JPH0455557B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0455557B2
JPH0455557B2 JP61294459A JP29445986A JPH0455557B2 JP H0455557 B2 JPH0455557 B2 JP H0455557B2 JP 61294459 A JP61294459 A JP 61294459A JP 29445986 A JP29445986 A JP 29445986A JP H0455557 B2 JPH0455557 B2 JP H0455557B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
copper
conductor
mno
airtightness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61294459A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63147395A (ja
Inventor
Kazuo Kondo
Hiroshi Iwata
Yoshimasa Shibata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP29445986A priority Critical patent/JPS63147395A/ja
Priority to US07/133,817 priority patent/US4871608A/en
Publication of JPS63147395A publication Critical patent/JPS63147395A/ja
Publication of JPH0455557B2 publication Critical patent/JPH0455557B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は超多ピンのピングリツドアレイICパ
ツケージのように高密度配線を有する多層基板の
製造法に好適に利用される。
「従来の技術」 結晶化ガラスは、熱膨張係数がシリコンに近
い、誘電率が低い、低温焼成可能であるなどの特
性を有することから、これを主成分とするか又は
含有させて絶縁基板とし、導体材料にはAg,Cu
等の低融点低抵抗金属を用いた高密度配線基板が
脚光を浴びており、例えば「銅の融点よりも低い
温度で結晶化するガラス粒子からなるグリーンシ
ートの表面に、銅ペーストをパターン印刷し、積
層一体化したのち、所定雰囲気中で焼成すること
を特徴とするガラス・セラミツク構造の製造方
法」(特開昭55−128899号公報)が公知である。
「発明が解決しようとする問題点」 しかし、近年の超高密度化、高性能化、低価格
化の傾向に対しては、銅を導体の主成分とし銅単
体よりなる導体以上に導体部の気密性の良好な多
層基板が要請されている。
本発明は、かかる要請に応じるべくなされたも
のである。
「問題点を解決するための手段」 その手段は、導体ペースト中の導体成分を銅及
び酸化銅のうちから選ばれる一種以上を銅を基準
として80重量%以上と残部MnO2及びAg2Oのう
ちから選ばれる一種以上とで構成したところにあ
る。
「作用」 銅及び酸化銅は、グリーンシートとともに還元
雰囲気で加熱還元され、焼成されて導体化する。
必要な導電性を確保するため、それらの含有量を
銅基準で80重量%以上とした。MnO2は還元され
てMn2O3,Mn2O3,MnOないしMnとなり、基
板中のセラミツクや結晶化ガラスと銅との濡れ性
を高める。但し、その含有量が12重量%を超える
と銅粒子同志の焼結を防げ、リーク不良又は抵抗
増大を招来するので12重量%以下とした。Ag2
は水素雰囲気中100℃で還元されてAgとなり、所
謂銀ろうと称されるCu−Ag合金の液相を銅粒子
間の境界に局部的に形成し、銅粒子同志を緻密に
焼結させる。
但し、その含有量が8重量%を超えると上記銀
ろうが基板上で玉となつてしまい、基板との密着
強度の低下を招来するので8重量%以下とした。
而して、以上のMnO2及びAg2Oの作用により、
基板と導体との間又は導体自身の内部に気孔が生
じるのを防止し、気密性を高めるのである。
「実施例」 実施例 1 1 本出願人の出願に係る特開昭59−92943号公
報記載の発明「結晶化ガラス体」に開示された
実施例の試料No.5と同様、重量比でZnO4%,
MgO13%,Al2O333%,SiO258%,B2O3及び
P2O5各1%の組成となるよう、ZnO,
MgCO3,Al(OH)3,SiO2,H3BO3及びH3PO4
を秤量、ライカイ機にて混合、アルミナルツボ
を用いて1450℃にて溶融、水中に投入、急冷し
てガラス化した後、アルミナ製ボールミルにて
平均粒径2μに粉砕してフリツトを製造。
2 上記フリツトに有機質の結合剤と溶剤を混合
してスラリー化し、ドクターブレード法によつ
て厚さ0.6mmのグリーンシートを製造。
3 平均粒径1.5μのCuOを、Cu基準で96.5重量
%,MnO22.5重量%及びAg2O1.0重量%の混合
物に有機質結合剤と溶剤を配合してなる銅ペー
ストを製造。
4 前記2)のグリーンシートの表面に、上記
3)の銅ペーストを厚さ20μmで、長さ40mm、
幅0.5μmの帯状に1mm間隔で40条の導電層とな
るパターンをスクリーン印刷。
5 上記帯状のパターンの200箇所に300μφの貫
通孔を設け、上記帯状のパターンに対して直角
方向で上記貫通孔を通る位置に同じ帯状のパタ
ーンをスクリーン印刷。
6 スクリーン印刷したグリーンシートを6枚と
ベースとなる肉厚のシート1枚を積層し、熱圧
着したのち、50×50mmに切断。
7 切断した積層体を大気中8時間で750℃まで
昇温、加熱し、0.2〜1.0時間保持。
8 次いで積層体を水素雰囲気中に移し、常温よ
り昇温速度0.5℃/分で350℃まで加熱し、0.5
〜1.5時間保持したのち、水素雰囲気中950℃で
焼成。
以上1)〜8)の工程によつて第1図に示すよ
うに各層のパターン1,1…1が貫通孔2,2…
を通じて電気的に導通した、7枚の絶縁基板から
なる多層基板3を製造した。
多層基板3についてHeデイテクターを用いて
気密性を測定したところ1×10-8c.c./std,sec以
下であつた。また多層基板3の最上部のパターン
にメタライズ及びメツキを施し、金属細線をろう
付けしたのち、その金属細線を引つ張ることによ
り、銅ペーストの接着強度を測定したところ0.5
Kg/mm2であつた。
実施例 2 上記実施例1の工程3)において、銅ペースト
中の混合物の組成として、CuOをCu基準で99.3重
量%,MnO20.5重量%及びAgO0.2重量%とする
以外は、実施例1の工程1)〜工程8)と同一条
件で多層基板を製造し、気密性及び接着強度を同
一条件で測定したところ、それぞれ5×10-8c.c./
std,sec,0.5Kg/m2であつた。
実施例 3 上記実施例1の工程3)において、銅ペースト
中の混合物の組成として、CuOをCu基準で99.5重
量%及びMnO20.5重量%とする以外は、実施例1
の工程1)〜工程8)と同一条件で多層基板を製
造し、気密性及び接着強度を同一条件で測定した
ところ、それぞれ1×10-7c.c./std,sec,0.5Kg/
m2であつた。
実施例 4 上記実施例1の工程3)において、銅ペースト
中の混合物の組成として、CuOをCu基準で99.8重
量%及びAgO0.2重量%とする以外は、実施例1
の工程1)〜工程8)と同一条件で多層基板を製
造し、気密性及び接着強度を同一条件で測定した
ところ、それぞれ8×10-8c.c./std,sec,0.5Kg/
m2であつた。
実施例 5 上記実施例1〜4において、銅ペースト中の
CuOとして平均粒径1.0μのものを用いる以外は、
上記実施例1〜4と同一条件で多層基板を製造
し、気密性及び接着強度を同一条件で測定したと
ころ、実施例1〜4と同様の結果が得られた。
比較例 比較のために工程3)においてMnO2とAg2
とを添加しないことを除くほかは、上記工程1)
〜8)と同一工程により比較用多層基板を製造
し、気密性及び接着強度を測定したところそれぞ
れ1×10-6c.c./std,sec以上、0.5Kg/mm2であつ
た。
「効果」 導体部の気密性が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る製造法に従
つて製造された多層基板の断面図を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 導体ペーストを結晶化可能なガラスを含有す
    るグリーンシートの表面に印刷し、積層し、同時
    焼成する方法において、導体ペースト中の導体成
    分が銅及び酸化銅のうちから選ばれる一種以上を
    銅を基準として80重量%以上と残部MnO212重量
    %以下及びAg2O8重量%以下のうちから選ばれ
    る一種以上とでなることを特徴とする高密度配線
    多層基板の製造法。
JP29445986A 1986-12-10 1986-12-10 高密度配線多層基板の製造法 Granted JPS63147395A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29445986A JPS63147395A (ja) 1986-12-10 1986-12-10 高密度配線多層基板の製造法
US07/133,817 US4871608A (en) 1986-12-10 1987-12-10 High-density wiring multilayered substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29445986A JPS63147395A (ja) 1986-12-10 1986-12-10 高密度配線多層基板の製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63147395A JPS63147395A (ja) 1988-06-20
JPH0455557B2 true JPH0455557B2 (ja) 1992-09-03

Family

ID=17808055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29445986A Granted JPS63147395A (ja) 1986-12-10 1986-12-10 高密度配線多層基板の製造法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63147395A (ja)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60170286A (ja) * 1984-02-14 1985-09-03 富士通株式会社 ガラスセラミツク基板の製造方法
JPS61196599A (ja) * 1985-02-26 1986-08-30 日本特殊陶業株式会社 結晶化ガラス多層回路基板
JPS61163696A (ja) * 1985-01-11 1986-07-24 日本特殊陶業株式会社 多層回路基板

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63147395A (ja) 1988-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0361359B2 (ja)
JPS6244879B2 (ja)
EP0276004B1 (en) Multilayer ceramic substrate and method for making the same
JPH0728128B2 (ja) セラミック多層配線基板とその製造方法
JP2002226259A (ja) セラミック電子部品の基体用組成物、セラミック電子部品および積層型セラミック電子部品の製造方法
JPH04243962A (ja) 多層セラミックパッケージ用低誘電性無機組成物、及びその調製方法
JP3528037B2 (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
CA2050095A1 (en) Dielectric composition containing cordierite and glass
EP1717858A1 (en) Thick film conductor paste compositions for LTCC tape in microwave applications
US20100200283A1 (en) Insulation paste for a metal core substrate and electronic device
US4837408A (en) High density multilayer wiring board and the manufacturing thereof
US4871608A (en) High-density wiring multilayered substrate
JPS6248097A (ja) 多層回路基板の製造法
US5011530A (en) Metallizing composition for use with ceramics
US5120473A (en) Metallizing composition for use with ceramics
JPH0455557B2 (ja)
JPH11186727A (ja) 配線基板およびその製造方法
JPH068189B2 (ja) 酸化物誘電体材料
JPH0552078B2 (ja)
JP3222296B2 (ja) 導電性インキ
JPS59162169A (ja) セラミック多層配線板
JP3426920B2 (ja) 配線基板
JPH0534311B2 (ja)
EP0242226A2 (en) Glass-ceramic materials with low firing temperature
JPH07277791A (ja) 絶縁基板用セラミック組成物およびセラミック多層配線回路板

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees