JPH0456182A - 面発光半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
面発光半導体レーザ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0456182A JPH0456182A JP16318690A JP16318690A JPH0456182A JP H0456182 A JPH0456182 A JP H0456182A JP 16318690 A JP16318690 A JP 16318690A JP 16318690 A JP16318690 A JP 16318690A JP H0456182 A JPH0456182 A JP H0456182A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- etching
- emitting semiconductor
- semiconductor laser
- circular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 37
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 15
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 12
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電流ブロッキング層を有する埋め込み型面発
光半導体レーザ素子の製造方法に関するものである。
光半導体レーザ素子の製造方法に関するものである。
従来の電流ブロッキング層を有する埋め込み型面発光半
導体レーザ素子は、例えば第３図（ａ）−（ｄ）に示す
工程に従って製造されていた。即ち、第３図（ａ）に示
す如く、ｎ型１ｎＰから成る半導体基板（Ａ）上に、ｎ
型１ｎＰかろ成るクラ、ド層（Ｂ）、及びｐ型１ｎＧａ
ＡｓＰから成る活性層（Ｃ）を順次エピタキシャル成長
法にて積層し、更にｎ型１ｎＰから成るクランド層（Ｄ
）、およびｐ型ＩｎＧａＡｓＰから成るキャンプ層（Ｅ
）を積層する。次いで前記キャップ層（Ｅ）上に直径１
０μｍのＳｉＯ□膜（Ｆ）をエツチングマスクとして施
す。次に第３図（ｂ）に示す如く該エツチングマスク（
Ｆ）を施した領域以外の前記キャップ層（Ｅ）の主面か
ら前記活性層（Ｃ）に達する深さまで、例えば、Ｂｒ
ＣＨ３０Ｈ系の工。
導体レーザ素子は、例えば第３図（ａ）−（ｄ）に示す
工程に従って製造されていた。即ち、第３図（ａ）に示
す如く、ｎ型１ｎＰから成る半導体基板（Ａ）上に、ｎ
型１ｎＰかろ成るクラ、ド層（Ｂ）、及びｐ型１ｎＧａ
ＡｓＰから成る活性層（Ｃ）を順次エピタキシャル成長
法にて積層し、更にｎ型１ｎＰから成るクランド層（Ｄ
）、およびｐ型ＩｎＧａＡｓＰから成るキャンプ層（Ｅ
）を積層する。次いで前記キャップ層（Ｅ）上に直径１
０μｍのＳｉＯ□膜（Ｆ）をエツチングマスクとして施
す。次に第３図（ｂ）に示す如く該エツチングマスク（
Ｆ）を施した領域以外の前記キャップ層（Ｅ）の主面か
ら前記活性層（Ｃ）に達する深さまで、例えば、Ｂｒ
ＣＨ３０Ｈ系の工。
チング溶液等でのウェットエツチング、あるいはイオン
ビームによるドライエツチング等によりエツチングを施
し、直径１０μ−程度の円形メサを形成する。続いて、
第３図（Ｃ）に示す如く前記活性層（Ｃ）の一部を液相
成長法（ＬＰＥ法）を用いてメルトバックさせる。しか
る後、第３図（ｄ）に示す如くエツチングにより除去さ
れた部分に２回目のエピタキシャル成長法により、Ｐ型
ＴｎＰ層（Ｇ）、ｎ型１ｎＰ層（Ｈ）、およびｎ型１ｎ
Ｐ層（１）を順次埋め込んで、電流ブロッキング層（Ｊ
）を形成する。その後前記エツチングマスク（Ｆ）を除
去後、同図に示す如く、前記活性層（Ｃ）が位置する前
記半導体基板（Ａ）を除去して光取り出し窓（Ｋ）を形
成し、さらに、前記クラッド層（Ｂ）の下方及び前記キ
ャブ層（Ｅ）の上にそれぞれ高反射膜（Ｌ）、（Ｌ）を
形成する。
ビームによるドライエツチング等によりエツチングを施
し、直径１０μ−程度の円形メサを形成する。続いて、
第３図（Ｃ）に示す如く前記活性層（Ｃ）の一部を液相
成長法（ＬＰＥ法）を用いてメルトバックさせる。しか
る後、第３図（ｄ）に示す如くエツチングにより除去さ
れた部分に２回目のエピタキシャル成長法により、Ｐ型
ＴｎＰ層（Ｇ）、ｎ型１ｎＰ層（Ｈ）、およびｎ型１ｎ
Ｐ層（１）を順次埋め込んで、電流ブロッキング層（Ｊ
）を形成する。その後前記エツチングマスク（Ｆ）を除
去後、同図に示す如く、前記活性層（Ｃ）が位置する前
記半導体基板（Ａ）を除去して光取り出し窓（Ｋ）を形
成し、さらに、前記クラッド層（Ｂ）の下方及び前記キ
ャブ層（Ｅ）の上にそれぞれ高反射膜（Ｌ）、（Ｌ）を
形成する。
最後に同図に示す如く前記半導体基板（Ａ）の下面、お
よび前記キャップ層（Ｅ）上にそれぞれ電極（Ｍ）、（
Ｍ）を作成して面発光半導体レーザ素子を製造する。
よび前記キャップ層（Ｅ）上にそれぞれ電極（Ｍ）、（
Ｍ）を作成して面発光半導体レーザ素子を製造する。
〔発明が解決しようとする課題］
しかしながら前記に示す如く、面発光半導体レザの製造
方法によれば、従来のエツチング溶液によるエツチング
方法においては、形成されるメサに方位性を生し、メサ
が矩形になってしまう欠点があった６そのため、その後
このメサの囲りにエピタキシャル成長法を用いて電流プ
ロ、キング層を形成した場合、該電流ブロッキング層の
表面に突起を生しることになり、この結果該電流プロン
キング層の上に形成される間反射膜と、クランド層下方
に形成される高反射膜とが互いに平行にならず、満足す
る共振構造を得ることができなかった。
方法によれば、従来のエツチング溶液によるエツチング
方法においては、形成されるメサに方位性を生し、メサ
が矩形になってしまう欠点があった６そのため、その後
このメサの囲りにエピタキシャル成長法を用いて電流プ
ロ、キング層を形成した場合、該電流ブロッキング層の
表面に突起を生しることになり、この結果該電流プロン
キング層の上に形成される間反射膜と、クランド層下方
に形成される高反射膜とが互いに平行にならず、満足す
る共振構造を得ることができなかった。
又、ドライエンチングによって活性層をエツチングした
場合、活性層に損傷を与えることになり、活性層形成の
再現性に欠ける問題が生した。
場合、活性層に損傷を与えることになり、活性層形成の
再現性に欠ける問題が生した。
さらに、前記従来のエツチング方法は、エンチング後、
液相成長法（ＬＰＥ法）を用いて活性層の一部をメルト
バックさせる方法を採用していたが、ＬＰＥ液の温度制
御、濃度制御が難しく、且つ大面積に向かないというＬ
ＰＥ法特有の問題があり、この結果、大面積化による多
数の面発光半導体レーザ素子を形成する際に、個々の素
子間で特性がばらつくため、素子の特性を均一に構成す
ることができないという欠点を有していた。
液相成長法（ＬＰＥ法）を用いて活性層の一部をメルト
バックさせる方法を採用していたが、ＬＰＥ液の温度制
御、濃度制御が難しく、且つ大面積に向かないというＬ
ＰＥ法特有の問題があり、この結果、大面積化による多
数の面発光半導体レーザ素子を形成する際に、個々の素
子間で特性がばらつくため、素子の特性を均一に構成す
ることができないという欠点を有していた。
本発明は前記問題点に鑑みなされたもので、その目的と
するところは、埋め込み型の電流ブロッキング層を有す
る面発光半導体レーザ素子の円形メサに方位性が生しる
ことなくほぼ円形に形成でき、且つ２回目のエピタキシ
ャル成長法により成長させた埋め込み型の電流ブロッキ
ング層の表面が平坦に形成することができ、なお且つ大
面積化による多数の面発光半導体レーザ素子を形成する
際に、個々の素子の特性を均一にすることが可能な面発
光半導体レーザ素子を容易に得ることのできる製造方法
を提供することにある。
するところは、埋め込み型の電流ブロッキング層を有す
る面発光半導体レーザ素子の円形メサに方位性が生しる
ことなくほぼ円形に形成でき、且つ２回目のエピタキシ
ャル成長法により成長させた埋め込み型の電流ブロッキ
ング層の表面が平坦に形成することができ、なお且つ大
面積化による多数の面発光半導体レーザ素子を形成する
際に、個々の素子の特性を均一にすることが可能な面発
光半導体レーザ素子を容易に得ることのできる製造方法
を提供することにある。
以上に示した問題点を解決するための本発明は、半導体
基板上にクラッド層、活性層及びクラッド層を順次エピ
タキシャル成長させ、次いで前記エピタキシャル成長さ
れた層を円形メサ状にエツチングし、その後、前記エツ
チングされた部分に電流ブロッキング層を埋め込んで面
発光半導体レーザ素子を製造する方法において、前記エ
ピタキシャル成長された層を円形メサ状にエンチングす
る溶液として、塩酸、酢酸、及び過酸化水素水からなる
混合エツチング溶液を用いることにｖｆ徴がある。
基板上にクラッド層、活性層及びクラッド層を順次エピ
タキシャル成長させ、次いで前記エピタキシャル成長さ
れた層を円形メサ状にエツチングし、その後、前記エツ
チングされた部分に電流ブロッキング層を埋め込んで面
発光半導体レーザ素子を製造する方法において、前記エ
ピタキシャル成長された層を円形メサ状にエンチングす
る溶液として、塩酸、酢酸、及び過酸化水素水からなる
混合エツチング溶液を用いることにｖｆ徴がある。
［実施例］
（実施例１）
以下この発明の一実施例を第１図（ａ）〜（ｄ）を用い
て製造層に説明する。
て製造層に説明する。
まず第１図（ａ）に示す如く（１）はｎ型ＩｎＰより成
る半導体基板で、該半導体基板（１）上にｎ型１ｎＰよ
り成るハソファ層（２）、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰより成る
エツチング停止層（３）、およびｎ型１ｎＰより成るク
ランド層（４）を、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯ
ＣＶ Ｄ法）、分子線気相成長法（ＭＢＥ法）、あるい
は液相成長法（ＬＰＥ法）等のエピタキシャル成長法に
より順次成長させ、更にｐ型１ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
Ｐより成る活性層（５）、およびｎ型１ｎＰより成るク
ラッド層（６）を前記同様のエピタキシャル成長法を用
いて成長させる。しかる後、前記クラッド層（６）上に
通常のホトリソグラフィを用いて直径１０μ−の円形の
５ｉＯｚによるエンチングマスク（７）を形成する。次
に第１図（ｂ）に示す如く該工、チングマスク（７）を
施さない前記クラ。
る半導体基板で、該半導体基板（１）上にｎ型１ｎＰよ
り成るハソファ層（２）、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰより成る
エツチング停止層（３）、およびｎ型１ｎＰより成るク
ランド層（４）を、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯ
ＣＶ Ｄ法）、分子線気相成長法（ＭＢＥ法）、あるい
は液相成長法（ＬＰＥ法）等のエピタキシャル成長法に
より順次成長させ、更にｐ型１ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
Ｐより成る活性層（５）、およびｎ型１ｎＰより成るク
ラッド層（６）を前記同様のエピタキシャル成長法を用
いて成長させる。しかる後、前記クラッド層（６）上に
通常のホトリソグラフィを用いて直径１０μ−の円形の
５ｉＯｚによるエンチングマスク（７）を形成する。次
に第１図（ｂ）に示す如く該工、チングマスク（７）を
施さない前記クラ。
ド層（６）の主面から前記活性層（５）の所定の位置に
達する深さまで、塩酸、酢酸、および過酸化水素水を１
：２：１（体積比）の割合で混合した混合エツチング溶
液を用いてエンチングを施し、続いて前記活性層（５）
の所定の位置から前記クラッド層（４）に達する深さま
で、硫酸、水、および過酸化水素水を３：ｌ：ｌ （体
積比）の割合で混合したエンチング溶液を用いて選択エ
ツチングを施す。そして、このエンチング処理により、
直径１０μ−の円形のメサを形成する。続いて第１図（
ｃ）に示す如くエツチングにより除去された部分に、Ｐ
型１ｎＰ層（８）、ｎ型１ｎＰＩｉ！（９）を順次前記
同様のエピタキシャル成長法を用いて成長させ、ＰＮ接
合による電流ブロッキング層（９′）を形成する。そし
て、前記エツチングマスク（７）を除去後、第１図（ｄ
）に示す如くｐ型ＩｎＰより成るクラッド層（１０）、
およびｐ型ＩｎＧａＡｓＰより成るコンタクト層（１１
）を前記と同様のエピタキシャル成長法を用いて成長さ
せる。さらに通常のホトリソグラフィ法を用いて光取り
出し窓（１２）を形成した後、エピタキシャル成長面、
および半導体基板（１）側に高反射膜（１３）、例えば
Ａ ｕ ／ Ｚ ｎより成る正電極（１４） 、Ａｕ／
Ｇｅ／Ｎ ｉより成る負電極（１４′）を形成して面発
光半導体レーザ素子を得る。
達する深さまで、塩酸、酢酸、および過酸化水素水を１
：２：１（体積比）の割合で混合した混合エツチング溶
液を用いてエンチングを施し、続いて前記活性層（５）
の所定の位置から前記クラッド層（４）に達する深さま
で、硫酸、水、および過酸化水素水を３：ｌ：ｌ （体
積比）の割合で混合したエンチング溶液を用いて選択エ
ツチングを施す。そして、このエンチング処理により、
直径１０μ−の円形のメサを形成する。続いて第１図（
ｃ）に示す如くエツチングにより除去された部分に、Ｐ
型１ｎＰ層（８）、ｎ型１ｎＰＩｉ！（９）を順次前記
同様のエピタキシャル成長法を用いて成長させ、ＰＮ接
合による電流ブロッキング層（９′）を形成する。そし
て、前記エツチングマスク（７）を除去後、第１図（ｄ
）に示す如くｐ型ＩｎＰより成るクラッド層（１０）、
およびｐ型ＩｎＧａＡｓＰより成るコンタクト層（１１
）を前記と同様のエピタキシャル成長法を用いて成長さ
せる。さらに通常のホトリソグラフィ法を用いて光取り
出し窓（１２）を形成した後、エピタキシャル成長面、
および半導体基板（１）側に高反射膜（１３）、例えば
Ａ ｕ ／ Ｚ ｎより成る正電極（１４） 、Ａｕ／
Ｇｅ／Ｎ ｉより成る負電極（１４′）を形成して面発
光半導体レーザ素子を得る。
（実施例２）
第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の他の実施例を製造順に
示す図で、Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ
ｓ系の面発光半導体レーザ素子に本発明を適用した場合
のものである。
示す図で、Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ
ｓ系の面発光半導体レーザ素子に本発明を適用した場合
のものである。
まず第２図（ａ）に示す如くｎ型ＧａＡｓより成る半導
体基板（１５）上にｎ型ＧａＡｓより成るハソファ層（
１６）、ｎ型Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓより成るクラッド
層（１７）を、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶ
Ｄ法）、分子線気相成長法（ＭＢＥ法）、あるいは液相
成長法（ＬＰＥ法）等のエピタキシャル成長法により順
次成長させ、更にｎ型ＧａＡｌＡｓより成る活性層（１
Ｂ）、およびｐ型ＧａＡｌＡｓより成るクラッド層（１
９）を前記同様のエピタキシャル成長法を用いて成長さ
せる。しかる後、前記クラッド層（１９）上に通常のホ
トリソグラフィを用いてパターニングすることにより、
直径１０μｍの円形のＳｉＯ□から成るエンチングマス
ク（２０）を形成する。次に第２図（ｂ）に示す如く前
記エツチングマスク（２０）を施さない前記クラッド層
（１９）の主面から前記クラッド層（１７）の表面に達
する深さまで塩酸、酢酸、および過酸化水素水を１：２
：ｌ（体積比）の割合で混合した混合エツチング溶液を
用いてエツチングを施し、直径１０μ園の円形のメサを
形成する。続いて、第２図（ｃ）に示す如くエツチング
により除去された部分に前記同様のエピタキシャル成長
法により、ｐ型ＧａＡｓ層（２１）、ｎ型Ｇ ａ’Ａ
ｓ層（２２）を順次成長させ、ＰＮ接合による電流ブロ
ッキング層（２２’）を形成する。そして、前記エツチ
ングマスク（２Ｏ）を除去後、第２図Ｃｄ）に示す如く
ｐ型ＧａＡｌＡｓより成るクラッド層（２３）、および
ｐ型ＧａＡｓより成るコンタクト層（２４）を前記と同
様に順次成長させる。さらに通常のホトリソグラフィ法
により光り取り出し窓（２５）を形成した後、エピタキ
シャル成長面、および半導体基板（１５）側に高反射膜
（２６）、例えばＡ ｕ ／ Ｚｎより成る正電極（２
７）、Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉより成る負電極（２７’）を形
成し面発光半導体レーザ素子を得る。
体基板（１５）上にｎ型ＧａＡｓより成るハソファ層（
１６）、ｎ型Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓより成るクラッド
層（１７）を、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶ
Ｄ法）、分子線気相成長法（ＭＢＥ法）、あるいは液相
成長法（ＬＰＥ法）等のエピタキシャル成長法により順
次成長させ、更にｎ型ＧａＡｌＡｓより成る活性層（１
Ｂ）、およびｐ型ＧａＡｌＡｓより成るクラッド層（１
９）を前記同様のエピタキシャル成長法を用いて成長さ
せる。しかる後、前記クラッド層（１９）上に通常のホ
トリソグラフィを用いてパターニングすることにより、
直径１０μｍの円形のＳｉＯ□から成るエンチングマス
ク（２０）を形成する。次に第２図（ｂ）に示す如く前
記エツチングマスク（２０）を施さない前記クラッド層
（１９）の主面から前記クラッド層（１７）の表面に達
する深さまで塩酸、酢酸、および過酸化水素水を１：２
：ｌ（体積比）の割合で混合した混合エツチング溶液を
用いてエツチングを施し、直径１０μ園の円形のメサを
形成する。続いて、第２図（ｃ）に示す如くエツチング
により除去された部分に前記同様のエピタキシャル成長
法により、ｐ型ＧａＡｓ層（２１）、ｎ型Ｇ ａ’Ａ
ｓ層（２２）を順次成長させ、ＰＮ接合による電流ブロ
ッキング層（２２’）を形成する。そして、前記エツチ
ングマスク（２Ｏ）を除去後、第２図Ｃｄ）に示す如く
ｐ型ＧａＡｌＡｓより成るクラッド層（２３）、および
ｐ型ＧａＡｓより成るコンタクト層（２４）を前記と同
様に順次成長させる。さらに通常のホトリソグラフィ法
により光り取り出し窓（２５）を形成した後、エピタキ
シャル成長面、および半導体基板（１５）側に高反射膜
（２６）、例えばＡ ｕ ／ Ｚｎより成る正電極（２
７）、Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉより成る負電極（２７’）を形
成し面発光半導体レーザ素子を得る。
なお、上記実施例ではＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ、Ｇ ａ
Ａ Ｉ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系の半導体材料
を用いて説明したが、使用する半導体材料はこれに限ら
ず他の２元系、３元系、４元系のあらゆる半導体材料を
用いることが可能である。
Ａ Ｉ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系の半導体材料
を用いて説明したが、使用する半導体材料はこれに限ら
ず他の２元系、３元系、４元系のあらゆる半導体材料を
用いることが可能である。
本発明の面発光半導体レーザ素子の製造方法によれば、
面発光半導体レーザ素子の円形メサに方位性が生しるこ
となくほぼ円形に形成でき、且つ２回目のエピタキシャ
ル成長法により成長させた埋め込み型の電流ブロッキン
グ層の表面が平坦に形成できるため、満足する共振構造
を備えた面発光半導体レーザ素子を得ることができる。
面発光半導体レーザ素子の円形メサに方位性が生しるこ
となくほぼ円形に形成でき、且つ２回目のエピタキシャ
ル成長法により成長させた埋め込み型の電流ブロッキン
グ層の表面が平坦に形成できるため、満足する共振構造
を備えた面発光半導体レーザ素子を得ることができる。
さらに、活性層を再現性よくエンチング処理することが
できるので、大面積化による多数の面発光半導体レーザ
素子を形成する際には、個々の素子の特性を均一にする
ことが可能な面発光半導体レーザ素子を容易に得ること
ができる。
できるので、大面積化による多数の面発光半導体レーザ
素子を形成する際には、個々の素子の特性を均一にする
ことが可能な面発光半導体レーザ素子を容易に得ること
ができる。
第１図（ａ） −（ｄ）はそれぞれ本発明の一実施例を
製造工程順に示す断面図、第２図（ａ） −（ｄ）はそ
れぞれ本発明の他の実施例を製造工程順に示す断面図、
第３図（ａ）−（ｄ）はそれぞれ従来の面発光半導体レ
ーザ素子の一例を製造工程順に示す断面図である。 （１１） （２４）〜コンタクト層 （３）〜エンチン
グ停止層 （１，２）（２５）〜光取り出し窓 （１３
） （２６）〜高反射膜
製造工程順に示す断面図、第２図（ａ） −（ｄ）はそ
れぞれ本発明の他の実施例を製造工程順に示す断面図、
第３図（ａ）−（ｄ）はそれぞれ従来の面発光半導体レ
ーザ素子の一例を製造工程順に示す断面図である。 （１１） （２４）〜コンタクト層 （３）〜エンチン
グ停止層 （１，２）（２５）〜光取り出し窓 （１３
） （２６）〜高反射膜
Claims (1)
- 半導体基板上にクラッド層、活性層及びクラッド層を順
次エピタキシャル成長させ、次いで前記エピタキシャル
成長された層を円形メサ状にエッチングし、その後、前
記エッチングされた部分に電流ブロッキング層を埋め込
んで面発光半導体レーザ素子を製造する方法において、
前記エピタキシャル成長された層を円形メサ状にエッチ
ングする溶液として、塩酸、酢酸、及び過酸化水素水か
らなる混合エッチング溶液を用いることを特徴とする面
発光半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16318690A JPH0456182A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 面発光半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16318690A JPH0456182A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 面発光半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456182A true JPH0456182A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15768895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16318690A Pending JPH0456182A (ja) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | 面発光半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456182A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214493A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-24 | Tokyo Inst Of Technol | 面発光型レ−ザ素子およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP16318690A patent/JPH0456182A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214493A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-24 | Tokyo Inst Of Technol | 面発光型レ−ザ素子およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6222866B1 (en) | Surface emitting semiconductor laser, its producing method and surface emitting semiconductor laser array | |
| US5903589A (en) | Oxidizable semiconductor device having cavities which allow for improved oxidation of the semiconductor device | |
| KR100449768B1 (ko) | 가시적방출vcsel용의하이브리드미러구조 | |
| JPH09186402A (ja) | 半導体構造 | |
| JPH07176788A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH0864907A (ja) | 平面埋込型レーザダイオードの製造方法 | |
| US5478774A (en) | Method of fabricating patterned-mirror VCSELs using selective growth | |
| JP3145769B2 (ja) | 半導体面発光素子 | |
| JPH0456182A (ja) | 面発光半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH07312462A (ja) | 面発光レーザダイオードの製造方法，及び面発光レーザダイオード | |
| US4694311A (en) | Planar light-emitting diode | |
| JP2021090004A (ja) | 赤外ｌｅｄ素子 | |
| JPS6258692A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH11121865A (ja) | 面発光レーザ及びその製造方法 | |
| JPH0194690A (ja) | 埋め込み型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH07307528A (ja) | 青色半導体発光素子の作製方法 | |
| JPH09326511A (ja) | 光半導体素子およびその製造方法 | |
| JPH0437598B2 (ja) | ||
| JPH01209777A (ja) | 半導体レーザ素子の製作方法 | |
| JP3355016B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| JPH11112086A (ja) | 埋め込み型面発光レーザ及びその作製方法 | |
| WO1997007536A2 (en) | Ridge-shaped laser in a channel | |
| JP2525617B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH0590641A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH05102605A (ja) | 面発光型半導体発光素子およびその製造方法 |