JPH0456134A - スピンオングラス法を用いたＳｉＯ↓２膜の製造方法およびその塗布剤 - Google Patents
スピンオングラス法を用いたＳｉＯ↓２膜の製造方法およびその塗布剤Info
- Publication number
- JPH0456134A JPH0456134A JP16277990A JP16277990A JPH0456134A JP H0456134 A JPH0456134 A JP H0456134A JP 16277990 A JP16277990 A JP 16277990A JP 16277990 A JP16277990 A JP 16277990A JP H0456134 A JPH0456134 A JP H0456134A
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- JP
- Japan
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- coating agent
- spin
- silica
- film
- substrate
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- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、スピンオングラス法を用いたＳｉＯ２膜の製
造方法およびその塗布剤に関する。
造方法およびその塗布剤に関する。
〈従来の技術〉
ＬＳＩなどの半導体装置を製造する際に、低温でＳｉ基
板表面に５ｉＯｚ膜を生成させる手段の一つとして、ス
ピンオングラス（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ ；以
下ＳＯＧと略称する）法が比較的簡単であるために広く
用いられている。
板表面に５ｉＯｚ膜を生成させる手段の一つとして、ス
ピンオングラス（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ ；以
下ＳＯＧと略称する）法が比較的簡単であるために広く
用いられている。
このＳＯＣ法は、一般にＲ７５ｉ（ＯＨ）＜−１ｌ（シ
ラノール）で代表されるケイ素化合物をアルコールなど
の有機溶剤に溶解して調合された塗布剤をＳｉ基板に塗
布し、その後加熱して溶媒を除去す多とともに、脱水縮
合反応によりＳｉＯ２膜を生成させるものである。
ラノール）で代表されるケイ素化合物をアルコールなど
の有機溶剤に溶解して調合された塗布剤をＳｉ基板に塗
布し、その後加熱して溶媒を除去す多とともに、脱水縮
合反応によりＳｉＯ２膜を生成させるものである。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、このＳＯＧ法においては、加熱の際にＳｉＯ
！膜に亀裂が入るという欠点があるから、それを避ける
ために、例えば塗布剤の１回の塗布量を０．１〜ｏ、３
ａｍ程度とし、これ以上の厚い膜厚を必要とする場合は
塗布→加熱を複数回繰り返すことにより所定の膜厚を得
ることが提案されている（例えば特開昭５１−６０４７
９号公報参照）。
！膜に亀裂が入るという欠点があるから、それを避ける
ために、例えば塗布剤の１回の塗布量を０．１〜ｏ、３
ａｍ程度とし、これ以上の厚い膜厚を必要とする場合は
塗布→加熱を複数回繰り返すことにより所定の膜厚を得
ることが提案されている（例えば特開昭５１−６０４７
９号公報参照）。
しかし、この複数回塗布方式でも亀裂を完全に防止する
ことができないので、さらに塗布剤中に少量の燐を含有
させる方法も用いられているが、燐を含む５ｉＯｚ＃に
は吸湿性があることから、半導体装置の特性劣化の原因
となっていた（例えば特開昭６４−２５５４３号公報参
照）。
ことができないので、さらに塗布剤中に少量の燐を含有
させる方法も用いられているが、燐を含む５ｉＯｚ＃に
は吸湿性があることから、半導体装置の特性劣化の原因
となっていた（例えば特開昭６４−２５５４３号公報参
照）。
本発明は、上記のような課題を解決したスピンオングラ
ス法を用いた５ｉＯｔ膜の製造方法およびその塗布剤を
提供することを目的とする。
ス法を用いた５ｉＯｔ膜の製造方法およびその塗布剤を
提供することを目的とする。
＜ｔＸＢを解決するための手段〉
本発明のＳｉＯ□膜の製造方法の特徴とするところは、
スピンオングラス法を用いて低温加熱によりＳｉ基板表
面にＳｉＯ□膜を生成させる際に、通常のシラノールに
加えてシリカなどの微粒子を混合した塗布剤を用いるこ
とにある。
スピンオングラス法を用いて低温加熱によりＳｉ基板表
面にＳｉＯ□膜を生成させる際に、通常のシラノールに
加えてシリカなどの微粒子を混合した塗布剤を用いるこ
とにある。
また、ここで用いる本発明の塗布剤の特徴とするところ
は、ケイ素化合物を有機溶剤に熔解して調合された塗布
剤に粒径が０．００５〜０．１ μｍの微粒子とされる
シリカなどを０．１〜５％の範囲で混合したものである
。
は、ケイ素化合物を有機溶剤に熔解して調合された塗布
剤に粒径が０．００５〜０．１ μｍの微粒子とされる
シリカなどを０．１〜５％の範囲で混合したものである
。
く作 用〉
本発明によれば、塗布剤として従来の塗布剤にソリ力（
ＳｉＯ□）粒子を添加するようにしたので、その塗布剤
をＳｉ基板表面に塗布した後加熱して脱水縮合される際
、ＳｉＯ□膜が収縮して亀裂が入ろうとするときに、添
加したシリカ粒子が亀裂に対する抵抗力として働き、亀
裂発生を未然に防止することができる。
ＳｉＯ□）粒子を添加するようにしたので、その塗布剤
をＳｉ基板表面に塗布した後加熱して脱水縮合される際
、ＳｉＯ□膜が収縮して亀裂が入ろうとするときに、添
加したシリカ粒子が亀裂に対する抵抗力として働き、亀
裂発生を未然に防止することができる。
塗布剤に添加するシリカの粒径および混合割合の限定理
由について、以下に説明する。
由について、以下に説明する。
シリカの平均粒径を０．００５〜０．１０μｍにするこ
と； 下限を０．００５μｍとしたのは、シリカ微粒子の製造
上の制約であり、製造可能であれば粒径は極力小さいこ
とが好ましい。
と； 下限を０．００５μｍとしたのは、シリカ微粒子の製造
上の制約であり、製造可能であれば粒径は極力小さいこ
とが好ましい。
また、上限をＱ、１０μｍとしたのは、０．１０ｔＩｍ
以上の粒子はＳｉ基板の凸部に付着した場合バターニン
グ上の障害となるためである。
以上の粒子はＳｉ基板の凸部に付着した場合バターニン
グ上の障害となるためである。
・シリカの混合割合を０．１〜５％の範囲としたこと：
下限を０．１％としたのは、０．１％より混合割合が低
いとクランク防止の効果がないためであり、また、上限
を５％としたのは、５％より混合割合が高いと塗布剤の
粘土が高くなり膜厚の均一性が悪化するためである。
いとクランク防止の効果がないためであり、また、上限
を５％としたのは、５％より混合割合が高いと塗布剤の
粘土が高くなり膜厚の均一性が悪化するためである。
なお、シリカ以外にアルミナ（Ａｌ□Ｏ３）、チタニア
（ＴｉＯ□）、ジルコニア（ＺｒＯ□）などを使用して
もシリカの場合と同様の作用効果を得ることができる。
（ＴｉＯ□）、ジルコニア（ＺｒＯ□）などを使用して
もシリカの場合と同様の作用効果を得ることができる。
〈実施例〉
有Ｉ！溶荊であるアルコール溶液に、ケイ素化合物とし
てシラノールを５％添加した塗布剤に、粒径０６３μｍ
以下のシリカ粒子を０．５％混合して、Ｓｉ基板表面に
０．２μｍの厚みで塗布後、１００°Ｃ１５０°Ｃ，２
５０°Ｃで各５分間ずつ予備乾燥し、さらニ４３０’Ｃ
７’３０分間の乾燥を行った結果、５ｉＯ８Ｐ／ｌ！テ
の亀裂の発生率ばＯであった。
てシラノールを５％添加した塗布剤に、粒径０６３μｍ
以下のシリカ粒子を０．５％混合して、Ｓｉ基板表面に
０．２μｍの厚みで塗布後、１００°Ｃ１５０°Ｃ，２
５０°Ｃで各５分間ずつ予備乾燥し、さらニ４３０’Ｃ
７’３０分間の乾燥を行った結果、５ｉＯ８Ｐ／ｌ！テ
の亀裂の発生率ばＯであった。
一方、比較のために、アルコール溶液にシラノールを５
％添加した従来の塗布剤を用いて、上記実施例と同一の
条件でＳｉ基板表面に塗布、予備乾燥、乾燥を行ったと
ころ、ＳｉＯ□膜の亀裂発生率は３％にもなった。
％添加した従来の塗布剤を用いて、上記実施例と同一の
条件でＳｉ基板表面に塗布、予備乾燥、乾燥を行ったと
ころ、ＳｉＯ□膜の亀裂発生率は３％にもなった。
〈発明の効果〉
本発明によれば、従来の塗布剤にシリカ粒子などを添加
することにより、ｓｉｏ！ｌｌ！Ｊの亀裂の発生を皆無
にすることができ、Ｓｉ基板の歩留り向上を図ることが
可能である。
することにより、ｓｉｏ！ｌｌ！Ｊの亀裂の発生を皆無
にすることができ、Ｓｉ基板の歩留り向上を図ることが
可能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、スピンオングラス法を用いて低温加熱しながらＳｉ
基板表面にＳｉＯ＿２膜を生成させる際に、シリカなど
の微粒子を混合した塗布剤を塗布した後加熱することを
特徴とするスピンオングラス法を用いたＳｉＯ＿２膜の
製造方法。 ２、ケイ素化合物を有機溶剤に溶解して調合された塗布
剤に粒径が０．００５〜０．１μｍの微粒子とされるシ
リカなどを０．１〜５％の範囲で混合してなることを特
徴とするスピンオングラス用塗布剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16277990A JPH0456134A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | スピンオングラス法を用いたＳｉＯ↓２膜の製造方法およびその塗布剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16277990A JPH0456134A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | スピンオングラス法を用いたＳｉＯ↓２膜の製造方法およびその塗布剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456134A true JPH0456134A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15761055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16277990A Pending JPH0456134A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | スピンオングラス法を用いたＳｉＯ↓２膜の製造方法およびその塗布剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456134A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000100699A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| US9230860B2 (en) | 2011-09-27 | 2016-01-05 | Napra Co., Ltd. | Semiconductor substrate, electronic device and method for manufacturing the same |
-
1990
- 1990-06-22 JP JP16277990A patent/JPH0456134A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000100699A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| US9230860B2 (en) | 2011-09-27 | 2016-01-05 | Napra Co., Ltd. | Semiconductor substrate, electronic device and method for manufacturing the same |
| US9460965B2 (en) | 2011-09-27 | 2016-10-04 | Napra Co., Ltd. | Semiconductor substrate, eletronic device and method for manufacturing the same |
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