JPH0281465A - 電子デバイスにおける静電破壊防止層接地構造 - Google Patents
電子デバイスにおける静電破壊防止層接地構造Info
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- JPH0281465A JPH0281465A JP63232835A JP23283588A JPH0281465A JP H0281465 A JPH0281465 A JP H0281465A JP 63232835 A JP63232835 A JP 63232835A JP 23283588 A JP23283588 A JP 23283588A JP H0281465 A JPH0281465 A JP H0281465A
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- Japan
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- prevention layer
- electrostatic breakdown
- breakdown prevention
- electronic device
- wire bonding
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、表面に静電破壊防止層を有するハイブリッド
Ｉｃ等の電子部品に係り、特にサーマル・＼ンド、等倍
型のイメージセンサ等、その表面に静電破壊防止層をも
つ長尺の電子デバイスの静電破壊防止層接地構造に関す
る。
Ｉｃ等の電子部品に係り、特にサーマル・＼ンド、等倍
型のイメージセンサ等、その表面に静電破壊防止層をも
つ長尺の電子デバイスの静電破壊防止層接地構造に関す
る。
サーマルヘッド、等倍型のイメージセンサ等の長尺電子
デバイスは、実際の使用時において、その表面が、感熱
記録紙、熱転写リボン、被読取物等と直接接触しながら
慴動することになるため、デバイス表面に静電気が発生
し、ときとして、デバイス機能回路部分に静電破壊現象
が起き、デバイス破壊を起こすことがある。
デバイスは、実際の使用時において、その表面が、感熱
記録紙、熱転写リボン、被読取物等と直接接触しながら
慴動することになるため、デバイス表面に静電気が発生
し、ときとして、デバイス機能回路部分に静電破壊現象
が起き、デバイス破壊を起こすことがある。
このため、デバイス表面に静電電荷の分散用半絶縁層（
ρ−■０６〜１０９ΩＣ＝１１）を形成することが行わ
れている。そして、この分散用の半絶縁層を接地電位に
接続することでその効果が飛躍的に改否されることが知
られている。
ρ−■０６〜１０９ΩＣ＝１１）を形成することが行わ
れている。そして、この分散用の半絶縁層を接地電位に
接続することでその効果が飛躍的に改否されることが知
られている。
第７図は、この静電電荷分散用の半絶縁層を形成した従
来の電子デバイスの例である。
来の電子デバイスの例である。
第７図において、■は静電電荷分散用の半絶縁層として
の静電破壊防止層であり、この下部に設けられている機
能膜７に蓄積する静電電荷を分散する。機能膜７は、電
子デバイスがサーマルヘッドである時には、発熱抵抗体
、抵抗体への給電用の電極１１５！或いは耐摩耗性保護
膜である。通常、静電破壊防止層１には、サーメットや
半絶縁性半導体が使用されている。
の静電破壊防止層であり、この下部に設けられている機
能膜７に蓄積する静電電荷を分散する。機能膜７は、電
子デバイスがサーマルヘッドである時には、発熱抵抗体
、抵抗体への給電用の電極１１５！或いは耐摩耗性保護
膜である。通常、静電破壊防止層１には、サーメットや
半絶縁性半導体が使用されている。
６は基板であり、サーマルヘフドの場合には、通常グレ
ーズドセラミンク基板が用いられている。
ーズドセラミンク基板が用いられている。
ＩＯは電子デバイスの構造体であり、例えばヒトシンク
である。８は回路配線基板であり、サマルヘッド駆動用
の駆動回路等が形成されている。
である。８は回路配線基板であり、サマルヘッド駆動用
の駆動回路等が形成されている。
９は回路配線基板上に設けられた接地電位の配線部であ
る。
る。
この従来例においては、静電破壊防止層を接地するため
、静電破壊防止層ｌと接地電位配線部９とを接続用金属
片Ｉ２で結んでいる。１１は、金属片１２と静電破壊防
止層ｌ、及び接地電位配線部９とを接続するための導電
性接着材である。
、静電破壊防止層ｌと接地電位配線部９とを接続用金属
片Ｉ２で結んでいる。１１は、金属片１２と静電破壊防
止層ｌ、及び接地電位配線部９とを接続するための導電
性接着材である。
これにより、静電破壊防止層ｌの接地を完全に行うこと
ができ、蓄積静電荷による静電破壊現像を最小限に抑え
ることができる。
ができ、蓄積静電荷による静電破壊現像を最小限に抑え
ることができる。
ところが、静電破壊防ＩＦ層Ｉには、サーメットや、半
絶縁性半導体が用いられるのが一般的であり、それらの
膜は、半田付け、ＡＰやＡｕ、Ｃｕ線を用いたワイヤー
ボンディングという接続方法の使用が不可能であった。
絶縁性半導体が用いられるのが一般的であり、それらの
膜は、半田付け、ＡＰやＡｕ、Ｃｕ線を用いたワイヤー
ボンディングという接続方法の使用が不可能であった。
このため、硬化型の導電性ペースト、例えば導電性のエ
ポキシ樹脂を用いたり、金属片からなる部材を圧着、圧
接したりして、接地線を形成していた。
ポキシ樹脂を用いたり、金属片からなる部材を圧着、圧
接したりして、接地線を形成していた。
そのため、前者の場合には、
（１） ペーストと分散用半絶縁層の機械的付着強度
が弱い、 （２）表面に突起を形成することとなる、（３）ｍｍ単
位の接続線が必要となり、その固着のための面積も大き
くなる、 （４）ＩＣや電気回路の形成、実装工程以外の工程が必
要となる、 等の問題点を有することになる。
が弱い、 （２）表面に突起を形成することとなる、（３）ｍｍ単
位の接続線が必要となり、その固着のための面積も大き
くなる、 （４）ＩＣや電気回路の形成、実装工程以外の工程が必
要となる、 等の問題点を有することになる。
また、後者の場合には、
（１）圧着、圧接のため、ド地を傷める、ことの外、前
者と同様、 （２）表面に突起を形成することになる、（３）ｍｍ単
位の接続線が必要となり、その固着のための面積も大き
くなる、 ｆ４）ＩＣや電気回路の形成、実装工程以外のｒ程が必
要となる、 という問題点を有している。
者と同様、 （２）表面に突起を形成することになる、（３）ｍｍ単
位の接続線が必要となり、その固着のための面積も大き
くなる、 ｆ４）ＩＣや電気回路の形成、実装工程以外のｒ程が必
要となる、 という問題点を有している。
この発明は、このような点に鑑みてなされたものであり
、接続が確実かつ容易であり、接地線接続のための特別
な工程を必要とせず、しかも、接地線接続のための面積
が少なくてすむ接地線の接続構造を提供することを目的
とする。
、接続が確実かつ容易であり、接地線接続のための特別
な工程を必要とせず、しかも、接地線接続のための面積
が少なくてすむ接地線の接続構造を提供することを目的
とする。
〔課題を解決するための手段及び作用］上述の間匙点を
解決するため、本発明では、接ｌＩ！！ずべき静電破壊
防止、層の近傍に、ボンディング用の膜を設け、この膜
に対してワイヤボンディングを行ったさいのボールボン
ド部分またはテルルホント部分の近傍のボンディングワ
イヤを前記静電破壊防止層に接触せしめ、静電破壊防止
層を接地させることを特徴とする。
解決するため、本発明では、接ｌＩ！！ずべき静電破壊
防止、層の近傍に、ボンディング用の膜を設け、この膜
に対してワイヤボンディングを行ったさいのボールボン
ド部分またはテルルホント部分の近傍のボンディングワ
イヤを前記静電破壊防止層に接触せしめ、静電破壊防止
層を接地させることを特徴とする。
これにより前記の課題を解決した接続構造を提供できる
。
。
（実施例〕
本発明を、第１図〜第６図に示した実ｈト例によって説
明する。第１図〜第６図において、第７図に示した従来
例と同様の部分には、同一の番号を付与しであるので、
以下の実施例の説明では、これらの部分の詳細な説明は
省略する。
明する。第１図〜第６図において、第７図に示した従来
例と同様の部分には、同一の番号を付与しであるので、
以下の実施例の説明では、これらの部分の詳細な説明は
省略する。
（１）第１の実施例
第１図は、この発明の第１の実施例であり、電子デバイ
スの帯電防止層を接地する部分の断１＋ｉ図を示してい
る。図において、１は静電破壊防止層、７はａ能膜、６
はノＳ板、Ｅ（は回路配線基板、９は接地電位配線部、
１０は構造体であり、これらの部材は第７図と共に説明
した従来例と同様である。
スの帯電防止層を接地する部分の断１＋ｉ図を示してい
る。図において、１は静電破壊防止層、７はａ能膜、６
はノＳ板、Ｅ（は回路配線基板、９は接地電位配線部、
１０は構造体であり、これらの部材は第７図と共に説明
した従来例と同様である。
この第１の実施例の場合、基板６上で、静電破壊防止層
ｌに隣接して、Ａ！膜等によるワイヤボンディング用膜
２を設けると共に、ボールボンド部３がこのワイヤボン
ディング用膜２及び静電破壊防止層１上にくるようにし
て、ボンディングワイヤ５のボールボンドを行う。
ｌに隣接して、Ａ！膜等によるワイヤボンディング用膜
２を設けると共に、ボールボンド部３がこのワイヤボン
ディング用膜２及び静電破壊防止層１上にくるようにし
て、ボンディングワイヤ５のボールボンドを行う。
ワイヤボンディング用膜２は、例えば／１等、普通のワ
イヤボンディングが可能な膜で構成されているので、ボ
ールボンド部３はワイヤボンディング用膜２上に確実に
ボンディングされる。静電破壊防止層１上のボールボン
ド部３は、静電破壊防止層ｌと一体に結合されることは
ないが、図示のとおり、その表面で接触しており、電気
的に良好に接続されることになる。図中矢印Ａは、静電
破壊防止層１とボールボンド部３の接触点である。
イヤボンディングが可能な膜で構成されているので、ボ
ールボンド部３はワイヤボンディング用膜２上に確実に
ボンディングされる。静電破壊防止層１上のボールボン
ド部３は、静電破壊防止層ｌと一体に結合されることは
ないが、図示のとおり、その表面で接触しており、電気
的に良好に接続されることになる。図中矢印Ａは、静電
破壊防止層１とボールボンド部３の接触点である。
ボンディングワイヤ５の他端は、接地電位配線部９上に
テールボンドされる。なお、この場合、ワイヤボンディ
ング用膜２上にボールボンド部３の１／２以上が位置す
ることが望ましく、また、ワイヤボンディング用膜２と
静電破壊防止層Ｉとの間は、４０μｍ以内とすることが
望ましい。
テールボンドされる。なお、この場合、ワイヤボンディ
ング用膜２上にボールボンド部３の１／２以上が位置す
ることが望ましく、また、ワイヤボンディング用膜２と
静電破壊防止層Ｉとの間は、４０μｍ以内とすることが
望ましい。
（２） 第２の実施例
第２図は、この発明の第２の実施例である。この実施例
では、ワイヤボンディングＪｎｌ漠２を静電破壊防止層
ｌの下にまで延長して設けている外、他の構成は第１の
実施例と同様である。この実施例の場合は、ワイヤボン
ディング用膜２と静電破壊防止層ｌとの間を、充分小さ
くすることができ、小型化に寄与することができる。
では、ワイヤボンディングＪｎｌ漠２を静電破壊防止層
ｌの下にまで延長して設けている外、他の構成は第１の
実施例と同様である。この実施例の場合は、ワイヤボン
ディング用膜２と静電破壊防止層ｌとの間を、充分小さ
くすることができ、小型化に寄与することができる。
（３）第３の実施例
第３図は、この発明の第３の実施例である。第３図にお
いて、１は静電破壊防止層、７は機能膜、６は基板、８
は回路配線基板、９は接地電位配線部、１０は構造体で
あり、これらの部材は第７図と共に説明した従来例、及
び第１図、第２図に示した実施例と同様である。
いて、１は静電破壊防止層、７は機能膜、６は基板、８
は回路配線基板、９は接地電位配線部、１０は構造体で
あり、これらの部材は第７図と共に説明した従来例、及
び第１図、第２図に示した実施例と同様である。
この実施例では、静電破壊防止層ｌに開孔を開けて、こ
の間孔部分にワイヤボンディング用膜２を設け、この部
分でボンディングワイヤ５をワイヤボンディング用１模
２上にテールボンドし、さらに、ボンディングワイヤ５
の他端を、接地電位配線部９上にボールボンドしている
。
の間孔部分にワイヤボンディング用膜２を設け、この部
分でボンディングワイヤ５をワイヤボンディング用１模
２上にテールボンドし、さらに、ボンディングワイヤ５
の他端を、接地電位配線部９上にボールボンドしている
。
これにより、点Ａの所でボンディングワイヤ５が静電破
壊防止層ｌに接触し電気的な接地がとられる。なお、こ
の場合、ワイヤボンディング用膜２と静電破壊防止層１
との間は、３００μｍ以下とすることが望ましい。
壊防止層ｌに接触し電気的な接地がとられる。なお、こ
の場合、ワイヤボンディング用膜２と静電破壊防止層１
との間は、３００μｍ以下とすることが望ましい。
（４）第４の実施例
第４図は、この発明の第４の実施例である。この実施例
では、静電破壊防止層１の開孔部に設けたワイヤボンデ
ィング用ＩＧ！２の端部を、静電破壊防止層１の下部に
まで延長していることの外、その他の構成は第３の実施
例と同様である。この実施例では、静電破壊防止層ｌの
端部とワイヤボンディング用膜２との距離を短くできる
ことから、より一層の小型化が可能である。
では、静電破壊防止層１の開孔部に設けたワイヤボンデ
ィング用ＩＧ！２の端部を、静電破壊防止層１の下部に
まで延長していることの外、その他の構成は第３の実施
例と同様である。この実施例では、静電破壊防止層ｌの
端部とワイヤボンディング用膜２との距離を短くできる
ことから、より一層の小型化が可能である。
（５）第５の実施例
第５図は、この発明の第５の実施例である。この実施例
では、回路配線基板８を用いることなく、基板６を延長
して設け、この上にワイヤボンディング用膜２を設けて
いる。このワイヤボンディング用＋１ｆｆ２ににボンデ
ィングワイヤ５をテールボンドドし、さらに、ワイヤボ
ンディング用膜２の端部において、静電破壊防止層１の
上にかかるようにしてボールボンドする。
では、回路配線基板８を用いることなく、基板６を延長
して設け、この上にワイヤボンディング用膜２を設けて
いる。このワイヤボンディング用＋１ｆｆ２ににボンデ
ィングワイヤ５をテールボンドドし、さらに、ワイヤボ
ンディング用膜２の端部において、静電破壊防止層１の
上にかかるようにしてボールボンドする。
（６）第６の実施例
第６図は、この発明の第６の実ＡＩ例である。この実施
例では、第３の実施例と同様、静電破壊防止層１に開孔
部を設け、この開孔部にワイヤボンディング用膜２を設
け、この部分にボンディングワイヤ５をテールボンドし
ており、ただ、回路配線基板８を設けることなく基Ｆｉ
、６を延長して、この基板６上に直接接地電位配線部９
を形成している。
例では、第３の実施例と同様、静電破壊防止層１に開孔
部を設け、この開孔部にワイヤボンディング用膜２を設
け、この部分にボンディングワイヤ５をテールボンドし
ており、ただ、回路配線基板８を設けることなく基Ｆｉ
、６を延長して、この基板６上に直接接地電位配線部９
を形成している。
以上に述べた第１〜第６の実施例では、静電破壊防止層
ｌとの接触点は一箇所であるが、長尺の電子デバイスの
長手方向に複数箇所設けても良いことはいうまでもな（
、この場合は、接続確立がさらに高くなり、デバイス中
での接地が確実となる。
ｌとの接触点は一箇所であるが、長尺の電子デバイスの
長手方向に複数箇所設けても良いことはいうまでもな（
、この場合は、接続確立がさらに高くなり、デバイス中
での接地が確実となる。
また、以上に述べたワイヤボンディングは、この接地の
為のみに用いられるのではなく、電子デバイスに実装さ
れるＩＣ等のベアチップの実装方式と同一であり、同一
の工程で実施できる。
為のみに用いられるのではなく、電子デバイスに実装さ
れるＩＣ等のベアチップの実装方式と同一であり、同一
の工程で実施できる。
以上述べたとおり、本発明によれば、
（１） 従来の接続方式に比較して、その接続に要す
る領域を狭くできる。即ら、従来ｍｍオーダであった必
要領域の長さが、−指手さい１００μｍオーダで可能で
あり、省スペース化が図られる。
る領域を狭くできる。即ら、従来ｍｍオーダであった必
要領域の長さが、−指手さい１００μｍオーダで可能で
あり、省スペース化が図られる。
また、外観上の突起の発生を防止できる、（２）電子デ
バイスの制御素子として実装されるＩＣ等のへアチツプ
の実装方法と同じワイヤボンディングによって接続が行
われるので、同一工程での接続がｉｉＪ能であり、特別
な装置等を必要とせず、その実施が容易である、 （３）接続方法がＩｃ等に用いられているワイヤボンデ
ィングであり、信頼性の高い接続が可能である、 （４）接続を行うために、新たな膜構成は不要であり（
ＩＣの実装用の膜を使用できる）、単なるパターンの変
更又は従来パターンの応用によって実現可能である、 という優れた作用効果を有している。
バイスの制御素子として実装されるＩＣ等のへアチツプ
の実装方法と同じワイヤボンディングによって接続が行
われるので、同一工程での接続がｉｉＪ能であり、特別
な装置等を必要とせず、その実施が容易である、 （３）接続方法がＩｃ等に用いられているワイヤボンデ
ィングであり、信頼性の高い接続が可能である、 （４）接続を行うために、新たな膜構成は不要であり（
ＩＣの実装用の膜を使用できる）、単なるパターンの変
更又は従来パターンの応用によって実現可能である、 という優れた作用効果を有している。
第１図〜第６図は本発明の実施例を示す図、第７図は従
来例を示す図である。 １−静電破壊防市層（半絶縁層） ２−ワイヤポンディング用１摸 ３−ボールボンド部 ４ テールボンド部 ５−ボンディングワイヤ ６−基板 ７ 機佳膜 ８−回路配線基板 ９−接地電位配線部 １０ 構造体 第１図 第５図 第２図 第６図 第７図 第４図 手続補正書（方式） 補正の内容 平成１年 １月１８日 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 １、事件の表示 昭和６３年特許願第２３２８３５号２
、発明の名称 電子デバイスにおける静電破壊防止層接地構造３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都中央区日本橋−丁目Ｉ３番１号名Ｊｆ、
（３０６）ティーデイ−ケイ株式会社代表者 佐 胚
博 １、明細書第１真第１３行［電破壊防止層接地横が造、
１と、第１４行「〔産業上の利用分野］Ｉの間に、［３
、発明の詳細な説明Ｊを挿入する。 以上 ４、代理人 住所 東京都千代田区神田淡路町１丁目１９番８号 発送臼 昭和６３年１２月２０日
来例を示す図である。 １−静電破壊防市層（半絶縁層） ２−ワイヤポンディング用１摸 ３−ボールボンド部 ４ テールボンド部 ５−ボンディングワイヤ ６−基板 ７ 機佳膜 ８−回路配線基板 ９−接地電位配線部 １０ 構造体 第１図 第５図 第２図 第６図 第７図 第４図 手続補正書（方式） 補正の内容 平成１年 １月１８日 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 １、事件の表示 昭和６３年特許願第２３２８３５号２
、発明の名称 電子デバイスにおける静電破壊防止層接地構造３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都中央区日本橋−丁目Ｉ３番１号名Ｊｆ、
（３０６）ティーデイ−ケイ株式会社代表者 佐 胚
博 １、明細書第１真第１３行［電破壊防止層接地横が造、
１と、第１４行「〔産業上の利用分野］Ｉの間に、［３
、発明の詳細な説明Ｊを挿入する。 以上 ４、代理人 住所 東京都千代田区神田淡路町１丁目１９番８号 発送臼 昭和６３年１２月２０日
Claims (1)
- （１）表面に半絶縁層より成る静電破壊防止層が形成さ
れた機能膜を有する電子デバイスにおいて、前記静電破
壊防止層の近傍にボンディング用膜を設けると共に、一
端が接地電位の配線部分に接続され、他端が前記ボンデ
ィング用膜上にボンディングされ、かつ、前記静電破壊
防止層に電気的に導通するように接触されたボンディン
グワイヤを設けたことを特徴とする電子デバイスにおけ
る静電破壊防止層接地構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232835A JPH0281465A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 電子デバイスにおける静電破壊防止層接地構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232835A JPH0281465A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 電子デバイスにおける静電破壊防止層接地構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281465A true JPH0281465A (ja) | 1990-03-22 |
| JPH0455533B2 JPH0455533B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=16945536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63232835A Granted JPH0281465A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 電子デバイスにおける静電破壊防止層接地構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0281465A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015151856A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
-
1988
- 1988-09-17 JP JP63232835A patent/JPH0281465A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015151856A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
| JP2015193110A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ローム株式会社 | サーマルプリントヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0455533B2 (ja) | 1992-09-03 |
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