JPH0454219Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0454219Y2 JPH0454219Y2 JP1987119741U JP11974187U JPH0454219Y2 JP H0454219 Y2 JPH0454219 Y2 JP H0454219Y2 JP 1987119741 U JP1987119741 U JP 1987119741U JP 11974187 U JP11974187 U JP 11974187U JP H0454219 Y2 JPH0454219 Y2 JP H0454219Y2
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- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- oxide
- oil
- utility
- model registration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は汚れ防止加工を施した薄膜付着製品、
特に無機物質の薄膜を付着した薄膜付着製品に汚
れ防止加工を施したものに関する。
特に無機物質の薄膜を付着した薄膜付着製品に汚
れ防止加工を施したものに関する。
従来、ガラス板の表面に無機物質の薄膜を付着
したものとして表面に低屈折率の無機物質薄膜を
付着した無反射ガラス板、若しくは導電性無機問
透明膜を付着した導電ガラス板、または熱線反射
機能を有する無機膜を付着した熱線反射ガラス板
等が知られている。
したものとして表面に低屈折率の無機物質薄膜を
付着した無反射ガラス板、若しくは導電性無機問
透明膜を付着した導電ガラス板、または熱線反射
機能を有する無機膜を付着した熱線反射ガラス板
等が知られている。
しかしながら、前記のような無機物質の薄膜を
付着したガラス板は無機薄膜がポーラスであるた
め、指紋等の汚れが付着すると薄膜内部及び表面
が汚れ、その汚れが除去し難い。
付着したガラス板は無機薄膜がポーラスであるた
め、指紋等の汚れが付着すると薄膜内部及び表面
が汚れ、その汚れが除去し難い。
例えば、無機物質薄膜が付着した無反射ガラス
板が一旦汚れると紙による拭き取りを行つただけ
では汚れが残り波長の短い方の反射率が高くな
り、汚れによる無反射ガラス板の性能が低下す
る。そこで無機物質の薄膜を付着したガラス板は
一旦汚れると超音波洗滌機により洗滌しなければ
汚れを除去することができなかつた。
板が一旦汚れると紙による拭き取りを行つただけ
では汚れが残り波長の短い方の反射率が高くな
り、汚れによる無反射ガラス板の性能が低下す
る。そこで無機物質の薄膜を付着したガラス板は
一旦汚れると超音波洗滌機により洗滌しなければ
汚れを除去することができなかつた。
本考案は無機物質の薄膜を付着した基体の汚れ
を防止することを目的としたものであつて、基体
表面に付着した無機物質の薄膜に低表面張力、低
蒸気圧の油を含浸させた汚れ防止加工を施した薄
膜付着製品である。
を防止することを目的としたものであつて、基体
表面に付着した無機物質の薄膜に低表面張力、低
蒸気圧の油を含浸させた汚れ防止加工を施した薄
膜付着製品である。
本考案において、無機物質の薄膜に含浸させる
油は通常30ダイン／cm以下の表面張力と、25℃で
１×10-6Torr以下の蒸気圧とを有するものを用
いるのがよい。またこの無機物質の薄膜に含浸さ
せる油は高耐久性、高耐薬品性を有するものがよ
く、直鎖状パーフルオロポリエーテル油（構造式
Ｆ〔−CF2CF2CF2Ｏ−〕oCF2CF3 ｎは整数）又は
直鎖状ジメチルポリシロキサン（シリコーン油） が好んで用いられる。
油は通常30ダイン／cm以下の表面張力と、25℃で
１×10-6Torr以下の蒸気圧とを有するものを用
いるのがよい。またこの無機物質の薄膜に含浸さ
せる油は高耐久性、高耐薬品性を有するものがよ
く、直鎖状パーフルオロポリエーテル油（構造式
Ｆ〔−CF2CF2CF2Ｏ−〕oCF2CF3 ｎは整数）又は
直鎖状ジメチルポリシロキサン（シリコーン油） が好んで用いられる。
また、本考案において、無機物質の薄膜は通常
真空蒸着法、またはスパツタリング法により基体
上に形成され、酸化チタン（TiO2）、酸化ジルコ
ニウム（ZrO2）、酸化タンタル（Ta2O5）、酸化
錫（SnO2）、ITO（錫をドープした酸化インジウ
ム）、酸化アルミニウム（Al2O3）、チタン酸プラ
セオジウム（PrTiO3）、酸化シリコン（SiO2）、
酸化亜鉛（ZnO）、フツ化マグネシウム
（MgF2）、チタン（Ti）、クロム（Cr）、ステンレ
ス（Fe−Ni−Cr）、ニクロム（Ni−Cr），チツ化
チタン（TiN）、チツ化クロム（CrN）、チツ化
シリコン（SiN）、及びチツ化モリブデン
（MoN）のいずれかの薄膜が用いられる。
真空蒸着法、またはスパツタリング法により基体
上に形成され、酸化チタン（TiO2）、酸化ジルコ
ニウム（ZrO2）、酸化タンタル（Ta2O5）、酸化
錫（SnO2）、ITO（錫をドープした酸化インジウ
ム）、酸化アルミニウム（Al2O3）、チタン酸プラ
セオジウム（PrTiO3）、酸化シリコン（SiO2）、
酸化亜鉛（ZnO）、フツ化マグネシウム
（MgF2）、チタン（Ti）、クロム（Cr）、ステンレ
ス（Fe−Ni−Cr）、ニクロム（Ni−Cr），チツ化
チタン（TiN）、チツ化クロム（CrN）、チツ化
シリコン（SiN）、及びチツ化モリブデン
（MoN）のいずれかの薄膜が用いられる。
本考案によれば基体表面に付着した無機物質の
ポーラスの薄膜に油を含浸させることにより、該
薄膜内部への汚れの侵入を油によつて防げ、薄膜
表面には表面張力の小なる油が拭き取ることので
きる限界以下の油膜で残り、汚れが付着し難くな
る。
ポーラスの薄膜に油を含浸させることにより、該
薄膜内部への汚れの侵入を油によつて防げ、薄膜
表面には表面張力の小なる油が拭き取ることので
きる限界以下の油膜で残り、汚れが付着し難くな
る。
以下、本考案を図面に示した実施例について説
明する。
明する。
屈折率が1.51であるガラス板１の表面に、屈折
率が2.15で、且つ光学厚みが0.2370・λp／４（λp＝
504nm）のチタン酸化プラセオジウム（PrTiO3）
の高屈折率無機膜２を真空蒸着法により形成し、
この高屈折率無機膜２上に屈折率が1.37で、且つ
光学厚みが0.3719・λp／４のフツ化マグネシウム
（MgF2）の低屈折率無機膜３上に屈折率が2.15
で、且つ光学厚みが2.1900・λp／４の高屈折率無
機膜４を真空蒸着し、更にその上に屈折率が1.37
で、且つ1.0419・λp／４のフツ化マグネシウム
（MgF2）の低屈折率無機膜５を真空蒸着した。
この時の各無機膜の膜厚は油含浸による屈折率の
上昇を考慮したものである。
率が2.15で、且つ光学厚みが0.2370・λp／４（λp＝
504nm）のチタン酸化プラセオジウム（PrTiO3）
の高屈折率無機膜２を真空蒸着法により形成し、
この高屈折率無機膜２上に屈折率が1.37で、且つ
光学厚みが0.3719・λp／４のフツ化マグネシウム
（MgF2）の低屈折率無機膜３上に屈折率が2.15
で、且つ光学厚みが2.1900・λp／４の高屈折率無
機膜４を真空蒸着し、更にその上に屈折率が1.37
で、且つ1.0419・λp／４のフツ化マグネシウム
（MgF2）の低屈折率無機膜５を真空蒸着した。
この時の各無機膜の膜厚は油含浸による屈折率の
上昇を考慮したものである。
次に分子量が45000の直鎖状パーフルオロポリ
エーテル油をフロン溶媒（パーフルオロオクタ
ン）で0.2重量％に希釈したものを用いて、低屈
折率無機膜５の表面に塗布することにより無機膜
２，３，４及び５に含浸させ、その後低屈折率無
機膜５の表面を布または紙で油を拭き取つて、汚
れ防止を施した無反射ガラス板を得た。
エーテル油をフロン溶媒（パーフルオロオクタ
ン）で0.2重量％に希釈したものを用いて、低屈
折率無機膜５の表面に塗布することにより無機膜
２，３，４及び５に含浸させ、その後低屈折率無
機膜５の表面を布または紙で油を拭き取つて、汚
れ防止を施した無反射ガラス板を得た。
得られた無反射ガラス板の光学特性は第２図点
線で示す反射特性を示し、その無反射ガラス板に
指紋を付けた後、紙で拭き取つた後の光学特性を
第２図実線で示す。
線で示す反射特性を示し、その無反射ガラス板に
指紋を付けた後、紙で拭き取つた後の光学特性を
第２図実線で示す。
第２図から明らかなように、本考案による無反
射ガラス板の指紋の汚れは紙の拭き取りで除去で
き、当初とほとんど変らない反射特性にもどる。
射ガラス板の指紋の汚れは紙の拭き取りで除去で
き、当初とほとんど変らない反射特性にもどる。
以上は汚れ防止加工を施した薄膜付着製品とし
て無反射ガラス板について述べたが、本考案は無
反射ガラス板のみならず、例えばITO膜をガラス
板表面に付着させた透明導電ガラス板等、種々の
無機物質の薄膜を付着した基体に適用できること
は述べるまでもない。
て無反射ガラス板について述べたが、本考案は無
反射ガラス板のみならず、例えばITO膜をガラス
板表面に付着させた透明導電ガラス板等、種々の
無機物質の薄膜を付着した基体に適用できること
は述べるまでもない。
本考案により得られる汚れ防止加工を施した薄
膜付着製品は低表面張力、及び低蒸気圧の油を含
浸により表面に汚れが付着しにくくなり、もし、
付着した場合でも、薄膜の内部にまで汚れが進入
することがないので紙、布などで軽く拭き取るだ
けで汚れが除去できる。
膜付着製品は低表面張力、及び低蒸気圧の油を含
浸により表面に汚れが付着しにくくなり、もし、
付着した場合でも、薄膜の内部にまで汚れが進入
することがないので紙、布などで軽く拭き取るだ
けで汚れが除去できる。
また、実施例のように本考案を無反射ガラス板
に適用した場合に含浸させる油を低屈折率（実施
例のものは1.30）のものを用いることにより、無
反射ガラス板の特性に悪影響を及ぼさない。
に適用した場合に含浸させる油を低屈折率（実施
例のものは1.30）のものを用いることにより、無
反射ガラス板の特性に悪影響を及ぼさない。
図面は本考案の実施例を示すものであつて、第
１図は無反射ガラス板の縦断面図、第２図は汚れ
防止加工を施した無反射ガラス板の反射率特性図
である。 １……ガラス板、２，４……高屈折率無機膜、
３，５……低屈折率無機膜。
１図は無反射ガラス板の縦断面図、第２図は汚れ
防止加工を施した無反射ガラス板の反射率特性図
である。 １……ガラス板、２，４……高屈折率無機膜、
３，５……低屈折率無機膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ガラス板等の透明基体表面に付着したポーラ
スな無機物質の薄膜に、表面張力が30ダイン／
cm以下で蒸気圧が25℃で１×10-6Torr以下の
油を含浸させたことを特徴とする汚れ防止加工
を施した薄膜付着製品。 (2) 前記油が高耐久性、高耐薬品性を有する油で
ある実用新案登録請求の範囲第１項に記載の汚
れ防止加工を施した薄膜付着製品。 (3) 前記油が直鎖状パーフルオロポリエーテル油
（構造式Ｆ［−CF2CF2CF2Ｏ−］oCF2CF3 ｎは整
数）又は直鎖状ジメチルポリシロキサン である実用新案登録請求の範囲第２項に記載の
汚れ防止加工を施した薄膜付着製品。 (4) 前記無機物質の薄膜は真空蒸着法、またはス
パツタリング法により形成された薄膜である実
用新案登録請求の範囲第１項乃至第３項に記載
のいずれかの汚れ防止加工を施した薄膜付着製
品。 (5) 前記無機物質の薄膜が酸化チタン（TiO2）、
酸化ジルコニウム（ZrO2）、酸化タンタル
（TaO25）、酸化錫（SnO2）、ITO（錫をドープ
した酸化インジウム）、酸化アルミニウム
（Al2O3）、チタン酸プラセオジウム
（PrTiO3）、酸化シリコン（SiO2）、酸化亜鉛
（ZnO）、フツ化マグネシウム（MgF2）、チタ
ン、クロム、ステンレス（Fe−Ni−Cr）、ニク
ロム（Ni−Cr），チツ化チタン（TiN）、チツ
化クロム（CrN）、チツ化シリコン（SiN）、及
びチツ化モリブデン（MoN）のいずれかの薄
膜である実用新案登録請求の範囲第１項乃至第
４項のいずれかの汚れ防止加工を施した薄膜付
着製品。 (6) 前記基体がガラス板または透明な合成樹脂板
である特許請求の範囲第５項の汚れ防止加工を
施した薄膜付着製品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987119741U JPH0454219Y2 (ja) | 1987-08-04 | 1987-08-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987119741U JPH0454219Y2 (ja) | 1987-08-04 | 1987-08-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6426372U JPS6426372U (ja) | 1989-02-14 |
| JPH0454219Y2 true JPH0454219Y2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=31365236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987119741U Expired JPH0454219Y2 (ja) | 1987-08-04 | 1987-08-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0454219Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61130902U (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-15 |
-
1987
- 1987-08-04 JP JP1987119741U patent/JPH0454219Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6426372U (ja) | 1989-02-14 |
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