JPH045659A - フォトマスク基板支持装置 - Google Patents

フォトマスク基板支持装置

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Publication number
JPH045659A
JPH045659A JP2105466A JP10546690A JPH045659A JP H045659 A JPH045659 A JP H045659A JP 2105466 A JP2105466 A JP 2105466A JP 10546690 A JP10546690 A JP 10546690A JP H045659 A JPH045659 A JP H045659A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask substrate
substrate
stage
photomask
regulate
Prior art date
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Pending
Application number
JP2105466A
Other languages
English (en)
Inventor
Haruhiko Kususe
治彦 楠瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2105466A priority Critical patent/JPH045659A/ja
Publication of JPH045659A publication Critical patent/JPH045659A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、露光装置、座標測定器などに使用するフォ
トマスク基板を支持するためのフォトマスク基板支持装
置に関するものである。
〔従来の技術〕
第12図、第13図は従来のフォトマスク基板支持装置
を示し、平板状のステージ(2)の上面に真空溝(21
)が形成されていて、排気ボート(22)から真空71
1(21)を真空引きすることにより、フォトマスク基
板を吸着してステージ(2)と略平行に支持するもので
ある。
また、他の従来のフォトマスク基板支持装置として第1
4図、第15図に示すものがあり、ステージ(2)に、
高さ調整ねしく31)、押上ロッド(32)、レバー(
33)およびスプリング(34)からなるクランプ手段
を設け、フォトマスク基板(1)の微小な面積部分を機
械的にクランプするもので、電子ビーム露光装置のよう
に、ステージが真空中にあるため真空吸着ができない場
合に適用されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上のような従来のフォトマスク基板支持装置は、前者
にあっては、フォトマスク基板は真空吸着してステージ
に固定していたので、この面の吸着面の平面度が十分で
ない場合はフォトマスク基板がそり、このため露光装置
においては描画位置精度が悪化した。また後者では、フ
ォトマスク基板の微小な面を機械的にクランプして支持
するため、ステージ移動時の加速に対し、フォトマスク
基板がずれることを防ぐために充分大きな圧力でフォト
マスク基板をクランプする必要があった。
そのためこの圧力によりフォトマスク基板が歪み、描画
位置精度が悪化することがあった。
また、これらが露光袋Wでなく座標測定器の場合におい
ては、同じ理由により座標測定値の誤差となる問題点が
あった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、支持したフォトマスク基板が歪むことがなく
、また、ステージ移動時の加速に対してフォトマスク基
板がずれることがないフォトマスク基板支持装置を得る
ことを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るフォトマスク基板支持装置は、フォトマ
スク基板の下面の3箇所の部位に球を同定し、露光装置
または座標測定器のステージ側にこの球を受ける係合部
を設けることによって基板の支持を行う。
〔作 用〕
この発明においては、フォトマスク基板に取付けられた
3個の球の内1個はステージ側のビットに係合させ、フ
ォトマスク基板の回転軸の中心とする、また他の1個は
溝に係合させてフォトマスク基板の回転角度を規制する
。また残りの1個は平坦な部分に乗せフォトマスク基板
の傾斜のみを規制する。
〔実施例〕
第1図〜第5図はこの発明の一実施例を示し、フォトマ
スク基板(1)下面の仮想三角形の頂点位置に、それぞ
れ球体(3a) 、 (3b) 、 (3c)が接着剤
(4)によって接着されている。ステージ(2)の上面
には、球体(3a) 、 (3b) 、 (3c)にそ
れぞれ対応する位置に、断面V字状のビット(5)、こ
のビット(5)に向かうV渭(6)および平坦面(7)
が設けられていて、球体(3a) 、 (3b) 、 
(3c)がそれぞれ係合することによってステージ(2
)にフォトマスク基板(1)を支持する。
球(3a)はフォトマスク基板(1)の回転軸中心とな
る第1の支持点、球(3b)はフォトマスク基板(1)
の回転角度を決定する第2の支持点、また、球(3c)
はフォトマスク基板(1)の傾斜を規制する第3の支持
点となっている。
かかる構成により、フォトマスク基板(1)に歪を与え
ない重力程度の圧力でフォトマスク基板(1)を支持し
ているにも拘わらず、フォトマスク基板(1)のずれを
生じることなく、描画位置精度を高めることができる。
なお、上記実施例では、V字状のビット、■溝を用いた
が、第6図に示すように、円筒形または角形のビット(
5)、溝(6)を用いてもよく、また第7図に示すよう
にU字形のビット(5)、渭(6)でもよい。さらに、
球体に代えて、第8図に示すように、半球体(3d)、
あるいは、第9図に示すように、円筒体(3e)として
もよく、断面が円弧状であればよい。
また、球体のような突起側をフォトマスク基板に設けた
が、逆に、突起側をステージに配置し、フォトマスク基
板にピッI−や溝を形成してもよい。
さらに、第10図、第11図に示すように、ピッ)、(
5)、V講り6)に係合する球体(3a) 、−(3b
)はフォトマスク基板(1)に固着し、平坦面(7)に
当接する球体(3c)をステージ(2)に固着するなど
、種々の変形が考えられる。
また、フォトマスク基板に対する部品の固定は接着剤を
用いたが。金属等を用いて溶接してもよい。また融着し
てもよい。
tた、本例ではステージがフォトマスク基板を直接支持
する構造としたが、カセットを介する構成としてもよい
。ただし、この場合は当然フォトマスク基板をカセット
に支持する部分は本発明の構造とする。
また、ステージの加速度が重力によるフォトマスク基板
の支持力を上回り、フォトマスク基板がずれてしまう場
合は、球の真上の部分をフォトマスク基板に上部から必
要充分な圧力でステージ側に押し付ける機構を有するも
のとすればよい。
また、本例ではフォトマスク基板の高さ及び傾斜角度は
固定であるが、必要であればビット、■清、及び平坦な
部分の高さを圧電駆動素子等で調整できる構造とするこ
とも考えられる。
さらに、本例ではフォトマスク基板の下部に球を取り付
ける構造としたが、反対に上部に取り付け、フォトマス
ク基板の下部から押し上げて支持する構造としてもよい
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、この発明は、球体など
を溝およびビットに係合させてフォトマスク基板を支持
するため、フォトマスク基板にかかる重力による力程度
の小さい固定圧力でもステージ移動時の加速度が充分小
さい場合はフォトマスク基板のずれがない支持が可能と
なる。そのため、フォトマスク基板の歪みが少なく、露
光装置においては描画位置精度が、また座標測定器にお
いては座標測定精度が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の平面図、第2図〜第5図
はそれぞれ第1図の■−■線、I[[−I線、IV−I
V線およびV−■線に沿う平面による断面図、第6図〜
第11図はそれぞれ他の実施例の要部断面図、第12図
は従来のフォトマスクの基板支持装置の平面図、第13
図は第12図のxm−xm線に沿う平面による断面図、
第14図は従来の他のフォトマスク基板支持装置の平面
図、第15図は第14図のxv−xv線に沿う平面によ
る断面図である。 (1)・・フォトマスク基板、(2)・・ステージ、(
3a)〜(3c)・・球体(第1、第2、第3の支持点
)、(5)・・ビット、(6)・・■溝、(7)・・平
坦面。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  フォトマスク基板を平板状のステージに略平行に支持
    するフォトマスク基板支持装置において、断面円弧状の
    突起体と凹部との係合でなり、前記フォトマスク基板と
    前記ステージ間の仮想三角形の2つの頂点にそれぞれ配
    置された、前記フォトマスク基板の回転軸の中心となる
    第1の支持点と、前記フォトマスク基板の回転角度を決
    定する第2の支持点と、 断面円弧状の突起体と平坦面との係合でなり、前記仮想
    三角形の他の1つの頂点に配置され、前記フォトマスク
    基板の傾斜を規制する第3の支持点と、 を備えてなることを特徴とするフォトマスク基板支持装
    置。
JP2105466A 1990-04-23 1990-04-23 フォトマスク基板支持装置 Pending JPH045659A (ja)

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JP2105466A JPH045659A (ja) 1990-04-23 1990-04-23 フォトマスク基板支持装置

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JPH045659A true JPH045659A (ja) 1992-01-09

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ID=14408358

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JP (1) JPH045659A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4761581A (en) * 1986-05-09 1988-08-02 Hitachi, Ltd. Magnetic wedge
JP2007220987A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Ushio Inc 平面板の保持体
US7686458B2 (en) 2004-08-18 2010-03-30 Mitsubishi Electric Corporation Supporting mechanism of reflector and projection apparatus
US7867403B2 (en) * 2006-06-05 2011-01-11 Jason Plumhoff Temperature control method for photolithographic substrate
JP2013215880A (ja) * 2012-04-05 2013-10-24 Boeing Co:The 較正基準のためのマウント

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62272260A (ja) * 1986-05-20 1987-11-26 Oak Seisakusho:Kk 露光焼付枠装置

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