JPH0457508B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0457508B2 JPH0457508B2 JP57193892A JP19389282A JPH0457508B2 JP H0457508 B2 JPH0457508 B2 JP H0457508B2 JP 57193892 A JP57193892 A JP 57193892A JP 19389282 A JP19389282 A JP 19389282A JP H0457508 B2 JPH0457508 B2 JP H0457508B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- thermal head
- conductor
- ceramic body
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/345—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads characterised by the arrangement of resistors or conductors
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- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミツクサーマルヘツドの構造に関
し、特に絶縁体材料、発熱体材料、導電体材料、
ヒートシンク材料を一体化して焼成したセラミツ
クサーマルヘツドに関する。
し、特に絶縁体材料、発熱体材料、導電体材料、
ヒートシンク材料を一体化して焼成したセラミツ
クサーマルヘツドに関する。
従来、感熱記録用のサーマルヘツドは厚膜法、
薄膜法あるいは薄膜、厚膜混合法などによつて、
セラミツク基板上に形成し、実用化されている。
薄膜法あるいは薄膜、厚膜混合法などによつて、
セラミツク基板上に形成し、実用化されている。
従来使用されているサーマルヘツドは厚膜型、
薄膜型それぞれに長所欠点を有したいた。すなわ
ち厚膜型の場合には、大きな寸法のものが比較的
安価にできるが、電極、発熱体を厚膜印刷法で行
うため、解像度に制限があり、８ドツト／mmが限
界であつた。さらに厚膜法によつて解像度を上げ
ようとすると、配線パターンを微細化する必要が
あるため、導体として金を使用しなければなら
ず、コストが非常に高くなる欠点ももつていた。
さらに多層配線を高密度に行うため、歩留が悪く
コスト上昇の原因になつていた。
薄膜型それぞれに長所欠点を有したいた。すなわ
ち厚膜型の場合には、大きな寸法のものが比較的
安価にできるが、電極、発熱体を厚膜印刷法で行
うため、解像度に制限があり、８ドツト／mmが限
界であつた。さらに厚膜法によつて解像度を上げ
ようとすると、配線パターンを微細化する必要が
あるため、導体として金を使用しなければなら
ず、コストが非常に高くなる欠点ももつていた。
さらに多層配線を高密度に行うため、歩留が悪く
コスト上昇の原因になつていた。
さらに厚膜型では、発熱体の抵抗バラツキが印
刷の厚みコントロールが困難なため大きくなり、
抵抗のバラツキとして非常に良いものでも±20％
程度あり、ヘツドとして使用した時の記録品質に
も問題があつた。
刷の厚みコントロールが困難なため大きくなり、
抵抗のバラツキとして非常に良いものでも±20％
程度あり、ヘツドとして使用した時の記録品質に
も問題があつた。
また薄膜法によるサーマルヘツドは、微細なパ
ターン形成ができるため、解像度は良く、するこ
とができるが、大きな寸法のものが作りにくく、
製造工程が複雑なため、コストが高くなり、さら
に形成した表面層が薄いため耐摩耗性に問題があ
つた。また薄膜法によるサーマルヘツドは多層配
線がむずかしく、多層配線層にピンホールの発生
による歩略の低下や多層配線の配線抵抗が高くな
り、素子の発熱、駆動回路などに問題があつた。
ターン形成ができるため、解像度は良く、するこ
とができるが、大きな寸法のものが作りにくく、
製造工程が複雑なため、コストが高くなり、さら
に形成した表面層が薄いため耐摩耗性に問題があ
つた。また薄膜法によるサーマルヘツドは多層配
線がむずかしく、多層配線層にピンホールの発生
による歩略の低下や多層配線の配線抵抗が高くな
り、素子の発熱、駆動回路などに問題があつた。
本発明はこれらの問題点を全て解決するもの
で、小型でコストが低く、解像度の優れた、信頼
性の高いサーマルヘツドを提供するものである。
で、小型でコストが低く、解像度の優れた、信頼
性の高いサーマルヘツドを提供するものである。
サーマルヘツドは均一な形と抵抗値を持つ抵抗
体を微細な間隔で1000ケ以上横１列に並べなくて
はならず、さらに、抵抗と同じ数のリード線を同
じ密度で配線する必要がある。しかもこれらの抵
抗体およびリード線のいずれか一つでも不良が発
生するとヘツドとしては使用できなくなる。
体を微細な間隔で1000ケ以上横１列に並べなくて
はならず、さらに、抵抗と同じ数のリード線を同
じ密度で配線する必要がある。しかもこれらの抵
抗体およびリード線のいずれか一つでも不良が発
生するとヘツドとしては使用できなくなる。
また従来の厚膜法、薄膜法あるいはこれらの方
法を組合せたサーマルヘツドでは、印字の解像度
は高々10ドツト／mm程度であつた。この程度の解
像度では発熱体相互の距離が比較的長いため、熱
の拡散による解像度の低下は比較的少なかつた。
しかしながら積層構造による積層セラミツクサー
マルヘツドでは、10ドツト／mm以上の発熱体間隔
になるため、発熱体相互間の熱拡散による解像度
の劣化が問題となつている。
法を組合せたサーマルヘツドでは、印字の解像度
は高々10ドツト／mm程度であつた。この程度の解
像度では発熱体相互の距離が比較的長いため、熱
の拡散による解像度の低下は比較的少なかつた。
しかしながら積層構造による積層セラミツクサー
マルヘツドでは、10ドツト／mm以上の発熱体間隔
になるため、発熱体相互間の熱拡散による解像度
の劣化が問題となつている。
本発明ではこの問題を解決し、解像度の優れた
積層セラミツクサーマルヘツドを提供するもので
ある。
積層セラミツクサーマルヘツドを提供するもので
ある。
すなわち本発明は絶縁性セラミツク体内部に複
数の発熱抵抗体が形成されており、しかもそれぞ
れの発熱抵抗体の一部が該セラミツク体表面の一
部分に露出しており、さらに該セラミツク体の他
の表面部分又は当該他の表面部分と該セラミツク
体内部に導電体が形成されており、前記発熱抵抗
体と導電体は該セラミツク体の表面又は内部で接
続されている構造のセラミツクサーマルヘツドで
あつて、発熱抵抗体が露出している前記セラミツ
ク体の表面部分と該表面部分近傍のセラミツク体
内部の各発熱抵抗体にはさまれる位置及びその近
傍に高熱伝導体を形成したことを特徴とするセラ
ミツクサーマルヘツドである。互いにとなり合う
発熱体層の間に熱伝導率の良好な金属、酸化物又
は半導体等の層を形成することによつて発熱体か
らの熱を速やかにヘツド表面から逃す構造とな
り、発熱体の大きさ、間隔にほぼ等しい解像度を
実現したものである。
数の発熱抵抗体が形成されており、しかもそれぞ
れの発熱抵抗体の一部が該セラミツク体表面の一
部分に露出しており、さらに該セラミツク体の他
の表面部分又は当該他の表面部分と該セラミツク
体内部に導電体が形成されており、前記発熱抵抗
体と導電体は該セラミツク体の表面又は内部で接
続されている構造のセラミツクサーマルヘツドで
あつて、発熱抵抗体が露出している前記セラミツ
ク体の表面部分と該表面部分近傍のセラミツク体
内部の各発熱抵抗体にはさまれる位置及びその近
傍に高熱伝導体を形成したことを特徴とするセラ
ミツクサーマルヘツドである。互いにとなり合う
発熱体層の間に熱伝導率の良好な金属、酸化物又
は半導体等の層を形成することによつて発熱体か
らの熱を速やかにヘツド表面から逃す構造とな
り、発熱体の大きさ、間隔にほぼ等しい解像度を
実現したものである。
次に本発明の構造を図面によつて説明する。第
１図は本発明の構造を持つ積層セラミツクサーマ
ルヘツドの一実施例の外観図を示すもので、ａは
発熱層が直線状に、ｂは発熱層がマトリツクス状
に配列されたものである。
１図は本発明の構造を持つ積層セラミツクサーマ
ルヘツドの一実施例の外観図を示すもので、ａは
発熱層が直線状に、ｂは発熱層がマトリツクス状
に配列されたものである。
これらの図で１は絶縁体、２は発熱層、３は熱
伝導率の高い層、４は外部取出し電極を示してい
る。
伝導率の高い層、４は外部取出し電極を示してい
る。
第２図は第１図ａで示したサーマルヘツドの断
面を図示したものでａは第１図の点線で示した所
で切断した断面を表わし、ｂは同じく第１図の一
点鎖線で切断した断面を示している。第２図中の
１は発熱抵抗体、２は絶縁性セラミツク、３は高
熱伝導体、５は導電体、５′は導電体が充填され
たスルホール部分を示している。
面を図示したものでａは第１図の点線で示した所
で切断した断面を表わし、ｂは同じく第１図の一
点鎖線で切断した断面を示している。第２図中の
１は発熱抵抗体、２は絶縁性セラミツク、３は高
熱伝導体、５は導電体、５′は導電体が充填され
たスルホール部分を示している。
第１図，第２図から明らかなように本発明の構
造によるサーマルヘツドでは発熱抵抗体が、絶縁
体の中に埋め込まれた構造になつているため、抵
抗体の摩耗は絶縁体によつて保護され、表面に耐
摩耗性を設けなくても、充分耐摩耗性のある構造
となつている。また抵抗体の大部分が絶縁体セラ
ミツク内に埋め込まれているため、抵抗体が断線
状態になることが全くない構造になつている。従
つて従来のヘツドのように熱が耐摩耗層へ拡散す
ることがなく、さらに各発熱抵抗体の間に高熱伝
導体層を配置したため、抵抗体の厚さとほぼ等し
い解像度が得られる。さらに、従来のサーマルヘ
ツドでは抵抗体の内部に電流が流れて発熱する場
合、抵抗体に幅がありその幅の中での抵抗体の厚
みのバラツキから発熱量が場所によつて変化し、
記録した像にムラが生ずることが多かつた。
造によるサーマルヘツドでは発熱抵抗体が、絶縁
体の中に埋め込まれた構造になつているため、抵
抗体の摩耗は絶縁体によつて保護され、表面に耐
摩耗性を設けなくても、充分耐摩耗性のある構造
となつている。また抵抗体の大部分が絶縁体セラ
ミツク内に埋め込まれているため、抵抗体が断線
状態になることが全くない構造になつている。従
つて従来のヘツドのように熱が耐摩耗層へ拡散す
ることがなく、さらに各発熱抵抗体の間に高熱伝
導体層を配置したため、抵抗体の厚さとほぼ等し
い解像度が得られる。さらに、従来のサーマルヘ
ツドでは抵抗体の内部に電流が流れて発熱する場
合、抵抗体に幅がありその幅の中での抵抗体の厚
みのバラツキから発熱量が場所によつて変化し、
記録した像にムラが生ずることが多かつた。
本発明の構造によれば、抵抗体の厚み方向が表
面に露出した構造になつているため、同一ドツト
内の熱は均一となり、濃度ムラも少くなつた。さ
らに本発明のサーマルヘツドは均一な絶縁体生シ
ート上に均一な抵抗体を抵抗体生シートを張り付
けるか又はスクリーン印刷法によつて形成するた
め、抵抗体の厚さは数ミクロンから数百ミクロン
の厚さまで均一に形成でき、絶縁体生シートも数
十ミクロンから数百ミクロンまで均一に形成でき
るため、抵抗体の厚さ、抵抗体のピツチを非常に
細かくすることができ、記録した時の解像度を従
来の６〜８ドツト／mmから数十ドツト／mmと飛躍
的に良くすることができる。
面に露出した構造になつているため、同一ドツト
内の熱は均一となり、濃度ムラも少くなつた。さ
らに本発明のサーマルヘツドは均一な絶縁体生シ
ート上に均一な抵抗体を抵抗体生シートを張り付
けるか又はスクリーン印刷法によつて形成するた
め、抵抗体の厚さは数ミクロンから数百ミクロン
の厚さまで均一に形成でき、絶縁体生シートも数
十ミクロンから数百ミクロンまで均一に形成でき
るため、抵抗体の厚さ、抵抗体のピツチを非常に
細かくすることができ、記録した時の解像度を従
来の６〜８ドツト／mmから数十ドツト／mmと飛躍
的に良くすることができる。
第３図は第１図ｂで示したサーマルヘツドの断
面の一例を示したものでａは第１図ｂの点線部分
の断面を表わしｂは同じく第１図ｂの一点鎖線部
分の断面を示している。第３図で１は絶縁性セラ
ミツク体、２は発熱抵抗体、３は高熱伝導体、４
は外部接続用端子、５は導電体、５′はスルーホ
ールを示している。
面の一例を示したものでａは第１図ｂの点線部分
の断面を表わしｂは同じく第１図ｂの一点鎖線部
分の断面を示している。第３図で１は絶縁性セラ
ミツク体、２は発熱抵抗体、３は高熱伝導体、４
は外部接続用端子、５は導電体、５′はスルーホ
ールを示している。
第２，３図に示す様に抵抗体が内部に埋めこま
れ、直接内部導体と接続しており、内部導体はス
ルーホールを介して立体配線し、外部電極と接続
しているため、非常に小形になり、しかも抵抗体
層が絶縁層の中に埋めこまれているため、機械強
度、耐摩耗性も非常に向上する。さらに高熱伝導
体を各発熱抵抗体の間に配置することにより発熱
抵抗体の露出部での厚さとほぼ同じ解像度が得ら
れる。
れ、直接内部導体と接続しており、内部導体はス
ルーホールを介して立体配線し、外部電極と接続
しているため、非常に小形になり、しかも抵抗体
層が絶縁層の中に埋めこまれているため、機械強
度、耐摩耗性も非常に向上する。さらに高熱伝導
体を各発熱抵抗体の間に配置することにより発熱
抵抗体の露出部での厚さとほぼ同じ解像度が得ら
れる。
また第１図に示した実施例の構造のサーマルヘ
ツドの構造方法としては絶縁体材料としてアルミ
ナー結晶化ガラス混合物を用いた。純度99.9％以
上のアルミナ56wt％とホウケイ酸鉛系結晶化ガ
ラス44wt％を秤量し、ボールミルで湿式混合を
行い、過乾燥後絶縁体粉末とした。
ツドの構造方法としては絶縁体材料としてアルミ
ナー結晶化ガラス混合物を用いた。純度99.9％以
上のアルミナ56wt％とホウケイ酸鉛系結晶化ガ
ラス44wt％を秤量し、ボールミルで湿式混合を
行い、過乾燥後絶縁体粉末とした。
この絶縁体粉末を有機ビヒクル中に分散し、ド
クターブレードを用いたキヤステイング法により
絶縁体生シート作成する。この絶縁体生シートを
金型で外径および必要な場合はスルーホールを同
時に抜く。このようにして形成した絶縁体生シー
ト上に金ペーストを用い、スクリーン印刷法によ
り導体層を形成した。さらに酸化ルチニウム系抵
抗体ペーストを同じくスクリーン印刷法によつて
導体形成をした絶縁体生シート上に印刷し、抵抗
体層を形成した。また銀ペーストを絶縁体生シー
トに印刷し、これを高熱伝導層とした。これらの
絶縁体生シートと積層圧着し、積層体とし、これ
を所定の寸法に切断し脱バインダー後800℃〜
1000℃の温度で焼結した。焼結後感熱紙に接触す
る面を鏡面に研摩し外部取出し電極を付け後リー
ド線を取り付けサーマルヘツドとした。このよう
にして作つたサーマルヘツドを用い、感熱紙に印
字した結果、解像度の良い、印字品質の極めて良
好な記録をすることができた。
クターブレードを用いたキヤステイング法により
絶縁体生シート作成する。この絶縁体生シートを
金型で外径および必要な場合はスルーホールを同
時に抜く。このようにして形成した絶縁体生シー
ト上に金ペーストを用い、スクリーン印刷法によ
り導体層を形成した。さらに酸化ルチニウム系抵
抗体ペーストを同じくスクリーン印刷法によつて
導体形成をした絶縁体生シート上に印刷し、抵抗
体層を形成した。また銀ペーストを絶縁体生シー
トに印刷し、これを高熱伝導層とした。これらの
絶縁体生シートと積層圧着し、積層体とし、これ
を所定の寸法に切断し脱バインダー後800℃〜
1000℃の温度で焼結した。焼結後感熱紙に接触す
る面を鏡面に研摩し外部取出し電極を付け後リー
ド線を取り付けサーマルヘツドとした。このよう
にして作つたサーマルヘツドを用い、感熱紙に印
字した結果、解像度の良い、印字品質の極めて良
好な記録をすることができた。
第４図は従来の積層セラミツクサーマルヘツド
（第４図ａ）と本発明のヘツド部分（第４図ｂ）
の拡大図と表面温度分布の関係を示したものであ
る。第２図ａは高熱伝導体層のない積層セラミツ
クサーマルヘツドの温度分布を示したもので１が
絶縁体、２は発熱層を示している。温度分布のグ
ラフから発熱層の間での温度がかなり高くなつて
いることがわかる。第２図ｂは本発明の構造によ
る積層セラミツクサーマルヘツドの温度分布を示
すもので１が絶縁体、２が発熱層、３が高熱伝導
体層を示している。温度分布の図より発熱層間の
温度が低くなつていることがわかる。
（第４図ａ）と本発明のヘツド部分（第４図ｂ）
の拡大図と表面温度分布の関係を示したものであ
る。第２図ａは高熱伝導体層のない積層セラミツ
クサーマルヘツドの温度分布を示したもので１が
絶縁体、２は発熱層を示している。温度分布のグ
ラフから発熱層の間での温度がかなり高くなつて
いることがわかる。第２図ｂは本発明の構造によ
る積層セラミツクサーマルヘツドの温度分布を示
すもので１が絶縁体、２が発熱層、３が高熱伝導
体層を示している。温度分布の図より発熱層間の
温度が低くなつていることがわかる。
このように本発明の積層セラミツクヘツドはド
ツトの温度分布が非常にシヤープになるため、印
字した時の解像度はほぼドツトの大きさとなり、
非常に解像度の高い印字品質が得られた。
ツトの温度分布が非常にシヤープになるため、印
字した時の解像度はほぼドツトの大きさとなり、
非常に解像度の高い印字品質が得られた。
本発明の高熱伝導率体としては金属、金属酸化
物、金属炭化物、金属窒化物いずれの材料を用い
ても良好な結果を得たが、金属としては金、銀、
白金、パラジウム、銅、ニツケルなどの単体ある
いはこれらの二つ以上の合金、金属酸化物として
は酸化ベリリウム、金属炭化物としては炭化ケイ
素、金属窒化物としては窒化ケイ素、窒化ホウ
素、などが特に良好な結果を得た。
物、金属炭化物、金属窒化物いずれの材料を用い
ても良好な結果を得たが、金属としては金、銀、
白金、パラジウム、銅、ニツケルなどの単体ある
いはこれらの二つ以上の合金、金属酸化物として
は酸化ベリリウム、金属炭化物としては炭化ケイ
素、金属窒化物としては窒化ケイ素、窒化ホウ
素、などが特に良好な結果を得た。
第１図は本発明のサーマルヘツドの実施例を示
す斜視図、第２図は第１図ａに示すサーマルヘツ
ドの断面図、第３図は第１図(b)に示すサーマルヘ
ツドの断面図である。第４図はサーマルヘツド上
の発熱抵抗体の位置とその付近の温度分布を示す
図。 各図において、１は絶縁性セラミツク体、２は
発熱抵抗体、３は高熱伝導体、４は外部接続端
子、５は導電体、５′はスルーホール。
す斜視図、第２図は第１図ａに示すサーマルヘツ
ドの断面図、第３図は第１図(b)に示すサーマルヘ
ツドの断面図である。第４図はサーマルヘツド上
の発熱抵抗体の位置とその付近の温度分布を示す
図。 各図において、１は絶縁性セラミツク体、２は
発熱抵抗体、３は高熱伝導体、４は外部接続端
子、５は導電体、５′はスルーホール。
Claims (1)
- １ 絶縁性セラミツク体内部に複数の発熱抵抗体
が形成されており、しかもそれぞれの発熱抵抗体
の一部が該セラミツク体表面の一部分に露出して
おり、さらに該セラミツク体の他の表面部分又は
当該他の表面部分と該セラミツク体内部に導電体
が形成されており、前記発熱抵抗体と導電体は該
セラミツク体の表面又は内部で接続されている構
造のセラミツクサーマルヘツドであつて、発熱抵
抗体が露出している前記セラミツク体の表面部分
と該表面部分近傍のセラミツク体内部の各発熱抵
抗体にはさまれる位置及びその近傍に高熱伝導体
を形成したことを特徴とするセラミツクサーマル
ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57193892A JPS5983682A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | セラミツクサ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57193892A JPS5983682A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | セラミツクサ−マルヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983682A JPS5983682A (ja) | 1984-05-15 |
| JPH0457508B2 true JPH0457508B2 (ja) | 1992-09-11 |
Family
ID=16315471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57193892A Granted JPS5983682A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | セラミツクサ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983682A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1086639C (zh) * | 1994-05-31 | 2002-06-26 | 罗姆股份有限公司 | 感热式打印头、打印头中所用基板及该基板的制造方法 |
| KR100219735B1 (ko) * | 1994-06-21 | 1999-09-01 | 사토 게니치로 | 열인자판과 그에 사용되는 기판 및 그 기판의 제조방법 |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57193892A patent/JPS5983682A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5983682A (ja) | 1984-05-15 |
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