JPH0455533B2 - - Google Patents
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- JPH0455533B2 JPH0455533B2 JP63232835A JP23283588A JPH0455533B2 JP H0455533 B2 JPH0455533 B2 JP H0455533B2 JP 63232835 A JP63232835 A JP 63232835A JP 23283588 A JP23283588 A JP 23283588A JP H0455533 B2 JPH0455533 B2 JP H0455533B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- prevention layer
- electrostatic breakdown
- breakdown prevention
- film
- wire bonding
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5366—Shapes of wire connectors the bond wires having kinks
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- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表面に静電破壊防止層を有するハイ
ブリツドIC等の電子部品に係り、特にサーマル
ヘツド、等倍型のイメージセンサ等、その表面に
静電破壊防止層をもつ長尺の電子デバイスの静電
破壊防止層接地構造に関する。
ブリツドIC等の電子部品に係り、特にサーマル
ヘツド、等倍型のイメージセンサ等、その表面に
静電破壊防止層をもつ長尺の電子デバイスの静電
破壊防止層接地構造に関する。
サーマルヘツド、等倍型のイメージセンサ等の
長尺電子デバイスは、実際の使用時において、そ
の表面が、感熱記録紙、熱転写リボン、被読取物
等と直接接触しながら摺動することになるため、
デバイス表面に静電気が発生し、ときとして、デ
バイス機能回路部分に静電破壊現象が起き、デバ
イス破壊を起こすことがある。
長尺電子デバイスは、実際の使用時において、そ
の表面が、感熱記録紙、熱転写リボン、被読取物
等と直接接触しながら摺動することになるため、
デバイス表面に静電気が発生し、ときとして、デ
バイス機能回路部分に静電破壊現象が起き、デバ
イス破壊を起こすことがある。
このため、デバイス表面に静電電荷の分散用半
絶縁層（ρ≒106〜109Ωcm）を形成することが行
われている。そして、この分散用の半絶縁層を接
地電位に接続することでその効果が飛躍的に改善
されることが知られている。
絶縁層（ρ≒106〜109Ωcm）を形成することが行
われている。そして、この分散用の半絶縁層を接
地電位に接続することでその効果が飛躍的に改善
されることが知られている。
第７図は、この静電電荷分散用の半絶縁層を形
成した従来の電子デバイスの例である。
成した従来の電子デバイスの例である。
第７図において、１は静電電荷分散用の半絶縁
層としての静電破壊防止層であり、この下部に設
けられている機能膜７に蓄積する静電電荷を分散
する。機能膜７は、電子デバイスがサーマルヘツ
ドである時には、発熱抵抗体、抵抗体への給電用
の電極膜或いは耐摩耗性保護膜である。通常、静
電破壊防止層１には、サーメツトや半絶縁性半導
体が使用されている。
層としての静電破壊防止層であり、この下部に設
けられている機能膜７に蓄積する静電電荷を分散
する。機能膜７は、電子デバイスがサーマルヘツ
ドである時には、発熱抵抗体、抵抗体への給電用
の電極膜或いは耐摩耗性保護膜である。通常、静
電破壊防止層１には、サーメツトや半絶縁性半導
体が使用されている。
６は基板であり、サーマルヘツドの場合には、
通常グレーズドセラミツク基板が用いられてい
る。１０は電子デバイスの構造体であり、例えば
ヒートシンクである。８は回路配線基板であり、
サーマルヘツド駆動用の駆動回路等が形成されて
いる。９は回路配線基板上に設けられた接地電位
の配線部である。
通常グレーズドセラミツク基板が用いられてい
る。１０は電子デバイスの構造体であり、例えば
ヒートシンクである。８は回路配線基板であり、
サーマルヘツド駆動用の駆動回路等が形成されて
いる。９は回路配線基板上に設けられた接地電位
の配線部である。
この従来例においては、静電破壊防止層を接地
するため、静電破壊防止層１と接地電位配線部９
とを接続用金属片１２で結んでいる。１１は、金
属片１２と静電破壊防止層１、及び接地電位配線
部９とを接続するための導電性接着材である。
するため、静電破壊防止層１と接地電位配線部９
とを接続用金属片１２で結んでいる。１１は、金
属片１２と静電破壊防止層１、及び接地電位配線
部９とを接続するための導電性接着材である。
これにより、静電破壊防止層１の接地を完全に
行うことができ、蓄積静電荷による静電破壊現像
を最小限に抑えることができる。
行うことができ、蓄積静電荷による静電破壊現像
を最小限に抑えることができる。
ところが、静電破壊防止層１には、サーメツト
や、半絶縁性半導体が用いられるのが一般的であ
り、それらの膜は、半田付け、ＡやAu，Cu線
を用いたワイヤーボンデイングという接続方法の
使用が不可能であつた。
や、半絶縁性半導体が用いられるのが一般的であ
り、それらの膜は、半田付け、ＡやAu，Cu線
を用いたワイヤーボンデイングという接続方法の
使用が不可能であつた。
このため、硬化型の導電性ペースト、例えば導
電性のエポキシ樹脂を用いたり、金属片からなる
部材を圧着、圧接したりして、接地線を形成して
いた。
電性のエポキシ樹脂を用いたり、金属片からなる
部材を圧着、圧接したりして、接地線を形成して
いた。
そのため、前者の場合には、
(1) ペーストと分散用半絶縁層の機械的付着強度
が弱い、 (2) 表面に突起を形成することとなる、 (3) mm単位の接続線が必要となり、その固着のた
めの面積も大きくなる、 (4) ICや電気回路の形成、実装工程以外の工程
が必要となる、 等の問題点を有することになる。
が弱い、 (2) 表面に突起を形成することとなる、 (3) mm単位の接続線が必要となり、その固着のた
めの面積も大きくなる、 (4) ICや電気回路の形成、実装工程以外の工程
が必要となる、 等の問題点を有することになる。
また、後者の場合には、
(1) 圧着、圧接のため、下地を傷める、ことの
外、前者と同様、 (2) 表面に突起を形成することになる、 (3) mm単位の接続線が必要となり、その固着のた
めの面積も大きくなる、 (4) ICや電気回路の形成、実装工程以外の工程
が必要となる、 という問題点を有している。
外、前者と同様、 (2) 表面に突起を形成することになる、 (3) mm単位の接続線が必要となり、その固着のた
めの面積も大きくなる、 (4) ICや電気回路の形成、実装工程以外の工程
が必要となる、 という問題点を有している。
この発明は、このような点に鑑みてなされたも
のであり、接続が確実かつ容易であり、接地線接
続のための特別な工程を必要とせず、しかも、接
地線接続のための面積が少なくてすむ接地線の接
続構造を提供することを目的とする。
のであり、接続が確実かつ容易であり、接地線接
続のための特別な工程を必要とせず、しかも、接
地線接続のための面積が少なくてすむ接地線の接
続構造を提供することを目的とする。
上述の問題点を解決するため、本発明では、接
地すべき静電破壊防止層の近傍に、ボンデイング
用の膜を設け、この膜に対してワイヤボンデイン
グを行つたさいのボールボンド部分またはテール
ボンド部分の近傍のボンデイングワイヤを前記静
電破壊防止層に接触せしめ、静電破壊防止層を接
地させることを特徴とする。
地すべき静電破壊防止層の近傍に、ボンデイング
用の膜を設け、この膜に対してワイヤボンデイン
グを行つたさいのボールボンド部分またはテール
ボンド部分の近傍のボンデイングワイヤを前記静
電破壊防止層に接触せしめ、静電破壊防止層を接
地させることを特徴とする。
これにより前記の課題を解決した接続構造を提
供できる。
供できる。
本発明を、第１図〜第６図に示した実施例によ
つて説明する。第１図〜第６図において、第７図
に示した従来例と同様の部分には、同一の番号を
付与してあるので、以下の実施例の説明では、こ
れらの部分の詳細な説明は省略する。
つて説明する。第１図〜第６図において、第７図
に示した従来例と同様の部分には、同一の番号を
付与してあるので、以下の実施例の説明では、こ
れらの部分の詳細な説明は省略する。
(1) 第１の実施例
第１図は、この発明の第１の実施例であり、電
子デバイスの帯電防止層を接地する部分の断面図
を示している。図において、１は静電破壊防止
層、７は機能膜、６は基板、８は回路配線基板、
９は接地電位配線部、１０は構造体であり、これ
らの部材は第７図と共に説明した従来例と同様で
ある。
子デバイスの帯電防止層を接地する部分の断面図
を示している。図において、１は静電破壊防止
層、７は機能膜、６は基板、８は回路配線基板、
９は接地電位配線部、１０は構造体であり、これ
らの部材は第７図と共に説明した従来例と同様で
ある。
この第１の実施例の場合、基板６上で、静電破
壊防止層１に隣接して、Ａ膜等によるワイヤボ
ンデイング用膜２を設けると共に、ボールボンド
部３がこのワイヤボンデイング用膜２及び静電破
壊防止層１上にくるようにして、ボンデイングワ
イヤ５のボールボンドを行う。
壊防止層１に隣接して、Ａ膜等によるワイヤボ
ンデイング用膜２を設けると共に、ボールボンド
部３がこのワイヤボンデイング用膜２及び静電破
壊防止層１上にくるようにして、ボンデイングワ
イヤ５のボールボンドを行う。
ワイヤボンデイング用膜２は、例えばＡ等、
普通のワイヤボンデイングが可能な膜で構成され
ているので、ボールボンド部３はワイヤボンデイ
ング用膜２上に確実にボンデイングされる。静電
破壊防止層１上のボールボンド部３は、静電破壊
防止層１と一体に結合されることはないが、図示
のとおり、その表面で接触しており、電気的に良
好に接続されることになる。図中矢印Ａは、静電
破壊防止層１とボールボンド部３の接触点であ
る。ボンデイングワイヤ５の他端は、接地電位配
線部９上にテールボンドされる。なお、この場
合、ワイヤボンデイング用膜２上にボールボンド
部３の1/2以上が位置することが望ましく、また、
ワイヤボンデイング用膜２と静電破壊防止層１と
の間は、40μm以内とすることが望ましい。
普通のワイヤボンデイングが可能な膜で構成され
ているので、ボールボンド部３はワイヤボンデイ
ング用膜２上に確実にボンデイングされる。静電
破壊防止層１上のボールボンド部３は、静電破壊
防止層１と一体に結合されることはないが、図示
のとおり、その表面で接触しており、電気的に良
好に接続されることになる。図中矢印Ａは、静電
破壊防止層１とボールボンド部３の接触点であ
る。ボンデイングワイヤ５の他端は、接地電位配
線部９上にテールボンドされる。なお、この場
合、ワイヤボンデイング用膜２上にボールボンド
部３の1/2以上が位置することが望ましく、また、
ワイヤボンデイング用膜２と静電破壊防止層１と
の間は、40μm以内とすることが望ましい。
(2) 第２の実施例
第２図は、この発明の第２の実施例である。こ
の実施例では、ワイヤボンデイング用膜２を静電
破壊防止層１の下にまで延長して設けている外、
他の構成は第１の実施例と同様である。この実施
例の場合は、ワイヤボンデイング用膜２と静電破
壊防止層１との間を、充分小さくすることがで
き、小型化に寄与することができる。
の実施例では、ワイヤボンデイング用膜２を静電
破壊防止層１の下にまで延長して設けている外、
他の構成は第１の実施例と同様である。この実施
例の場合は、ワイヤボンデイング用膜２と静電破
壊防止層１との間を、充分小さくすることがで
き、小型化に寄与することができる。
(3) 第３の実施例
第３図は、この発明の第３の実施例である。第
３図において、１は静電破壊防止層、７は機能
膜、６は基板、８は回路配線基板、９は接地電位
配線部、１０は構造体であり、これらの部材は第
７図と共に説明した従来例、及び第１図、第２図
に示した実施例と同様である。
３図において、１は静電破壊防止層、７は機能
膜、６は基板、８は回路配線基板、９は接地電位
配線部、１０は構造体であり、これらの部材は第
７図と共に説明した従来例、及び第１図、第２図
に示した実施例と同様である。
この実施例では、静電破壊防止層１に開孔を開
けて、この開孔部分にワイヤボンデイング用膜２
を設け、この部分でボンデイングワイヤ５をワイ
ヤボンデイング用膜２上にテールボンドし、さら
に、ボンデイングワイヤ５の他端を、接地電位配
線部９上にボールボンドしている。
けて、この開孔部分にワイヤボンデイング用膜２
を設け、この部分でボンデイングワイヤ５をワイ
ヤボンデイング用膜２上にテールボンドし、さら
に、ボンデイングワイヤ５の他端を、接地電位配
線部９上にボールボンドしている。
これにより、点Ａの所でボンデイングワイヤ５
が静電破壊防止層１に接触し電気的な接地がとら
れる。なお、この場合、ワイヤボンデイング用膜
２と静電破壊防止層１との間は、300μm以下とす
ることが望ましい。
が静電破壊防止層１に接触し電気的な接地がとら
れる。なお、この場合、ワイヤボンデイング用膜
２と静電破壊防止層１との間は、300μm以下とす
ることが望ましい。
(4) 第４の実施例
第４図は、この発明の第４の実施例である。こ
の実施例では、静電破壊防止層１の開孔部に設け
たワイヤボンデイング用膜２の端部を、静電破壊
防止層１の下部にまで延長していることの外、そ
の他の構成は第３の実施例と同様である。この実
施例では、静電破壊防止層１の端部とワイヤボン
デイング用膜２との距離を短くできることから、
より一層の小型化が可能である。
の実施例では、静電破壊防止層１の開孔部に設け
たワイヤボンデイング用膜２の端部を、静電破壊
防止層１の下部にまで延長していることの外、そ
の他の構成は第３の実施例と同様である。この実
施例では、静電破壊防止層１の端部とワイヤボン
デイング用膜２との距離を短くできることから、
より一層の小型化が可能である。
(5) 第５の実施例
第５図は、この発明の第５の実施例である。こ
の実施例では、回路配線基板８を用いることな
く、基板６を延長して設け、この上にワイヤボン
デイング用膜２を設けている。このワイヤボンデ
イング用膜２上にボンデインワイヤ５をテールボ
ンドし、さらに、ワイヤボンデイング用膜２の端
部において、静電破壊防止層１の上にかかるよう
にしてボールボンドする。
の実施例では、回路配線基板８を用いることな
く、基板６を延長して設け、この上にワイヤボン
デイング用膜２を設けている。このワイヤボンデ
イング用膜２上にボンデインワイヤ５をテールボ
ンドし、さらに、ワイヤボンデイング用膜２の端
部において、静電破壊防止層１の上にかかるよう
にしてボールボンドする。
(6) 第６の実施例
第６図は、この発明の第６の実施例である。こ
の実施例では、第３の実施例と同様、静電破壊防
止層１に開孔部を設け、この開孔部にワイヤボン
デイング用膜２を設け、この部分にボンデイング
ワイヤ５をテールボンドしており、ただ、回路配
線基板８を設けることなく基板６を延長して、こ
の基板６上に直接接地電位配線部９を形成してい
る。
の実施例では、第３の実施例と同様、静電破壊防
止層１に開孔部を設け、この開孔部にワイヤボン
デイング用膜２を設け、この部分にボンデイング
ワイヤ５をテールボンドしており、ただ、回路配
線基板８を設けることなく基板６を延長して、こ
の基板６上に直接接地電位配線部９を形成してい
る。
以上に述べた第１〜第６の実施例では、静電破
壊防止層１との接触点は一箇所であるが、長尺の
電子デバイスの長手方向に複数箇所設けても良い
ことはいうまでもなく、この場合は、接続確立が
さらに高くなり、デバイス中での接地が確実とな
る。
壊防止層１との接触点は一箇所であるが、長尺の
電子デバイスの長手方向に複数箇所設けても良い
ことはいうまでもなく、この場合は、接続確立が
さらに高くなり、デバイス中での接地が確実とな
る。
また、以上に述べたワイヤボンデイングは、こ
の接地の為のみに用いられるのではなく、電子デ
バイスに実装されるIC等のベアチツプの実装方
式と同一であり、同一の工程で実施できる。
の接地の為のみに用いられるのではなく、電子デ
バイスに実装されるIC等のベアチツプの実装方
式と同一であり、同一の工程で実施できる。
以上述べたとおり、本発明によれば、
(1) 従来の接続方式に比較して、その接続に要す
る領域を狭くできる。即ち、従来mmオーダで
あつた必要領域の長さが、一桁小さい100μmオ
ーダで可能であり、省スペース化が図られる。
また、外観上の突起の発生を防止できる、 (2) 電子デバイスの制御素子として実装される
IC等のベアチツプの実装方法と同じワイヤボ
ンデイングによつて接続が行われるので、同一
工程での接続が可能であり、特別な装置等を必
要とせず、その実施が容易である、 (3) 接続方法がIC等に用いられているワイヤボ
ンデイングであり、信頼性の高い接続が可能で
ある、 (4) 接続を行うために、新たな膜構成は不要であ
り（ICの実装用の膜を使用できる）、単なるパ
ターンの変更又は従来パターンの応用によつて
実現可能である、 という優れた作用効果を有している。
る領域を狭くできる。即ち、従来mmオーダで
あつた必要領域の長さが、一桁小さい100μmオ
ーダで可能であり、省スペース化が図られる。
また、外観上の突起の発生を防止できる、 (2) 電子デバイスの制御素子として実装される
IC等のベアチツプの実装方法と同じワイヤボ
ンデイングによつて接続が行われるので、同一
工程での接続が可能であり、特別な装置等を必
要とせず、その実施が容易である、 (3) 接続方法がIC等に用いられているワイヤボ
ンデイングであり、信頼性の高い接続が可能で
ある、 (4) 接続を行うために、新たな膜構成は不要であ
り（ICの実装用の膜を使用できる）、単なるパ
ターンの変更又は従来パターンの応用によつて
実現可能である、 という優れた作用効果を有している。
第１図〜第６図は本発明の実施例を示す図、第
７図は従来例を示す図である。 １……静電破壊防止層（半絶縁層）、２……ワ
イヤボンデイング用膜、３……ボールボンド部、
４……テールボンド部、５……ボンデイングワイ
ヤ、６……基板、７……機能膜、８……回路配線
基板、９……接地電位配線部、１０……構造体。
７図は従来例を示す図である。 １……静電破壊防止層（半絶縁層）、２……ワ
イヤボンデイング用膜、３……ボールボンド部、
４……テールボンド部、５……ボンデイングワイ
ヤ、６……基板、７……機能膜、８……回路配線
基板、９……接地電位配線部、１０……構造体。
Claims (1)
- １ 表面に半絶縁層より成る静電破壊防止層が形
成された機能膜を有する電子デバイスにおいて、
前記静電破壊防止層の近傍にボンデイング用膜を
設けると共に、一端が接地電位の配線部分に接続
され、他端が前記ボンデイング用膜上にボンデイ
ングされ、かつ、前記静電破壊防止層に電気的に
導通するように接触されたボンデイングワイヤを
設けたことを特徴とする電子デバイスにおける静
電破壊防止層接地構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232835A JPH0281465A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 電子デバイスにおける静電破壊防止層接地構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232835A JPH0281465A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 電子デバイスにおける静電破壊防止層接地構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281465A JPH0281465A (ja) | 1990-03-22 |
| JPH0455533B2 true JPH0455533B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=16945536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63232835A Granted JPH0281465A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 電子デバイスにおける静電破壊防止層接地構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0281465A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6368520B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-08-01 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
-
1988
- 1988-09-17 JP JP63232835A patent/JPH0281465A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0281465A (ja) | 1990-03-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070903 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080903 Year of fee payment: 16 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |