JPH0457327A

JPH0457327A - 荷電ビーム加工装置

Info

Publication number: JPH0457327A
Application number: JP2166595A
Authority: JP
Inventors: Junichi Mori; 順一森; Fumikazu Ito; 伊藤　文和; Akira Shimase; 朗嶋瀬; Satoshi Haraichi; 聡原市; Junzo Azuma; 淳三東; Takahiko Takahashi; 高橋　貴彦
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1990-06-27
Filing date: 1990-06-27
Publication date: 1992-02-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は荷電ビームと反応性ガスを用いた反応性エツチ
ング方法に係り、特に被加工部に対し、反応性ガスの供
給を常に一様かつ一定に行い、ステージ移動により、広
範囲領域のいかなる任意の位置で加工を行った場合でも
、均一な加工が可能となる荷電ビーム加工装置およびそ
の加工方法に関する。

〔従来の技術〕

近年ＬＳＩ等の半導体装置は高集積化、高機能化を進め
るために、配線や素子の多層化が進んでいる。このため
開発過程にある半導体装置が設計通りに動作するとは限
らず、ＬＳＩ設計のデバッグや製造プロセス上の不良解
析を目的として、チップ上の配線を切断したり、あるい
は任意部分を接続することにより回路修正を短時間で行
う要求が高まっている。この様な回路修正では、ひとつ
のＬＳＩ上で数１０ケ所におよび加工を行う必要があり
、加工を高速にしかも１００％近い高歩留　りで行わね
ばならない。

このうち、配線の切断を行う方法として、従来、集束イ
オンビームにより配線材料の原子を叩きだすスパッタ加
工方法が用いられてきたが、この方法では加工速度が遅
い、被加工物の材質に対して選択性が小さい、傾斜面に
対する加工速度が大きいため、各層の凹凸にならった精
度良い加工が難しい等の問題があった。

これに対し、反応性ガスと集束イオンビームや電子ビー
ムなどの荷電ビームを組み合わせた化学反応性エツチン
グを用いれば、スパッタ加工の数１０倍の高速加工がで
き、反応性ガスの種類を選択することで、被加工層の下
層に対する選択性を大きくでき、凹凸の激しい試料に対
しても、下層にダメージのない精度良い加工が可能とな
る。

ここで、集束イオンビームや電子ビームなどの荷電ビー
ムの照射部で局所的に反応性エツチングを用いた例とし
て、反応性ガスの供給は被加工部ななめ上方１ケ所のノ
ズルから反応性ガスを吹き付ける方法と、被加工物をサ
ブチャンバで覆いそのサブチャンバ内に反応性ガスを充
満させる方法とがあり、前者は特開平１−１６９８５８
に記載され後者はジャーナル、カブ。バキューム、サイ
エンス。

アンド、テクノロジー、ビー５　（１）、１月／２月　
１９８７年　第４２３頁から第４２６頁（Ｊ　ｏｕｒｎ
ａｌ　　ｏｆＶａｃｕｕｍ　５ｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ｂ　５　（１）　ｙＪ　ａｎ／
　Ｆｅｂ　　１９８７　　Ｐ４２３−４２６）において
論じられている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ジャーナル、カブ。バキューム、サイエンス。

アンド、テクノロジー、ビー５　（１）、１月／２月　
１９８７年　第４２３頁から第４２６頁（Ｊ　ｏｕｒｎ
ａｌ　　ｏｆＶａｃｕｕｍ　５ｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、　Ｂ　５　（１）　＋Ｊａｎ／
Ｆｅｂ　　１９８７　　Ｐ４２３−４２６）において論
じられているサブチャンバ方式では、被加工物を載せた
ステージがサブチャンバ内に設置され、ステージ移動に
より加工位置を移動させるように考慮されていないため
、ビーム偏向内でしか加工が考えない課題を有する。

本発明の目的は、被加工部に対し反応性ガスの供給を常
に一様かつ一定に行い、ステージ移動により被加工物を
移動させ、広範囲領域のいかなる位置で加工を行った場
合でも、均一な加工を可能とする荷電ビーム加工装置を
提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本発明の荷電ビーム加工装置
において、被加工部に対し、イオンビーム照射軸対称に
反応性ガスを供給する手段と被加工物を搭載するＸＹＺ
ａ軸構成のステージ、およびそのステージ上のテーブル
高さを検出する手段を有するものである。あるいは、被
加工部を覆うサブチャンバとそのサブチャンバ内に反応
性ガスを供給する手段、サブチャンバ内の被加工物を移
動させるステージ、およびサブチャンバ内部の圧力を検
出する手段を有するものである。

〔作用〕

実際にＬＳＩチップの修正を行なう場合は広域にわたる
数１０ケ所にて配線の窓開けや切断加工を行うため、Ｘ
Ｙステージによる加工位置の移動は必要不可欠である。

そして加工部ななめ上方１ケ所のノズルから反応性ガス
を吹き付けたのでは。

被加工部に対しガス供給に方向性があるため加工形状に
かたよりを生じ、また実験によるとガス流量を一定にし
てもノズルと試料間距離の変化により加工速度が変化す
るという結果を得た。この実験結果を第１１図に示す（
第１１図に示す実験結果は第１２図に示す条件である。

）。この結果によると、単にノズルを固定しＸＹステー
ジにて加工位置の移動を行なった場合、ステージのたわ
みや傾きにより、異なる加工位置においてノズルと試料
間距離が異なり、加工速度が変動し全ての被加工部で所
望の加工結果を得ることが困難となる。

そこで本発明のように被加工部に対し、イオンビーム照
射軸対称に反応性ガスを供給することにより、被加工部
上でのガス分布が一様となり、加工形状にかたよりを生
じることのない一様な加工が行える。さらに、ステージ
移動により被加工物を移動させ、いかなる位置で加工を
行う場合でもステージ高さの検出と反応性ガス流量の検
出を行い、同一条件でガス供給を行えば、被加工部上で
のガス濃度が一定となり常に同一速度で加工が行える。

またサブチャンバによりガス供給を行った場合、被加工
物を搭載したテーブル上面でサブチャンバ下部を閉じる
ことによりステージ駈動部が反応性ガス雰囲気にさらさ
れることなくステージ駆動が可能となり、サブチャンバ
内部のガス圧力を検出し、同一ガス圧条件で加工を行う
ことにより、均一な加工が行える。

〔実施例〕

以下、図面に従い、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の第１の実施例の装置構成図を示す。

この第１の実施例は荷電ビームとして集束イオンビーム
を用いた例であり、電子ビームを用いても同様に行える
。

ＩＢチャンバ２内には、イオン源５からイオンビーム１
２を引き出すための引き出し電極６と、引き出されたイ
オンビーム１２を集束するための前段集束レンズ７と、
アパーチャ８と、後段集束レンズ９と、イオンビーム１
２を偏向するデフレクタ電極１０から成る集束イオンビ
ーム光学系があり、図示しないイオンビームコントロー
ラで制御されている。またＩＢチャンバ２の底部には、
イオンビーム１２を通過させるためのオリフィス１１が
設けられている。

メインチャンバ１には試料１３を搭載するテーブル２１
、およびＸＹＺ３軸構成のステージ２２、反応性ガスを
試料に吹き付けるノズル１４があり、ガス供給管１７．
バルブ１８、マスフローコントローラ１９を介して反応
性ガスボンベ２０が接続されている。

また、ＩＢチャンバ２とメインチャンバ１は図示しない
真空ポンプにより排気管４．４’、４”およびバルブ３
．３’、３”を介して排気できる構成となっている。

前記ノズル１４は、中心にイオンビーム１２が通過する
スルーホール１５を持ち、その同軸円周上に試料１３上
の被加工部に反応性ガスを吹き付ける射出口１６が数ケ
所設けである。これにより試料１３のななめ上方全周か
ら一様に反応性ガスを吹き付けるため、ノズルによるガ
ス供給において、水平方向への方向性が相殺され、被加
工部上でガス分布が一様になる。

また、ノズル１４には静電容量型センサ２３を設け、ス
テージ側は試料１３を搭載するテーブル２１を静電容量
型センサ２３に相対する所までせり出させる。

本実施例において、出力電圧が静電容量に対しリニアに
変化するセンサ（変位計）を使用する場合は、ノズル１
４と試料１３間の距離「０」点の補正を行い、一定静電
容量にて出力電圧が急激に変化するセンサ（スイッチ）
を使用する場合は、センサの出力変位が所望するノズル
１４と試料１３の距離になった時に発生する様に調整す
る。

本実施例による試料１３とノズル１４間の距離の制御方
法について説明する。

まず、ステージ２２に図示しないアジャスト機構を設け
るなどをして、組立時にＹ軸、Ｙ軸、試料１３上面の平
行出しを行う。ステージ２２のＸＹ移動により試料１３
上の所望の被加工部をイオンビーム１２照射部真下に持
っていく。ＸＹ力方向移動が終了した後、テーブル２１
を上昇させ試料１３をノズル１４に近づける。この時、
静電容量型センサ２３にてテーブル２１高さの検出を行
い、図示しないＺステージコントローラにフィードバッ
クをかけ、試料１３とノズル１４間の距離を所望する値
に制御する。

以上の動作量子後、バルブ１８を開はマスフローコント
ローラ１９にて流量を制御された反応性ガスを試料１３
に吹き付け、イオンビーム１２の照射を行い加工を開始
する。加工終了後、ステージ２２のＸＹ移動により次の
加工位置へ移動する。以下、この動作を繰り返す。

また、第２図に別の検出方法による高さ制御を示す。

（、）図は、光によるオートフォーカス方式を採用した
もので、投光器２４にてマスク２５上の縞パターンを対
物レンズ２７にてテーブル２１に投影し、その像の結び
具合をオートフォーカスセンサ（ＣＣＤ）２８にて検出
し、試料１３とノズル１４間の距離を高精度に制御する
。

（ｂ）図は、レーザ測長器３０にてレーザ３１をテーブ
ル２１上のミラー２９に照射し、テーブル２１高さを測
定することにより、試料１３とノズル１４間の距離を高
精度に制御する。

いずれの検出方法においても、Ｙ軸、Ｙ軸、試料１３上
面の平行度を出しておくことによって最初に加工を行う
時に、Ｚ軸の高さ制御を行えば、２カ目以降の加工位置
への移動をステージ２２のＸＹ移動で行うだけで、常に
ノズル１４と試料１３の距離は一定となる。

本実施例によれば、ノズルによる被加工部に対する反応
性ガスの供給が一様となり、また被加工部とノズル間の
距離と反応性ガス流量を高精度に制御することにより、
被加工部上でのガス濃度が一定となり、広範囲にわたり
加工位置を移動させても再現性の良い均一な加工が行え
る。

第３図は、本発明の第２の実施例を示す。本実施例はＹ
軸、Ｙ軸、試料上面の平行出しが困難な場合に有効であ
る。

第１の実施例に示したノズルの中心と同軸円周上３ケ所
に静電容量型センサ２３．２３’　、　２３”を設けて
いる。ここで使用する静電容量型センサは、出力電圧が
静電容量に対してリニアに変化するセンサ（変位計）で
ある。なお、この第２の実施例の他の構成、作用は前記
第１の実施例と同様である。

まず、ノズル１４先端面と各静電容量型センサ２３゜２
３’　、　２３”の検出面とが同一平面上にくる様に組
み立てる。ステージ２２のＸＹ移動により、試料１３上
の所望の被加工部をイオンビーム１２照射部の真下に持
っていく。ＸＹ力方向移動が終了した後、テーブル２１
を上昇させ試料１３をノズル１４に近ずける。この時３
ケ所の静電容量型センサ２３．２３’２３”にてノズル
１４に対するテーブル２１の高さを検出するとともにテ
ーブル２１の傾きも検出し、図示しないＺステージコン
トローラにフィードバックをかけ試料１３とノズル１４
間の距離を所望する値に制御する。以上の動作終了後、
バルブ１８を開はマスフローコントローラ１９にて流量
を制御された反応性ガスを試料１３に吹き付け、イオン
ビームの照射を行い、加工を開始する。１ケ目の加工が
終了しステージ２２のＸＹ移動により次の加工位置へ移
動する際に、３ケ所の静電容量型センサ２３．２３’２
３”にてテーブル２１の高さ、傾きの変化を検出し、図
示しない２ステージコントローラにフィードバックをか
け、次の加工位置で停止した時には、再びノズル１４と
試料１３が同一距離になる様、制御を行う。以下この動
作、制御を繰り返す。また、テーブル２１高さの検出を
、静電容量型センサの代りにオートフォーカス方式、レ
ーザ測長器を使用しても同様に行える。

本発明によれば、ノズルによる被加工部に対する反応性
ガスの供給が一様となり、また被加工部とノズル間の距
離と反応性ガス流量を高精度に制御することにより、被
加工部上でのガス濃度が一定となり、広範囲にわたり加
工位置を移動させても、再現性の良い均一な加工が行え
る。

第４図は、本発明の第３の実施例を示す。

第１の実施例に示したノズル１４の中心と同軸円周上３
ケ所に静電容量型センサ２３．２３’　、　２３”を設
けている。ここで使用する静電容量型センサは、前記第
２の実施例で使用するセンサ（変位計）であっても、一
定静電容量にて出力電圧が急激に変化するセンサ（スイ
ッチ）であってもよい。また、ステージ２２側の２軸は
、静電容量型センサ２３．２３’、２３”に対応する位
置で上下動作を行う３点チルト機構３２．３２’　、　
３２”になっている。例えば、このチルト機構にピエゾ
を使用する。なお、この第３の実施例の他の構成、作用
は、前記第１の実施例と同様である。

まず、ノズル１４先端面と各静電容量型センサ２３゜２
３’　、　２３”の検出面とが同一平面上にくる様に組
み立てる。ステージ２２のＸＹ移動により、試料１３上
の所望の被加工部をイオンビーム１２照射部の真下に持
っていく。ＸＹ力方向移動が終了した後、チルト機構３
２．３２’　、　３２”によりテーブル２１を上昇させ
る。この時３ケ所の静電容量型センサ２３゜２３’　、
　２３”にてノズル１４に対するテーブル２１の高さを
検出するとともに、テーブル２１の傾きを検出し、それ
ぞれのチルト機構３２．３２’　、　３２”にフィード
バックをかけ３ケの静電容量型センサ２３，２３’。

２３”により、テーブル２１の高さが所望する値になる
様制御する。以上の動作終了後、バルブ１７を開はマス
フローコントローラ１９にて流量を制御された反応性ガ
スを試料１３に吹き付け、イオンビーム１２の照射を行
い、加工を開始する。１ケ目の加工が終了し、ステージ
２２のＸＹ移動により次の加工位置へ移動する際に３ケ
所の静電容量型センサ２３゜２３’　、　２３”にてテ
ーブル２１高さの変動を検出し、図示しない２ステージ
コントローラにフィードバックをかけ、常にノズル１４
と試料１３が平行でかつ同一距離に保たれる様制御する
。以下、この動作、制御を繰り返す。またテーブル２１
高さの検出を、静電容量型センサの代りに、オートフォ
ーカス方式、レーザ測長器を使用しても同様に行える。

第５図は、本発明の第４の実施例を示す。

第１の実施例に示したノズル１４へのガス供給管１７に
圧力センサ３３を設けている。例えば圧力センサとして
、マノメータを使用する。なお、この第４の実施例の他
の構成、作用は前記第１の実施例と同様である。

ステージ２２のＸＹ移動により、試料１３上の所望の被
加工部をイオンビーム１２照射部の真下に持っていく。

ＸＹ力方向移動が終了した後にバルブ１８を開はマスフ
ローコントローラ１９にて流量を制御された反応性ガス
を試料１３に吹き付け、テーブル２１を上昇させる。こ
の時、ガス供給管１７内の圧力上昇を圧力センサ３３に
て検出し、所望のノズル１４と試料１３間の距離を得る
様にテーブル２１高さの制御を行う。以上の動作終了後
イオンビーム１２の照射を行い加工を開始する。１ケ目
の加工が終了し、ステージ２２のＸＹ移動により次の加
工位置へ移動する際には、反応性ガスを試料１３に吹き
付けながら行う。この時、圧力センサ３３によりガス供
給管１７内の圧力変化の検出を行い、図示しない２ステ
ージコントローラにフィードバックをかけ、常にガス供
給管１７内の圧力が一定になる様テーブル２１高さの制
御を行う。以下、この動作、制御を繰り返す。

第６図は、本発明の第５の実施例を示す。

第１の実施例に示したノズル１４に、ストッパ用ローラ
３４．３４’　と、逃げ機構３５．３５’　を設けてい
る。なお、この第５の実施例の他の構成、作用は前記第
１の実施例と同様である。

ＸＹ力方向移動が終了した後、テーブル２１はノズル１
４に設けられたローラ３４．３４’　に接触するまで上
昇する。ノズル側に逃げ機構３５．３５’を設け、テー
ブル２１がノズル１４を弱冠押し上げる位置で図示しな
いリミットスイッチにて上限を検出することにより停止
する。以上の動作終了後、バルブ１８を開はマスフロー
コントローラ１９にて流量を制御された反応性ガスを試
料１３に吹き付け。

イオンビーム１２の照射を行い加工を開始する。１ケ目
の加工が終了しステージ２２のＸＹ移動を行う際にも、
テーブル２１をストッパ用ローラ３４．３４’に接触さ
せた状態で行う。以下この動作、制御を繰り返す。

本実施例によれば、ノズルによる被加工部に対する反応
性ガスの供給が一様となり、また被加工部とノズル間の
距離が常に固定となり、反応性ガス流量を高精度に制御
することにより、被加工部上でのガス濃度が一定となり
、広範囲にわたり加工位置を移動させても再現性の良い
均一な加工が行える。

第７図は、本発明の第６の実施例を示す。

試料１３の被加工部真上にイオンビーム１２が通過する
スルーホール１５を持ったＬ型ノズル３６を設け、被加
工部真上から反応性ガスを吹き付ける構造になっている
。この構造によれば、ノズルによる反応性ガスの供給に
おいて、水平方向への方向性が無く、被加工部上でガス
分布が一様になる。なお、この第６の実施例の他の構成
、作用、及びノズル３６と試料１３間の距離の制御方法
は、前記第１〜第５の実施例と同様である。

本実施例によれば、ノズルによる被加工部に対する反応
性ガスの供給が一様となり、また被加工部とノズル間の
距離と、反応性ガス流量を高精度に制御することにより
、被加工部上でのガス濃度が一定となり広範囲にわたり
加工位置を移動させても、再現性の良い均一な加工が行
える。

第８図は１本発明の第７の実施例を示す。

試料１３の被加工部真上にイオンビーム１２が通過する
スルーホール１５となるパイプの下部にフランジ３７を
設け、テーブル２１上のガス射出口１６より吹き出され
た反応性ガスを、フランジ３７とテーブル２１間で確保
し、被加工部周辺に反応性ガス雰囲気を形成する構造に
なっている。また、このフランジ３７は単に平坦なプレ
ートではなく、外周とスルーホール１５から反応性ガス
を流出しにくくするため、ギャップを残している。なお
この第７の実施例の他の構造、作用、及びフランジ３７
と試料１３間の距離の制御方法は前記第１〜第５の実施
例と同様である。

本実施例によれば、被加工部に対する反応性ガスの供給
が一様となり、また被加工部とフランジの間の距離と反
応性ガス流量を高精度に制御することにより、被加工部
上でのガス濃度が一定となり、広範囲にわたり加工位置
を移動させても再現性の良い均一な加工が行える。

第９図は、本発明の第８の実施例を示す。

試料１３の被加工部真上にイオンビーム１２が通過する
スルーホール１５を持ったサブチャンバ３８を設け、被
加工部周辺に反応性ガス雰囲気を形成する構造になって
いる。サブチャンバ３８とテーブル２１の間は、サブチ
ャンバ３８内のガスが急激に逃げていかない程度のすき
まを設け、ステージ２２のＸＹ方向への移動が可能とな
っている。またガス供給量は、圧力計３９により、サブ
チャンバ３８内のガス圧を検出し、マスフローコントロ
ーラ１９にて制御を行う。なお、この第８の実施例の他
の構成、作用は前記第１の実施例と同様である。

本実施例によれば、被加工部に対する反応性ガスの供給
が一様となり、サブチャンバ内のガス圧を検出し、ガス
供給量を制御することにより、被加工部上でのガス濃度
が一定となり、広範囲にわたり加工位置を移動させても
、再現性の良い均一な加工が行える。

第１０図は、本発明の第９の実施例を示す。

試料１３の被加工部真上にイオンビーム１２が通過する
スルーホール１５を持ったサブチャンバ４０を設け、被
加工部周辺に反応性ガス雰囲気を形成する構造になって
いる。試料１３に対し加工を行う時は、所望のＸＹ座標
に移動した後、テーブル２１が上昇し、サブチャンバ４
０と密着する。この時、サブチャンバ４０側に逃げ機構
を設け、テーブル２１がサブチャンバ４０を弱冠押し上
げる位置で、図示しないリミットスイッチにて上限を検
出することにより停止する。テーブル２１停止後、バル
ブ１８を開け、反応性ガスを供給する。この時、圧力計
３９によりサブチャンバ４０内のガス圧を検出し、マス
フローコントローラ１９にて流量を制御する。ガス圧一
定後、イオンビーム１２を照射し加工を開始し、加工終
了時にガス供給とイオンビームの照射を停止する。次の
加工位置への移動を行う時は、テーブル２１が下降し、
サブチャンバ４０から離れた後、ＸＹ力方向の移動を行
う。以下この動作、制御を繰り返す。なお、この第１０
の実施例の他の構成、作用は前記第１の実施例と同様で
ある。

〔発明の効果〕

本発明によれば、荷電ビームにより反応性エツチングを
行う場合、反応性ガスを被加工部に対し、−様にかつ、
一定に供給することが可能となり、また、ステージ移動
により加工位置を選定することが可能となるため、広範
囲の任意の位置での均一な反応性エツチングが行える。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１の装置の全体を示す構成図、
第２図は実施例１の他の検出方法を説明するための図、
第３図は本発明の実施例２の装置を示す構成図、第４図
は本発明の実施例３の装置を示す構成図、第５図は本発
明の実施例４の装置を示す構成図、第６図は本発明の実
施例５の装置を示す構成図、第７図は本発明の実施例６
の装置を示す構成図、第８図は本発明の実施例７の装置
を示す構成図、第９図は本発明の実施例８の装置を示す
構成図、第１０図は本発明の実施例９の装置を示す構成
図、第１１図はノズル−試料間距離と加工速度との実験
結果を示した図、第１２図は第１１図に示す実験条件を
示す図である。１・・・メインチャンバ、２・・・ＩＢチャンバ、１２
・・・イオンビーム、１３・・・試料、１４．３６・・
ノズル、１５・・・スルーホール、１６・・・射出口、
１７・・ガス供給管、２１・・・テーブル、２２・・・
ステージ、２３．２３’　、　２３”　・・静電容量型
センサ、２４・・・投光器、２５・・マスク、２６・・
ハーフミラ−１２７・・対物レンズ、２８・・・オート
フォーカスセンサ、２９・・・ミラー、３０・・・レー
ザ測長機、３２、３２’　、　３２”・・チルト機構、
３３−圧力センサ、３４・ローラ、３７・・・フランジ
、３８．４０・・・サブチャンバ、３９・・・圧カー計
。躬目第喝（α）閑４回＜ａ）第Ｓ口拓ダ第８厘躬岡

Claims

【特許請求の範囲】１、イオンビーム、電子ビーム等の荷電ビームを発生す
るビーム源、集束光学系、ステージ、反応性ガス供給手
段およびそれらを駆動する電源コントローラから成り、
反応性ガスを被加工部に供給し、荷電ビームの照射部で
局所的に反応性エッチングを行う荷電ビーム加工装置に
おいて、被加工部に対しガス供給を均一に行い、かつ広
範囲領域の任意の位置の加工が可能であり、常にガス供
給条件を一定にすることを特徴とする荷電ビーム加工装
置。２、前記、ガス供給を均一に行い、広範囲領域の任意の
位置の加工を可能とする手段として、被加工部に対する
ガスの供給を中央に荷電ビームが通過できるスルーホー
ルを持ち、その同軸円周上にガス射出口を数ヶ持つノズ
ルにて行い、ノズルと被加工部との間の距離及びガス流
量を高精度に制御することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の荷電ビーム加工装置。３、前記、ガス供給を均一に行い、広範囲領域の任意の
位置の加工を可能とする手段として、被加工物に対する
ガスの供給を荷電ビームが通過できるスルーホールを持
ったノズルにて被加工物真上から吹き付けることにより
行い、ノズルと被加工物との間の距離及びガス流量を高
精度に制御することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の荷電ビーム加工装置。４、前記、ガス供給を均一に行い、広範囲領域の任意の
位置の加工を可能とする手段として、荷電ビームが通過
できるスルーホールを持ったフランジを被加工部上に設
け、被加工部周辺からガスを導入することにより、被加
工部上にガス雰囲気を形成し、フランジと被加工部との
間の距離及びガス流量を高精度に制御することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の荷電ビーム加工装置。５、前記、ガス供給を均一に行い、広範囲領域の任意の
位置の加工を可能とする手段として、荷電ビームが通過
できるスルーホールを持ったサブチャンバで被加工部を
おおい、そのサブチャンバは被加工物を載せたステージ
との間に微小のすきまを持ち、サブチャンバ内のガス圧
にてガス供給量を制御することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の荷電ビーム加工装置。６、前記、ガス供給を均一に行い、広範囲領域の任意の
位置の加工を可能とする手段として、荷電ビームが通過
できるスルーホールを持ったサブチャンバで被加工部を
おおい、加工位置移動時には、被加工物を載せたステー
ジがサブチャンバとの間にすきまを作り、加工時にはス
テージがサブチャンバに密着し、サブチャンバ内のガス
圧にてガス供給量を制御することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の荷電ビーム加工装置。