JPH0453763A - イオン流制御記録装置 - Google Patents

イオン流制御記録装置

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JPH0453763A
JPH0453763A JP16139490A JP16139490A JPH0453763A JP H0453763 A JPH0453763 A JP H0453763A JP 16139490 A JP16139490 A JP 16139490A JP 16139490 A JP16139490 A JP 16139490A JP H0453763 A JPH0453763 A JP H0453763A
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JP
Japan
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electrode
electrode member
individual electrodes
discharge
electrodes
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Pending
Application number
JP16139490A
Other languages
English (en)
Inventor
Daisuke Tsuda
大介 津田
Keizo Abe
敬三 阿部
Isao Ito
功 伊藤
Tetsuo Kodera
哲郎 小寺
Hiroaki Sato
博昭 佐藤
Shigeo Ono
茂雄 大野
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Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、プリンタやファクシミリ等に使用されるイ
オン流制御記録装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のイオン流制御記録装置としては、特開昭
61−243466号公報や米国特許第4゜160.2
57号公報等に示すようなものがある。
これは、第7図に示すように、平板状の誘電体基板10
0の片面に複数の第1の電極101.101・・・を傾
斜した状態で互いに平行に設けるとともに、誘電体基板
100の他面に複数の第2の電極102.102・・・
を第1の電極101.101・・・と交差するように互
いに平行に設け、第1の電極101.101・・・には
、第8図に示すように、第2の電極102.102・・
・と交差する位置にイオン生成用の開口103.103
・・・を形成する。そして、誘電体基板100の第1の
電極101.101・・・側の面を静電潜像受容体10
4に対向させて配置し、第1の電極101.101・・
・と第2の電極102.102・・・との間に画像情報
に応じて選択的に交流高電圧を印加することにより、イ
オン生成用開口103.103・・・に誘電体基板10
0の表面に沿った放電を発生させ、この沿面放電によっ
て生成したイオンを静電潜像受容体104の表面に静電
的に付着させて、画像情報に応じた静電潜像を形成する
ように構成されている。
また、この種のイオン流制御記録装置としては、特開昭
59−190854号公報に示すようなものがある。こ
れは、第9図に示すように、静電潜像受容体110の近
傍に配設されるイオン発生器Illと、このイオン発生
器Illに隣接して設けられるイオン流制御スリット1
12の一側に配設される複数の制御電極113.113
・・・と、各制御電極+13.113・・・に画像情報
に応じた電圧を印加する制御回路114とで構成されて
いる。
上記イオン発生器111は、放電ワイヤ115及びこれ
を取り囲むシールド116からなり、放電ワイヤ115
に高電圧を印加することによってコロナ放電を生起させ
、このコロナ放電によってイオンを発生させるものであ
る。そして、このコロナ放電によって発生したイオンを
、シールドl16の上部に開口されたノズル117から
導入される圧縮空気によって、シールド116の下部に
開口されたイオン流制御スリット112から、イオンの
噴流として排出する。
その際、上記イオン流制御スリット112には、制御電
極113.113・・・が図面に垂直な方向に沿って所
定数の画素密度で多数配列されており、これらの制御電
極113.113・・・に制御回路l14によって画像
情報に応じた電圧を印加する。
そして、上記制御電極113とシールド116との間に
選択的に形成される電界によって、イオン流の通過を画
像情報に応じて阻止又は許容することにより、静電潜像
受容体110の表面に画像情報に応じた静電潜像をイオ
ン流によって形成するように構成されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、上記従来技術の場合には、次のような問題点を
有している。すなわち、前者のイオン流制御記録装置の
場合には、誘電体基板100の表裏両面に第1の電極1
01.101・・・と第2の電極102.102・・・
を積層形成するとともに、第1の電極101.101・
・・にイオン生成用の開口103.103・・・を多数
開口しなければならず、構造が複雑であって製造が困難
であり、コスト高になるという問題点があった。また、
誘電体基板100の表面にイオン生成用の開口103.
103・・・をマトリクス状に形成し、これらのイオン
生成用の開口103.103・・・が形成された側を静
電潜像受容体104に対向させて配置するように構成さ
れており、しかも第1の電極101101・・・と第2
の電極102.102・・・を制御回路に接続するため
のコネクタ等の部材を誘電体基板100の周囲に取り付
ける必要があり、静電潜像受容体104上に占めるイオ
ン流制御記録装置のスペースが太き(なり、装置が大型
化するという問題点があった。
また、後者のイオン流制御記録装置の場合には、イオン
発生器111で発生したイオン流がイオン流制御スリッ
ト112を通過するのを、イオン流制御スリットl12
に設けられた制御電極113.113・・・によって制
御するように構成されているため、イオン流がイオン流
制御スリット112を通過する際に、シールド116等
に衝突して電荷を失いやすく、イオンの出力効率が低(
高速記録に適さないという問題点があった。さらに、イ
オン流制御スリット112からイオンの噴流を排出する
ための圧縮空気の供給手段等が必要となり、装置全体と
しての装備が多くなり、コスト高になるという問題点も
あった。
〔課題を解決するための手段〕
そこで、この発明は、上記従来技術の問題点を解決する
ためになされたもので、その目的とするところは、装置
の構成が簡単であって製造が容易であり、低コストにて
供給できるとともに、装置の小型化が可能であり、しか
もイオンを効率良く発生させることができ高速記録が可
能なイオン流制御記録装置を提供することにある。
すなわち、この発明は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板
上に画素密度に応じて設けられた第一の電極部材と、前
記第一の電極部材上に第一の電極部材の一部領域を除い
て被覆された第一の絶縁性部材と、前記第一の絶縁性部
材上に設けられ、前記一部領域との間に放電空間を形成
する第二の電極部材と、前記第二の電極部材上に設けら
れる第二の絶縁性部材と、前記第二の絶縁性部材上に画
素密度に応じて設けられ、前記第二の電極部材との間に
第二の放電空間を形成する第三の電極部材とを有し、前
記第一の電極部材と第三の電極部材が第二の電極部材に
対して交互に配置されてなる記録ヘッドと、前記記録ヘ
ッドの放電空間に対向して配置された静電潜像受容体と
、前記第一の電極部材及び第三の電極部材と第二の電極
部材との間に画像情報に応じて高電圧を印加する電圧印
加手段とを具備するように構成されている。
上記電圧印加手段は、例えば抵抗を介して各第−の電極
部材に接続するようにしてもよい。
〔作用〕
この発明においては、記録ヘッドが、絶縁性基板と、前
記絶縁性基板上に画素密度に応じて設けられた第一の電
極部材と、前記第一の電極部材上に第一の電極部材の一
部領域を除いて被覆された第一の絶縁性部材と、前記第
一の絶縁性部材上に設けられ、前記一部領域との間に放
電空間を形成する第二の電極部材と、前記第二の電極部
材上に設けられる第二の絶縁性部材と、前記第二の絶縁
性部材上に画素密度に応じて設けられ、前記第二の電極
部材との間に第二の放電空間を形成する第三の電極部材
とを有し、前記第一の電極部材と第三の電極部材が第二
の電極部材に対して交互に配置されて構成されている。
そのため、記録ヘッドは、構造が簡単であり、絶縁性基
板上に電極部材と絶縁性部材とを積層することによって
容易に製造することができる。また、電極部材にイオン
放出用の開口を設けたりする必要がないので、この点か
らも製造が容易となる。更に、上記記録ヘッドは、絶縁
性基板上に電極部材と絶縁性部材とを積層した状態で、
しかも第一の電極部材及び第三の電極部材と第二の電極
部材との間に形成される放電領域が静電潜像受容体と対
向するように配置されるので、記録ヘッドは、静電潜像
受容体上に占めるスペースがその厚さ分だけでよいため
、装置の大幅な小型化が可能となる。また、記録ヘッド
は、その放電領域が静電潜像受容体と対向するように配
置され、しかもこの放電領域で発生する放電によって生
起されるイオン流は、スリット等を通過することなく、
直接静電潜像受容体上に向けて放出されるので、イオン
流を効率良く取り出すことができ、静電潜像受容体上を
短時間に所定の電位に帯電させることが要求される高速
記録にも対応することが可能となる。
更にまた、イオン流を噴出させるための圧縮空気を供給
する手段は不要であるため、装置の構成を簡略化するこ
とができる。
また、前記第二の電極部材上には、第二の絶縁性部材を
介して画素密度に応じて設けられ、前記第二の電極部材
との間に第二の放電空間を形成する第三の電極部材とが
設けられ、前記第一の電極部材と第三の電極部材は、第
二の電極部材に対して交互に配置されるようになってい
る。そのため、交互に配置される前記第一の電極部材及
び第三の電極部材によって静電潜像の記録を行うことに
よって、静電潜像の記録密度を高めることができる。
〔実施例〕
以下にこの発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第1図及び第2図はこの発明に係るイオン流制御記録装
置の一実施例を示すものである。図において、lは記録
ヘッドを示すものであり、この記録ヘッド1は、例えば
厚さ1〜2mの平面長方形状の絶縁性基板2を備えてい
る。この絶縁性基板2は、例えばアルミナやジルコニア
等のセラミクス、ベークライトやガラスエポキシのよう
な合成樹脂、あるいはガラスやマイカ等の無機材料など
によって形成される。
上記絶縁性基板2の表面には、第1図及び第3図に示す
ように、第1の電極としての個別電極3.3・・・が多
数設けられており、これらの個別電極3.3・・・は、
例えばニッケル、タングステン、プラチナ等の導電性材
料によって形成される。また、これらの個別電極3.3
・・・は、第3図に示すように、絶縁性基板2の幅方向
に沿って直線状に設けられているとともに、絶縁性基板
2の長手方向に沿って所定の間隔で互いに平行に配列さ
れている。上記個別電極3.3・・・は、例えば300
〜400dpiの記録密度に対応して配列される。さら
に、個別電極3.3・・・の先端は、絶縁性基板2の先
端と一致するように形成されている。
上記個別電極3.3・・・の表面には、絶縁性フィルム
4が積層されており、この絶縁性フィルム4としては、
例えば厚さが25〜50μmのポリイミドフィルム等が
用いられる。この絶縁性フィルムの先端は、絶縁性基板
2の先端よりも手前側に位置しており、個別電極3.3
・・・の先端部3a。
3a・・・が露出するようになっている。
また、上記絶縁性フィルム4の表面には、第二の電極と
しての単一の放電電極5が積層されており、この放電電
極5としては、例えば厚さが0゜05〜3市のステンレ
ス等の金属からなる導電性材料が用いられる。この放電
電極5の先端は、絶縁性基板2の先端よりも0.05〜
1.O+nm程度だけ手前側に位置するとともに、絶縁
性フィルム4の先端より0.01〜1.0mm程度突出
するように配置されている。こうすることによって、個
別電極3.3・・・と放電電極5の先端部との間には、
放電用の空間6が形成されている。
さらに、上記放電電極5の表面には、前記絶縁性フィル
ム4と同様の絶縁性フィルム7を介して、表面に第三の
電極としての個別電極8.8・・・が形成された絶縁性
基板9が積層されている。これらの個別電極8.8・・
・及び絶縁性基板9は、前記個別電極3.3・・・及び
絶縁性基板2と同様に構成されている。
すなわち、絶縁性フィルム7としては、前記絶縁性フィ
ルム4と同様、例えば厚さが25〜50μmのポリイミ
ドフィルム等が用いられる。この絶縁性フィルム7の先
端は、絶縁性基板2の先端よりも手前側に位置しており
、個別電極8.8・・・の先端部8a、8a・・・が露
出するようになっている。
また、上記絶縁性フィルム7の表面には、第三の電極と
しての個別電極8.8・・・が積層状態に配置されてお
り、この個別電極8.8・・・は、例えばニッケル、タ
ングステン、プラチナ等の導電性材料によって形成され
る。また、これらの個別電極8.8・・・は、第3図に
示す個別電極3.3・・・と同様に、絶縁性基板9の幅
方向に沿って直線状に設けられているとともに、絶縁性
基板9の長手方向に沿って所定の間隔で互いに平行に配
列されている。上記個別電極8.8・・・は、例えば3
00〜400dpiの記録密度に対応して配列される。
さらに、個別電極8.8・・・の先端は、絶縁性基板9
の先端と一致するように形成されている。
上記絶縁性基板9は、例えば厚さ1〜2閣の平面長方形
状に形成されており、この絶縁性基板9は、例えばアル
ミナやジルコニア等のセラミクス、ベークライトやガラ
スエポキシのような合成樹脂、あるいはガラスやマイカ
等の無機材料などによって形成される。
なお、前記放電電極5の先端は、絶縁性基板9の先端よ
りも0.05〜!、OM程度だけ手前側に位置するとと
もに、絶縁性フィルム7の先端より0.01〜1.0u
++程度突出するように配置されている。こうすること
によって、個別電極8.8・・・と放電電極5の先端部
との間には、放電用の空間10が形成されている。
ところで、上記の如く絶縁性基板2の表面に設けられた
個別電極3.3・・・と、絶縁性基板9の表面に設けら
れた個別電極8.8・・・とは、第 図に示すように、
その位置が配列ピッチの半分の距離だけ互いにズしてお
り、その結果、個別電極3.3・・・と個別電極8.8
・・・とは、放電電極5に対して千鳥状に配列されてい
る。
そして、上記記録ヘッドlの各個別電極3.3・・・及
び各個別電極8.8・・・には、第5図に示すように、
画像情報に応じて−100〜−400Vのパルス電圧を
印加するパルス電源11およびパルス電源12が接続さ
れている。これらのパルス電源11およびパルス電源1
2は、第5図に示すように、静電潜像の記録を行う場合
には、個別電極3.3・・・及び各個別電極8.8・・
・にパルス電圧を印加せず、すなわち個別電極3.3・
・・及び各個別電極8.8・・・をOVに保持し、静電
潜像の記録を行わない場合には、個別電極3.3・・・
及び各個別電極8.8・・・に−100〜−400Vの
パルス電圧を印加するように構成されている。また、各
個別電極3.3・・・及び各個別電極8.8・・・には
、1〜200MΩの抵抗13.13・・・が直列に接続
されており、これらの抵抗13.13・・・は、放電時
の放電強度を制御し、同時に各所で起こる放電の強度を
均一化するためのものである。
また、放電電極5には、−500〜−1500Vの直流
の高電圧を印加する直流電源14が接続されており、放
電電極5には、直流電源14によって画像情報の有無に
関わりなく、常時−500〜−1500Vの直流の高電
圧が印加されている。
この放電電極5に常時印加される電圧は、それ単独で個
別電極3.3・・・及び個別電極8.8・・・との間に
放電が発生する値に設定されている。すなわち、静電潜
像の記録を行う場合には、個別電極3.3・・・及び個
別電極8.8・・・にパルス電源12によって電圧が印
加されないため、個別電極3.3・・・及び個別電極8
.8・・・と放電電極5との間には、直流電源14のみ
によって−500〜−1500Vの直流の高電圧が印加
され、個別電極3.3・・・及び個別電極8.8・・・
と放電電極5との間に放電が発生する。
それに対して、静電潜像の記録を行わない場合には、個
別電極3.3・・・及び個別電極8.8・・・にパルス
電源12によって−100〜−400Vのパルス電圧が
印加されるため、個別電極3.3・・・及び個別電極8
.8・・・と放電電極5との間には、直流電源14の電
圧(−500= l 500V)からパルス電源12の
電圧c−i o o〜−400V)を引いた電圧(−1
00〜−1400V) しか印加されず、個別電極3.
3・・・及び個別電極8.8・・・と放電電極5との間
には、放電が発生しない。
一方、上記記録ヘッド1の放電用空間6.1゜と対向す
る位置には、第2図に示すように、静電潜像受容体とし
ての誘電体ドラム15が回転可能に配置されている。上
記誘電体ドラム15は、アルミニウム等からなる金属性
ドラム16と、その表面に形成された誘電体層17とか
ら構成されている。そして、この誘電体ドラム15には
、直流電源18によって+5oo〜+2oooVの直流
の高電圧が印加されている。
なお、第2図中、19は絶縁性基板2.9の先端面に設
けられた電極を示しており、この電極19は、記録ヘッ
ドlと誘電体ドラム15間に電界を形成するためのもの
であり、アースに接続されている。
以上の構成において、この実施例に係るイオン流制御記
録装置では、次のようにしてイオン流が発生され、この
発生したイオン流によって静電潜像の記録が行われる。
すなわち、誘電体ドラム10を所定のプロセススピード
で回転させた状態で、記録ヘッドlの放電電極5に直流
電源14によって常時−500〜−1500Vの直流の
高電圧を印加するとともに、個別電極3.3・・・及び
個別電極8.8・・・にパルス電源12によって画像情
報に応じて−100〜−400Vのパルス電圧を印加す
る。
こうすることによって、第6図に示すように、パルス電
圧が印加されない個別電極3.3・・・及び個別電極8
.8・・・、すなわちoVに保持された個別電極3.3
・・・及び個別電極8.8・・・は、放電電極5との電
位差が放電電極5に印加される直流電圧(−500〜−
1500V)の値と等しくなるため、個別電極3.3・
・・と放電電極5との間には、第6図に示すように、放
電電極5のエツジから個別電極3.3・・・及び個別電
極8.8・・・表面の長手方向に沿った放電Rが発生す
る。そして、この放電Rによって空気中の分子が帯電さ
れて正極性及び負極性のイオン■が生起される。しがし
、放電電極5と誘電体ドラム10との間には、誘電体ド
ラム15側を正極性とした直流の高電圧が印加されてい
るため、放電電極5と誘電体ドラム15との間には、誘
電体ドラム15から放電電極5に向かう電界Eが形成さ
れている。そのため、正極性のイオン■は、この電界E
によって放電電極5側に引き戻され、放電電極5に衝突
して電荷を失う。
それに対して、負極性のイオン■は、上記電界によって
イオン流Sとして誘電体ドラム15側に運ばれ、誘電体
ドラム15の表面に静電的に付着して静電潜像を形成す
る。
一方、静電潜像の記録を行わない場合には、個別電極3
.3・・・及び個別電極8.8・・・にパルス電源12
によって−100〜−400vのパルス電圧が印加され
るため、個別電極3.3・・・及び個別電極8.8・・
・と放電電極5との間には、直流電源14の電圧(−5
00〜−1500V)からパルス電源12(7)電圧(
−100〜−400V)を引いた電圧(−100〜−1
400V)L、か印加されず、個別電極3.3・・・及
び個別電極8.8・・・と放電電極5との間には、放電
が発生しない。
このように、記録ヘッド1が、絶縁性基板2と、この絶
縁性基板2上に画素密度に応じて設けられた個別電極3
.3・・・と、この個別電極3.3・・・上にその一部
領域を除いて被覆された絶縁性フィルム4と、この絶縁
性フィルム4上に設けられ、前記一部領域との間に放電
空間6を形成する単一の放電電極5と、この放電電極5
上に設けられる絶縁性フィルム7と、この絶縁性フィル
ム7上に画素密度に応じて設けられ、前記放電電極5と
の間に放電用空間IOを形成する個別電極8.8・・・
とを有し、前記個別電極3.3・・・と個別電極8.8
・・・が放電電極5に対して交互に配置されて構成され
ている。
そのため、記録ヘッドlは、構造が簡単であり、絶縁性
基板2上に個別電極3.3・・・、個別電極8.8・・
・及び放電電極5と絶縁性フィルム4.7と、絶縁性基
板9とを積層することによって容易に製造することがで
き、低コストにて供給することができる。また、個別電
極3.3・・・、個別電極8.8・・・及び放電電極5
にイオン放出用の開口を設けたすする必要がないので、
この点からも製造が容易となる。
また、上記記録ヘッドlは、絶縁性基板2上に個別電極
3.3・・・、個別電極8.8・・・及び放電電極5と
絶縁性フィルム4.7と、絶縁性基板9とを積層した状
態で、しかも個別電極3.3・・・及び個別電極8.8
・・・と放電電極5との間に形成される放電領域6.1
0が誘電体ドラム15と対向するように配置されるので
、記録ヘッド1が誘電体ドラム15上に占めるスペース
は小さなもので済み、装置の小型化が可能となる。
さらに、記録ヘッド1は、その放電領域6が誘電体ドラ
ム15と対向するように配置され、しがもこの放電領域
6、IOで発生する沿面コロナ放電Rによって生起され
るイオン流Sは、スリット等を通過することなく、直接
誘電体ドラムio上に向けて放出されるので、イオン流
Sを効率良く取り出すことができ、高速記録にも対応す
ることが可能となる。
更にまた、イオン流を噴出させるための圧縮空気を供給
する手段は不要であるため、装置の構成を簡略化するこ
とができる。
また、前記放電電極5上には、絶縁フィルム7を介して
画素密度に応じて設けられ、前記放電電極5との間に放
電用空間10を形成する個別電極8.8・・・とが設け
られ、前記個別電極3.3・・・と個別電極8.8・・
・は、放電電極5に対して交互に配置されるようになっ
ている。そのため、交互に配置される個別電極3.3・
・・と個別電極8.8・・・とによって静電潜像の記録
を行うことによって、静電潜像の記録密度を高めること
ができる。
なお、この実施例では、上記個別電極3.3・・・と個
別電極8.8・・・とが絶縁性フィルム4.7及び放電
電極5を介して配置されているため、個別電極3.3・
・・と個別電極8.8・・・とは、第6図に示すように
、誘電体ドラムI5の表面における記録位置が、その回
転方向に沿って距離δだけズしている。そのため、上記
個別電極3.3・・・と個別電極8.8・・・とによっ
て1ラインの記録を行うと、1ドツト毎に距離δだけ交
互にズして記録される。
そこで、この実施例では、個別電極3.3・・・と個別
電極8.8・・・との記録位置のズレを防止するため、
パルス電源12の電圧印加タイミングを互いに制御する
ようになっている。すなわち、個別電極3.3・・・と
個別電極8、°8・・・とにパルス電圧を印加するパル
ス電源12の電圧印加タイミングを互いに時間tだけ異
ならせることによって、個別電極3.3・・・と個別電
極8.8・・・との記録位置を互いに一致させるように
なっている。ここで、上記時間tは、個別電極3.3・
・・と個別電極8.8・・・との記録位置のズレδを誘
電体ドラム15の周速で割った値である。
実験例 本発明者等は、第2図に示すようなイオン流制御記録装
置を実際に試作し、その発生するイオン量を評価するた
め、A4版の記録用紙に相当する静電潜像の記録を行う
実験を行った。
その結果、A4版の記録用紙相当で20〜40枚/分の
記録が可能なことがわかった。また、記録密度は、24
 d o t s / mの記録が可能であった。
比較例 第7図に示す原理を用いた記録装置は、A4版の記録紙
相当で40〜60枚/分の記録が可能であり、記録密度
は10dots/mの記録が可能であることが知られ、
第9図に示す原理を用いた記録装置は、本発明者らの実
験により、実用的にA4版の記録紙相当で10〜20枚
7分の記録が可能であり、記録密度は16dots/m
の記録が可能であることが分かっている。
この結果から明らかなように、本発明の実施例の装置は
、A4版の記録用紙相当での記録枚数が第7図に示す従
来の装置に比べて少ないものの、第9図に示す従来の装
置よりはかなり多く、本発明の実施例の装置は、装置の
構成が簡単であること、装置のスペースが小さ(て済む
こと等を考慮すれば、十分な記録性能を有することがわ
かった。
また、記録密度は、従来の装置に比べて2倍近くに高め
ることができることがわかった。
〔発明の効果〕
この発明は以上の構成及び作用よりなるもので、装置の
製造が容易であって低コストにて供給できるとともに、
装置の小型化が可能であり、しかもイオンを効率良く発
生させることができ高速記録が可能なイオン流制御記録
装置を提供することができる。また、静電潜像の記録密
度を高めることも可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係るイオン流制御記録装置の一実施
例を示す斜視図、第2図は同イオン流制御記録装置を示
す断面図、第3図は個別電極の形状を示す正面図、第4
図は個別電極の配置を示す断面図、第5図は個別電極の
放電状態を示す説明図、第6図はイオン流制御記録装置
の使用状態をそれぞれ示す断面構成図、第7図及び第8
図は従来のイオン流制御記録装置を示す断面図及び平面
図、第9図は従来の他のイオン流制御記録装置を示す断
面図である。 〔符号の説明〕 1・・・記録ヘッド 2・・・絶縁性基板 3・・・個別電極 4.7・・・絶縁性フィルム 5・・・放電電極 特 許 出 願 人  富士ゼロックス株式会社代 理
 人 弁理士  中村 智廣(外1名)第 図 第4 図 第 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に画素密度に応
    じて設けられた第一の電極部材と、前記第一の電極部材
    上に第一の電極部材の一部領域を除いて被覆された第一
    の絶縁性部材と、前記第一の絶縁性部材上に設けられ、
    前記一部領域との間に放電空間を形成する第二の電極部
    材と、前記第二の電極部材上に設けられる第二の絶縁性
    部材と、前記第二の絶縁性部材上に画素密度に応じて設
    けられ、前記第二の電極部材との間に第二の放電空間を
    形成する第三の電極部材とを有し、前記第一の電極部材
    と第三の電極部材が第二の電極部材に対して交互に配置
    されてなる記録ヘッドと、前記記録ヘッドの放電空間に
    対向して配置された静電潜像受容体と、前記第一の電極
    部材及び第三の電極部材と第二の電極部材との間に画像
    情報に応じて高電圧を印加する電圧印加手段とを具備す
    ることを特徴とするイオン流制御記録装置。
  2. (2)前記電圧印加手段が抵抗を介して電極部材に接続
    されていることを特徴とする請求項第1項記載のイオン
    流制御記録装置。
JP16139490A 1990-06-21 1990-06-21 イオン流制御記録装置 Pending JPH0453763A (ja)

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