JPH0455800B2 - - Google Patents
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- JPH0455800B2 JPH0455800B2 JP1250411A JP25041189A JPH0455800B2 JP H0455800 B2 JPH0455800 B2 JP H0455800B2 JP 1250411 A JP1250411 A JP 1250411A JP 25041189 A JP25041189 A JP 25041189A JP H0455800 B2 JPH0455800 B2 JP H0455800B2
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- Japan
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- tungsten
- pressure
- temperature
- minutes
- lanthanum oxide
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/40—Making wire or rods for soldering or welding
- B23K35/402—Non-consumable electrodes; C-electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C32/00—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
- C22C32/001—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides
- C22C32/0015—Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with only oxides with only single oxides as main non-metallic constituents
- C22C32/0031—Matrix based on refractory metals, W, Mo, Nb, Hf, Ta, Zr, Ti, V or alloys thereof
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Arc Welding In General (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、酸化ランタンが添加された粒状タン
グステンを圧縮、焼結、機械加工、及び再結晶の
各処理を行うことよりなるタングステン合金ロツ
ド、特にTIG溶接、タングステンプラズマ溶接、
タングステンプラズマ溶断等に使用されるタング
ステン電極用ロツドの製造方法に関する。
グステンを圧縮、焼結、機械加工、及び再結晶の
各処理を行うことよりなるタングステン合金ロツ
ド、特にTIG溶接、タングステンプラズマ溶接、
タングステンプラズマ溶断等に使用されるタング
ステン電極用ロツドの製造方法に関する。
ランタン、トリウム、イツトリウム、ジルコニ
ウム、及びセリウムの酸化物を添加したタングス
テンロツドは、何年も前から市場にて入手可能と
なつている（DIN32 528参照）。タングステン電
極に添加物としてこれらの酸化物を含ませるの
は、放電特性を改善するためである。このうち最
も頻繁に用いられている添加物は、酸化トリウム
であり、使用に際しては含量が４重量％以下とさ
れる。かかる酸化トリウム添加型タングステン電
極がよく使用される理由は、点火特性に優れ、ア
ークの安定性が高く、許容負荷電流も高く、且つ
寿命が長いことにある。しかしながら、酸化トリ
ウムを添加したタングステン合金は、一般的に加
工が困難であるとともに、焼結のために要するエ
ネルギー消費が大きいという問題がある。タング
ステン合金中における酸化トリウムは、タングス
テン結晶粒間の界面に付着し、タングステンの最
結晶を阻害するものである。しかし、細いタング
ステンロツドを製造する場合のように加工の程度
を高くするには、高度な再結晶が必要となる。
ウム、及びセリウムの酸化物を添加したタングス
テンロツドは、何年も前から市場にて入手可能と
なつている（DIN32 528参照）。タングステン電
極に添加物としてこれらの酸化物を含ませるの
は、放電特性を改善するためである。このうち最
も頻繁に用いられている添加物は、酸化トリウム
であり、使用に際しては含量が４重量％以下とさ
れる。かかる酸化トリウム添加型タングステン電
極がよく使用される理由は、点火特性に優れ、ア
ークの安定性が高く、許容負荷電流も高く、且つ
寿命が長いことにある。しかしながら、酸化トリ
ウムを添加したタングステン合金は、一般的に加
工が困難であるとともに、焼結のために要するエ
ネルギー消費が大きいという問題がある。タング
ステン合金中における酸化トリウムは、タングス
テン結晶粒間の界面に付着し、タングステンの最
結晶を阻害するものである。しかし、細いタング
ステンロツドを製造する場合のように加工の程度
を高くするには、高度な再結晶が必要となる。
更に、酸化トリウムは放射能を有するという点
でも望ましいものではない。特に、原子炉の建設
現場等では、酸化トリウムの有する放射能が、追
加の放射能発生源となつて、不利益が大となる。
でも望ましいものではない。特に、原子炉の建設
現場等では、酸化トリウムの有する放射能が、追
加の放射能発生源となつて、不利益が大となる。
タングステン合金ロツド、特にタングステン電
極に含ませる添加物として、酸化トリウムに代わ
り得るもので、而も環境への悪影響もなく、同時
に製造上も有利なものを開発する努力もなされて
いるが、現在までのところ評価に値するほどの成
功を納めていない。タングステン電極において酸
化ランタンを添加すれば、アーク安定性を改善
し、低電圧点火が可能となり、寿命が長くなるこ
とは分かつているが、その添加率は現在までのと
ころ約１％の低率しか達成できていない。
極に含ませる添加物として、酸化トリウムに代わ
り得るもので、而も環境への悪影響もなく、同時
に製造上も有利なものを開発する努力もなされて
いるが、現在までのところ評価に値するほどの成
功を納めていない。タングステン電極において酸
化ランタンを添加すれば、アーク安定性を改善
し、低電圧点火が可能となり、寿命が長くなるこ
とは分かつているが、その添加率は現在までのと
ころ約１％の低率しか達成できていない。
酸化ランタンの添加重量比率が大きくできない
理由の一つは、酸化ランタンの比重が酸化トリウ
ムのそれよりも小さいことにある。すなわち、酸
化トリウムではその１単位の体積で添加すれば済
むところを、酸化ランタンではその1.8倍の体積
で添加する必要がある。また、酸化ランタンも再
結晶を阻害する作用があるため、たとえ再結晶に
より機械加工を行い易くしようとしても、実際に
は相当な加工コストを伴うことになる。
理由の一つは、酸化ランタンの比重が酸化トリウ
ムのそれよりも小さいことにある。すなわち、酸
化トリウムではその１単位の体積で添加すれば済
むところを、酸化ランタンではその1.8倍の体積
で添加する必要がある。また、酸化ランタンも再
結晶を阻害する作用があるため、たとえ再結晶に
より機械加工を行い易くしようとしても、実際に
は相当な加工コストを伴うことになる。
更に、酸化ランタンの添加重量比率を大きくで
きないもう一つの理由は、酸化ランタンの添加比
率を大きくすると粒上タングステン圧縮体の安定
性が低下することに求められる。例えば、酸化ラ
ンタンを約１％含有する圧縮体は約10分程度で崩
壊してしまうことが分かつている。また、酸化ラ
ンタンの含量を２％とすると、圧縮体の崩壊は約
２〜３分程度で起こつてしまう。すなわち、酸化
ランタンを添加すると圧縮体内部の歪みが増加し
てその崩壊を誘発するものであり、この作用は酸
化ランタンの添加量が多くなる程顕著となつてく
るのである。このような理由から、タングステン
ロツド、特にタングステン電極により多くの酸化
ランタンを含ませる努力が従来からなされている
にもかかわらず、不成功に終わつているのであ
る。
きないもう一つの理由は、酸化ランタンの添加比
率を大きくすると粒上タングステン圧縮体の安定
性が低下することに求められる。例えば、酸化ラ
ンタンを約１％含有する圧縮体は約10分程度で崩
壊してしまうことが分かつている。また、酸化ラ
ンタンの含量を２％とすると、圧縮体の崩壊は約
２〜３分程度で起こつてしまう。すなわち、酸化
ランタンを添加すると圧縮体内部の歪みが増加し
てその崩壊を誘発するものであり、この作用は酸
化ランタンの添加量が多くなる程顕著となつてく
るのである。このような理由から、タングステン
ロツド、特にタングステン電極により多くの酸化
ランタンを含ませる努力が従来からなされている
にもかかわらず、不成功に終わつているのであ
る。
酸化ランタンが添加された粒状タングステンを
圧縮、焼結、機械加工、及び再結晶の各処理を行
うことによりなるタングステン合金ロツド、特に
TIG溶接、タングステンプラズマ溶接、タングス
テンプラズマ溶断等に使用されるタングステン電
極用ロツドの製造方法自体は、例えば西独公開特
許第3701212号公報から公知であるが、上述した
問題点はこの公知の方法にも当然に当てはまる。
また、この公知の方法では、酸化ランタンを添加
させる手段として、硝酸ランタン水溶液を使用す
るため、その調製に時間とエネルギーが消費され
なければないという問題もある。更に、この公知
の方法では、ランタンの分布が合金ロツド全体に
均一となるため、ランタンが有する再結晶阻害作
用がロツドの外周部でも発揮されてしまい、従つ
てロツドの加工が更に困難となる。実際上、この
公知の方法は、特に経済性の理由により殆んど評
価できる程の技術的意義は認められない。
圧縮、焼結、機械加工、及び再結晶の各処理を行
うことによりなるタングステン合金ロツド、特に
TIG溶接、タングステンプラズマ溶接、タングス
テンプラズマ溶断等に使用されるタングステン電
極用ロツドの製造方法自体は、例えば西独公開特
許第3701212号公報から公知であるが、上述した
問題点はこの公知の方法にも当然に当てはまる。
また、この公知の方法では、酸化ランタンを添加
させる手段として、硝酸ランタン水溶液を使用す
るため、その調製に時間とエネルギーが消費され
なければないという問題もある。更に、この公知
の方法では、ランタンの分布が合金ロツド全体に
均一となるため、ランタンが有する再結晶阻害作
用がロツドの外周部でも発揮されてしまい、従つ
てロツドの加工が更に困難となる。実際上、この
公知の方法は、特に経済性の理由により殆んど評
価できる程の技術的意義は認められない。
本発明は、酸化ランタンを添加したタングステ
ン合金ロツドを製造する上記公知方法を改善する
ものであり、約２重量％の酸化ランタンをタング
ステン合金ロツド、特にタングステン電極に含ま
せるにあたりエネルギー消費ができるだけ低減さ
せることをその課題とする。
ン合金ロツドを製造する上記公知方法を改善する
ものであり、約２重量％の酸化ランタンをタング
ステン合金ロツド、特にタングステン電極に含ま
せるにあたりエネルギー消費ができるだけ低減さ
せることをその課題とする。
上記問題点を解決するために、本発明を、酸化
ランタンが添加された粒状タングステンを圧縮、
焼結、機械加工、及び再結晶の各処理を行うこと
よりなるタングステン合金ロツド、特にTIG溶
接、タングステンプラズマ溶接、タングステンプ
ラズマ溶接等に使用されるタングステン電極用ロ
ツドの製造方法において、 (a) 酸化ランタンを25〜30℃に少なくとも20時間
保持することにより、その平均粒径が0.5〜
2.0μｍとなるように調製し、 (b) このように調製された酸化ランタンを全重量
に対して1.8〜2.2重量％の割合で前記粒状タン
グステンに添加し、 (c) 得られた混合物を複数段階で加圧して圧縮さ
せるとともに、複数段階で加熱して焼結させ
る、 ことを特徴とするタングステン合金ロツドの製造
方法を提供する。
ランタンが添加された粒状タングステンを圧縮、
焼結、機械加工、及び再結晶の各処理を行うこと
よりなるタングステン合金ロツド、特にTIG溶
接、タングステンプラズマ溶接、タングステンプ
ラズマ溶接等に使用されるタングステン電極用ロ
ツドの製造方法において、 (a) 酸化ランタンを25〜30℃に少なくとも20時間
保持することにより、その平均粒径が0.5〜
2.0μｍとなるように調製し、 (b) このように調製された酸化ランタンを全重量
に対して1.8〜2.2重量％の割合で前記粒状タン
グステンに添加し、 (c) 得られた混合物を複数段階で加圧して圧縮さ
せるとともに、複数段階で加熱して焼結させ
る、 ことを特徴とするタングステン合金ロツドの製造
方法を提供する。
本発明の好適な構成は、特許請求の範囲におけ
る従属請求項及び以下の記載から明らかとなる。
る従属請求項及び以下の記載から明らかとなる。
上記構成から得られる作用については、後の実
施例の説明と併せて説明することとし、ここでは
以上の構成から得られる効果、並びに本発明の好
適な構成について述べることにする。
施例の説明と併せて説明することとし、ここでは
以上の構成から得られる効果、並びに本発明の好
適な構成について述べることにする。
本発明の方法によれば、従来方法では達成でき
なかつた高い酸化ランタン含有率を何等の問題も
伴うことなく達成することが初めて可能になつ
た。また、本発明の方法により製造される溶接電
極（タングステン合金ロツド）は、酸化トリウム
を添加したタングステン電極よりも低い電圧で点
火可能であるという店で、点火特性に優れてお
り、アーク安定性も改善され、寿命も長くなると
いう効果がある。更に、ランタンでは放射能は問
題とならない。
なかつた高い酸化ランタン含有率を何等の問題も
伴うことなく達成することが初めて可能になつ
た。また、本発明の方法により製造される溶接電
極（タングステン合金ロツド）は、酸化トリウム
を添加したタングステン電極よりも低い電圧で点
火可能であるという店で、点火特性に優れてお
り、アーク安定性も改善され、寿命も長くなると
いう効果がある。更に、ランタンでは放射能は問
題とならない。
タングステン一酸化ランタン合金はタングステ
ン−酸化トリウム合金よりも焼結温度が低くて済
む。従つて、タングステン−酸化ランタン合金を
焼結させるためのエネルギー消費を低減すること
ができる。
ン−酸化トリウム合金よりも焼結温度が低くて済
む。従つて、タングステン−酸化ランタン合金を
焼結させるためのエネルギー消費を低減すること
ができる。
更に、本発明の方法では、従来方法のように焼
結までに必要な装置を個別且つ段階的に作動させ
る必要はなく、各ロツドを作成するまでに必要な
混合、圧縮及び焼結を一連の操作として行うこと
ができる。
結までに必要な装置を個別且つ段階的に作動させ
る必要はなく、各ロツドを作成するまでに必要な
混合、圧縮及び焼結を一連の操作として行うこと
ができる。
本発明の方法においては、複数段階の加圧（但
し、一連に行われる）による圧縮を、複数段階の
加熱（但し、一連に行われる）による焼結とは別
に行つてもよいし、焼結（予備焼結を含む）と同
時に行つてもよい。また、本発明の方法で得られ
る圧縮体は寸法安定性が高いので、高含有率の酸
化ランタンを含むタングステン合金ロツド、特に
タングステン電極の製造に際しての融通性が極め
て高くなる。
し、一連に行われる）による圧縮を、複数段階の
加熱（但し、一連に行われる）による焼結とは別
に行つてもよいし、焼結（予備焼結を含む）と同
時に行つてもよい。また、本発明の方法で得られ
る圧縮体は寸法安定性が高いので、高含有率の酸
化ランタンを含むタングステン合金ロツド、特に
タングステン電極の製造に際しての融通性が極め
て高くなる。
予備段階として、酸化ランタンは体積増加処理
により緩和される。この体積増加処理は、酸化ラ
ンタンを25〜30℃にて少なくとも20時間保持する
ことにより行われ、体積膨張の結果、酸化ランタ
ンは崩壊して平均粒径0.5〜2μｍまで微細化され
る。この微細化された酸化ランタンが、混合工程
において粒状タングステンに添加される。本発明
の好適な実施例では、体積増加（緩和）処理は酸
化ランタンを約25〜30℃で薄層状に保持すること
により行われる。
により緩和される。この体積増加処理は、酸化ラ
ンタンを25〜30℃にて少なくとも20時間保持する
ことにより行われ、体積膨張の結果、酸化ランタ
ンは崩壊して平均粒径0.5〜2μｍまで微細化され
る。この微細化された酸化ランタンが、混合工程
において粒状タングステンに添加される。本発明
の好適な実施例では、体積増加（緩和）処理は酸
化ランタンを約25〜30℃で薄層状に保持すること
により行われる。
本発明において、複数段階の加圧圧縮工程は、
２回の圧力維持段階を含むことが好ましい。より
具体的には、先ず約1.5〜2.5分間かけて900〜
1100バールの一次圧力維持段階まで増圧して、こ
の圧力に約１分間維持した後、さらに約1.5〜2.5
分間かけて1700〜1900バールの二次圧力維持段階
まで増圧して、この圧力に約１分間維持し、次い
で約1.5〜2.5分間かけて約2200バールの最高圧縮
圧力まで増圧するのである。この最高圧縮圧力は
約１〜２分間維持するのが有利である。
２回の圧力維持段階を含むことが好ましい。より
具体的には、先ず約1.5〜2.5分間かけて900〜
1100バールの一次圧力維持段階まで増圧して、こ
の圧力に約１分間維持した後、さらに約1.5〜2.5
分間かけて1700〜1900バールの二次圧力維持段階
まで増圧して、この圧力に約１分間維持し、次い
で約1.5〜2.5分間かけて約2200バールの最高圧縮
圧力まで増圧するのである。この最高圧縮圧力は
約１〜２分間維持するのが有利である。
一方、複数段階の加熱焼結工程も２回の温度維
持段階を含むのが有利である。より具体的には、
先ず約４〜６分間かけて900〜1100℃の一次温度
維持段階まで昇温して、この温度に約２〜４分間
維持した後、さらに約１〜３分間かけて1700〜
1900℃の２次温度維持段階まで昇温して、この温
度に約２〜４分間維持し、次いで約３〜５分間か
けて約2700℃の最高焼結温度まで昇温するのであ
る。この最高焼結温度は14〜16分間維持すること
が望ましい。
持段階を含むのが有利である。より具体的には、
先ず約４〜６分間かけて900〜1100℃の一次温度
維持段階まで昇温して、この温度に約２〜４分間
維持した後、さらに約１〜３分間かけて1700〜
1900℃の２次温度維持段階まで昇温して、この温
度に約２〜４分間維持し、次いで約３〜５分間か
けて約2700℃の最高焼結温度まで昇温するのであ
る。この最高焼結温度は14〜16分間維持すること
が望ましい。
以下、本発明の実施例を添付図面を参照しなが
ら従来例との比較において説明する。
ら従来例との比較において説明する。
先ず、第３図〜第６図に基づき、２％の酸化ト
リウムが添加されたタングステン合金ロツド、特
にタングステン電極を製造するための従来方法に
ついて簡単に説明する。この従来方法において
は、平均粒径1μｍの酸化トリウムがタングステ
ン金属粉に添加され、これに続く機械的混合操作
により酸化トリムが均一に分散される。その後、
混合物を圧縮工程にかけるのであるが、この圧縮
工程は油圧式による特定方向圧縮により（その
後、予備焼結が行われる）、又は等方向圧縮
（isosta−tically）に行われる。尚、等方向圧縮
では、加圧後の減圧方向性は必ずしも問題ではな
い。第３図はこのようにして得られた圧縮体の拡
大断面図であり、同図から比較的粗大で均一な大
きさのタングステン結晶粒間の界面に酸化トリウ
ムが均一に分布している様子が分かる。
リウムが添加されたタングステン合金ロツド、特
にタングステン電極を製造するための従来方法に
ついて簡単に説明する。この従来方法において
は、平均粒径1μｍの酸化トリウムがタングステ
ン金属粉に添加され、これに続く機械的混合操作
により酸化トリムが均一に分散される。その後、
混合物を圧縮工程にかけるのであるが、この圧縮
工程は油圧式による特定方向圧縮により（その
後、予備焼結が行われる）、又は等方向圧縮
（isosta−tically）に行われる。尚、等方向圧縮
では、加圧後の減圧方向性は必ずしも問題ではな
い。第３図はこのようにして得られた圧縮体の拡
大断面図であり、同図から比較的粗大で均一な大
きさのタングステン結晶粒間の界面に酸化トリウ
ムが均一に分布している様子が分かる。
第４図は焼結後の状態を示す。この状態では、
タングステン結晶粒は以前よりも小さくなつてい
るが、かかる結晶粒間の界面におけるThO2の分
布状態が均一である点は同じである。
タングステン結晶粒は以前よりも小さくなつてい
るが、かかる結晶粒間の界面におけるThO2の分
布状態が均一である点は同じである。
焼結工程に続き、焼結後のロツドに予備的機械
加工、すなわちプレハンマリング
（prehammering）を施す。プレハンマリング後
とロツドの断面は第５図に示しており、同図から
は、加工性に限りのあるタングステン結晶構造に
ThO2粒子が均一に分散されていることが分か
る。引き続いて行われる最結晶の結果得られたロ
ツドの断面は、第６図に示されており、同図から
は、粗大化により加工がより容易になつたタング
ステン結晶構造にThO2粒子が均一に分散して存
在していることが分かる。
加工、すなわちプレハンマリング
（prehammering）を施す。プレハンマリング後
とロツドの断面は第５図に示しており、同図から
は、加工性に限りのあるタングステン結晶構造に
ThO2粒子が均一に分散されていることが分か
る。引き続いて行われる最結晶の結果得られたロ
ツドの断面は、第６図に示されており、同図から
は、粗大化により加工がより容易になつたタング
ステン結晶構造にThO2粒子が均一に分散して存
在していることが分かる。
一方、本発明に係るタングステン合金ロツド、
特にタングステン電極の製造方法では、混合工程
に先立つて、酸化ランタンを調製するための予備
工程が行われる。すなわち、この予備工程では、
先ず平均粒径２〜2.5μｍの酸化ランタンが微細メ
ツシユの水平振動シーブ（horizontal oscill−
ating sieve）を用いて純化され、この結果、不
純物や粗大な酸化ランタン粒子が除去され、酸化
ランタンの純度99.99％が達成される。次いで、
このように高度に純化された酸化ランタン
（La2O3又はより高い酸化状態）が、平滑なコー
テイングの施された容器内に初期厚さ約２cmの薄
層状となるように入れられ、室温よりも若干高い
温度、すなわち約25〜30℃にて少なくとも20時間
保持（ねかせ）させる。この操作の結果、酸化ラ
ンタンは所遺「ワーキングアウト（working
out）」と呼ばれている工程を受けることになる。
すなわち、一種の緩和工程であるこのワーキング
アウト工程では、酸化ランタン粒子の比容積が初
期の値の約３〜４倍程度に増加して、更に平均粒
径0.5μｍ程度の微細粒子へと崩壊するのである。
特にタングステン電極の製造方法では、混合工程
に先立つて、酸化ランタンを調製するための予備
工程が行われる。すなわち、この予備工程では、
先ず平均粒径２〜2.5μｍの酸化ランタンが微細メ
ツシユの水平振動シーブ（horizontal oscill−
ating sieve）を用いて純化され、この結果、不
純物や粗大な酸化ランタン粒子が除去され、酸化
ランタンの純度99.99％が達成される。次いで、
このように高度に純化された酸化ランタン
（La2O3又はより高い酸化状態）が、平滑なコー
テイングの施された容器内に初期厚さ約２cmの薄
層状となるように入れられ、室温よりも若干高い
温度、すなわち約25〜30℃にて少なくとも20時間
保持（ねかせ）させる。この操作の結果、酸化ラ
ンタンは所遺「ワーキングアウト（working
out）」と呼ばれている工程を受けることになる。
すなわち、一種の緩和工程であるこのワーキング
アウト工程では、酸化ランタン粒子の比容積が初
期の値の約３〜４倍程度に増加して、更に平均粒
径0.5μｍ程度の微細粒子へと崩壊するのである。
次の混合工程では、上記純化及び緩和された酸
化ランタン1.8〜2.2重量％（全重量に対して）が
粒状のタングステンに添加され、混合操作により
極めて均一に分散される。
化ランタン1.8〜2.2重量％（全重量に対して）が
粒状のタングステンに添加され、混合操作により
極めて均一に分散される。
本発明によれば、次の圧縮工程では、得られる
圧縮体の崩壊を回避するために、複数段階にて加
圧が行われる。第１図の破線はタングステン−酸
化トリウム合金ロツドの経時的圧縮（圧力）曲線
を示し、実線は２％の酸化ランタンを添加したタ
ングステン合金ロツドの場合の圧縮（圧力）曲線
を示している。尚、圧縮は等方向等に行われる。
２％の酸化ランタンを添加したタングステン合金
ロツドを製造する本発明の方法における圧縮工程
では、先ず約1000バールの一次圧力維持段階まで
の増圧が行われるのであるが、その増圧速度はタ
ングステン−酸化トリウム合金ロツドにおける増
圧速度よりも比較的速いものとなつている。第１
図では、一次圧力維持段階は丁度1000バールであ
り、この圧力に約１分間維持される。次いで、２
分間かけて1800バールの圧力まで更に増圧され
る。この圧力は二次圧力維持段階であり、一次圧
力維持段階と同様約１分間維持される。最後に、
更に２分間かけて2200バールの最高圧隙圧力まで
増圧させ、この圧力で約1.5分間維持される。そ
の後の減圧は、圧力維持（停止）段階を介在させ
ることなく行われる。第１図において、両圧縮曲
線を比較すれば容易に分かるように、酸化ランタ
ンを添加したタングステン合金ロツドの場合の最
高圧縮圧力は酸化トリウムを添加したタングステ
ン合金ロツドの場合のそれよりも約100バール程
度低くできる。従つて、圧縮工程についてみた場
合、本発明の方法は従来方法よりもエネルギー消
費が少なくて済むことになる。
圧縮体の崩壊を回避するために、複数段階にて加
圧が行われる。第１図の破線はタングステン−酸
化トリウム合金ロツドの経時的圧縮（圧力）曲線
を示し、実線は２％の酸化ランタンを添加したタ
ングステン合金ロツドの場合の圧縮（圧力）曲線
を示している。尚、圧縮は等方向等に行われる。
２％の酸化ランタンを添加したタングステン合金
ロツドを製造する本発明の方法における圧縮工程
では、先ず約1000バールの一次圧力維持段階まで
の増圧が行われるのであるが、その増圧速度はタ
ングステン−酸化トリウム合金ロツドにおける増
圧速度よりも比較的速いものとなつている。第１
図では、一次圧力維持段階は丁度1000バールであ
り、この圧力に約１分間維持される。次いで、２
分間かけて1800バールの圧力まで更に増圧され
る。この圧力は二次圧力維持段階であり、一次圧
力維持段階と同様約１分間維持される。最後に、
更に２分間かけて2200バールの最高圧隙圧力まで
増圧させ、この圧力で約1.5分間維持される。そ
の後の減圧は、圧力維持（停止）段階を介在させ
ることなく行われる。第１図において、両圧縮曲
線を比較すれば容易に分かるように、酸化ランタ
ンを添加したタングステン合金ロツドの場合の最
高圧縮圧力は酸化トリウムを添加したタングステ
ン合金ロツドの場合のそれよりも約100バール程
度低くできる。従つて、圧縮工程についてみた場
合、本発明の方法は従来方法よりもエネルギー消
費が少なくて済むことになる。
第２図において、破線は酸化トリウムの添加さ
れたタングステン合金ロツドの焼結温度曲線を示
しており、実線は酸化ランタンの添加されたタン
グステン合金ロツドの焼結温度曲線を示してい
る。同図から分かるように、酸化トリウムの添加
されたタングステン合金ロツドの場合には、約
2800℃の最高焼結温度までの昇温が直接的に行わ
れるのに対して、本発明に係る酸化ランタンの添
加されたタングステン合金ロツドの製造方法で
は、２回の温度維持段階を経由して最高焼結温度
までの昇温が行われる。第２図に示した実施例で
は、一次温度維持段階は約1000℃にあり、５分間
かけてこの温度に到達する。この一次温度維持段
階は酸化ランタンの蒸発点（一次蒸発相）の領域
にある。この一次温度維持段階に続き、１分間か
けて約1800℃の二次温度維持段階（二次蒸発相）
まで昇温され、この温度に約３分間維持される。
その後、約４分間かけて約2700℃の最高焼結温度
まで昇温される。酸化ランタンを添加したタング
ステン合金ロツドの最高焼結温度は、酸化トリウ
ムを添加したタングステン合金ロツドの最高焼結
温度よりも約100℃低く、酸化ランタンの添加量
を多くすればさらに焼結温度は低くなる。このよ
うに、焼結温度が低いことからも、本発明の製造
方法がエネルギー的に有利であることが理解され
る。
れたタングステン合金ロツドの焼結温度曲線を示
しており、実線は酸化ランタンの添加されたタン
グステン合金ロツドの焼結温度曲線を示してい
る。同図から分かるように、酸化トリウムの添加
されたタングステン合金ロツドの場合には、約
2800℃の最高焼結温度までの昇温が直接的に行わ
れるのに対して、本発明に係る酸化ランタンの添
加されたタングステン合金ロツドの製造方法で
は、２回の温度維持段階を経由して最高焼結温度
までの昇温が行われる。第２図に示した実施例で
は、一次温度維持段階は約1000℃にあり、５分間
かけてこの温度に到達する。この一次温度維持段
階は酸化ランタンの蒸発点（一次蒸発相）の領域
にある。この一次温度維持段階に続き、１分間か
けて約1800℃の二次温度維持段階（二次蒸発相）
まで昇温され、この温度に約３分間維持される。
その後、約４分間かけて約2700℃の最高焼結温度
まで昇温される。酸化ランタンを添加したタング
ステン合金ロツドの最高焼結温度は、酸化トリウ
ムを添加したタングステン合金ロツドの最高焼結
温度よりも約100℃低く、酸化ランタンの添加量
を多くすればさらに焼結温度は低くなる。このよ
うに、焼結温度が低いことからも、本発明の製造
方法がエネルギー的に有利であることが理解され
る。
本発明において、焼結に必要な加熱は圧縮ロツ
ドに電圧を加え、圧縮ロツドに有する抵抗を利用
して発熱させるものである。そして、本発明の方
法の焼結工程は、先行する圧縮工程で得られる圧
縮ロツドの外径がロツド長さ方向に若干不均一
（従つて、断面積がロツド長さ方向に不均一）で
あることに着目し、焼結が有利に行われるように
配慮されている。すなわち、一次温度維持段階
（一次蒸発相）は酸化ランタンの蒸発温度に維持
して行うのであるが、圧縮ロツドの外径（断面
積）がロツド長さ方向に一様でないため、ロツド
の小径部分では抵抗が大きく酸化ランタンの電圧
印加により蒸発温度に達するが、ロツドの大径部
分では抵抗が小さく酸化ランタンの蒸発温度に到
達しない。従つて、一次温度維持段階では、ロツ
ドの小径部分においてのみ酸化ランタンの一部が
ロツド外周部から蒸散する。但し、ロツド全重量
の約0.06％の割合で含まれる鉄、モリブデン、ニ
ツケル等の不純物については、その蒸発温度が酸
化ランタンよりも低いため、この一次温度維持段
階で全量が同時に蒸発除去されることになる。一
方、二次温度維持段階は、印加電圧が高く、ロツ
ド長さ方向の全ての部分が酸化ランタンの蒸発温
度以上となるが、ロツド小径部分については、既
に一次温度維持段階で酸化ランタンが部分的に蒸
散しているため、酸化ランタンのロツド外周部か
らの蒸算はロツド大径部にて優先的に行われるこ
とになる。以上の如く、２回の温度維持段階を含
めたことにより、たとえ圧縮ロツドの外径がロツ
ド長さ方向に不均一であつても、ロツド全長につ
き酸化ランタンの均一な蒸散を行わせることがで
きる。但し、酸化ランタンの蒸散はロツド外周部
から行われるので、ロツドの断面についてみた場
合、ロツド外周部で酸化ランタンが減少し、ロツ
ド中心部では酸化ランタンが残存する。実は、こ
のことも本発明の有利な点である。すなわち、後
の最結晶工程では、ロツド外周部において最結晶
阻害因子である酸化ランタンが消耗されているた
め、結晶粒子はロツド外周部でより大きく成長
し、ロツド内部では結晶粒子は小さいものとな
る。より大きな結晶粒子は比較的容易に変形させ
得るため、後の機械加工がロツド外周部から力を
作用させて行うことを考慮すると、このことは非
常に有利なのである。
ドに電圧を加え、圧縮ロツドに有する抵抗を利用
して発熱させるものである。そして、本発明の方
法の焼結工程は、先行する圧縮工程で得られる圧
縮ロツドの外径がロツド長さ方向に若干不均一
（従つて、断面積がロツド長さ方向に不均一）で
あることに着目し、焼結が有利に行われるように
配慮されている。すなわち、一次温度維持段階
（一次蒸発相）は酸化ランタンの蒸発温度に維持
して行うのであるが、圧縮ロツドの外径（断面
積）がロツド長さ方向に一様でないため、ロツド
の小径部分では抵抗が大きく酸化ランタンの電圧
印加により蒸発温度に達するが、ロツドの大径部
分では抵抗が小さく酸化ランタンの蒸発温度に到
達しない。従つて、一次温度維持段階では、ロツ
ドの小径部分においてのみ酸化ランタンの一部が
ロツド外周部から蒸散する。但し、ロツド全重量
の約0.06％の割合で含まれる鉄、モリブデン、ニ
ツケル等の不純物については、その蒸発温度が酸
化ランタンよりも低いため、この一次温度維持段
階で全量が同時に蒸発除去されることになる。一
方、二次温度維持段階は、印加電圧が高く、ロツ
ド長さ方向の全ての部分が酸化ランタンの蒸発温
度以上となるが、ロツド小径部分については、既
に一次温度維持段階で酸化ランタンが部分的に蒸
散しているため、酸化ランタンのロツド外周部か
らの蒸算はロツド大径部にて優先的に行われるこ
とになる。以上の如く、２回の温度維持段階を含
めたことにより、たとえ圧縮ロツドの外径がロツ
ド長さ方向に不均一であつても、ロツド全長につ
き酸化ランタンの均一な蒸散を行わせることがで
きる。但し、酸化ランタンの蒸散はロツド外周部
から行われるので、ロツドの断面についてみた場
合、ロツド外周部で酸化ランタンが減少し、ロツ
ド中心部では酸化ランタンが残存する。実は、こ
のことも本発明の有利な点である。すなわち、後
の最結晶工程では、ロツド外周部において最結晶
阻害因子である酸化ランタンが消耗されているた
め、結晶粒子はロツド外周部でより大きく成長
し、ロツド内部では結晶粒子は小さいものとな
る。より大きな結晶粒子は比較的容易に変形させ
得るため、後の機械加工がロツド外周部から力を
作用させて行うことを考慮すると、このことは非
常に有利なのである。
本発明の方法によれば、焼結後の機械加工（予
備的加工）では約1500℃でハンマリング（プレハ
ンマリング）が行われることによりロツドが伸長
されるとともに、タングステン粒子が微細化され
る。但し、予備的加工の温度でも、タングステン
粒子の部分的再結晶が起こるので、酸化ランタン
（再結晶阻害因子）がより少ないロツド周部では
タングステン粒子がより大きく、酸化ランタンの
より多く存在するロツド中心部ではタングステン
粒子はより小さくなる。
備的加工）では約1500℃でハンマリング（プレハ
ンマリング）が行われることによりロツドが伸長
されるとともに、タングステン粒子が微細化され
る。但し、予備的加工の温度でも、タングステン
粒子の部分的再結晶が起こるので、酸化ランタン
（再結晶阻害因子）がより少ないロツド周部では
タングステン粒子がより大きく、酸化ランタンの
より多く存在するロツド中心部ではタングステン
粒子はより小さくなる。
最後の製造工程では、保護ガス（例えば、H2）
の雰囲気中で約2000℃にロツドを加熱して再結晶
処理が行われる。この再結晶処理の結果、ロツド
の外周部ではタングステン結晶粒子が粗大化する
一方で、ロツドの中心部では結晶粒子は微細なま
ま残る。酸化ランタンの分布が、先の焼結工程に
てロツド外周部では少なくなつているので、酸化
ランタンの再結晶阻害作用がロツド外周部で制御
されているためにかかる構造となるのである。こ
の結果、ロツドの加工性がより高められる。
の雰囲気中で約2000℃にロツドを加熱して再結晶
処理が行われる。この再結晶処理の結果、ロツド
の外周部ではタングステン結晶粒子が粗大化する
一方で、ロツドの中心部では結晶粒子は微細なま
ま残る。酸化ランタンの分布が、先の焼結工程に
てロツド外周部では少なくなつているので、酸化
ランタンの再結晶阻害作用がロツド外周部で制御
されているためにかかる構造となるのである。こ
の結果、ロツドの加工性がより高められる。
このようにして得られたロツドはより小さな最
終直径まで加工することができ、その際に結晶構
造（結晶粒径）及び酸化ランタン分布が均一化さ
れることになる。
終直径まで加工することができ、その際に結晶構
造（結晶粒径）及び酸化ランタン分布が均一化さ
れることになる。
次に、第７図〜第１０図を参照しながら、酸化
ランタン２％を添加したタングステン合金ロツド
の種々な製造工程における断面構造の変換につき
説明する。
ランタン２％を添加したタングステン合金ロツド
の種々な製造工程における断面構造の変換につき
説明する。
第７図は酸化ランタン２％を添加したタングス
テンを圧縮した後の断面構造を示している。この
状態においては、一群のタングステン粒子間に酸
化ランタンが均一に分布していることが分かる。
尚、酸化ランタンの比重は酸化トリウムの比重の
約1.8分の１であるので、第３図と比較すれば容
易に分かるように、圧縮体中における酸化ランタ
ンの濃度は、同一重量比率で酸化トリウムを含む
タングステン圧縮体中における酸化トリウムのそ
れよりも相当に高いものとなつている。
テンを圧縮した後の断面構造を示している。この
状態においては、一群のタングステン粒子間に酸
化ランタンが均一に分布していることが分かる。
尚、酸化ランタンの比重は酸化トリウムの比重の
約1.8分の１であるので、第３図と比較すれば容
易に分かるように、圧縮体中における酸化ランタ
ンの濃度は、同一重量比率で酸化トリウムを含む
タングステン圧縮体中における酸化トリウムのそ
れよりも相当に高いものとなつている。
第８図は酸化ランタン２％を添加したタングス
テンロツドの焼結後における拡大断面構造を示し
ている。同図から、タングステン結晶粒子Ｗは、
ロツドの中心部よりも外周部における方がより粗
大であることが分かる。更に、焼結工程における
蒸発のために、La2O3はロツドの外周部で消耗さ
れており、ロツドの中心部の方が濃度が高くなつ
ている。この結果、ロツドの後の変形（加工）が
より容易となる。以上の状態は、酸化トリウム２
％を含む焼結タングステンロツドの構造を示した
第４図と比較すればより明確となる。
テンロツドの焼結後における拡大断面構造を示し
ている。同図から、タングステン結晶粒子Ｗは、
ロツドの中心部よりも外周部における方がより粗
大であることが分かる。更に、焼結工程における
蒸発のために、La2O3はロツドの外周部で消耗さ
れており、ロツドの中心部の方が濃度が高くなつ
ている。この結果、ロツドの後の変形（加工）が
より容易となる。以上の状態は、酸化トリウム２
％を含む焼結タングステンロツドの構造を示した
第４図と比較すればより明確となる。
第９図はプレハンマリング（予備加工）後のロ
ツドの拡大断面構造を示す。この状態において
は、ロツド外周部にてタングステン結晶粒子が粗
く、ロツド中心部にてタングステン結晶粒子が細
かくなつている。このような構造が生ずるのは、
プレハンマリング自体が1550℃の温度で行われる
ためにロツド外周部にてLa０が更に消耗される
とともに、ロツド外周部にて再結晶（部分的再結
晶）が行われるからである。この結果、非常に加
工の行い易いタングステン構造が得られる。
ツドの拡大断面構造を示す。この状態において
は、ロツド外周部にてタングステン結晶粒子が粗
く、ロツド中心部にてタングステン結晶粒子が細
かくなつている。このような構造が生ずるのは、
プレハンマリング自体が1550℃の温度で行われる
ためにロツド外周部にてLa０が更に消耗される
とともに、ロツド外周部にて再結晶（部分的再結
晶）が行われるからである。この結果、非常に加
工の行い易いタングステン構造が得られる。
第１０図は再結晶工程後のロツドの断面構造を
示している。この構造では、ロツド外周部にて粗
大化したタングステン結晶粒子が存在し、La2O3
は消耗されている結果、後の加工を非常に行い易
く、1.0mmの非常に小さい直径まで加工が可能と
なる。更に、後の加工時には、タングステン粒子
の界面が変形し、La2O3の均一化が達成されると
いう利点もある。
示している。この構造では、ロツド外周部にて粗
大化したタングステン結晶粒子が存在し、La2O3
は消耗されている結果、後の加工を非常に行い易
く、1.0mmの非常に小さい直径まで加工が可能と
なる。更に、後の加工時には、タングステン粒子
の界面が変形し、La2O3の均一化が達成されると
いう利点もある。
第１図は本発明に係る製造方法における圧縮工
程の経時的圧力曲線を従来例との比較にて示すグ
ラフ、第２図は本発明に係る製造方法における焼
結工程の経時的温度曲線を従来例との比較にてし
めすグラフ、第３図〜第６図は従来の方法で製造
される酸化トリウム−タングステン合金ロツドの
種々な製造工程後の断面構造を示す拡大図、第７
図〜第１０図は本発明の方法で製造される酸化ラ
ンタン−タングステン合金ロツドの種々な製造工
程後の断面構造を示す拡大図である。
程の経時的圧力曲線を従来例との比較にて示すグ
ラフ、第２図は本発明に係る製造方法における焼
結工程の経時的温度曲線を従来例との比較にてし
めすグラフ、第３図〜第６図は従来の方法で製造
される酸化トリウム−タングステン合金ロツドの
種々な製造工程後の断面構造を示す拡大図、第７
図〜第１０図は本発明の方法で製造される酸化ラ
ンタン−タングステン合金ロツドの種々な製造工
程後の断面構造を示す拡大図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化ランタンが添加された粒状タングステン
を圧縮、焼結、機械加工、及び再結晶の各処理を
行うことよりなるタングステン合金ロツド、特に
TIG溶接、タングステンプラズマ溶接、タングス
テンプラズマ溶断等に使用されるタングステン電
極用ロツドの製造方法において、 (a) 酸化ランタンを25〜30℃に少なくとも20時間
保持することにより、その平均粒径が0.5〜
2.0μｍとなるように調製し、 (b) このように調製された酸化ランタンを全重量
に対して1.8〜2.2重量％の割合で前記粒状タン
グステンに添加し、 (c) 得られた混合物を複数段階で加圧して圧縮さ
せるとともに、複数段階で加熱して焼結させ
る、 ことを特徴とするタングステン合金ロツドの製造
方法。 ２ 上記工程(a)が体積膨張工程であり、酸化ラン
タンを25〜30℃に数日間保持することにより行う
ことを特徴とする請求項１に記載のタングステン
合金ロツドの製造方法。 ３ 前記複数段階の加圧圧縮工程が、２回の圧力
維持段階を含むことを特徴とする請求項１又は２
に記載のタングステン合金ロツドの製造方法。 ４ 前記複数段階の加圧圧縮工程において、先ず
1.5〜2.5分間かけて900〜1100バールの一次圧力
維持段階まで増圧して、この圧力に約１分間維持
した後、さらに1.5〜2.5分間かけて1700〜1900バ
ールの二次圧力維持段階まで増圧して、この圧力
に約１分間維持し、次いで1.5〜2.5分間かけて約
2200バールの最高圧縮圧力まで増圧することを特
徴とする請求項３に記載のタングステン合金ロツ
ドの製造方法。 ５ 前記複数段階の加圧圧縮工程において、最高
圧縮圧力を１〜２分間維持することを特徴とする
請求項１ないし４のいずれかに記載のタングステ
ン合金ロツドの製造方法。 ６ 前記複数段階の加熱焼結工程が２回の温度維
持段階を含むことを特徴とする請求項１ないし５
のいずれかに記載のタングステン合金ロツドの製
造方法。 ７ 前記複数段階の加熱焼結工程において、先ず
４〜６分間かけて900〜1100℃の一次温度維持段
階まで昇温して、この温度に約２〜４分間維持し
た後、さらに１〜３分間かけて1700〜1900℃の２
次温度維持段階まで昇温して、この温度に２〜４
分間維持し、次いで３〜５分間かけて約2700℃の
最高焼結温度まで昇温することを特徴とする請求
項６に記載のタングステン合金ロツドの製造方
法。 ８ 前記複数段階の加熱焼結工程において、最高
焼結温度を14〜16分間維持することを特徴とする
請求項１ないし７のいずれかに記載のタングステ
ン合金ロツドの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3835328.8 | 1988-10-17 | ||
| DE3835328A DE3835328C1 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137694A JPH02137694A (ja) | 1990-05-25 |
| JPH0455800B2 true JPH0455800B2 (ja) | 1992-09-04 |
Family
ID=6365299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1250411A Granted JPH02137694A (ja) | 1988-10-17 | 1989-09-26 | タングステン合金ロッドの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4923673A (ja) |
| EP (1) | EP0369114B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02137694A (ja) |
| AT (1) | ATE68739T1 (ja) |
| DE (2) | DE3835328C1 (ja) |
| ES (1) | ES2027436T3 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5284614A (en) * | 1992-06-01 | 1994-02-08 | General Electric Company | Method of forming fine dispersion of ceria in tungsten |
| EP0606491A1 (en) * | 1992-07-31 | 1994-07-20 | Toho Kinzoku Co., Ltd. | Tungsten electrode material |
| US5248474A (en) * | 1992-10-05 | 1993-09-28 | Gte Products Corporation | Large threaded tungsten metal parts and method of making same |
| JPH06297189A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-25 | Toho Kinzoku Kk | タングステン電極材料 |
| DE4442161C1 (de) * | 1994-11-27 | 1996-03-07 | Bayerische Metallwerke Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Formteils |
| US5590386A (en) * | 1995-07-26 | 1996-12-31 | Osram Sylvania Inc. | Method of making an alloy of tungsten and lanthana |
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| CN1054563C (zh) * | 1997-02-27 | 2000-07-19 | 北京钨钼材料厂 | 镧钨电极的制造方法 |
| US8420974B2 (en) | 1997-03-20 | 2013-04-16 | Tadahiro Ohmi | Long life welding electrode and its fixing structure, welding head, and welding method |
| JP3320650B2 (ja) * | 1997-07-24 | 2002-09-03 | 三菱電機株式会社 | タングステンまたはモリブデンからなる金属材料、同金属材料を使用した二次製品材の製造方法およびその方法を実施するための熱処理装置 |
| AT3834U1 (de) * | 1999-05-21 | 2000-08-25 | Plansee Ag | Thermisch hochbelastbares bauteil |
| KR100375944B1 (ko) * | 2000-07-08 | 2003-03-10 | 한국과학기술원 | 기계적 합금화에 의한 산화물 분산강화 텅스텐 중합금의 제조방법 |
| JP4659278B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2011-03-30 | 株式会社アライドマテリアル | タングステン焼結体およびその製造方法並びにタングステン板材およびその製造方法 |
| US6830637B2 (en) * | 2002-05-31 | 2004-12-14 | Osram Sylvania Inc. | Large diameter tungsten-lanthana rod |
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| DE202013004704U1 (de) | 2013-05-21 | 2013-06-06 | Bayerische Metallwerke Gmbh | Wolframlegierung sowie Elektrode umfassend eine Wolframlegierung |
| WO2016061721A1 (zh) * | 2014-10-20 | 2016-04-28 | 中南大学 | 一种稀土氧化物弥散强化细晶钨材料的制备方法 |
| DE102015009322A1 (de) | 2015-07-17 | 2017-01-19 | Gesellschaft Für Wolfram-Industrie Mbh | Molybdänlegierung, Elektrode umfasend eine Molybdänlegierung, sowie Verwendung der Elektrode |
| DE102015111993A1 (de) * | 2015-07-23 | 2017-01-26 | Schott Ag | Formdorn mit Diffusionsschicht zur Glasformung |
| JP2018175251A (ja) * | 2017-04-10 | 2018-11-15 | オリンパス株式会社 | 医療機器用高周波電極および医療機器 |
| CN113186438B (zh) | 2021-01-20 | 2022-09-13 | 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 | 一种合金线材及其制备方法与应用 |
| CN115740473B (zh) * | 2022-12-15 | 2025-04-29 | 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 | 等离子旋转电极雾化球形钨粉制备方法 |
Family Cites Families (8)
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|---|---|---|---|---|
| US3169861A (en) * | 1961-08-16 | 1965-02-16 | Westinghouse Electric Corp | Method for making welding electrodes |
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