JPH0455328B2 - - Google Patents
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- JPH0455328B2 JPH0455328B2 JP60035692A JP3569285A JPH0455328B2 JP H0455328 B2 JPH0455328 B2 JP H0455328B2 JP 60035692 A JP60035692 A JP 60035692A JP 3569285 A JP3569285 A JP 3569285A JP H0455328 B2 JPH0455328 B2 JP H0455328B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- sensitive material
- pattern
- pattern forming
- forming method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路パタンなど微細で高密度なパ
タンを高精度に形成する方法に関するものであ
る。
タンを高精度に形成する方法に関するものであ
る。
半導体集積回路などのパタン形成は、半導体基
板に光、Ｘ線、電子線あるいはイオンビームなど
の高エネルギー線に感応するレジストを塗布し、
これに上記高エネルギー線を照射し、現像をおこ
なうことによつて行なわれている。
板に光、Ｘ線、電子線あるいはイオンビームなど
の高エネルギー線に感応するレジストを塗布し、
これに上記高エネルギー線を照射し、現像をおこ
なうことによつて行なわれている。
パンタンが微細化すると、光露光では回折現象
や定在波などにより、形成されるパタンの解像性
が低下する。それ故、電子線やＸ線などの高エネ
ルギー線が有利となるが、これら高エネルギー線
を用いた場合でも、後方散乱現象あるいは二次電
子の発生などにより解像性が低下する。
や定在波などにより、形成されるパタンの解像性
が低下する。それ故、電子線やＸ線などの高エネ
ルギー線が有利となるが、これら高エネルギー線
を用いた場合でも、後方散乱現象あるいは二次電
子の発生などにより解像性が低下する。
上記問題点を解決したパタン形成方法を本発明
者らは、特願昭59−74690号として出願した。第
１図ａ〜ｅにこの方法を示す。すなわち、パタン
を形成する場合、基板３に塗布されたレジスト
（感応材料）２に光、電子線、Ｘ線またはイオン
ビームなどの高エネルギー線１を照射し、現像工
程を通して該レジスト表層に凹パタンを形成す
る。（第１図ａ，ｂ）該試料にレジスト２とエツ
チング選択比がとれる材料、例えばシリコーン樹
脂（付着材料）４を塗布し凹パタン部を平坦化す
る（第１図ｃ）。該シリコーン樹脂を均一にエツ
チングして凹パタン部にシリコーン樹脂を残し、
これをマスクにしてO2ガスによる反応性イオン
エツチング（RIE）によりレジストを除去する
（第１図ｄ，ｅ）。これにより、シリコーン樹脂の
下にあるレジストは残り、それ以外のレジストは
除去されるため、基板上にレジストパタンが形成
される。かかる工程で最も重要となるのは、平坦
化されたシリコーン樹脂をエツチングしてマスク
を形成する工程にある。レジスト表層に形成され
た凹パタンは、高エネルギー線のプロフアイルを
反映しており、一般にテーパ状あるいはサインカ
ーブ状になつている。したがつて、シリコーン樹
脂のエツチングを停止する深さによつてパタン寸
法が広がつたり狭まつたりするため、エツチング
の終点判定を高精度に行う必要がある。
者らは、特願昭59−74690号として出願した。第
１図ａ〜ｅにこの方法を示す。すなわち、パタン
を形成する場合、基板３に塗布されたレジスト
（感応材料）２に光、電子線、Ｘ線またはイオン
ビームなどの高エネルギー線１を照射し、現像工
程を通して該レジスト表層に凹パタンを形成す
る。（第１図ａ，ｂ）該試料にレジスト２とエツ
チング選択比がとれる材料、例えばシリコーン樹
脂（付着材料）４を塗布し凹パタン部を平坦化す
る（第１図ｃ）。該シリコーン樹脂を均一にエツ
チングして凹パタン部にシリコーン樹脂を残し、
これをマスクにしてO2ガスによる反応性イオン
エツチング（RIE）によりレジストを除去する
（第１図ｄ，ｅ）。これにより、シリコーン樹脂の
下にあるレジストは残り、それ以外のレジストは
除去されるため、基板上にレジストパタンが形成
される。かかる工程で最も重要となるのは、平坦
化されたシリコーン樹脂をエツチングしてマスク
を形成する工程にある。レジスト表層に形成され
た凹パタンは、高エネルギー線のプロフアイルを
反映しており、一般にテーパ状あるいはサインカ
ーブ状になつている。したがつて、シリコーン樹
脂のエツチングを停止する深さによつてパタン寸
法が広がつたり狭まつたりするため、エツチング
の終点判定を高精度に行う必要がある。
上記特願昭59−74690号の方法において、シリ
コーン樹脂のエツチングはシリコーン樹脂の塗布
膜厚とエツチレートから算出されるエツチング時
間により終点判定をしていた。エツチレートは、
ガス圧の変化や基板温度の変化などにより変化す
るため、これらを高精度に制御するのは困難であ
つた。CF4ガスを用いてシリコーン樹脂をエツチ
ングする場合、エツチレートの変化は、約10％に
もなることがわかつた。シリコーン樹脂の塗布膜
厚を2μｍとした場合同一エツチング時間で0.2μｍ
のエツチング誤差が生じる。これは、パタン寸法
誤差に換算すると0.1〜0.15μｍもの誤差となる。
コーン樹脂のエツチングはシリコーン樹脂の塗布
膜厚とエツチレートから算出されるエツチング時
間により終点判定をしていた。エツチレートは、
ガス圧の変化や基板温度の変化などにより変化す
るため、これらを高精度に制御するのは困難であ
つた。CF4ガスを用いてシリコーン樹脂をエツチ
ングする場合、エツチレートの変化は、約10％に
もなることがわかつた。シリコーン樹脂の塗布膜
厚を2μｍとした場合同一エツチング時間で0.2μｍ
のエツチング誤差が生じる。これは、パタン寸法
誤差に換算すると0.1〜0.15μｍもの誤差となる。
このように上記パタン形成法は、マスク形成工
程におけるマスク材のエツチング精度がパタン寸
法精度に直接反映されるため、マスク材のエツチ
レートから算出したエツチング時間による制御で
は不十分であつた。
程におけるマスク材のエツチング精度がパタン寸
法精度に直接反映されるため、マスク材のエツチ
レートから算出したエツチング時間による制御で
は不十分であつた。
本発明はこれらの欠点を解決するため、レジス
トとマスク材料の界面を検出する方法を与えるも
ので、その目的は、マスク材のエツチングの終点
判定を高精度に行うことによりパタン形成精度を
向上させることにある。
トとマスク材料の界面を検出する方法を与えるも
ので、その目的は、マスク材のエツチングの終点
判定を高精度に行うことによりパタン形成精度を
向上させることにある。
この発明によれば、上記問題点は、付着材料と
感応材料との界面を検出し、この検出に基づいて
付着材料のエツチング終点を判定することによつ
て解決される。
感応材料との界面を検出し、この検出に基づいて
付着材料のエツチング終点を判定することによつ
て解決される。
第２図ａ，ｂ，ｃは本発明の一実施例である。
まず、基板３にラベル物質として５％のZnBrを
含有したフエニールメタクリレート／メタクリル
酸共重合体（φ−MAC）レジスト５を1.5μｍ塗
布する。これを200℃で一時間プリベークする。
この試料に電子線を照射後、１，４−ジオキサン
25％とジイソブチルケトン75％の混合液で現象
し、レジスト表層に0.2〜0.3μｍ深さの凹パタン
を形成する。第２図ａのごとくこれにシリコーン
樹脂４をスピンコートして基板全体を平坦化す
る。シリコーン樹脂膜厚を3μｍ以上塗布すれば
基板全体を平坦化できる。つぎに、シリコーン樹
脂を反応性イオンエツチング装置によりCF4ガス
を用いて反応性イオン１２によりエツチングす
る。エツチングの状況は該反応性イオンエツチン
グ装置１０に接続してある質量分析装置１１でモ
ニターした。シリコーン樹脂のエツチングが進み
レジストの平坦部が露出しはじめるとレジスト中
に含まれているZnが質量分析装置で質量スペク
トルＭ／ｅ＝32.5のところに検出できた。この状
態は第２図ｂで示されるごとく、シリコーン樹脂
４がレジスト平坦部でなくなり、凹パタン部にの
み存在する状態となる。この後、シリコーン樹脂
のエツチレートと残存膜厚の1/2から算出される
エツチング時間によりシリコーン樹脂のエツチン
グを続けると、第２図ｃで示すごとくシリコーン
樹脂４は凹パタンの1/2の深さのところまで正確
にエツチングできる。この場合のシリコーン樹脂
のエツチング精度は、200〜300Åであつた。これ
は寸法精度に換算すると約150〜200Åとなり、極
めて高精度な寸法制御が可能となつた。
まず、基板３にラベル物質として５％のZnBrを
含有したフエニールメタクリレート／メタクリル
酸共重合体（φ−MAC）レジスト５を1.5μｍ塗
布する。これを200℃で一時間プリベークする。
この試料に電子線を照射後、１，４−ジオキサン
25％とジイソブチルケトン75％の混合液で現象
し、レジスト表層に0.2〜0.3μｍ深さの凹パタン
を形成する。第２図ａのごとくこれにシリコーン
樹脂４をスピンコートして基板全体を平坦化す
る。シリコーン樹脂膜厚を3μｍ以上塗布すれば
基板全体を平坦化できる。つぎに、シリコーン樹
脂を反応性イオンエツチング装置によりCF4ガス
を用いて反応性イオン１２によりエツチングす
る。エツチングの状況は該反応性イオンエツチン
グ装置１０に接続してある質量分析装置１１でモ
ニターした。シリコーン樹脂のエツチングが進み
レジストの平坦部が露出しはじめるとレジスト中
に含まれているZnが質量分析装置で質量スペク
トルＭ／ｅ＝32.5のところに検出できた。この状
態は第２図ｂで示されるごとく、シリコーン樹脂
４がレジスト平坦部でなくなり、凹パタン部にの
み存在する状態となる。この後、シリコーン樹脂
のエツチレートと残存膜厚の1/2から算出される
エツチング時間によりシリコーン樹脂のエツチン
グを続けると、第２図ｃで示すごとくシリコーン
樹脂４は凹パタンの1/2の深さのところまで正確
にエツチングできる。この場合のシリコーン樹脂
のエツチング精度は、200〜300Åであつた。これ
は寸法精度に換算すると約150〜200Åとなり、極
めて高精度な寸法制御が可能となつた。
第３図には、他の実施例を示す。基板３にポリ
メチルメタクリレート（PMMA）レジスト２を
1.5μｍ塗布し、ペリベーク後電子線を照射してメ
チルイソブチルケトンとイソプロパノールの混合
液で現象する。ポストベーク後ラベル物質として
ZnBr5％含有レジストφ−MAC5を0.1μｍ程度塗
布し、プリベーク後、シリコーン樹脂４で凹パタ
ンを平坦化する。
メチルメタクリレート（PMMA）レジスト２を
1.5μｍ塗布し、ペリベーク後電子線を照射してメ
チルイソブチルケトンとイソプロパノールの混合
液で現象する。ポストベーク後ラベル物質として
ZnBr5％含有レジストφ−MAC5を0.1μｍ程度塗
布し、プリベーク後、シリコーン樹脂４で凹パタ
ンを平坦化する。
これをCF4ガスを用いた反応性イオンエツチン
グによりエツチングする。シリコーン樹脂４のエ
ツチングが進みφ−MACが露出すると、φ−
MAC中に含まれているZn2+が質量分析装置によ
りＭ／ｅ＝32.5のところに検出され、シリコーン
樹脂がレジストの平坦部で無くなつたことがわか
る。凹パタンの中央深さまでシリコーン樹脂をエ
ツチングするには、上述したごとくシリコーン樹
脂のエツチレートと残存膜厚から算出されるエツ
チング時間によりエツチングを続行すればよいこ
とになる。この実施例の場合でも、寸法精度は
0.05μｍ以下が達成できた。本実施例では、ZnBr
含有φ−MACをラベル物質として用いたが、
PMMAの代わりにこれをレジストとして用いて
もその効果は全く同じである。
グによりエツチングする。シリコーン樹脂４のエ
ツチングが進みφ−MACが露出すると、φ−
MAC中に含まれているZn2+が質量分析装置によ
りＭ／ｅ＝32.5のところに検出され、シリコーン
樹脂がレジストの平坦部で無くなつたことがわか
る。凹パタンの中央深さまでシリコーン樹脂をエ
ツチングするには、上述したごとくシリコーン樹
脂のエツチレートと残存膜厚から算出されるエツ
チング時間によりエツチングを続行すればよいこ
とになる。この実施例の場合でも、寸法精度は
0.05μｍ以下が達成できた。本実施例では、ZnBr
含有φ−MACをラベル物質として用いたが、
PMMAの代わりにこれをレジストとして用いて
もその効果は全く同じである。
第４図ａ，ｂ，ｃ，ｄに他の実施例を示す。基
板３にPMMAレジスト２を1.5μｍ塗布し、プリ
ベークする。これに、ラベル物質として有機金属
例えばアルミニユウムターシヤルブチレート
（Al（OC4H9）3）を溶解した希薄PMMA５を500
Å程度塗布しプリベークする。さらに、この試料
にPMMAを0.1μｍ塗布しプリベークする。
板３にPMMAレジスト２を1.5μｍ塗布し、プリ
ベークする。これに、ラベル物質として有機金属
例えばアルミニユウムターシヤルブチレート
（Al（OC4H9）3）を溶解した希薄PMMA５を500
Å程度塗布しプリベークする。さらに、この試料
にPMMAを0.1μｍ塗布しプリベークする。
第４図ａに示すようにラベル物質５はPMMA
にはさまれた状態となる。これに電子ビーム照射
して現象すると第４図ｂに示すようにレジスト表
層にビーム形状を反映した深さ0.3μｍの凹パタン
が形成できる。凹パタン深さのほぼ中央部に存在
するラベル物質は非常に薄くPMMAの現像過程
でPMMAと同様に溶解される。この試料にシリ
コーン樹脂４を塗布し、平坦化すると第４図ｃに
示すようになる。これをCF4とO2ガスを用いた、
反応性イオンエツチングによりエツチする。この
場合、CF4とO2の混合比、ガス圧およびRFパワ
ーを制御してシリコーン樹脂とPMMAレジスト
のエツチレートを同じになるようなエツチング条
件で行なつた。また、エツチング状態は、発光ス
ペクトル分析装置によりモニタした。シリコーン
樹脂のエツチングが進みラベル物質の表面が露出
されると、アルミニウムから波長、3082Å、3093
Å、3944Åおよび3962Åにシリコーン樹脂のエツ
チングから得られる発光強度の５倍程度のピーク
が検出できた。この状態でエツチングを停止する
と第４図ｄのごとく、シリコーン樹脂は現像工程
後に得られた凹パタン深さの1/2の深さまでエツ
チングされており、ビーム寸法を非常によく反映
したマスクパタンが形成できた。
にはさまれた状態となる。これに電子ビーム照射
して現象すると第４図ｂに示すようにレジスト表
層にビーム形状を反映した深さ0.3μｍの凹パタン
が形成できる。凹パタン深さのほぼ中央部に存在
するラベル物質は非常に薄くPMMAの現像過程
でPMMAと同様に溶解される。この試料にシリ
コーン樹脂４を塗布し、平坦化すると第４図ｃに
示すようになる。これをCF4とO2ガスを用いた、
反応性イオンエツチングによりエツチする。この
場合、CF4とO2の混合比、ガス圧およびRFパワ
ーを制御してシリコーン樹脂とPMMAレジスト
のエツチレートを同じになるようなエツチング条
件で行なつた。また、エツチング状態は、発光ス
ペクトル分析装置によりモニタした。シリコーン
樹脂のエツチングが進みラベル物質の表面が露出
されると、アルミニウムから波長、3082Å、3093
Å、3944Åおよび3962Åにシリコーン樹脂のエツ
チングから得られる発光強度の５倍程度のピーク
が検出できた。この状態でエツチングを停止する
と第４図ｄのごとく、シリコーン樹脂は現像工程
後に得られた凹パタン深さの1/2の深さまでエツ
チングされており、ビーム寸法を非常によく反映
したマスクパタンが形成できた。
本実施例で示したラベル物質のほかにアルミニ
ウムアセチルアセトネート、Al（CH2COCH2−
COCH3）3やポリメチルアルミノキサン（−
CH3AlO）o――などの有機金属を用いても全く同様
の効果が得られた。
ウムアセチルアセトネート、Al（CH2COCH2−
COCH3）3やポリメチルアルミノキサン（−
CH3AlO）o――などの有機金属を用いても全く同様
の効果が得られた。
これまでの実施例ではラベル物質をレジスト層
に混入させたものであるが、マスク材に混入させ
た実施例について示す。リグロインにシリコーン
樹脂とポリアルミノキサンを10：１の割合で溶か
し、これをマスク材として用いた。PMMAに形
成した凹パタンを該マスク材で平坦化する。これ
をCF4ガスを用いて反応性イオンエツチング装置
により該マスク材をエツチングすると、ポリアル
ミノキサン中のAl原子から3082〜3962Å波長の
強い発光スペクトルが得られた。エツチングを約
20分間続けるとマスク材からの発光強度が1/3以
下に減少しPMMA平坦部におけるマスク材が無
くなつたことが検出できた。さらにエツチングを
２分間行うとPMMAの表層に形成した凹パタン
のほぼ中央までマスク材はエツチングされており
高精度なパタン寸法制御が可能であつた。
に混入させたものであるが、マスク材に混入させ
た実施例について示す。リグロインにシリコーン
樹脂とポリアルミノキサンを10：１の割合で溶か
し、これをマスク材として用いた。PMMAに形
成した凹パタンを該マスク材で平坦化する。これ
をCF4ガスを用いて反応性イオンエツチング装置
により該マスク材をエツチングすると、ポリアル
ミノキサン中のAl原子から3082〜3962Å波長の
強い発光スペクトルが得られた。エツチングを約
20分間続けるとマスク材からの発光強度が1/3以
下に減少しPMMA平坦部におけるマスク材が無
くなつたことが検出できた。さらにエツチングを
２分間行うとPMMAの表層に形成した凹パタン
のほぼ中央までマスク材はエツチングされており
高精度なパタン寸法制御が可能であつた。
ラベル物質を用いない実施例を示す。φ−
MACレジストに電子ビームで凹パタンを形成し、
この試料にシリコーン樹脂をスピンコーテイング
し、平坦化した。これをCF4と20％のO2ガスを用
いて反応性エツチング装置によりエツチングし
た。質量分析装置で質量スペクトルを観察する
と、エツチング開始から約20分間Ｍ／ｅ＝85のと
ころにピークが観測された。これは、シリコーン
樹脂中のSiとCF4ガス中のＦとが反応してSiF+ 3を
形成したためである。エツチング時間20分を過ぎ
るとＭ／ｅ＝85の強度が1/4に減少し、シリコー
ン樹脂が無くなつたことが検出できた。この試料
をさらに５分間エツチングしたところ、寸法精度
のよいマスクパタンが形成できた。
MACレジストに電子ビームで凹パタンを形成し、
この試料にシリコーン樹脂をスピンコーテイング
し、平坦化した。これをCF4と20％のO2ガスを用
いて反応性エツチング装置によりエツチングし
た。質量分析装置で質量スペクトルを観察する
と、エツチング開始から約20分間Ｍ／ｅ＝85のと
ころにピークが観測された。これは、シリコーン
樹脂中のSiとCF4ガス中のＦとが反応してSiF+ 3を
形成したためである。エツチング時間20分を過ぎ
るとＭ／ｅ＝85の強度が1/4に減少し、シリコー
ン樹脂が無くなつたことが検出できた。この試料
をさらに５分間エツチングしたところ、寸法精度
のよいマスクパタンが形成できた。
なお、感応材料としては各実施例で用いたもの
に限らない。例えば電子線照射だけで高分子が分
解し、現象液を用いる現象をせずに凹状パタン形
成が可能な材料としては第１のモノマ群から選ば
れるもののホモポリマもしくはコポリマ、または
第１のモノマ群と第２のモノマ群の組合せからな
るコポリマを用いることができ、第１のモノマ群
としてはα，α−ジメチルベンジルメタクリレー
ト、α−メチルベンジルメタクリレート、ジフエ
ニルメタクリレート、トリフエニルメタクリレー
ト、フエニルメタクリレートなどのアリームメタ
クリレートおよび第三ブチルメタクリレート、第
２のモノマ群としては、CH2＝Ｃ（CH3）COOR
で表わされ、アルキル基またはハロアルキル基Ｒ
が炭素数５以下であるアルキルメタクリレートお
よびハロゲンアルキルメタクリレートがある。
に限らない。例えば電子線照射だけで高分子が分
解し、現象液を用いる現象をせずに凹状パタン形
成が可能な材料としては第１のモノマ群から選ば
れるもののホモポリマもしくはコポリマ、または
第１のモノマ群と第２のモノマ群の組合せからな
るコポリマを用いることができ、第１のモノマ群
としてはα，α−ジメチルベンジルメタクリレー
ト、α−メチルベンジルメタクリレート、ジフエ
ニルメタクリレート、トリフエニルメタクリレー
ト、フエニルメタクリレートなどのアリームメタ
クリレートおよび第三ブチルメタクリレート、第
２のモノマ群としては、CH2＝Ｃ（CH3）COOR
で表わされ、アルキル基またはハロアルキル基Ｒ
が炭素数５以下であるアルキルメタクリレートお
よびハロゲンアルキルメタクリレートがある。
以上説明したように本発明によれば、マスク材
料のエツチングの終点判定をラベル物質または、
レジストとマスク材との質量または発光スペクト
ルによつて行つているため、エツチング条件の変
化には依存せず高精度な終点判定ができ、パタン
形成精度を向上させる利点がある。
料のエツチングの終点判定をラベル物質または、
レジストとマスク材との質量または発光スペクト
ルによつて行つているため、エツチング条件の変
化には依存せず高精度な終点判定ができ、パタン
形成精度を向上させる利点がある。
第１図は特願昭59−74690号のパタン形成工程
図、第２図〜第４図は本発明の実施例のパタン形
成工程図。 １……高エネルギー線、２……レジスト、３…
…基板、４……シリコーン樹脂、５……ラベル物
質。
図、第２図〜第４図は本発明の実施例のパタン形
成工程図。 １……高エネルギー線、２……レジスト、３…
…基板、４……シリコーン樹脂、５……ラベル物
質。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光、電子線、Ｘ線もしくはイオンビームなど
の高エネルギー線を、これに感応する感応材料に
照射して、該感応材料の上層部に凹状のパタン形
成を行い、該パタン形成部に該感応材料とのエツ
チング選択比がとれる材料を付着せしめ、該付着
材料を均一にエツチングした後、上記凹部に残存
する該付着材料をマスクとして該感応材料の下層
部にパタンを転写するパタン形成方法であつて、
上記付着材料と上記感応材料との界面を、上記付
着材料および上記感応材料のいずれか一方に含ま
れ、他方には含まれない元素の質量または発光ス
ペクトル強度の変化に基づいて検出し、該付着材
料のエツチングを終点判定することを特徴とする
パタン形成方法。 ２ 上記感応材料または付着材料を構成する元素
とは異なる元素を含むラベル物質を該感応材料ま
たは該付着材料に混入させておき、該ラベル物質
の質量または発光スペクトル強度の変化により付
着材料のエツチング判定をすることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のパタン形成方法。 ３ 上記感応材料と付着材料との界面にラベル物
質層を設け、これを検出することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のパタン形成方法。 ４ 上記ラベル物質が、形成した凹パタン深さの
中央にくるようにあらかじめ感応材料とラベル物
質層をサンドウイツチ構造にしておくことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のパタン形成方
法。 ５ 上記ラベル物質として、有機金属を用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項、第３項ま
たは第４項記載のパタン形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60035692A JPS61194831A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | パタン形成方法 |
| US06/721,306 US4634645A (en) | 1984-04-13 | 1985-04-09 | Method of forming resist micropattern |
| CA000478690A CA1264596A (en) | 1984-04-13 | 1985-04-10 | Method of forming resist micropattern |
| EP85104417A EP0158357B1 (en) | 1984-04-13 | 1985-04-11 | Method of forming resist micropattern |
| DE8585104417T DE3581822D1 (de) | 1984-04-13 | 1985-04-11 | Verfahren zur herstellung von mikroschutzlack-bildern. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60035692A JPS61194831A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | パタン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194831A JPS61194831A (ja) | 1986-08-29 |
| JPH0455328B2 true JPH0455328B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=12448949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60035692A Granted JPS61194831A (ja) | 1984-04-13 | 1985-02-25 | パタン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61194831A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4174896B2 (ja) | 1998-09-22 | 2008-11-05 | 株式会社デンソー | 電磁クラッチ |
| KR100640640B1 (ko) | 2005-04-19 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 미세 피치의 하드마스크를 이용한 반도체 소자의 미세 패턴형성 방법 |
-
1985
- 1985-02-25 JP JP60035692A patent/JPS61194831A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61194831A (ja) | 1986-08-29 |
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