
を通じてダイアフラム3に伝わりそれを歪ませ
る。
(ト) 発明の効果
本発明によれば、感湿伸縮体が被測定雰囲気に
よる汚染に受けても安定して湿度に応じた伸縮を
なし、シリコンダイアフラム型圧力センサペレツ
トがその伸縮を敏感に電気信号に変換する。
よる汚染に受けても安定して湿度に応じた伸縮を
なし、シリコンダイアフラム型圧力センサペレツ
トがその伸縮を敏感に電気信号に変換する。
従つて、構成が簡単でしかも性能の良い湿度検
出装置が提供できる。
出装置が提供できる。
第1図Aは本発明の第1の実施例を示す断面
図、第1図Bは同要部平面図、第2図は第2の実
施例を示す断面図、第3図は第3の実施例を示す
要部断面図である。 1……圧力センサペレツト、3……ダイアフラ
ム、9……感湿伸縮体。
図、第1図Bは同要部平面図、第2図は第2の実
施例を示す断面図、第3図は第3の実施例を示す
要部断面図である。 1……圧力センサペレツト、3……ダイアフラ
ム、9……感湿伸縮体。
Claims (1)
- 1 シリコンダイアフラム型圧力センサペレツト
と、このセンサペレツトへの圧力印加体となる感
湿伸縮体とを具備し、前記感湿伸縮体を前記圧力
センサペレツトへ固着してなることを特徴とする
湿度検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4338885A JPS61202152A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 湿度検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4338885A JPS61202152A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 湿度検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61202152A JPS61202152A (ja) | 1986-09-06 |
| JPH0453252B2 true JPH0453252B2 (ja) | 1992-08-26 |
Family
ID=12662414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4338885A Granted JPS61202152A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 湿度検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61202152A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07117485B2 (ja) * | 1986-09-19 | 1995-12-18 | 三洋電機株式会社 | 湿度検出装置 |
| JPH0814554B2 (ja) * | 1987-02-18 | 1996-02-14 | 三洋電機株式会社 | 湿度検出装置 |
| CN115523961B (zh) * | 2022-11-03 | 2023-02-28 | 南京元感微电子有限公司 | 一种气体与电容式压力传感器及其加工方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5028784U (ja) * | 1973-07-09 | 1975-04-02 | ||
| JPS587179B2 (ja) * | 1974-10-14 | 1983-02-08 | ジドウシヤコウガイアンゼンキキギジユツケンキユウクミアイ | 半導体歪ゲ−ジ式圧力センサ |
| JPS54158289A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-13 | Hitachi Ltd | Humidity detector |
-
1985
- 1985-03-05 JP JP4338885A patent/JPS61202152A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61202152A (ja) | 1986-09-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |