JPH0456949A - ハロゲン化銀写真感光材料 - Google Patents

ハロゲン化銀写真感光材料

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JPH0456949A
JPH0456949A JP2167972A JP16797290A JPH0456949A JP H0456949 A JPH0456949 A JP H0456949A JP 2167972 A JP2167972 A JP 2167972A JP 16797290 A JP16797290 A JP 16797290A JP H0456949 A JPH0456949 A JP H0456949A
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JP
Japan
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silver halide
compound
heterocyclic
groups
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JP2167972A
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Yasushi Usagawa
泰 宇佐川
Takeshi Sanpei
武司 三瓶
Akira Onodera
明 小野寺
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00Photosensitive materials
    • G03C1/005Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
    • G03C1/06Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein with non-macromolecular additives
    • G03C1/061Hydrazine compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00Photosensitive materials
    • G03C1/005Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
    • G03C1/06Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein with non-macromolecular additives
    • G03C1/08Sensitivity-increasing substances
    • G03C1/10Organic substances
    • G03C2001/108Nucleation accelerating compound

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、支持体上にハロゲン化銀感光層を有する写真
感光材料に関し、更に詳しくは高コントラストが得られ
るハロゲン化銀写真感光材料に関する。
〔発明の背景〕
写真製版工程では連続調の原稿を網点画像に変換する工
程が含まれる。この工程には、超硬調の画像再現をなし
得る写真技術として伝染現像による技術が用いられてき
た。
伝染現像に用いられるリス型ハロゲン化銀写真感光材料
は、例えは平均粒子径か0.2μmで粒子分布か狭く粒
子の形も揃っていて、かつ塩化銀の含有率の高い(少な
くとも50モル%以上)塩臭化銀乳剤よりなる。このリ
ス型ハロゲン化銀写真感光材料を亜硫酸イオン濃度か低
いアルカリ性ハイドロキノン現像液で処理することによ
り高いコントラスト、高鮮鋭度、高解像力の画像が得ら
れる。
しかしながら、これらのリス型現像液は空気酸化を受け
やすいことがら保恒性が極めて悪いため、連続使用の際
においても、現像品質を一定に保つことは難しい。
上記のリス型現像液を使わずに迅速に、かつ高コントラ
ストの画像を得る方法が知られている。
例えば米国特許2,419,975号、特開昭51−1
6623号及び特開昭51−20921号、特開昭56
−106244号等に見られるように、ハロゲン化銀感
光材料中にヒドラジン誘導体を含有せしめるものである
これらの方法によれば、現像液中に亜硫酸イオン濃度を
高く保つことができ、保恒性を高めた状態で処理するこ
とができる。
しかしながら、これらの方法では、ヒドラジン誘導体の
硬調性を充分発揮させるためにpH11以上のpHを有
する現像液で処理しなければならなかった。pH11以
上の高いpHを有する現像液は、空気にふれると現像主
薬が酸化しやすいリス現像液よりは安定であるが、現像
主薬の酸化によって、しばしば超硬調な画像が得られな
いことがある。
この欠点を補うために特開昭63〜29751号及びヨ
ーロッパ特許333.435号、同345025号には
、比較的低paの現像液でも硬調化する硬調化剤を含む
ハロゲン化銀写真感光材料が開示されている。
しかし、これらのような硬調化剤を含むハロゲン化銀写
真感光材料をpH11未満の現像液で処理した場合、硬
調化が不充分であり、満足な網点性能が得られないのが
現状である。
一方、ヨーロッパ特許364.166号及び特開昭62
=222241号、同60−140340号、同62−
250439号、同62−280733号等には硬調化
を促進する為の造核促進剤が記載されており、確かにこ
れらの化合物を乳剤層に添加することにより、網点性能
は良くなるが、網点中に砂状、ビン状のカブリいわゆる
黒ピンが発生して網点画像の品質を損なうという問題点
を生ずることがわかった。
従って、上記のような諸問題を解決した、有効な硬調化
剤及び造核促進剤を用いた感光材料が望まれている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、pH11未満の現像液で処理しても硬
調な写真特性を有すると共に、網点画像中に発生するカ
ブリを抑制して良好な網点性能を有するハロゲン化銀写
真感光材料を提供することにある。
〔発明の構成〕
本発明の上記目的は、下記構成のハロゲン化銀写真感光
材料により達成された。
即ち、少なくとも1層のハロゲン化銀乳剤層を有するハ
ロゲン化銀写真感光材料において、下記一般式〔A〕及
びCB)で表されるヒドラジン化合物を少なくとも1種
含有し、かつアミン化合物、ヒドラジン化合物、四級オ
ニウム塩化合物から選ばれる少なくとも1種の造核促進
化合物を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感
光材料によって上記目的は達成された。
一般式〔A〕 一般式〔B〕 Ar−NHNH−CC−OR3 式中、Arはアリール基又は硫黄原子又はは酸素原子を
少なくとも一つ含む複素環基を表し、nは1又は2の整
数を表す。n−1の時、R1及びR2は各々、水素原子
、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール
基、複素環基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルケ
ニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基
又は複素環オキシ基を表し、R1とR2は窒素原子と共
に環を形成してもよい。n=2の時、R2及びR2は各
々、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、アリール基、飽和もしくは不飽和複素環基、ヒドロ
キシル基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキ
ニルオキシ基、アリールオキシ基又は複素環オキシ基を
表す。
ただし、n=2の時、R1及びR2のうち少なくトモ一
方はアルケニル基、アルキニル基、飽和複素環基、ヒド
ロキシル基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アル
キニルオキシ基、アリールオキシ基又は複素環オキシ基
を表すものとする。
R1はアルキニル基又は飽和複素環基を表す。
一般式CA)又はCB)で表される化合物には、式中の
−NHNH−の少なくともいずれかのHが置換基で置換
されたものを含む。
一般式〔A〕及びCB)で表される化合物を更に詳しく
説明すると、Arはアリール基(例えばフェニル、ナフ
チル等)又は硫黄原子もしくは酸素原子を少なくとも一
つ含む複素環基(例えばチオフェン、フラン、ベンゾチ
オフェン、ピラン等)を表す。
R8及びR2は各々、水素原子、アルキル基(例えばメ
チル、エチル、メトキシエチル、シアノエチル、ヒドロ
キンエチル、ベンジル、トリフルオロエチル等)、アル
ケニル基(例えばアリル、ブテニル、ペンテニル、ペン
タジェニル等)、アルキニル基(例えばプロパルギル、
ブチニル、ペンチニル等)、アリール基(例えばフェニ
ル、ナフチル、シアノフェニル、メトキシフェニル等)
、複素環基(例えばピリジン、チオフェン、7ランの様
な不飽和複素環基及びテトラヒドロ7ラン、スルホラン
の様な飽和複素環基)、ヒドロキシル基、アルコキシ基
(例えばメトキシ、エトキシ、ベンジルオキシ、シアノ
メトキシ等)、アルケニルオキシ基(例えばアリルオキ
シ、ブテニルオキシ等)、アルキニルオキシ基(例えば
グロパルギルオキシ、ブチニルオキシ等)、アリールオ
キシ基(例えばフェノキシ、ナフチルオキシ等)又は複
素環オキシ基(例えばピリジルオキシ、ピリミジルオキ
シ等)を表し、n−1の時、R1とR1は窒素原子と共
に環(例えばピペリジン、ピペラジン、モルホリン等)
を形成してもよい。
ただしn=2の時、R1及びR2のうち少なくとも一方
はアルケニル基、アルキニル基、飽和複素環基、ヒドロ
キシル基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキ
ニルオキシ基、アリールオキシ基、又は複素環オキシ基
を表すものとする。
R3で表されるアルキニル基及び飽和複素環基の具体例
としては、上述したようなものが挙げられる。
Arで表されるアリール基又は硫黄原子もしくは酸素原
子を少なくとも一つ有する複素環基には、種々の置換基
が導入できる。導入できる置換基としては、例えばハロ
ゲン原子ならびにアルキル、アリール、アルコキシ、ア
リールオキシ、アシルオキシ、アルキルチオ、アリール
チオ、スルホニル、アルコキシカルボニル、アリールオ
キシカルボニル、カルバモイル、スルファモイル、アシ
ル、アミノ、アルキルアミノ、アルキリデンアミノ、ア
リールアミノ、アシルアミノ、スルホンアミド、アリー
ルアミノチオカルボニルアミノ、ヒドロキシル、カルボ
キシル、スルホ、ニトロ、シアノなどの基が挙げられる
これらの置換基のうち、スルホンアミド、アルキルアミ
ノ、アルキリデンアミノ等の基が好ましい。
又、Arは耐拡散基又はハロゲン化銀吸着促進基を少な
くとも一つ含むことが好ましい。
耐拡散基としては、カプラー等の不動性写真用添加剤に
おいて常用されているバラスト基が好ましい。
パラスト基は8以上の炭素数を有する写真性に対して比
較的不活性な基であり、例えばアルキル基、アルコキシ
基、フェニル基、アルキルフェニル基、フェノキシ基、
アルキルフェノキシ基などの中から選ぶことかで・きる
ハロゲン化銀吸着促進基としては、チオ尿素基、チオウ
レタン基、複素環チオアミド基、メルカプト複素環基、
トリアゾール基などの米国特許4,385.108号に
記載された基が挙げられる。
一般式〔A〕及びCB)中の−NHNH−のR1即ちヒ
ドラジンの水素原子は、スルホニル基(例えばメタンス
ルホニル、トルエンスルホニル等)、アシル基(例えば
、アセチル、トリフルオロアセチル、エトキシカルボニ
ル等)、オキザリル基(例えばエトキザリル、ピルボイ
ル等)等の置換基で置換されていてもよく、一般式〔A
)及び〔B〕で表される化合物はこのようなものを含む
本発明においてより好ましい化合物は、一般式CA )
のn=2の場合の化合物及び一般式〔B〕の化合物であ
る。
一般式〔A〕のn=2の化合物において、R1及びR2
が水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基
、アリール基、飽和もしくは不飽和複素環基、ヒドロキ
シル基又はアルコキシ基であり、かつR1及びR2のう
ち少なくとも一方はアルケニル基、アルキニル基、飽和
複素環基、ヒドロキシル基又はアルコキシ基を表す化合
物が更に好ましい。
上記一般式CA、 )及び〔B〕で表される化合物の代
表的具体例を以下に示すが、本発明はこれらネーNHN
HCOCON(CH2CミC)I)2(lO) CH。
* −NHNHCOCONHCH2CH= CH2υ2 2H5 しrI3 しI′+3 C,H。
しf11 しiコ しf13 し1′13 CH。
し1′13 しI′Is しfl。
CH,CH,S)! CB 、CH2CH2SH CH,C1(25H しl mN31 し113 し1′13 しiコ しf13 しn3 響 CH3CO,5)I CH2CH、SH 次に本発明に係る化合物の合成法の例について述べる。
例えば化合物 は次の合成法に従って合成 できる°。
あるいは次の方法でも合成できる。
これらの合成法は、 例えば特開昭55−52050号、 米国特許4,686.167号等に記載の合成法も参考
にできる。
化合物(3) は次の合成法に従って合成できる。
あるいは次の方法でも合成できる。
本NHN)ICOCONI(C)12cH=CH。
化合物(5) は次の合成法に従って合成できる。
化合物(35)は次の合成法に従って合成できる。
又、化合物(1)、(5)の別の合成法及び化合物(5
7)の合成法の、それぞれの例を以下に記す。
化合物(49)は次の合成法に従って合成できる。
化合物(1) p−ニトロフェニルヒドラジン15g及びアセトニトリ
ル150mffの懸濁液に氷水冷下、エトキシオキザリ
ルクロライド19g、次いでトリエチルアミン14gを
滴下する。滴下終了後、室温で1時間撹拌する。次いで
不溶物を濾過除去後、濾液を濃縮して残渣をクロロホル
ム400m(2に溶解する。希アルカリ水で洗浄後、分
液し、クロロホルム層を濃縮して組成物29.7gを得
た。これをインプロパツール120m12中撹拌洗浄に
て精製し、化合物(I)16−9 gを得た。酢酸16
0m4中に化合物(I)16.g及びpd/C触媒5g
を加え、水素気流下、常圧常温にて撹拌し、反応終了後
、触媒残渣を除去し濾液を濃縮して組成物を得た。これ
をカラムクロマトグラフィーによって精製し化合物(I
I)5.6gを得た。
化合物(II)8.1g及びアセトニトリル80m12
の懸濁液に還流加熱下、エチルイソチオシアナート9.
5gを滴下する。更に2時間加熱還流後、濃縮して組成
物11gを得た。これをアセトニトリルによる再結晶に
よって精製し、化合物(III)4.5gを得た。
アリルアミン40■aに化合物(I[[)5.0gを溶
解し、2時間加熱還流する。終了後濃縮して組成物4.
9gを得た。これをクロロホルム25tQ中撹拌洗浄に
て精製し、化合物(1) 4.3gを得た。
融点206.9℃。
FAB−MSでM”+1−322を検出した。
化合物(5) 米国特許4,686,167号記載の方法に従って化合
物(1)を合成した。化合物(I ) 31.1gとエ
タノール300o12とアリルアミン10.6 gを加
熱し還流温度で一晩反応した。反応液を濃縮し、残音に
ベンゼンを600m12加え、5℃に冷却して析出結晶
を濾取し、化合物(I[)30gを得た。
化合物(n)30gをTHF (テトラヒドロフラン)
540a+Qに溶解し、濃塩酸150m12を添加する
。次いで塩化第一錫150.8gのTHF 540+n
Q溶液を室温で添加し40〜50℃にて一晩反応した。
反応後、析出結晶を濾取し、メタノールIQに懸濁させ
撹拌下アンモニア水にてpH7,5〜8とし1時間撹拌
した。
その後メタノールを半分濃縮し、0℃に冷却後結晶を濾
取し、化合物(DI) 19.8gを得た。
化合物(II)15gをピリジン600+nQに溶解し
た後、外部より冷却しながらクロル蟻酸フェニル11g
を内5115℃以下で滴下した。滴下後、室温にて一晩
反応した。反応後、ピリジンを濃縮し、残音をアセトン
200mffで撹拌洗浄し濾取し、化合物(■)17g
を得た。
化合物(rV ) 16.2gをピリジン160+nQ
に溶解し、化合物(V ) 16.8gのピリジン16
0m12溶液を加え加熱し還流温度で3時間反応した。
反応後、ピリジンを留去し、残音にn−ヘキサン300
m<2を加え撹拌洗浄し、結晶を濾取した。この粗結晶
をDMF(ジメチルホルムアミド) 60mQに加熱溶
解しアセトン180n12を加え、0℃に冷却して析出
した結晶を取り出し、化合物(5) 13.8gを得た
融点198.5〜199.5°C0 FAB−MSでM ” −565を検出した。
(I)         (It) (III) 化合物(I ) 27gとエタノール25oII+2ト
化合物(II)25gを加熱し還流温度で一晩反応した
。反応後、反応液を0℃に冷却し析出結晶を濾取しエタ
ノールで洗浄した。得られた粗結晶31gをメタノール
3Qより再結晶し、化合物(m) 20.8gを得た。
化合物(DI)19gをTHF 400mQに懸濁し、
濃塩酸115mQを添加した。次いで塩化第一錫69.
4gのTHF 300m12溶液を室温で添加し40〜
50℃で一晩反応した。反応後、析出結晶を濾取し、メ
タノール420mQに溶解後、THF 1680mQを
加え懸濁させ撹拌下アンモニア水にてpH8,5とし1
5分間撹拌した。
その後析出結晶を濾取し、化合物(IV ) 11.5
gを得た。
化合物(■)10gをピリジンlf2に溶解した後、外
部より冷却しながらクロル蟻酸フェニル5.2gを内温
15°C以下で滴下した。滴下後室温にて一晩反応した
反応後ピリジンを700〜800+n12に濃縮し、残
音にアセトン400mQを加え撹拌し析出結晶を濾取し
た。
この粗結晶をアセトン200mQに懸濁し還流させ、次
いでDMF 260+n+2を滴下し溶解させ不溶分を
除き0℃に冷却した。析出結晶を濾取し化合物(V)8
.5gを得た。
化合物(V’)10gをピリジン200m12に懸濁し
、化合物(Vl)8.1gのピリジンloomQ溶液を
加え還流温度で3時間反応した。反応後、反応液にアセ
トン2Qを加え結晶化させ濾取した。この粗結晶をアセ
トン85m+2に懸濁し還流させメタノール85mQを
滴下溶解後、直ちに0°Cに冷却し、析出した結晶を濾
取し、化合物(57) 6gを得た。
融点230〜231°C0 FAB−MSにてM”+ 1 =665を検出した。
化合物(I)10gのピッ9フ50 トロベンゼンスルホニルクロライド6.6gを外部より
氷水浴冷却しながら添加した。室温で10時間反応させ
た後、溶媒を溜去し水を加え固体を濾取した。これをカ
ラムクロマト(クロロホルム/メタノール= 3/2)
にて精製を行い、化合物(]I)を5、9g得た。
化合物( IF ) 5.5g 、 wet5%Pd/
C 1.Og 、メタノール150m12の混合液を常
圧で水添還元を行った。
反応後、Pd/Cを濾別し、溶媒を溜去して化合物(I
[[)を得た。これをピリジン50+n12に溶かし、
外部より氷水浴冷却しながら化合物(IV)4.0gの
ピリジン10m12溶液を滴下した。室温で5時間撹拌
後、溶媒を溜去して水を加え固体を濾取した。こカラム
クロマト(メチレンクロライド/メタノール− !Ml
)で精製した後、酢酸エチル−n−ヘキサンで再結晶を
行い化合物(61)1.Ogを得た。融点165〜17
2℃。化合物の構造MS及びNMRにて確認した。
化合物(62)は次の方法で合成できる。
化合物( 133)は次の方法で合成できる。
化合物(116)は次の方法で合成できる。
化合物(133) 化合物(140)は次の方法で合成できる。
化合物(149)は次の方法で合成できる。
化合物(140) 化合物(71)は次の方法で合成できる。
化合物(71) 本発明において一般式〔A〕及び〔B〕で表される化合
物と併用される造核促進化合物のアミン化合物、ヒドラ
ジン化合物、四級オニウム塩化合物としては、下記の一
般式(1)〜(VI)の化合物が挙げられる。
この中で好ましい化合物としては、(V〕−a。
[V)  b、 I:V)−c、 l:VI)−a、 
(VI)−b、 C■)Cの化合物が挙げられる。
一般式〔■〕 R、、R2,R3は水素原子又は置換基表す。RlR2
,R、は互いに連結して環を形成してもよい。
R、、R2,R3が表す置換基としては、例えばアルキ
ル基(例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキ
シル、シクロヘキシル等の基)、アルケニル基(例スば
アリル、ブテニル等の基)、アルキニル基(例えばプロ
パルギル、ブチニル等の基)、アリール基(例えばフェ
ニル、ナフチル等の基)、ヘテロ環基(例えばピペリジ
ニル、ピペラジニル、モルホリニル、ピリジル、フリル
、チエニル、テトラヒドロフリル、テトラヒドロチエニ
ル、スルホラニル等の基)が挙げられる。
Rl、R2,Rsが互いに連結して形成してもよい環と
しては、例えばピペリジン、モルホリン、ピペラジン、
キヌクリジン、ピリジン等の環が挙げられる。
R、、R2,R、で表される基には更に置換基(例えば
ヒドロキシル、アルコキシ、アリールオキシ、カルボキ
シル 基)が置換していてもよい。R 、、R 、、R 、と
しては水素原子及びアルキル基が好ましい。
以下に代表的具体例を示す。
1−I        I−2 (CzHs)zNCHzCHzCIhO)I   CH
xN)ICHzCH20H(CJs)zNcHxcHz
OH       (CJs)zNcH2cHcHtO
HH (+−C3H7)2NH ■ −10 C4HsN(CJCHzO)I)z ■ −12 (CJJzNC)lzc)bOH (C4Hs)JCHzCHCHzOH H 一般式CIり (Ph  C[(z)JCH2Cf(20H(C+aH
si)zNcHzcH20)1(CaH+ t)xNc
H*c1hOHQはN又はP原子を表し、R,、R2,
R,、R。
は各々、水素原子又は置換可能な基を表す。Xoはアニ
オンを表す。R,、R,、R,、R4は互いに連結して
環を形成してもよい。
R,、R,、R,、R,で表される置換可能な基として
は、例えばアルキル、アルケニル、アルキニル、アリー
ル、ヘテO環、アミノ等の多基が挙げられ、具体的には
一般式CI)のR,、R,、R3゜で説明したものが挙
げられる。
R1+ R2,R3,R4が形成し得る環としては、一
般式〔I〕のR,、R,、R,で形成し得る環として説
明したものと同様のものが挙げられる。
xoが表すアニオンとしては、ハロゲン化物イオン、硫
酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、パラトルエンスル
ホン酸イオン等の無機及び有機のアニオンが挙げられる
以下に代表的具体例を示す。
トlト2 Ph CHzN(CHa)s CQeClmHssNC
CHs)x(C4HI)4N (CHa)sNcHzcHzOH Ph  CHzN(CHa)z l4H29 CHzCOOCHa (CJs)iNcH2GHzN(C*H*)sS04′
e (CJJzN(CHz)sN(CJs)sCffe ごH2CJOOC(CH2)4COOCHzCH2n−
17 ■ −18 1[−19 F−27 ■ −20 2C(2θ Bre ■ −28 (CaH*)sP@CI@H33 r0 しi3 しR3 一般式CI[l) R、、R、はアルキル基を表し、R1とR2は連結して
環を形成してもよい。R3はアルキル基、アリール基、
ヘテロ環基を表し、Aはアルキレン基を表す。
Yは−CONR,−、−0CONR4−,−NR,C0
NR,−、−NR,Coo−。
−Coo−、−0CO−、−CO−、−0COO−、−
NR,CO−、−5O2NR,−。
NR45O* 、  NR15OJRa 、−so、−
、−S−、−0−、−NR,−。
−N−基を表し、R4は水素原子又はアルキル基を表す
R、、R、で表されるアルキル基としては、一般式CI
)で説明したR l+Rx、Rsのアルキル基と同様の
ものが挙げられ、R1とR2で形成し得る環も同様のも
のが挙げられる。
R1で表されるアルキル基、アリール基、ヘテロ環基も
一般式(1)のRIR2,Rsの表すアルキル基、アリ
ール基、ヘテロ環基と同様のものが挙げられる。
Aで表されるアルキレン基としては、例えばメチレン、
エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等が挙げられ
、Aの置換基としてはアリール基、アルコキシ基、ヒド
ロキシル基、ハロゲン原子などを挙げることができる。
R4で表されるアルキル基は、炭素数l〜5の低級アル
キル基又はアラルキル基(例えばベンジル基など)が好
ましい。
以下に代表的具体例を示す。
I[[−2 (C2)1s)xN(CHz’hNFICONHC+ 
2Hzs1l−5 (CJs)zN(CHz)zOcONHcaH+ tC
CzHs)zNCCHz)xNHCOCIsHzrm−
3 (CH3)2N(CH2)2CONHC,、R2゜l−
20 (C−1(s)zN(CH,)*NH30□N(CH。
ph)2 (Ph  CH2)zN(CHz)2NHsO2N(C
H3)2■ (Ph  Ct(z)2N(CHz)30c*Hs■ 
−19 一般式CIV) R+、Rxは水素原子、アルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を表し、Rl+R
2+Eで環を形成してもよい。
Eは11(zcH,6i で表される基を少なくとも一
つ含む基であり、nは2以上の整数を表す。
R+ 、 R!で表されるアルキル基、アルケニル基、
アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基及びR,。
R2,Eで形成し得る環としては、一般式〔■〕のRl
+Rx、Rsで説明したものと同様のものが挙げられる
以下に代表的具体例を示す。
V−1 (i −C3)17)2N(CH2CH20)〜、HV
−2 (CsHr)tN(CH,CIhO)zH■ ■ − (C4HI)2N(CH2CH20)3H■ − (C2Hs)2N(CH2CHzO)〜1acTocH
zN(CJs)2V−7 (i  CJt)2N(CH2CH20)scHzcH
zN(CJ7−〇zV−10 ■−11 (CJs)zN(CH2CH20)〜3zcHzcHz
N(CJs)2(CsHy)zN(CH2CH2O)〜
5CH2CH2N(C3H7)2■ CI、 −C1(CH2NH(CH,CH20)〜、、
CH2CH2NHCH2C)l=cH2■ C)I=CCH2NH(CH2CH20)〜、 、CH
xCHJHCFI2CミCH■−28 (CJs)2N(CHzC)IzO)J■−29 (CaH+y)2N(CH2CH20)zHV−30 (C+Jzi)zN(CH2CH20)JV−31 (Ph  C)(z)2N(CHzCHzO)J■−3
2 (C4Hs)iN(CH2CHzO)zcHzcHxN
(CJs)iIV−33− (CaH+ y)2N(CH2CHzO)tcHzcH
tN(CsH+ J*■−34 (FloC)1.CH2)、N(CH,CH2O)2C
H,CH,N(CH,CO20H)!(C3H,)、N
(CH2Cl(20)〜、 、CH,CH2N(C3H
r)2IV −15 (CJr)zN(CH2CHzO)〜32CH2CH2
N(CJy)zN−16 (CJJzN(CHzCHzO)〜5cn2cuzN(
c4ns)2■−18 (C,HI)2N(CH2CH2O)〜++CHzCH
zN(CJe)zN−21 C8H□、NH(CH,C)120)〜+ 4CHzC
HzNHCJx t■−22 C,H,、NH(CH,CH20)〜+ 4 CH2C
Hx NHCt H1*■−23 (HOCHzCHz)zN(CH,CHzO)〜+ *
CHzCHzN(CH2CH20H)zN−35 (CHz−CHzCHz)zN(CHzCHzO)2H
■−36 (CH2寓CHC)1.)2N(CH,CH,○)zc
HxcH2N(CHzCH−CHz)zN−37 C@H+sCJ+3 ■−38 CH,−Ph CH,−Ph 一般式(V) −a V−a−1 (CH3)2N(CH2)3NHCONH(CH2)8
CH−CHCsHl 7−a−2 Rl+Rz、Rsはアルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、アリール基、ヘテロ環基を示す。
但し、Rl、R2,Rsのうち少なくとも一つはアルケ
ニル基又はアルキニル基を表すか、又はR1+R2のう
ち少なくとも一つはアリール基又はヘテロ環基を表すも
のとする。R、、R、、L 、R、で環を形成してもよ
い。Lは連結基を表す。
Rl+R!、R1が表すアルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、アリール基、ヘテロ環基としては、一般式
(1)のR+、Rz、Rsで挙げた基と同様のものが挙
げられる。
R、、R、、L 、RSで形成し得る環としては、例え
ばピペリジン、モルホリン、ピロリジン等のへテロ環が
挙げられる。
Lで表される連結基としては、例えば一般式(I[[)
で挙げた一A−Y−が挙げられる。
以下に代表的具体例を示す。
−a −a−5 −a−6 −a−7 −a−8 (CzH5)2N(CH2)、NHco(CH2)7C
)I=CHCsH+ y(CJs)zN(CH2)20
CONH(CH2)acH=cHcsH+ 7(C2H
s)zN(CH2)sNHcOO(CH2)scH=c
HcaH+ y−a−9 −a−17 −a (CzHs)zN(CHz)xOcOc=cc6H+ 
s■ (CzHs)zN(CHz)zNHcOOcH2C=c
cyH,s−a−12 (Ph  CHz)zN(CHz)zOCONHCH2
C=CH−a−13 (Ph  CHz)zN(CHz)JHCON(CH2
CH=CH2)z−a−14 (Ph  CHz)zN(CHz)3NHCOC=CC
sHts−a−15 (Ph  CHz)zN(CHz)2NHcOOcH2
cH−CHz(CH2=CHCHz)tN(CH2)z
NH5chN(CHz  Ph)z−a−22 (Cans)tN(CHz)sNH5O*N(CH2C
H−CH2)t−a−23 (Ph−CH,)2N(CH,)!NH30,N(CH
2CH=CH,)!V−a−24 V−a−25 一般式〔v) −b は水素原子又は置換可能な基を表す。
Lは連結基を表し、nはO又はlの整数を表す。
R、、R、、R、、L 、R、で連結して環を形成して
もよい。
R、、R、、R、で表されるアルキル基、アルケニル基
、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基としては、一
般式CI)のR、、R、、R、で説明したのと同様の基
が挙げられる。
R8で表される基のうち置換可能な基としては、例えば
アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロ
環等の多基であり、上述したと同様の基が挙げられる。
 Lは連結基を表すが、例えば−Co −−Coo−、
−CONR@ +、 −so!−、−5o、NR6−等
の基を表す。R1は水素原子又は置換可能な基を表す。
Rr 、 Rz 、 Rs 、L 、 R4で形成し得
る環としては、例えばピペリジン、モルホリン等のへテ
ロ環が挙げられる。
R、、R、、R、はアルキル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、アリール基、ヘテロ環基を表し、R3−b−8 (CHs)*NNHSOzC+sH3゜−b−4 −b −b−a (CHi)*NNHSO*(CHx  Ph)z−b−
12 (CH2−COCH2)2NNH5Oict□H□−b
−13 しH,−Ftl v−b−t4 V−b−15 −b−16 (Ph−CH,)、NNHSO□CaHI?−b−17 CH,−Ph −b−18 −b −b −b−28 −b−29 ■ ■ 一般式〔v〕 R・→、−\(1)。−8゜ R1は水素原子又は置換基を表し、R2はアルキル、ア
ルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロ環基の6基を
表す。Lは連結基を表す。
吠5jは含窒素へテロ環を表す。nはO又はIの整数を
表す。R1は 杓 jと共に環を形成してもよい。
R2で表されるアルキル、アルケニル、アルキニル、ア
リール、ヘテロ環の6基としては、般式(I)のR、、
R、、R、で説明したものと同様の基が挙げられる。R
1で表される基のうち置換基としては、例えば上記R2
で説明したものと同様の基が挙げられる。
成し得るヘテロ環としては、例えばキヌクリジン、ピペ
リジン、ピラゾリジン等のへテロ環が挙げられる。
して表される連結基としては、 例えば一般式 [[) のYで表されるものと同様のものが挙げられる。
以下に代表的具体例を示す。
■ ■ ■ −c−4 −c ■ 彊 C1(2CH=CH2 C)13 ■ Js −c V −c −29 V−c−25 −c−30 V−c −26 −c−31 −c−27 −c−28 −C−32 −c−33 −c−34 一般式(VI) −a R1,Rzはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基
、アリール基、ヘテロ環基を表し、R3は水素原子又は
置換基を表す。
される基を少なくとも一つ含む基である。Rは水素原子
又はアルキル基を表し、Xは0.S又はNH基を表し、
Yは水素原子又はOH基を表し、nは2以上の整数を表
す。R、、R2,R1,R、で連結して環を形成しても
よい。
R□+ R2で表されるアルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、アリール基、ヘテロ環基としては、一般式
(I)のR、、R、、R、の同様の基で説明したものと
同じものが挙げられる。
R1で表される基のうち置換基としては、例えばアルキ
ル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテ
ロ環基、アシル基、スルホニル基、オキシカルボニル基
、カルバモイル基等が挙げられる。R5で表される置換
基のうち、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
アリール基、ヘテロ環基としては、一般式CI)のRI
RIRsで説明したのと同様の基が挙げられる。
アシル基としては、アセチル、ベンゾイル等が挙げられ
、スルホニル基としては、メタンスルホニル、トルエン
スルホニル等が挙げられ、オキシカルボニル基としては
、エトキシカルボニル、フェノキシカルボニル等が挙げ
られ、カルバモイル基としては、メチルカルバモイル、
フェニルカルバモイル等が挙げられる。
RIR、、Rs、Raで形成し得る環としては、ピペリ
ジン、モルホリン等の環が挙げられる。
Rで表される基のうちアルキル基はメチル、エチル等で
あり、メチル基が好ましい。
以下に代表的具体例を示す。
1−a−1 ’II−a (C21(S)2N C2H5CzHs N(CH2CH20)〜xzCH2CHzNN(C2H
s)z(Ph CHz)zNNH(CH:CHzO)−
r−CH2CHzNHN(CH=  Ph)z(CH,
)、NNH(CH,CH,O)〜。HVl−a−2 CH,−Ph COCHs         C0CHs(+  C5
Hr)xN  NCCHxCHxO)−racH2cH
2N  N(C3H7(CH3)2N  N(CH2C
H2O)JI−a−3 1−a−4 (CH3)2NNH(CH,CH20)〜14cH2c
H2NHN(CH3)2CH,CH。
(CH2−CHCHz)2NN(CH2CH20)−x
acHzcHzN N(CH2C)I−CHz)t(C
Jy)zNNH(CH2CH2O)〜、CH2h ■ CH,CFI。
(CH,)zNNl((CHzCHO)−acHzcH
NHN(CHi)zCH,−Ph (CFl、)2N−N(CH,CHCH!O)〜6HH Vl−a CHg −Ph ― (Ph  CHz)zN  N(CH2CH20)−t
+cHz  PhCH。
(CH3)2NNH(CH2CH2)−1z(CH2C
H2H20)−sHH (Ph−CH2)2NNIl(CH2CH2H20)−
1、HH Vl−a−15 Vl−a−23 (Ph CH2)xNNH(CH2CH2O)zcH2
cH2NHN(CHz  Ph)zVl−a−17 (Ph−CHり3NNH(CH,CH,O)〜、。HV
l−a−18 CH。
(CH3)2NNH(CHICIO)〜1゜H(CH3
)!N−N((CH2CH2O)−toH)x(CJs
)J  NR(CHzCHzNH)−+oHVl−a−
26 (Ph  CHJzNN)l(CHzCHgNH)〜1
4H(Ph−CH2)2N−N(CI(2CH20)−
1、CH2CI(2N−N(C1(2ph)2 VT−a−27 Vl−a−35 (Ph  CHz)zN  N((CH2CH2SH)
〜、H)20CH3 Vl−a−28 (Ph  CH2)2N N(C)I2CH,O)〜、、C)I、 −Ph(CH
z)zNNH(CH2CH2S)scToc[(2N)
IN(CHz)z■ Vl−a−29 OCH3 α℃H3 (Ph−CH2)2N−N(CH2CH2S)−@CH
2CH2N−N(CHxPh)2 Vl−a−30 CzHs CB。
(Ph−CI(、)、N−N(C)12C)IC)12
0)−10(CH2C)10)−、、)1H ■ Vl−a−31 (CHx)zNNH(CHzCt(zcHzo)−sH
cox −ph C12−Ph H(ocH,cHx)〜工、N NCCH,CH,O)〜14H H ■ (C4Hs )zNNH(CHzC)I zcHzo)
−* ocH2cHzcH2N)IN(C4H* )2
(CHI)2N  N(CH2CH20)−szcH2
GHzN  N(CHs)z(CJs)2N  N(C
HzCl(2CHzO)−scH2cHzcH2N  
N(CJa)z又は NH基を表し、 Yは水素原子又は 0H基を表 し、 は2以上の整数を表す。
但し、 Rが水素原 (Ph  CH2)2N  N(CH2CH2CH20
)−16(CH2CH2H20)−1118子の時、 XはS又は NH基を表すものとする。
H R1,R2で表される基のうち、 アルキル基、 ア ルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ(Ph
−CH2)2N−N(CH2CH2CH20)−scH
zcHzcHzN  N(CHz  Ph)2環基とし
ては、 一般式 のR、、R、、R、で説 明したものと同様の基か挙げられる。
R、、R2,Tで形成し得る環と しては、 ピペリジ ン、モルホリン、キヌクリジン、ピラゾリジン等のヘテ
ロ環が挙げられる。
一般式 [) Rで表されるアルキル基としてはメチル、エチ ル等であり、 メチル基が好ま しい。
以下に代表的具体例を示す。
R1,R2 は水素原子、 アルキル基、 アルケニル ■ 基、 アルキニル基、 ア リール基、 ヘテロ環基を表し、 CH。
Rr、Rz、Tで環を形成してもよい。
(C,I7)2N(CH2CH2)〜6H■−b CH。
(CzHs) 2N(CHzCHO) sHされる基を
少なく とも一つ含む基である。
Rは水素原子又はアルキル基を表し、 Xは0゜ (CzHs)zN(CHzCHO)〜r 4GHzCH
N(CzHs)zv+−b ■ CH。
CH。
C,H,、NH(CH,CHO)−、、CH2CHNI
(C58,1■ CH。
CH。
v+−b (CHx = CHCHz)J(C)lzcHo)−s
cH*cHN(CHzCHCHx)x ■ CH。
ノ (C,H,、)、N(CH,Cl0)2HVT−b−1
0 CH,CH3 (Ph−CH2)2N(CH,CHO)、CH,CHN
(C)I。
Ph) 2 y+−b C,H,、NH(CH,CI(CH,O)〜128H ■ ■ ■ ■−b (C,H,)2N(CH,CHCH20)−1HH ■ (C,)l□7)、NCCH2CHCH20)〜14H
H T/I−b−21 (CHz−CHCHz)2N(CH2CHCHzO)〜
□。HH しH8 ■ ■ (Ph−C)12)2N(CH,CHCH20)〜、H
H Vl−b−29 CH。
(C,HI)2N(0日2CHO)〜1(CH2CH2
H20)〜1゜HH ■−b しI′13 CH。
CCH2−CHCH2)2N(CH2’CHCH20)
〜1゜(CH2CH2)〜、。H■ H CaH+ yNH(CHzCHO)−+ +(CHzC
HCHzO)−zoHH Vl−b−39 ■ ■ (C,H7)2N(CH2CH2S)〜ICH2CH2
N(C3H,)!■ (CH,CH2CH2H,)、N(CH2CH,5)−
1゜CH2Cl(2N(CI(、CHCHCH、)2 ■−b−41 ■−b (CJ6)2N(CH2CH2NH)〜14HCiH+
 3NH(CH2CH2S)〜IzCH2CH2NHC
sH+ s■ vt−b−50 (CH2=CHCF12)2N(CH,CI(2N)l
)−2゜H■ c、n、 7NH(CH2CH!NO)〜□、HVI−
b−51 vt−b ■ Vl−b−45 ■ ■ CHミCCH2NH(CH2CH2S)〜2゜CH2C
H2NHCH2CEECH■−b VT−b−63 Vl−b−56 C)l、−CH2H2N(CH2CH2S)〜1゜CH
xCHzNCF12CH−CH2Vl−b−64 しI′l3 Vl−b−58 (C4)11)2N(CH2CH2CHffO)〜、H
Vl−b−59 (CH2−CHCHz)2N(CHzCHxCH20)
〜1゜HVl−b−60 CJs CHjCCH,N(C)12CH2CH,O)〜14H
Vl−b−65 VI−b−66 v+−b−67 Vl−b−62 CsH+ +NH(CHzCHzCHzO)〜1□HH V[−b−68 (CJs)zN(CHzCHzCHzO)−zocH2
cHzcHzN(CJs)z一般式C■)−c 載されている。
π値が−0,5〜−1,0の置換基としては、例えばR
、、R2は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、アリール基、ヘテロ環基を表し、R,、R,
、Gで環を形成してもよい。
Gは−(ClhCHz)「で表される基を少なくとも一
つ含み、かつ疎水性置換基定数π値が−0,5〜−1,
0の置換基を少なくとも二つ含むか、又はπ値が−1,
0より小の置換基を少なくとも一つ含むものとする。n
は2以上の整数を表す。
R、、R1で表される基のうち、アルキル、アルケニル
、アルキニル、アリール、ヘテロ環の6基としては、一
般式(1)のR、、R、、R、で説明したのと同様の基
が挙げられる。
R、、R!、Gで形成し得る環としては、例えばピペリ
ジン、キヌクリジン、モルホリン等の環が挙げられる。
疎水性置換基定数Kについては、薬物の構造活性相関(
南江堂)、79〜103頁(昭和54年)に記NHCO
CH3,−<I>   等の基が挙げられ、K値が−1
,0より小の置換基としては、例えば−CONFI!。
C0NHOH,C0NHCHs、 −NH2,NHCO
NH2,−NHCONH2゜−NHCONH2、−NΦ
(CH3)!、 −0’、 −0CONH2,−5O3
e−5OJH3,−5OCH3,5o2CH3,−Co
oe等(1)1&カ挙Ifられる。
以下に代表的具体例を示す。
1−c−1 (i  Cl7)iN(CHzCIbO)scHzcO
NHz1−c−2 (i−C,H,)、N(CH2CH20)、CH,CO
ONaI−c−3 (C2H5)2N(CH2CH2O)3CONH。
1−c−4 (HOCH,CH2Clり2N(CH,CH2O)、H
Vl−c−5 (CH2CHCHz)2N(CHzCHzO)〜acH
2cONHzVl−c−6 CH2=CHCH2NHCCHxCHzO)〜6GHz
coOK■ (CH:CC1(、)2N(CH2CH20)〜、CH
2C0NHzCH,= CHC)l、N(CH2CH2
O)〜、CH2C0NHCH3■ CH。
Vl−c VT−c−23 Vl−c−24 ■ ■ 一15 Vl−c−16 ■ VI−c−18 ■ (HOCHzCHz) zN(C)lzcH20)−r
 4CI(xcHzN(CHzCIbOH)z■−c 
−32 ■−c−34 Vl−c−35 VT−c−36 Vl−c−37 本発明を適用した高コントラストな画像を得ることかで
きるハロゲン化銀写真感光材料中には、上記一般式〔A
〕及び〔B〕で表されるヒドラジン化合物が少なくとも
1種及びCI)〜CVI)で表される造核促進化合物の
少なくとも1種が含有されるが、該写真感光材料に含ま
れる一般式〔A〕。
〔B〕及び(1)〜[’VI)の化合物の量は、写真感
光材料中に含有されるハロゲン化銀1モル当たり5 X
 10−’モル−5X 10−’モルであることが好ま
しい。・特に5 X 10−’モル〜I X 10−”
モルの範囲とすることが好ましい。
本発明のハロゲン化銀写真感光材料は、少なくとも一層
のハロゲン化銀乳剤層を有する。すなわちハロゲン化銀
乳剤層は、支持体の片面に少なくとも一層設けられてい
ることもあるし、支持体の両面に少なくとも一層設けら
れていることもある。
そして、このハロゲン化銀乳剤は支持体上に直接塗設さ
れるか、あるいは他の層例えばハロゲン化銀乳剤を含ま
ない親水性コロイド層を介して塗設されることができ、
さらにハロゲン化銀乳剤層の上には、保護層としての親
水性コロイド層を塗設してもよい。又、ハロゲン化銀乳
剤層は、異なる感度、例えば高感度及び低感度の各/%
ロゲン化銀乳剤層に分けて塗設してもよい。この場合、
各ハロゲン化銀乳剤層の間に、中間層を設けてもよい。
すなわち必要に応じて親水性コロイドから成る中間層を
設けてもよい。又、ハロゲン化銀乳剤層と保護層との間
に、中間層、保護層、アンチハレーション層、バッキン
グ層などの非感光性親水性コロイド層を設けてもよい。
一般式〔A〕、CB)、 〔■)〜[VI〕で表される
化合物は本発明のハロゲン化銀写真感光材料中のハロゲ
ン化銀乳剤層または該ハロゲン化銀乳剤層に隣接する親
水性コロイド層に含有させる。
次に本発明のハロゲン化銀写真感光材料に用いるハロゲ
ン化銀について説明する。ハロゲン化銀としては、4モ
ル%以下の沃化銀、好ましくは3モル%以下の沃化銀を
含む塩沃臭化銀、もしくは沃臭化銀である。このハロゲ
ン化銀の粒子の平均径は0.05〜0.5μmの範囲の
ものが好ましく用いられるが、なかでも0,10〜04
40μmのものが好適である。
本発明で用いるハロゲン化銀粒子の粒径分布は任意であ
るが、以下定義する単分散度の値が1〜20%のものか
好ましく、更に好ましくは5〜15%の範囲となるよう
に調整する。
ここで単分散度は、粒径の標準偏差を平均粒径で割った
値(変動係数)を100倍した数値(%)として定義さ
れるものである。なおハロゲン化銀粒子の粒径は、便宜
上、立方晶粒子の場合は稜長で表し、その他の粒子(8
面体、14面体等)は、投影面積の平方根で算出する。
本発明を実施する場合、例えばハロゲン化銀の粒子とし
て、その構造が少なくとも2層の多層積層構造を有する
タイプのものを用いることができ、例えばコア部に沃臭
化銀、シェル部が臭化銀である沃臭化銀粒子から成るも
のを用いることができる。このとき、沃素を任意の層に
5モル%以内で含有させることができる。
本発明のハロゲン化銀乳剤に用いられるハロゲン化銀粒
子は、粒子を形成する過程及び/又は成長させる過程で
、カドミウム塩、亜鉛塩、鉛塩、タリウム塩、イリジウ
ム塩(錯塩を含む)、ロジウム塩(錯塩を含む)及び鉄
塩(錯塩を含む)から選ばれる少なくとも1種を用いて
金属イオンを添加し、粒子内部に及び/又は粒子表面に
これらの金属元素を含有させることができ、又、適当な
還元的雰囲気におくことにより、粒子内部及び/又は粒
子表面に還元増感核を付与できる。
更に又、ハロゲン化銀は種々の化学増感剤によって増感
することができる。その増感剤として、例えば、活性ゼ
ラチン、硫黄増感剤(チオ硫酸ソーダ、アリルチオカル
バミド、チオ尿素、アリルインチアシネート等)、セレ
ン増感剤(N、N−ジメチルセレノ尿素、セレノ尿素等
)、還元増感剤(トリエチレンテトラミン、塩化銀1ス
ズ等)、例えばカリウムクロロオーライト、カリウムオ
ーリチオシアネート、カリウムクロロオーレート、2−
オーロスルホペンゾチアゾールメチルクロライド、ア・
ンモニウムクロロバラデート、カリウムクロロブラチ不
一ト、ナトリウムクロロバラダイト等で代表される各種
貴金属増感剤等をそれぞれ単独で、あるいは2種以上併
用して用いることかできる。
なお金増感剤を使用する場合は助剤的にロダンアンモン
を使用することもできる。
本発明に用いるハロゲン化銀粒子は、内部の感度より表
面感度の高い粒子、謂ゆるネガ画像を与えるハロゲン化
銀粒子に好ましく適用することができるので上記化学増
感剤で処理することにより性能を高めることができる。
又、本発明に用いられるハロゲン化銀乳剤は、メルカプ
ト類(l−フェニル−5−メルカプトテトラゾール、2
−メルカプトベンツチアゾール)、ベンゾトリアゾール
類(5−ブロムベンゾトリアゾール−5−メチルベンゾ
トリアゾール)、ベンツイミダゾール類(6−ニドロペ
ンツイミダゾール)などを用いて安定化又はカブリ抑制
を行うことができる。
感光性ハロゲン化銀乳剤層又はその隣接層には、感度上
昇、コントラスト上昇または現像促進の目的でリサーチ
・ディスクロージャー(Re5earchDisclo
usure) 17463号のXXI)EJB−D項に
記載されている化合物を添加することができる。
又、下記の一般式CP)で表される化合物を添加するこ
とが好ましい。
一般式CP) R,−0−(CB、CH2■τH 〔式中R1は水素原子、あるいは無置換又は置換基をも
つ芳香族環を表し、nは10〜200までの整数を表す
。〕 まず、一般式(P)で表される化合物より好ましい具体
例をあげる。分子量は1500以上のものが好ましいが
、これらに限定されるものではない。
P −I     HO(CH2CH20)nHn=l
0P  2     HO(CH2CH20)n Hn
 ” 30P −3HO(CH,CHzO)nHn=5
0P  4     HO(CH2CH20)n Hn
 = 70P  5     HO(CHzCHzO)
nHn=150P  6     HO(CHiCHz
O)nH’    n=200H これらの化合物は、市販されており容易に入手すること
ができる。これらの化合物はハロゲン化銀1モルに対し
0.01〜4.0モル添加するのが好ましく、0.02
〜2モル′がより好ましい。又、乳剤層中に含有させる
ことが好ましい。又、nの値が異なる2種以上の化合物
を含んでも構わない。
本発明に用いられるハロゲン化銀乳剤には、増感色素、
可塑剤、帯電防止剤、界面活性剤、硬膜剤などを加える
こともできる。
本発明に係る一般式(A:]、CB)、(I)〜(Vl
)の化合物を親水性コロイド層に添加する場合、該親水
性コロイド層のバインダーとしてはゼラチンが好適であ
るが、ゼラチン以外の親水性コロイドも用いることがで
きる。これらの親水性バインダーは支持体の両面にそれ
ぞれlog/m2以下で塗設することが好ましい。
本発明の実施に際して用い得る支持体としては、例えは
バライタ紙、ポリエチレン被覆紙、ポリプロピレン合成
紙、ガラス板、セルロースアセテート、セルロースナイ
トレート、例えばポリエチレンテレフタレートなどのポ
リエステルフィルムを挙げることができる。これらの支
持体は、それぞれハロゲン化銀写真感光材料の使用目的
に応じて適宜選択される。
本発明のハロゲン化銀写真感光材料を現像処理するには
、例えば以下の現像主薬が用いられる。
HO−(CH= CH)n −OH型現像主薬の代表的
なものとしては、ハイドロキノンがあり、その他にカテ
コール、ピロガロールなどがある。
又、HO−(CH−CH)ローNH,型現像剤としては
、オルト及びバラのアミノフェノール又はアミノピラゾ
ロンが代表的なもので、N−メチル−p−アミノフェノ
ール、N−β−ヒドロキシエチル−p−アミンフェノー
ル、p−ヒドロキシフェニルアミノ酢酸、2−アミノナ
フトール等がある。
ヘテロ環型現像剤としては、■−フェニルー3−ピラゾ
リドン、1−7エニルー4.4−ジメチル−3−ピラゾ
リドン、1−フェニル−4−メチル−4−しドロキシメ
チル−3−ピラゾリドン、1−フェニル−4−メチル−
4−ヒドロキシメチル−3−ピラゾリドンのような3−
ピラゾリドン類等を挙げることができる。
その他、T、H,ジェームス著ザ・セオリイ・オブ・ザ
・ホトグラフインク・プロセス第4版(The The
ory of the Photographic P
rocess。
Fourth Edition)第291〜334頁及
びジャーナル・オブ・ザ・アメリカン・ケミカル・ソサ
エティ(Journal of the Americ
an Chemical 5ociety)73巻、3
.100頁(1951)に記載されている如き現像剤が
本発明に有効に使用し得るものである。これらの現像剤
は単独で使用しても2種以上組み合わせてもよいが、2
種以上を組み合わせて用いる方が好ましい。
又、本発明の感光材料の現像に使用する現像液には保恒
剤として、例えば亜硫酸ソーダ、亜硫酸カリ等の亜硫酸
塩を用いても、本発明の効果が損なわれることはない。
又、保恒剤としてヒドロキシルアミン、ヒドラジド化合
物を用いてもよい。
その他一般白黒現像液で用いられるような苛性アルカリ
、炭酸アルカリ又はアミンなどによるpHの調整とバッ
ファー機能をもたせることができる。
本発明に用いられる現像液はpH11未満のものが使用
できるのが特徴である。又現像液にはブロムカリなど無
機現像抑制剤及び5−メチルベンゾトリアゾール、5−
メチルベンツイミダゾール、5−二トロインタソール、
アデニン、グアニン、l−フェニル−5−メルカプトテ
トラゾールなどの有機現像抑制剤、エチレンジアミン四
酢酸等の金属イオン捕捉剤、メタノール、エタノール、
ベンジルアルコール、ポリアルキレンオキシド等の現像
促進剤、アルキルアリールスルホン酸ナトリウム、天然
のサポニン、糖類または前記化合物のアルキルエステル
物等の界面活性剤、グルタルアルデヒド、ホルマリン、
グリオキザール等の硬膜剤、硫酸ナトリウム等のイオン
強度調整剤等の添加を行うことは任意である。
本発明において使用される現像液には、有機溶媒として
ジェタノールアミンやトリエタノールアミン等のアルカ
ノールアミン類やジエチレングリコール、トリエチレン
グリコール等のグリコール類、又、ジエチルアミノ−1
,2−プロパンジオール、ブチルアミツブロバノール等
のアルキルアミノアルコール類を含有させてもよい。
〔実施例〕
以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本発明の実施
の態様はこれらに限定されない。
実施例1 (ハロゲン化銀乳剤Aの調製) 同時混合法を用いて沃臭化銀乳剤(銀1モル当たり沃化
銀2モル%)を調製した。この混合時にに2!rCQ=
を銀1モル当たり8X 10−’モル添加した。
得られた乳剤は、平均粒径0.20μmの立方体単分散
粒子(変動係数9.5%)からなる乳剤であった。
この乳剤に銀1モル当たり6.5mRの1%沃化カリウ
ム水溶液を添加した後、変成ゼラチン(特願平1−18
0787号の例示化合物G−8)を加え、特願平1−1
890787号の実施例1と同様の方法で水洗、脱塩し
た。脱塩後の40℃でのII)Agは8.0であった。
更に再分散時に抗菌剤として下お化合物〔A〕、〔B〕
、〔C〕の混合物を添加した。
〔A〕    〔B〕    〔C〕 (ハロゲン化銀写真感光材料の作製) 両面に厚さ0.1μmの下塗層(特開昭59−1994
1号の実施例1参照)を施した厚さ100μmのポリエ
チレンテレフタートフィルムの一方の下塗層上に、下記
処方(1)のハロゲン化銀乳剤層をゼラチン量が2.0
g/m”、銀量が3.2g/+m2になるように塗設し
、更にその上に下記処方(2)の乳剤保護層をゼラチン
量が1.og/m”になるように塗設し、又、反対側の
もう一方の下塗層上には下記処方(3)のバッキング層
をゼラチン量が2.4g/m”になるように塗設し、更
にその上に下記処方(4)のバッキング保護層をゼラチ
ン量が1.Og/m”になるように塗設して試料1〜3
0を得た。
処方(1)(ハロゲン化銀乳剤層組成)ゼラチン   
           2.0g/m2ハロゲン化銀乳
剤A(銀量)     、3.2g/m”増感色素: 界面活性剤:  5−1 8.0mg/m” CH2C00(CH2)ICl3 Na0sS  CHCO○(CH2)2CH(CH3)
2本発明に係るヒドラジン誘導体 本発明に係る造核促進化合物 ラテックスポリマー: 30mg/m’ 100mg/m2 1g/m2 m  :  n  =50:  50 ポリ工チレングリコール分子量4000 0.1g/m
2硬膜剤:H−1 安定剤:4−メチル−6−ヒドロキシ−1,3,3a、
?−テトラザインデン カブリ防止剤:アデニン 界面活性剤:サポニン 30mg/m2 10  mg/m” 0−1g/m” 処方(2)(乳剤保護層組成) ゼラチン 0.9g/m2 界面活性剤:S−2 C2H。
し21′Is マット剤:平均粒径3.5μ閣のシリカ硬膜剤: ホル
マリン 界面活性剤:S−3 処方 (バッキング層組成) o 3Na 3mg/m’ 30mg/m” lQmg/m” ゼラチン             2.4g/m2界
面活性剤: S −16,0mg/m”:サポニン  
     0.1g/m”処方(4)(バッキング保護
層組成) ゼラチン               Ig/m”マ
ット剤:平均粒径3.0〜5.0pmのポリメチルメタ
クリレート 15mg/m2界面活性剤:S  2  
      10mg/m”硬膜剤:グリオキザール 
      25mg/m2//  :H−135mg
/m” 得られた試料について、下記の方法による網点品質試験
を行った。
(網点品質試験方法) ステップウェッジに網点面積50%の返し網スクリーン
(150線/インチ)を一部付して、これに試料を密着
させてキセノン光源で5秒間露光を与え、この試料を下
記現像液、下記定着液を投入した迅速処理用自動現像機
にて下記の条件で現像旭理を行い、試料の網点品質を1
00倍のルーペで観察し、網点品質の高いものを「5」
ランクとし、以下「4」、「3」、「2」、rlJと、
そのランクを順次下げて評価した。尚、ランク「1」及
び「2」は実用上好ましくないレベルである。
又、網点中のカブリも同様に評価し、網点中に全く黒ピ
ンの発生していないものを最高ランク「5」とし、網点
中に発生する黒ピンの発生度に応じてランク「4」、「
3」、「2」、rlJとそのランクを順次下げて評価し
た。尚、ランクrlJ及び「2」では黒ビンも大きく実
用上好ましくないレベルである。
現像液処方               現像液l 
現像液2エチレンジアミン四酢酸ナトリウム塩    
 1g    1g亜硫酸ナトリウム        
     60g    60g燐酸三ナトリウム(1
2水塩)75g 硼酸                   −40g
ハイドロキノン              22.5
g   35g水酸化ナトリウム          
    8g    8g臭化ナトリウム      
         3g    3g5−メチルベンゾ
トリアゾール        0.25g  0.2g
1−フェニル−5−メルカプトテトラゾール   0.
08g  0.08gメトール           
     0.25g1−フェニル−4−メチル−4−
ヒドロキシメチル  −0,283−ピラゾリドン 7エネチルピフリニウムブロマイド      −2,
5g水を加えて                11
2    112水酸化ナトリウムにてpHを調整  
     pH−10,8pH=lO,8定着液処方 (組成A) チオ硫酸アンモニウム(72,5w/v%水溶液)  
240m1+亜硫酸ナトリウム           
   17g酢酸ナトリウム・3水塩        
  6.5g硼酸                 
   6gクエン酸ナトリウム・2水塩       
  2g(組成り) 純水(イオン交換水)             17
mQ硫酸(50%w/vの水溶液)         
  4.7g硫酸アルミニウム           
  26.5g(AQ、03換算含量が8−1m/v%
の水溶液)定着液の使用時に水500m+2中に上記組
成A1組成りの順に溶かし、I(+に仕上げて用いた。
この定着液のpi(は酢酸で4,8に調整した。
(現像処理条件) (工 程)  (温 度)  (時 間)現  像  
   40 ℃      15  秒定  着   
  35 °C15抄 本  洗     30 °Cto  秒乾  燥  
   50 °C10秒 尚、処方(1)におけるノ10ゲン化銀乳剤層に添加し
た本発明のヒドラジン誘導体の比較化合物としては、以
下の(a)及び(b)の化合物を添加しt二。
化合物(a) (a) 表=1から明らかなように本発明に係る試料は、比較に
対して、網点品質と黒ピンが良いことがわかる。
〔発明の効果〕
本発明により、pH11未満の低pHの現像液で処理し
ても、硬調でカブリが少なく網点性能の良好なハロゲン
化銀写真感光材料を提供することができIこ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも1層のハロゲン化銀乳剤層を有するハ
    ロゲン化銀写真感光材料において、下記一般式〔A〕及
    び〔B〕で表されるヒドラジン化合物を少なくとも1種
    含有し、かつアミン化合物、ヒドラジン化合物、四級オ
    ニウム塩化合物から選ばれる少なくとも1種の造核促進
    化合物を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感
    光材料。 一般式〔A〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式〔B〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Arはアリール基又は硫黄原子もしくは酸素原
    子を少なくとも一つ含む複素環基を表し、nは1又は2
    の整数を表す。n=1の時、R_1及びR_2は各々、
    水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
    アリール基、複素環基、ヒドロキシル基、アルコキシ基
    、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アリール
    オキシ基又は複素環オキシ基を表し、R_1とR_2は
    窒素原子と共に環を形成してもよい。n=2の時、R_
    1及びR_2は各々、水素原子、アルキル基、アルケニ
    ル基、アルキニル基、アリール基、飽和もしくは不飽和
    複素環基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルケニル
    オキシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基又は
    複素環オキシ基を表す。ただし、n=2の時、R_1及
    びR_2のうち少なくとも一方はアルケニル基、アルキ
    ニル基、飽和複素環基、ヒドロキシル基、アルコキシ基
    、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アリール
    オキシ基又は複素環オキシ基を表すものとする。R_3
    はアルキニル基又は飽和複素環基を表す。 一般式〔A〕又は〔B〕で表される化合物には、式中の
    −NHNH−の少なくともいずれかのHが置換基で置換
    されたものを含む。〕
  2. (2)請求項1の一般式〔A〕の化合物が、n=2であ
    り、R_1及びR_2が各々、水素原子、アルキル基、
    アルケニル基、アルキニル基、アリール基、飽和もしく
    は不飽和複素環基、ヒドロキシル基又はアルコキシ基で
    あり、かつR_1及びR_2のうち少なくとも一方はア
    ルケニル基、アルキニル基、飽和複素環基、ヒドロキシ
    ル基又はアルコキシ基であることを特徴とするハロゲン
    化銀写真感光材料。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5478697A (en) * 1993-04-28 1995-12-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for forming an image
JP2008007443A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Shiseido Co Ltd 桂皮酸誘導体、その紫外線吸収剤としての用途、及びこれを配合した紫外線吸収性組成物、皮膚外用剤。
WO2009031202A1 (ja) * 2007-09-04 2009-03-12 Shiseido Company Ltd. 桂皮酸誘導体及びその紫外線吸収剤としての利用

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