JPH0455129B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0455129B2 JPH0455129B2 JP7121286A JP7121286A JPH0455129B2 JP H0455129 B2 JPH0455129 B2 JP H0455129B2 JP 7121286 A JP7121286 A JP 7121286A JP 7121286 A JP7121286 A JP 7121286A JP H0455129 B2 JPH0455129 B2 JP H0455129B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alumina
- spray
- thin film
- film
- alumina thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、例えば遠赤外線放射膜、熱線反射
膜、絶縁性膜等として用いられるアルミナ薄膜の
製造方法に関する。
膜、絶縁性膜等として用いられるアルミナ薄膜の
製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、この種のアルミナ薄膜の製造方法として
は、酸化アルミニウムのスパツタリング法やイオ
ンプレーテイング法等のPVD法、或いは有機金
属化合物のデイツプ法等が知られている。
は、酸化アルミニウムのスパツタリング法やイオ
ンプレーテイング法等のPVD法、或いは有機金
属化合物のデイツプ法等が知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
前記従来のスパツタリング法やイオンプレーテ
イング法の場合、装置的に大がかりとなり、更に
真空槽で行なうため、製造されるアルミナ薄膜の
大きさが制限されると共に非常にコストアツプと
なる不都合を有し、またデイツプ法の場合、引上
げ操作が難しく膜質が悪く、また密着性にも欠け
るという不都合を有する。
イング法の場合、装置的に大がかりとなり、更に
真空槽で行なうため、製造されるアルミナ薄膜の
大きさが制限されると共に非常にコストアツプと
なる不都合を有し、またデイツプ法の場合、引上
げ操作が難しく膜質が悪く、また密着性にも欠け
るという不都合を有する。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、前記不都合を解消したアルミナ薄膜
の製造方法を提供することを目的とするもので、
その発明は、一般式（AcO）ｘ（RO）２−xAl
（R′COCHCOOR″）（ただし、式中ｘは１または
２であり、ＲはC2H5、C3H7、C4H9を示し、R′、
R″はCH3、C2H5、C3H7、C4H9、C6H5、C8H17
を示す）で表わされるアルコキシアセテートアル
ミニウムβ−ケトエステルを有機溶媒中に含むス
プレー溶液を400〜700℃に保たれた基材上に噴霧
してアルミナ薄膜を形成することから成る。
の製造方法を提供することを目的とするもので、
その発明は、一般式（AcO）ｘ（RO）２−xAl
（R′COCHCOOR″）（ただし、式中ｘは１または
２であり、ＲはC2H5、C3H7、C4H9を示し、R′、
R″はCH3、C2H5、C3H7、C4H9、C6H5、C8H17
を示す）で表わされるアルコキシアセテートアル
ミニウムβ−ケトエステルを有機溶媒中に含むス
プレー溶液を400〜700℃に保たれた基材上に噴霧
してアルミナ薄膜を形成することから成る。
前記アルコキシアセテートアルミニウムβ−ケ
トエステルの一般式中、ｘは１または２としたの
は、ｘが０では熱分解しにくくなり、またｘが３
以上となると有機溶媒への溶解度が悪くなるから
である。尚、ｘが１の方が有機溶媒への溶解性に
優れ、またｘが２の方がより酸化物になりやす
い。
トエステルの一般式中、ｘは１または２としたの
は、ｘが０では熱分解しにくくなり、またｘが３
以上となると有機溶媒への溶解度が悪くなるから
である。尚、ｘが１の方が有機溶媒への溶解性に
優れ、またｘが２の方がより酸化物になりやす
い。
スプレー溶液は、前記アルコキシアセテートア
ルミニウムβ−ケトエステルが有機溶媒、好まし
くはベンゼン溶媒中にアルミナ（Al2O3）含有量
換算で１〜10wt％、好ましくは２〜5wt％程度と
なるように調整する。アルミナ（Al2O3）含有量
が1wt％未満であると成膜効率が悪く、また10wt
％を越えるとスプレー溶液の粘度が高くなり作業
性が悪くなるからである。
ルミニウムβ−ケトエステルが有機溶媒、好まし
くはベンゼン溶媒中にアルミナ（Al2O3）含有量
換算で１〜10wt％、好ましくは２〜5wt％程度と
なるように調整する。アルミナ（Al2O3）含有量
が1wt％未満であると成膜効率が悪く、また10wt
％を越えるとスプレー溶液の粘度が高くなり作業
性が悪くなるからである。
基材は、特に限定されるものではないが、一般
にはガラス、セラミツク等の板状体を用い、これ
を400〜700℃、好ましくは400〜600゜に加熱して
おいてから前記スプレー溶液を噴霧する。基材が
400℃未満であると膜は粉体のまじつたものにな
り易く、また700℃を越えると膜化せずに粉体と
なり易いからである。また、予め400〜700℃に加
熱された基材上にスプレー溶液を噴霧するので、
基材上に付着するスプレー溶液は付着と同時に順
次熱分解され、CVD法と同様に、熱力学的平衡
状態で成膜が進行し、均一で透明なアルミナ薄膜
が形成される。
にはガラス、セラミツク等の板状体を用い、これ
を400〜700℃、好ましくは400〜600゜に加熱して
おいてから前記スプレー溶液を噴霧する。基材が
400℃未満であると膜は粉体のまじつたものにな
り易く、また700℃を越えると膜化せずに粉体と
なり易いからである。また、予め400〜700℃に加
熱された基材上にスプレー溶液を噴霧するので、
基材上に付着するスプレー溶液は付着と同時に順
次熱分解され、CVD法と同様に、熱力学的平衡
状態で成膜が進行し、均一で透明なアルミナ薄膜
が形成される。
スプレー溶液は、一般にはスプレー圧を0.5〜
1.5Kg／cm2で噴霧する。
1.5Kg／cm2で噴霧する。
（実施例）
次に、本発明の実施例に付き説明する。
実施例 １
アルミナ（Al2O3）含有量換算で2.5wt％モノ
エチルアセトアセテートアルミニウジアセテート
をベンゼン溶媒中に含ませたスプレー溶液を用意
し、スプレー圧1.0Kg／cm2、スプレー距離50cmで、
450℃に加熱された板状のセラミツク基材上に
種々の吹付量で噴霧して、種々の膜厚のアルミナ
薄膜を得た。得られたアルミナ薄膜は、全て、透
明で傷付きにくく、密着性にも優れ、しかもピン
ホール等の全くない均一な薄膜であつた。
エチルアセトアセテートアルミニウジアセテート
をベンゼン溶媒中に含ませたスプレー溶液を用意
し、スプレー圧1.0Kg／cm2、スプレー距離50cmで、
450℃に加熱された板状のセラミツク基材上に
種々の吹付量で噴霧して、種々の膜厚のアルミナ
薄膜を得た。得られたアルミナ薄膜は、全て、透
明で傷付きにくく、密着性にも優れ、しかもピン
ホール等の全くない均一な薄膜であつた。
図面はスプレー溶液の吹付量と膜厚の関係を示
すグラフであり、吹付量と膜厚はほぼ正比例して
おり、膜厚の制御が容易に行なえることがわか
る。
すグラフであり、吹付量と膜厚はほぼ正比例して
おり、膜厚の制御が容易に行なえることがわか
る。
実施例 ２
アルミナ（Al2O3）含有量換算で10wt％のイソ
プロポキシアセテートアルミニウムエチルアセト
アセテートをイソプロパノール溶媒中に含ませた
スプレー溶液を用意し、スプレー圧1.0Kg／cm2、
スプレー距離50cmで、550℃に加熱された板状の
セラミツク基材上に種々の吹付量で噴霧して、
種々の膜厚のアルミナ薄膜を得た。得られたアル
ミナ薄膜は、全て、透明で傷付きにくく、密着性
にも優れ、しかもピンホール等が全くない均一な
薄膜であつた。
プロポキシアセテートアルミニウムエチルアセト
アセテートをイソプロパノール溶媒中に含ませた
スプレー溶液を用意し、スプレー圧1.0Kg／cm2、
スプレー距離50cmで、550℃に加熱された板状の
セラミツク基材上に種々の吹付量で噴霧して、
種々の膜厚のアルミナ薄膜を得た。得られたアル
ミナ薄膜は、全て、透明で傷付きにくく、密着性
にも優れ、しかもピンホール等が全くない均一な
薄膜であつた。
（発明の効果）
このように、本発明によれば前記特定のアルコ
キシアセテートアルミニウムβ−ケトエステルを
有機溶媒中に含むスプレー溶液を400〜700℃に保
たれた基材上に噴霧してアルミナ薄膜を形成する
ようにしたので、極めて簡単な方法で、厚みの小
さなアルミナ薄膜を、CVD法並みの均一さと密
着性とをもつて、しかも大面積のものも製造でき
る効果を有する。
キシアセテートアルミニウムβ−ケトエステルを
有機溶媒中に含むスプレー溶液を400〜700℃に保
たれた基材上に噴霧してアルミナ薄膜を形成する
ようにしたので、極めて簡単な方法で、厚みの小
さなアルミナ薄膜を、CVD法並みの均一さと密
着性とをもつて、しかも大面積のものも製造でき
る効果を有する。
図面は本発明製造方法の１実施例によつて得ら
れたアルミナ薄膜のスプレー吹付量と膜厚との関
係を示すグラフである。
れたアルミナ薄膜のスプレー吹付量と膜厚との関
係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（AcO）ｘ（RO）２−xAl
（R′COCHCOOR″）（ただし、式中ｘは１または
２であり、ＲはC2H5、C3H7、C4H9を示し、R′、
R″はCH3、C2H5、C3H7、C4H9、C6H5、C8H17
を示す）で表わされるアルコキシアセテートアル
ミニウムβ−ケトエステルを有機溶媒中に含むス
プレー溶液を400〜700℃に保たれた基材上に噴霧
してアルミナ薄膜を形成することから成るアルミ
ナ薄膜の製造方法。 ２ 該アルコキシアセテートアルミニウムβ−ケ
トエステルをアルミナ（Al2O3）含有量換算で１
〜10wt％含むスプレー溶液を用いることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載のアルミナ薄
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121286A JPS62227478A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | アルミナ薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121286A JPS62227478A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | アルミナ薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62227478A JPS62227478A (ja) | 1987-10-06 |
| JPH0455129B2 true JPH0455129B2 (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=13454148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7121286A Granted JPS62227478A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | アルミナ薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62227478A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4797356B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-10-19 | 日油株式会社 | 酸化アルミニウム薄膜および酸化アルミニウム薄膜形成用組成物 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7121286A patent/JPS62227478A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62227478A (ja) | 1987-10-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |