JPH0458653B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0458653B2 JPH0458653B2 JP11865284A JP11865284A JPH0458653B2 JP H0458653 B2 JPH0458653 B2 JP H0458653B2 JP 11865284 A JP11865284 A JP 11865284A JP 11865284 A JP11865284 A JP 11865284A JP H0458653 B2 JPH0458653 B2 JP H0458653B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ferromagnetic metal
- metal thin
- thin film
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、所謂蒸着テープの如き強磁性金属薄
膜型の磁気記録媒体の製法に関するものであり、
さらに詳細には耐久性や走行性を改善するために
設けられる保護膜の形成方法の改良に関するもの
である。
膜型の磁気記録媒体の製法に関するものであり、
さらに詳細には耐久性や走行性を改善するために
設けられる保護膜の形成方法の改良に関するもの
である。
磁気記録の分野においては、記録信号の高密度
記録化や短波長化が進められているが、これに対
応して抗磁力Hcや残留磁束密度Brの大きな磁気
記録媒体が要望されている。
記録化や短波長化が進められているが、これに対
応して抗磁力Hcや残留磁束密度Brの大きな磁気
記録媒体が要望されている。
そこで従来、ポリエステルフイルム等の非磁性
支持体上にCo−Ni合金等の強磁性金属材料を真
空蒸着法やスパツタ法等の手段を用いて強磁性金
属薄膜を直接被着形成し、これを磁性層となした
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案され注目
を集めている。この強磁性金属薄膜型の磁気記録
媒体は、抗磁力Hcや残留磁束密度Brが大きいば
かりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くできるた
め記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこ
と、磁性層に塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体や
ポリウレタン樹脂等の樹脂結合剤を混入する必要
がないため強磁性金属材料の充填密度を高めるこ
とができること等、磁気特性の点で数々の利点を
有している。
支持体上にCo−Ni合金等の強磁性金属材料を真
空蒸着法やスパツタ法等の手段を用いて強磁性金
属薄膜を直接被着形成し、これを磁性層となした
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案され注目
を集めている。この強磁性金属薄膜型の磁気記録
媒体は、抗磁力Hcや残留磁束密度Brが大きいば
かりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くできるた
め記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこ
と、磁性層に塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体や
ポリウレタン樹脂等の樹脂結合剤を混入する必要
がないため強磁性金属材料の充填密度を高めるこ
とができること等、磁気特性の点で数々の利点を
有している。
しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気
記録媒体は、耐久性や走行性等に欠点が多く、そ
の改善が大きな課題となつている。
記録媒体は、耐久性や走行性等に欠点が多く、そ
の改善が大きな課題となつている。
そこで例えば、上記磁気記録媒体の磁性層、す
なわち強磁性金属薄膜表面に潤滑剤等を塗布して
保護膜を形成することによつて上記耐久性や走行
性等を改善することが試みられているが、この場
合には、最初のうちは摩擦係数が低減して走行性
が良くなるが、上記潤滑剤の強磁性金属薄膜に対
する付着力が弱いので、次第にこの潤滑剤が磁気
ヘツド等で削り取られてしまい急激に効果が減じ
てしまうというように、耐久性の点や均一性、膜
厚等の点で問題が多い。
なわち強磁性金属薄膜表面に潤滑剤等を塗布して
保護膜を形成することによつて上記耐久性や走行
性等を改善することが試みられているが、この場
合には、最初のうちは摩擦係数が低減して走行性
が良くなるが、上記潤滑剤の強磁性金属薄膜に対
する付着力が弱いので、次第にこの潤滑剤が磁気
ヘツド等で削り取られてしまい急激に効果が減じ
てしまうというように、耐久性の点や均一性、膜
厚等の点で問題が多い。
一法、上記保護膜をプラズマ重合により形成す
ることが試みられており、例えば特開昭58−
88828号明細書に記載されるように、フツ化カー
ボン系のモノマー蒸気をプラズマ重合させること
により、極めて薄い重合膜が得られ、上述の磁気
記録媒体の走行性の改善に有効であることが報告
されている。
ることが試みられており、例えば特開昭58−
88828号明細書に記載されるように、フツ化カー
ボン系のモノマー蒸気をプラズマ重合させること
により、極めて薄い重合膜が得られ、上述の磁気
記録媒体の走行性の改善に有効であることが報告
されている。
しかしながら、上記プラズマ重合によつて得ら
れる重合膜にあつては、架橋度の不足による耐久
性の不足が問題となつており、実用化を図るため
にはこの耐久性をより一層向上することが要望さ
れている。
れる重合膜にあつては、架橋度の不足による耐久
性の不足が問題となつており、実用化を図るため
にはこの耐久性をより一層向上することが要望さ
れている。
そこで本発明は、前述したような当該技術分野
の要望にこたえて提案されたものであつて、耐久
性に優れた重合膜を作製することが可能なプラズ
マ重合法を提供し、これにより実用レベルの耐久
性を有する強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体を製
造することが可能な磁気記録媒体の製法を提供す
ることを目的とするものである。
の要望にこたえて提案されたものであつて、耐久
性に優れた重合膜を作製することが可能なプラズ
マ重合法を提供し、これにより実用レベルの耐久
性を有する強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体を製
造することが可能な磁気記録媒体の製法を提供す
ることを目的とするものである。
すなわち、本発明に係る磁気記録媒体の製法
は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を設けてな
る磁気記録媒体の前記強磁性金属薄膜表面にプラ
ズマ重合により保護膜を形成するにあたり、モノ
マーガスとして不飽和結合を有するフルオロカー
ボンを用いるとともにキヤリヤーガスとして酸素
を用い、モノマーガス：キヤリヤーガスを体積比
で75：25〜85：15に選定してプラズマ重合を行な
うことを特徴とするものであつて、プラズマ重合
を行なう際のモノマーガスとキヤリヤーガスの種
類及び混合比を選定することにより得られる重合
膜の架橋度を増して耐久性を大幅に向上し、これ
を保護膜とすることにより強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体の耐久性、走行性の向上を図ろうとす
るものである。
は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を設けてな
る磁気記録媒体の前記強磁性金属薄膜表面にプラ
ズマ重合により保護膜を形成するにあたり、モノ
マーガスとして不飽和結合を有するフルオロカー
ボンを用いるとともにキヤリヤーガスとして酸素
を用い、モノマーガス：キヤリヤーガスを体積比
で75：25〜85：15に選定してプラズマ重合を行な
うことを特徴とするものであつて、プラズマ重合
を行なう際のモノマーガスとキヤリヤーガスの種
類及び混合比を選定することにより得られる重合
膜の架橋度を増して耐久性を大幅に向上し、これ
を保護膜とすることにより強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体の耐久性、走行性の向上を図ろうとす
るものである。
本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支
持体上に強磁性金属材料を直接被着し、強磁性金
属薄膜を磁性層として形成してなる所謂強磁性金
属薄膜型磁気記録媒体である。
持体上に強磁性金属材料を直接被着し、強磁性金
属薄膜を磁性層として形成してなる所謂強磁性金
属薄膜型磁気記録媒体である。
上記非磁性支持体の素材としては、ポリエチレ
ンテレフタレート等のポリエステル類、ポリエチ
レン、ポリプロピレン等のポリオレフイン類、セ
ルローストリアセテート、セルロースダイアセテ
ート、セルロースアセテートブチレート等のセル
ロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリ
イミド、ポリアミドイミド等のプラスチツク等が
挙げられる。また、上記非磁性支持体の形態とし
ては、フイルム、テープ、シート、デイスク、カ
ード、ドラム等のいずれでも良い。
ンテレフタレート等のポリエステル類、ポリエチ
レン、ポリプロピレン等のポリオレフイン類、セ
ルローストリアセテート、セルロースダイアセテ
ート、セルロースアセテートブチレート等のセル
ロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリ
イミド、ポリアミドイミド等のプラスチツク等が
挙げられる。また、上記非磁性支持体の形態とし
ては、フイルム、テープ、シート、デイスク、カ
ード、ドラム等のいずれでも良い。
上記強磁性金属材料としては、鉄Fe、コバル
トCo、ニツケルNi等の金属あるいはCo−Ni合
金、Fe−Co合金、Fe−Ni合金、Co−Ni−Fe−
Ｂ合金等の合金が挙げられる。
トCo、ニツケルNi等の金属あるいはCo−Ni合
金、Fe−Co合金、Fe−Ni合金、Co−Ni−Fe−
Ｂ合金等の合金が挙げられる。
上記強磁性金属材料の被着手段としては、真空蒸
着法、イオンプレーテイング法、スパツタ法等が
挙げられる。上記真空蒸着法は、10-4〜10-8
Torrの真空下で上記強磁性金属材料を抵抗加熱、
高周波加熱、電子ビーム加熱等により蒸発させ上
記非磁性支持体上に蒸発金属（強磁性金属材料）
を沈着するというものであり、斜方蒸着法及び垂
直蒸着法に大別される。上記斜方蒸着法は、高い
抗磁力を得るため非磁性支持体に対して上記強磁
性金属材料を斜めに蒸着するものであつて、より
高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着
を行なうものも含まれる。上記垂直蒸着法は、蒸
着効率や生産性を向上し、かつ高い抗磁力を得る
ために非磁性支持体上にあらかじめBi，Tl，Sb，
Ga，Ge等の下地金属層を形成しておき、この下
地金属層上に上記強磁性金属材料を垂直に蒸着す
るというものである。上記イオンプレーテイング
法も真空蒸着法の一種であり、10-4〜10-3Torr
の不活性ガス雰囲気中でDCグロー放電、RFグロ
ー放電を起こし、放電中で上記強磁性金属を蒸発
させるというものである。上記スパツタ法は、
10-3〜10-1Torrのアルゴンガスを主成分とする
雰囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴン
イオンでターゲツト表面の原子をたたき出すとい
うもので、グロー放電の方法により直流２極、３
極スパツタ法や、高周波スパツタ法、またマグネ
トロン放電を利用したマグネトロンスパツタ法等
がある。
着法、イオンプレーテイング法、スパツタ法等が
挙げられる。上記真空蒸着法は、10-4〜10-8
Torrの真空下で上記強磁性金属材料を抵抗加熱、
高周波加熱、電子ビーム加熱等により蒸発させ上
記非磁性支持体上に蒸発金属（強磁性金属材料）
を沈着するというものであり、斜方蒸着法及び垂
直蒸着法に大別される。上記斜方蒸着法は、高い
抗磁力を得るため非磁性支持体に対して上記強磁
性金属材料を斜めに蒸着するものであつて、より
高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着
を行なうものも含まれる。上記垂直蒸着法は、蒸
着効率や生産性を向上し、かつ高い抗磁力を得る
ために非磁性支持体上にあらかじめBi，Tl，Sb，
Ga，Ge等の下地金属層を形成しておき、この下
地金属層上に上記強磁性金属材料を垂直に蒸着す
るというものである。上記イオンプレーテイング
法も真空蒸着法の一種であり、10-4〜10-3Torr
の不活性ガス雰囲気中でDCグロー放電、RFグロ
ー放電を起こし、放電中で上記強磁性金属を蒸発
させるというものである。上記スパツタ法は、
10-3〜10-1Torrのアルゴンガスを主成分とする
雰囲気中でグロー放電を起こし、生じたアルゴン
イオンでターゲツト表面の原子をたたき出すとい
うもので、グロー放電の方法により直流２極、３
極スパツタ法や、高周波スパツタ法、またマグネ
トロン放電を利用したマグネトロンスパツタ法等
がある。
そして、本発明においては、上述の磁気記録媒
体の強磁性金属薄膜表面にプラズマ重合により保
護膜を形成する。
体の強磁性金属薄膜表面にプラズマ重合により保
護膜を形成する。
上記プラズマ重合は、通常有機モノマーガス単
独、またはそのモノマーガスと他のガス（キヤリ
ヤーガス）との混合ガス中でグロー放電を行な
い、その励起モノマーから誘導される重合膜を放
電域に接した基体上に生成させるというものであ
つて、これにより例えば １ 基体である強磁性金属薄膜に対して高接着性
であること ２ 高密度であること ３ 耐熱性であること ４ 均一な膜として生成されること 等の諸特性を具備した重合膜が保護膜として形成
されるのである。
独、またはそのモノマーガスと他のガス（キヤリ
ヤーガス）との混合ガス中でグロー放電を行な
い、その励起モノマーから誘導される重合膜を放
電域に接した基体上に生成させるというものであ
つて、これにより例えば １ 基体である強磁性金属薄膜に対して高接着性
であること ２ 高密度であること ３ 耐熱性であること ４ 均一な膜として生成されること 等の諸特性を具備した重合膜が保護膜として形成
されるのである。
本発明においては、モノマーガスとキヤリヤー
ガスの混合ガス中のでグロー放電によつて重合膜
を形成するが、ここで、使用するモノマーガスと
キヤリヤーガスの種類及び混合比が重要である。
ガスの混合ガス中のでグロー放電によつて重合膜
を形成するが、ここで、使用するモノマーガスと
キヤリヤーガスの種類及び混合比が重要である。
先ず、上記モノマーガスとしては、フルオロカ
ーボン（ふつ化炭素）が使用される、なかでも CnF2o（２≦ｎ≦４） なる一般式で表わされる不飽和結合を有するフル
オロカーボンが使用される。この不飽和結合を有
するフルオロカーボンの炭素数は４以下であるこ
とが好ましく、上記炭素数が４を越えると架橋度
が不足して充分な耐久性を有する重合膜が得られ
なくなる虞れがある。また、同様に上記フルオロ
カーボンは不飽和結合を有していることが必要
で、この不飽和結合を有していないと得られる重
合膜の架橋度が不足するばかりか、膜の生成が遅
く極端な場合には重合膜が得られない虞れもあ
る。特に好ましいモノマーガスとしては、テトラ
フルオロエチレ（CF2＝CF2）あるいはヘキサフ
ルオロピレン（CF2＝CF−CF3）が挙げられる。
ーボン（ふつ化炭素）が使用される、なかでも CnF2o（２≦ｎ≦４） なる一般式で表わされる不飽和結合を有するフル
オロカーボンが使用される。この不飽和結合を有
するフルオロカーボンの炭素数は４以下であるこ
とが好ましく、上記炭素数が４を越えると架橋度
が不足して充分な耐久性を有する重合膜が得られ
なくなる虞れがある。また、同様に上記フルオロ
カーボンは不飽和結合を有していることが必要
で、この不飽和結合を有していないと得られる重
合膜の架橋度が不足するばかりか、膜の生成が遅
く極端な場合には重合膜が得られない虞れもあ
る。特に好ましいモノマーガスとしては、テトラ
フルオロエチレ（CF2＝CF2）あるいはヘキサフ
ルオロピレン（CF2＝CF−CF3）が挙げられる。
一方、上記キヤリヤーガスとしては酸素を使用
する。この酸素は、プラズマ重合を行なう際にモ
ノマーの不飽和結合が開裂してラジカルに移行す
るのを促進するとともに、不必要なラジカルを消
失させる作用を有するものと推定され、得られる
重合膜の膜質を向上するうえで有用なものであ
る。
する。この酸素は、プラズマ重合を行なう際にモ
ノマーの不飽和結合が開裂してラジカルに移行す
るのを促進するとともに、不必要なラジカルを消
失させる作用を有するものと推定され、得られる
重合膜の膜質を向上するうえで有用なものであ
る。
そして、上記モノマーガスとキヤリヤーガスと
は、所定の比率で混合して使用する必要があり、
本発明者の実験によれば、モノマーガス：キヤリ
ヤーガスを体積比で75：25〜85：15の範囲内で設
定することにより、極めて耐久性に優れた重合膜
が生成することが分かつた。すなわち、上記キヤ
リヤーガスの割合が15体積％未満である場合、あ
るいは25体積％を越える場合には、充分な耐久性
を有する重合膜が得られず、したがつて強磁性金
属薄膜型の磁気記録媒体の耐久性を実用レベルま
で引き上げることは難かしい。
は、所定の比率で混合して使用する必要があり、
本発明者の実験によれば、モノマーガス：キヤリ
ヤーガスを体積比で75：25〜85：15の範囲内で設
定することにより、極めて耐久性に優れた重合膜
が生成することが分かつた。すなわち、上記キヤ
リヤーガスの割合が15体積％未満である場合、あ
るいは25体積％を越える場合には、充分な耐久性
を有する重合膜が得られず、したがつて強磁性金
属薄膜型の磁気記録媒体の耐久性を実用レベルま
で引き上げることは難かしい。
上述のモノマーガス及びキヤリヤーガスを使用
してプラズマ重合を行なうわけであるが、次に本
発明においてプラズマ重合を行なうために使用さ
れる反応装置の一例について説明する。
してプラズマ重合を行なうわけであるが、次に本
発明においてプラズマ重合を行なうために使用さ
れる反応装置の一例について説明する。
第１図は本発明において実際に使用される反応
装置の構成を示す概略図である。
装置の構成を示す概略図である。
この反応装置は、電極の汚染が無いこと及び放
電の安定性が良いことから無電極方式が採用され
かつ誘導結合方式となつており、プラズマの発振
周波数は13.56MHzである。そして、上記反応装
置は、プラズマ重合反応のための反応室１を具備
してなり、この反応室１の周囲には整合回路網２
を介して周波数発振器３に接続される高周波コイ
ル４が巻回されている。また、上記反応室１に
は、モノマーガス及びキヤリヤーガスを導入する
ための導入管５が接続され、あらかじめ例えばマ
スフローコントローラによりそれぞれ流量を調整
したモノマーガスとキヤリヤーガスとを上述の混
合比となるように混合して上記反応室１内に導入
するようになつている。さらに上記反応室１の両
側には、表面に強磁性金属薄膜を被着形成した非
磁性金属薄膜を被着形成した非磁性支持体６をロ
ール７から繰出すための供給室８と、上記非磁性
支持体６を反応室１内に通じた後にロール９に巻
取るための巻取り室１０とがそれぞれ連結されて
おり、非磁性支持体６をガイドローラ１１を介し
て連続駆動しながらプラズマ重合反応による重合
膜を付着させるように構成されている。なお、上
記供給室８及び巻取り室１０は、それぞれ真空ポ
ンプに接続され、反応室１を含めて全体が高真空
に保持されるようになされている。
電の安定性が良いことから無電極方式が採用され
かつ誘導結合方式となつており、プラズマの発振
周波数は13.56MHzである。そして、上記反応装
置は、プラズマ重合反応のための反応室１を具備
してなり、この反応室１の周囲には整合回路網２
を介して周波数発振器３に接続される高周波コイ
ル４が巻回されている。また、上記反応室１に
は、モノマーガス及びキヤリヤーガスを導入する
ための導入管５が接続され、あらかじめ例えばマ
スフローコントローラによりそれぞれ流量を調整
したモノマーガスとキヤリヤーガスとを上述の混
合比となるように混合して上記反応室１内に導入
するようになつている。さらに上記反応室１の両
側には、表面に強磁性金属薄膜を被着形成した非
磁性金属薄膜を被着形成した非磁性支持体６をロ
ール７から繰出すための供給室８と、上記非磁性
支持体６を反応室１内に通じた後にロール９に巻
取るための巻取り室１０とがそれぞれ連結されて
おり、非磁性支持体６をガイドローラ１１を介し
て連続駆動しながらプラズマ重合反応による重合
膜を付着させるように構成されている。なお、上
記供給室８及び巻取り室１０は、それぞれ真空ポ
ンプに接続され、反応室１を含めて全体が高真空
に保持されるようになされている。
このように構成される反応装置を用い、まず反
応室１内の残存空気を十分に除去して10-2Torr
程度にまで減圧し、しかる後に所定の混合比を有
するモノマーガスとキヤリヤーガスの混合ガスを
所定の流量で反応室１内に導入しながら発振器３
を作動させ、RFパワーをコイル４にかけて放電
させる。なお、上記プラズマ重合反応は放電を良
好に起こさせるために、一般に10-3〜3Torrの真
空状態で行なわれるのが望ましく、通常10-2
Torr程度が採用される。
応室１内の残存空気を十分に除去して10-2Torr
程度にまで減圧し、しかる後に所定の混合比を有
するモノマーガスとキヤリヤーガスの混合ガスを
所定の流量で反応室１内に導入しながら発振器３
を作動させ、RFパワーをコイル４にかけて放電
させる。なお、上記プラズマ重合反応は放電を良
好に起こさせるために、一般に10-3〜3Torrの真
空状態で行なわれるのが望ましく、通常10-2
Torr程度が採用される。
この結果、上記非磁性支持体６上に被着形成さ
れる強磁性金属薄膜表面にプラズマ重合膜が保護
膜として成長するのである。すなわち、得られる
磁気記録媒体は、第２図に示すように、非磁性支
持体６上に強磁性金属薄膜１２を積層形成し、さ
らにこの強磁性金属薄膜１２表面に上記プラズマ
重合により得られる重合膜を保護膜１３として積
層形成して構成される。
れる強磁性金属薄膜表面にプラズマ重合膜が保護
膜として成長するのである。すなわち、得られる
磁気記録媒体は、第２図に示すように、非磁性支
持体６上に強磁性金属薄膜１２を積層形成し、さ
らにこの強磁性金属薄膜１２表面に上記プラズマ
重合により得られる重合膜を保護膜１３として積
層形成して構成される。
上記プラズマ重合反応により得られる保護膜１
３の膜厚としては、50〜500Åの範囲内であるこ
とが好ましく、さらには50〜150Åの範囲がより
好ましい。上記膜厚が50Å未満であると滑性付与
効果及び耐久性が不足し、また500Åを越えると
例えばテープにして磁気ヘツド表面を摺動する際
のスペーシングロス（厚み損失）が大きくなつて
しまう。
３の膜厚としては、50〜500Åの範囲内であるこ
とが好ましく、さらには50〜150Åの範囲がより
好ましい。上記膜厚が50Å未満であると滑性付与
効果及び耐久性が不足し、また500Åを越えると
例えばテープにして磁気ヘツド表面を摺動する際
のスペーシングロス（厚み損失）が大きくなつて
しまう。
上述のように、本発明においては、モノマーガ
スとして不飽和結合を有するフルオロカーボンを
用いキヤリヤーガスとして酸素を用いるととも
に、上記モノマーガスとキヤリヤーガスの比率を
所定の割合に設定しているので、高度に架橋し耐
久性の高い重合膜をプラズマ重合反応により形成
することができ、この重合膜を保護膜１３として
強磁性金属薄膜１２上に被着形成することにより
耐久性に優れた磁気記録媒体を製造することが可
能となるのである。
スとして不飽和結合を有するフルオロカーボンを
用いキヤリヤーガスとして酸素を用いるととも
に、上記モノマーガスとキヤリヤーガスの比率を
所定の割合に設定しているので、高度に架橋し耐
久性の高い重合膜をプラズマ重合反応により形成
することができ、この重合膜を保護膜１３として
強磁性金属薄膜１２上に被着形成することにより
耐久性に優れた磁気記録媒体を製造することが可
能となるのである。
次に、本発明の具体的な実施例について説明す
るが、本発明がこれら実施例に限定されるもので
ないことは言うまでもない。
るが、本発明がこれら実施例に限定されるもので
ないことは言うまでもない。
実施例 １
ポリエチレンテレフタレートフイルム上に斜方
蒸着法により膜厚1000ÅのCo−Ni合金膜（Co含
有量80重量％、Ni含有量20重量％）を蒸着形成
した。
蒸着法により膜厚1000ÅのCo−Ni合金膜（Co含
有量80重量％、Ni含有量20重量％）を蒸着形成
した。
次いで、モノマーガスとしてテトラフルオロエ
チレン（C2F4）を用い、キヤリヤーガスとして
酸素（O2）を用い、これらモノマーガスとキヤ
リヤーガスの比率C2F4：O2が体積比で75：25と
なるように設定し、全流量100ml／min、圧力6.0
×10-2Torr、高周波出力（周波数13.56MHz）
400Wの条件でプラズマ重合反応を行ない、上記
Co−Ni合金膜上に膜厚280Åのプラズマ重合膜を
形成してサンプルテープを作製した。
チレン（C2F4）を用い、キヤリヤーガスとして
酸素（O2）を用い、これらモノマーガスとキヤ
リヤーガスの比率C2F4：O2が体積比で75：25と
なるように設定し、全流量100ml／min、圧力6.0
×10-2Torr、高周波出力（周波数13.56MHz）
400Wの条件でプラズマ重合反応を行ない、上記
Co−Ni合金膜上に膜厚280Åのプラズマ重合膜を
形成してサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのスチル特性を測定し
たところ、スチル時間が90分であつて、後述のプ
ラズマ重合膜を設けないもの（比較例１）と比べ
て耐久性が大幅に向上したことが分かる。なお、
上記スチル特性は、サンプルテープに4.2MHzの
映像信号を記録し、この再生出力が50％に減衰す
るまでのスチル時間を示すものであつて、磁気テ
ープの耐久性の目やすとなるものである。
たところ、スチル時間が90分であつて、後述のプ
ラズマ重合膜を設けないもの（比較例１）と比べ
て耐久性が大幅に向上したことが分かる。なお、
上記スチル特性は、サンプルテープに4.2MHzの
映像信号を記録し、この再生出力が50％に減衰す
るまでのスチル時間を示すものであつて、磁気テ
ープの耐久性の目やすとなるものである。
比較例 １
ポリエチレンテレフタレートフイルム上に斜方
蒸着法により膜厚1000ÅのCo−Ni合金膜（Co含
有量80重量％、Ni含有量20重量％）を蒸着形成
し、そのままサンプルテープとしてスチル特性を
測定したところ、スチル時間は30分であつた。
蒸着法により膜厚1000ÅのCo−Ni合金膜（Co含
有量80重量％、Ni含有量20重量％）を蒸着形成
し、そのままサンプルテープとしてスチル特性を
測定したところ、スチル時間は30分であつた。
実施例 ２
ポリエチレンテレフタレートフイルム上に斜方
蒸着法により膜厚1000ÅのCo−Ni合金膜（Co含
有量80重量％、Ni含有量20重量％）を蒸着形成
した。
蒸着法により膜厚1000ÅのCo−Ni合金膜（Co含
有量80重量％、Ni含有量20重量％）を蒸着形成
した。
次いで、モノマーガスとしてヘキサフルオロプ
ロピレン（C3F6）を用い、キヤリヤーガスとし
て酸素（O2）を用い、これらモノマーガスとキ
ヤリヤーガスの比率C3F6：O2が体積比で80：20
となるように設定し、全流量100ml／min、圧力
5.0×10-2Torr、高周波出力（周波数13.56MHz）
500Wの条件でプラズマ重合反応を行ない、上記
Co−Ni合金膜上に膜厚300Åのプラズマ重合膜を
形成してサンプルテープを作製した。
ロピレン（C3F6）を用い、キヤリヤーガスとし
て酸素（O2）を用い、これらモノマーガスとキ
ヤリヤーガスの比率C3F6：O2が体積比で80：20
となるように設定し、全流量100ml／min、圧力
5.0×10-2Torr、高周波出力（周波数13.56MHz）
500Wの条件でプラズマ重合反応を行ない、上記
Co−Ni合金膜上に膜厚300Åのプラズマ重合膜を
形成してサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのスチル特性を測定し
たところ、スチル時間が100分であつて、各比較
例に比べて耐久性が大幅に向上していることが分
かつた。
たところ、スチル時間が100分であつて、各比較
例に比べて耐久性が大幅に向上していることが分
かつた。
比較例 ２
先の実施例１において、C3F6：O2が体積比で
95：５となるように設定し、他は実施例１と同様
の方法により、Co−Ni合金膜上に膜厚280Åのプ
ラズマ重合膜を形成してサンプルテープを作製し
た。
95：５となるように設定し、他は実施例１と同様
の方法により、Co−Ni合金膜上に膜厚280Åのプ
ラズマ重合膜を形成してサンプルテープを作製し
た。
得られたサンプルテープのスチル特性を測定し
たところ、スチル時間は５分であつた。
たところ、スチル時間は５分であつた。
比較例 ３
先の実施例１において、C3F6：O2が体積比で
90：10となるように設定し、他は実施例１と同様
の方法によりCo−Ni合金膜上に膜厚300Åのプラ
ズマ重合膜を形成してサンプルテープを作製し
た。
90：10となるように設定し、他は実施例１と同様
の方法によりCo−Ni合金膜上に膜厚300Åのプラ
ズマ重合膜を形成してサンプルテープを作製し
た。
得られたサンプルテープのスチル特性を測定し
たところ、スチル時間は５分であつた。
たところ、スチル時間は５分であつた。
比較例 ４
先の実施例１において、C3F6：O2が体積比で
70：30となるように設定し、他は実施例１と同様
の方法によりCo−Ni合金膜上に膜厚250Åのプラ
ズマ重合膜を形成してサンプルテープを作製し
た。
70：30となるように設定し、他は実施例１と同様
の方法によりCo−Ni合金膜上に膜厚250Åのプラ
ズマ重合膜を形成してサンプルテープを作製し
た。
得られたサンプルテープのスチル特性を測定し
たところ、スチル時間は25分であつた。
たところ、スチル時間は25分であつた。
比較例 ５
先の実施例１において、C3F6：O2が体積比で
60：40となるように設定し、他は実施例１と同様
の方法によりCo−Ni合金膜上に膜厚200Åのプラ
ズマ重合膜を形成してサンプルテープを作製し
た。
60：40となるように設定し、他は実施例１と同様
の方法によりCo−Ni合金膜上に膜厚200Åのプラ
ズマ重合膜を形成してサンプルテープを作製し
た。
得られたサンプルテープのスチル特性を測定し
たところ、スチル時間は30分であつた。
たところ、スチル時間は30分であつた。
比較例 ６
先の実施例１において、C3F6：O2が体積比で
50：50となるように設定し、他は実施例１と同様
の方法によりCo−Ni合金膜上に膜厚220Åのプラ
ズマ重合膜を形成してサンプルテープを作製し
た。
50：50となるように設定し、他は実施例１と同様
の方法によりCo−Ni合金膜上に膜厚220Åのプラ
ズマ重合膜を形成してサンプルテープを作製し
た。
得られたサンプルテープのスチル特性を測定した
ところ、スチル時間は25分であつた。
ところ、スチル時間は25分であつた。
以上述べたように、本発明によれば、高度に架
橋し耐久性に優れたプラズマ重合膜を作製するこ
とが可能となり、したがつて耐久性に優れた磁気
記録媒体を製造することが可能である。
橋し耐久性に優れたプラズマ重合膜を作製するこ
とが可能となり、したがつて耐久性に優れた磁気
記録媒体を製造することが可能である。
第１図は本発明において使用されるプラズマ反
応装置の一例を示す概略図であり、第２図は本発
明により得られる磁気記録媒体の構成を示す要部
拡大断面図である。 ６……非磁性支持体、１２……強磁性金属薄
膜、１３……保護膜。
応装置の一例を示す概略図であり、第２図は本発
明により得られる磁気記録媒体の構成を示す要部
拡大断面図である。 ６……非磁性支持体、１２……強磁性金属薄
膜、１３……保護膜。
Claims (1)
- １ 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を設けてな
る磁気記録媒体の前記強磁性金属薄膜表面にプラ
ズマ重合により保護膜を形成するにあたり、モノ
マーガスとして不飽和結合を有するフルオロカー
ボンを用いるとともにキヤリヤーガスとして酸素
を用い、モノマーガス：キヤリヤーガスを体積比
で75：25〜85：15に選定してプラズマ重合を行な
うことを特徴とする磁気記録媒体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11865284A JPS60263332A (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | 磁気記録媒体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11865284A JPS60263332A (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | 磁気記録媒体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60263332A JPS60263332A (ja) | 1985-12-26 |
| JPH0458653B2 true JPH0458653B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=14741861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11865284A Granted JPS60263332A (ja) | 1984-06-09 | 1984-06-09 | 磁気記録媒体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60263332A (ja) |
-
1984
- 1984-06-09 JP JP11865284A patent/JPS60263332A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60263332A (ja) | 1985-12-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |