JPH0459260B2 - - Google Patents
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は、回路基板に係り、特に低温焼成可能
な回路基板に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来から回路基板用のセラミツクス材料として
用いられているものにアルミナがある。このアル
ミナは絶縁性が良好であるため、もつとも一般的
に使用されている。 しかしながらアルミナを用いた場合は、その焼
成温度が1500〜1600℃と高温であるため、使用で
きる導体ペーストに制限が生じていた。例えば導
体ペーストと基板とを同時焼結する多層回路基板
では、アルミナの焼成温度に十分耐え得るような
タングステン、モリブデン等の導体ペーストを用
いる必要があつた。しかしながらＷ，Moは抵抗
率がAgの1.6×10-6Ω・cmに比べ5.2×10-6Ω・
cm、5.5×10-6Ω・cmと３倍程度大きい。従つて
同じ伝導度の導体路を得るためには、導体幅を３
倍程度にする必要があり、高密度配線ができない
欠点があつた。 また、ガラス成分を加えて焼成温度を下げる試
みもあるが、多層配線の場合のマイグレーシヨン
の問題があり、実用上好ましくない。 このような欠点を除去するため、絶縁性等の特
性を劣化させることなく低温焼成可能な回路基板
の開発が望まれている。 このような要望にこたえて、本発明は先に
BaO，SnO2，B2O3を主成分とする1300℃以下程
度で焼結可能な低温焼結基板を提案した。絶縁抵
抗、誘電率等の電気的特性はAl2O3と同等以上で
あり、かつ低温焼結ができるため非常に有効な材
料である。本発明者等が、この基板材料について
さらに検討を加えたところ、耐水性の点で少々問
題があることがわかつた。 基板の耐水性は、高湿中もしくは水分の存在す
る環境で用いた場合の絶縁特性等を考慮した場合
重要な要素である。 〔発明の目的〕 本発明は以上の点を考慮してなされたもので、
低温焼成が可能で、かつ耐水性に優れた回路基板
を提供することを目的とする。 〔発明の概要〕 本発明は、バリウム、スズ、硼素、チタンを、
BaO，SnO2，B2O3，TiO2換算して、 BaO ８〜54mol％ SnO2 ７〜40mol％ B2O3 10〜58mol％ TiO2 ５〜48mol％ 含有された酸化物焼結体を絶縁体として用いて
いることを特徴とする回路基板である。 このような組成をとることにより焼成温度1300
℃以下の低温焼成可能な回路基板を得ることがで
きる。この基板は熱膨張率αが９×10-6／℃以下
程度と小さいため、Si（４×10-6／℃）と同程度
であり、直接LSIチツプを実装するハイブリツド
基板用に好適である。また他の特性、例えば誘電
率εs12以下程度、誘電損失tanδ1.2×10-3以下程
度、絶縁抵抗ρ0.7×1013Ω・cm以上と回路基板と
して十分な特性を有する。また抗折強度も1700
Kg／cm2以上と十分な強度を有する。この酸化物焼
結体は基板自体として用いても良いし、多層配線
間の層間絶縁層として用いても良い。 本発明において、各組成分は以下の理由で限定
する。 まずSnO2であるが、余り多いと本来半導体の
性質を有するため、絶縁抵抗が低下してしまい、
絶縁性基板としての特性を満足しなくなる。 また誘電損失（tanδ）、比誘電率（εs）も大き
くなり、高密度配線、高周波特性に劣つてしま
う。また少ないと、熱膨張率が大きくなってしま
い、例えばLSIチツプを搭載する場合にチツプの
ソリ、割れ等が生じ易くなる。よつてSnO2に換
算して７〜40mol％の範囲が好ましい。 またBaOであるが、余り多いと、もろくなつ
てしまい基板強度に劣り、少ないと熱膨張率、
tanδが大きくなつてしまう。特にバリウムの少な
い領域でホウ素量が多いと熱膨張率の劣化が顕著
であり、ホウ素量が少ないとtanδの劣化が顕著で
ある。よつてBaOに換算して、８〜54mol％の範
囲が好ましい。 次にB2O3である。ホウ素量が少ないと、本発
明の主目的である低温焼成の効果が得られず、
1300℃以上程度の温度となつてしまう。また多い
と、熱膨張係数が大きくなつてしまう。 よつて、B2O3に換算して10〜58mol％の範囲
が好ましい。 本発明においては、さらにTiO2を含有させる。
このTiO2を含有させることにより、耐環壊性が
非常に向上する。すなわち、一般環境での使用を
考えた場合、湿度の影響を無視することはできな
い。TiO2を含有させることにより、耐湿性が向
上するのである。TiO2に換算して5mol％より少
ないと吸水率が大きく、高湿中、もしくは水分が
存在するような環境で回路基板を用いた場合、絶
縁抵抗が低下してしまう恐れがある。又、48mol
％を超えると、誘電率等の他の特性が劣化してし
まう。 よつて、TiO2に換算して５〜48mol％の範囲
が好ましい。 このように本発明によれば、焼成温度が1300℃
以下の絶縁性基板を得ることができ、Al2O3の場
合のＷ，Mo等に変え、Ag，Ag−Pd，Ag−Pt等
のAg系ペースト、Cuペースト等のシート抵抗の
小さい低温焼成ペーストを用いることができるた
め高密度配線ができ、非常に有効である。又、焼
成温度を下げることにより、製造時のエネルギー
コストの低下の効果も大である。 又、特にSnO212〜38mol％、BaO11〜36mol
％、B2O314〜45mol％、TiO2７〜40mol％範囲
では、焼成温度1100℃以下程度で製造することが
でき、α≦6.5×10-6／℃と優れた特性を有する
基板を低温焼結できるので非常に有効である。 さらにBaO12〜35mol％、SnO211〜32mol％、
TiO210〜36mol％、B2O315〜40mol％のとき、
耐水性に優れ、ガラスエポキシ基板の1/8程度の
吸水率となり、特に好ましい組成範囲である。 本件発明の焼結体中にはBaSn（BO3）2及び
BaSn（BO3）2のSnがTiで置換された相が存在す
る。Ba（Sn0.5Ti0.5）（BO3）2近傍の相が耐水性で
は優れている。BaTi（BO3）2のみでは、導体層と
の同時焼結の際に、金属が拡散してしまい、多層
配線間の短絡の問題が生じる。 従来用いられているAl2O3基板はAl2O3を92〜
93％含有したもので、1500〜1600℃程度の焼結程
度、εs＝10.5〜12、tanδ＝２〜５×10-3、ρ＝0.2
〜５×1013、α８×10-6℃である。 本発明においては、前述のごとく焼結温度で
Al2O3を大幅に下回り、他の特性も同等かそれ以
上のものを得ることができる。 本発明絶縁性基板を用いて、同時焼結により多
層配線基板を形成した例を説明する。 まず、所望のBaO，SnO2，B2O3，TiO2組成比
を有する原料粉末を含有するスラリーを製造す
る。スラリーは原料粉末に、例えばポリビニルブ
チラル等の結合剤、フタール酸オクチル、ポリエ
チレングリコール等の可塑剤、メンヘーテン油等
の解膠剤、エチルアルコール、トリクロロエチレ
ン等の溶媒を加えて製造する。このスラリーを用
い、ドクタープレード法でグリーンシートを製造
する。次いでAg系等の導体ペーストを用い、第
１の導体層を印刷・塗布し乾燥する。続いて所望
のBaO，SnO2，B2O3，TiO2の組成比を有する原
料粉末を含有する絶縁体ペーストを第１の導体層
上に印刷塗布し、乾燥した後、第２の導体層を同
様に形成する。絶縁ペーストは、ブチルカルビト
ールアセテート、テルピネオール、エチルセルロ
ーズ等を添加してペースト状とし、塗布する。 このように、２層配線を施したグリーンシート
を電気炉中で例えば1000℃程度で3hr同時焼成し、
多層配線基板を製造する。 本発明の回路基板は、多層配線を有する同時焼
成用の基板としての用途に特に優れている。本発
明によれば低温焼成が可能な絶縁体層を提供でき
るので、導体層として、従来のＷ，Mo等にか
え、シート抵抗の小さいAg系、Cu系、Au系、
Ni系等のペーストを用いることができる。特に
ガラス成分を含んでいないため、空孔が少なく、
構造がち密であるため、Ag系を用いてもマイグ
レーシヨン等の問題が起こることもない。従つて
配線密度をあげ、高密度化が可能となる。また、
Ag系ペースト中の例えばPd量を減少させること
もできコスト的にもすぐれた基板を提供できる。 従来Al2O3にＷ，Mo等の導体ペースト用いた
場合は、還元性雰囲気中で同時焼結を行なう必要
があつたが、Ag，Auを用いることができるた
め、空気中焼成が可能であり、製造容易、コスト
の低下等の効果を得ることもできる。又、基板中
にガラス成分がないため、Agのマイグレーシヨ
ンが生じにくい。 また、この例は印刷多層であるがいわゆるグリ
ーンシート多層でも同様であり、２層以上でも同
様である。 この方法では、まずドクターブレート法て
100μｍ程度の厚さを有するグリーンシートを作
り、そのシートの片面上に導体パターンを印刷
し、それらのシートを複数枚重ねて、温度50℃程
度、圧力200Kg／cm2程度で加圧積層し、多層配線
を施す。同時焼成は上記と同様である。 また、多層配線基板の場合、基体としては、本
発明の回路基板を用いても良いが、例えばAl2O3
基板、ムライト基板等の他の基体を用いても良
い。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、1300℃以
下程度、特に800〜1200℃程度の低温で焼成可能
な回路基板を得ることができる。 従つて高密度配線、特に一体焼結による多層配
線基板用として有効である。また熱膨張も小さく
できるため、LSIチツプ等を直接搭載する高密度
ハイブリツドIC用の基板としても有効である。 〔発明の実施例〕 以下に本発明の実施例を説明する。本実施例の
回路基板は以下のようにして製造した。 まず、所望の組成比となるようにBaO，B2O3，
SnO2，TiO2の原料粉末を調合し、この調合され
た粉末をアルミナボールと共にアルミナ製ポツト
に入れ、振動ミルにより16時間程度の湿式粉砕を
行なつた。この原料粉末は、焼結後酸化物に転化
するもの、例えば炭酸塩等で用いても良く、本実
施例ではBaCO3，H3BO3，SnO2，TiO2を用い
た。次いで脱水乾燥を施し、1000〜1400℃で３時
間程度の加熱処理を加えた仮焼の後、再度アルミ
ナ製ポツト中に入れ、30時間程度の湿式粉砕を行
なつた。次に、例えばポリビニールアルコール
（P.V.A）等の粘結剤を加え、造粒し、団粒を製
造した。 その後前記団粒を金型に充填し、1000Kg／cm2程
度の圧力で加圧成形し、大気中830〜1200℃３時
間焼成し、試料を作成した。 試料としては、22mmφ×１mmｔの円板状試料、
20×3.5×3.5tmmの棒状試料及び20×10×２mmの角
板状試料を作成し、諸特性を測定した。その結果
を第１表に示す。なお比誘電率（εs）及び誘電損
失（tanδ）、抵抗率（ρ）は、円板状試料の両面
にAgペーストを325メツシユのスクリーン印刷に
より同心円状に印刷し、乾燥後大気中にて750℃
20分間の焼付処理を行ない、22mmφ×15μｍの円
形の電極を形成して測定した。εs及びtanδは1M
Hzでの値であり、ρは25℃、湿度50％の条件で
1000V印加してから１分後の値の最低値である。
また熱膨張係数（α）は棒状試料を用い、25〜
500℃の温度変化の条件で測定した。 また吸水率は、プレツシヤークツカーテスト
（121℃、２Kg／cm2、水蒸気中）での値であり、テ
スト前後における単位体積当りの重量変化から得
た値（mg／cm2）である。 第１表から明らかなように、本発明の実施例に
おいては、いずれも1300℃以下の焼成温度を有し
tanδが〜10-4程度、αが〜８×10-4／℃以下程度
と優れた特性を示す。また、いずれの試料も抗折
強度は1500Kg／cm2と優れた値を示した。 特に焼成温度低下の効果が大きく、他の特性で
もAl2O3と同等もしくはそれ以上の値を示す。 又、比較例（試料No.16〜19）からも明らかなよ
うに、TiO2が本発明の範囲をはずれるが、吸水
性が大きく、耐水性に劣ることがわかる。 特に試料No.７および12は、100時間後でも高々
0.5mg／cm2以下であり、非常に優れている。
な回路基板に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来から回路基板用のセラミツクス材料として
用いられているものにアルミナがある。このアル
ミナは絶縁性が良好であるため、もつとも一般的
に使用されている。 しかしながらアルミナを用いた場合は、その焼
成温度が1500〜1600℃と高温であるため、使用で
きる導体ペーストに制限が生じていた。例えば導
体ペーストと基板とを同時焼結する多層回路基板
では、アルミナの焼成温度に十分耐え得るような
タングステン、モリブデン等の導体ペーストを用
いる必要があつた。しかしながらＷ，Moは抵抗
率がAgの1.6×10-6Ω・cmに比べ5.2×10-6Ω・
cm、5.5×10-6Ω・cmと３倍程度大きい。従つて
同じ伝導度の導体路を得るためには、導体幅を３
倍程度にする必要があり、高密度配線ができない
欠点があつた。 また、ガラス成分を加えて焼成温度を下げる試
みもあるが、多層配線の場合のマイグレーシヨン
の問題があり、実用上好ましくない。 このような欠点を除去するため、絶縁性等の特
性を劣化させることなく低温焼成可能な回路基板
の開発が望まれている。 このような要望にこたえて、本発明は先に
BaO，SnO2，B2O3を主成分とする1300℃以下程
度で焼結可能な低温焼結基板を提案した。絶縁抵
抗、誘電率等の電気的特性はAl2O3と同等以上で
あり、かつ低温焼結ができるため非常に有効な材
料である。本発明者等が、この基板材料について
さらに検討を加えたところ、耐水性の点で少々問
題があることがわかつた。 基板の耐水性は、高湿中もしくは水分の存在す
る環境で用いた場合の絶縁特性等を考慮した場合
重要な要素である。 〔発明の目的〕 本発明は以上の点を考慮してなされたもので、
低温焼成が可能で、かつ耐水性に優れた回路基板
を提供することを目的とする。 〔発明の概要〕 本発明は、バリウム、スズ、硼素、チタンを、
BaO，SnO2，B2O3，TiO2換算して、 BaO ８〜54mol％ SnO2 ７〜40mol％ B2O3 10〜58mol％ TiO2 ５〜48mol％ 含有された酸化物焼結体を絶縁体として用いて
いることを特徴とする回路基板である。 このような組成をとることにより焼成温度1300
℃以下の低温焼成可能な回路基板を得ることがで
きる。この基板は熱膨張率αが９×10-6／℃以下
程度と小さいため、Si（４×10-6／℃）と同程度
であり、直接LSIチツプを実装するハイブリツド
基板用に好適である。また他の特性、例えば誘電
率εs12以下程度、誘電損失tanδ1.2×10-3以下程
度、絶縁抵抗ρ0.7×1013Ω・cm以上と回路基板と
して十分な特性を有する。また抗折強度も1700
Kg／cm2以上と十分な強度を有する。この酸化物焼
結体は基板自体として用いても良いし、多層配線
間の層間絶縁層として用いても良い。 本発明において、各組成分は以下の理由で限定
する。 まずSnO2であるが、余り多いと本来半導体の
性質を有するため、絶縁抵抗が低下してしまい、
絶縁性基板としての特性を満足しなくなる。 また誘電損失（tanδ）、比誘電率（εs）も大き
くなり、高密度配線、高周波特性に劣つてしま
う。また少ないと、熱膨張率が大きくなってしま
い、例えばLSIチツプを搭載する場合にチツプの
ソリ、割れ等が生じ易くなる。よつてSnO2に換
算して７〜40mol％の範囲が好ましい。 またBaOであるが、余り多いと、もろくなつ
てしまい基板強度に劣り、少ないと熱膨張率、
tanδが大きくなつてしまう。特にバリウムの少な
い領域でホウ素量が多いと熱膨張率の劣化が顕著
であり、ホウ素量が少ないとtanδの劣化が顕著で
ある。よつてBaOに換算して、８〜54mol％の範
囲が好ましい。 次にB2O3である。ホウ素量が少ないと、本発
明の主目的である低温焼成の効果が得られず、
1300℃以上程度の温度となつてしまう。また多い
と、熱膨張係数が大きくなつてしまう。 よつて、B2O3に換算して10〜58mol％の範囲
が好ましい。 本発明においては、さらにTiO2を含有させる。
このTiO2を含有させることにより、耐環壊性が
非常に向上する。すなわち、一般環境での使用を
考えた場合、湿度の影響を無視することはできな
い。TiO2を含有させることにより、耐湿性が向
上するのである。TiO2に換算して5mol％より少
ないと吸水率が大きく、高湿中、もしくは水分が
存在するような環境で回路基板を用いた場合、絶
縁抵抗が低下してしまう恐れがある。又、48mol
％を超えると、誘電率等の他の特性が劣化してし
まう。 よつて、TiO2に換算して５〜48mol％の範囲
が好ましい。 このように本発明によれば、焼成温度が1300℃
以下の絶縁性基板を得ることができ、Al2O3の場
合のＷ，Mo等に変え、Ag，Ag−Pd，Ag−Pt等
のAg系ペースト、Cuペースト等のシート抵抗の
小さい低温焼成ペーストを用いることができるた
め高密度配線ができ、非常に有効である。又、焼
成温度を下げることにより、製造時のエネルギー
コストの低下の効果も大である。 又、特にSnO212〜38mol％、BaO11〜36mol
％、B2O314〜45mol％、TiO2７〜40mol％範囲
では、焼成温度1100℃以下程度で製造することが
でき、α≦6.5×10-6／℃と優れた特性を有する
基板を低温焼結できるので非常に有効である。 さらにBaO12〜35mol％、SnO211〜32mol％、
TiO210〜36mol％、B2O315〜40mol％のとき、
耐水性に優れ、ガラスエポキシ基板の1/8程度の
吸水率となり、特に好ましい組成範囲である。 本件発明の焼結体中にはBaSn（BO3）2及び
BaSn（BO3）2のSnがTiで置換された相が存在す
る。Ba（Sn0.5Ti0.5）（BO3）2近傍の相が耐水性で
は優れている。BaTi（BO3）2のみでは、導体層と
の同時焼結の際に、金属が拡散してしまい、多層
配線間の短絡の問題が生じる。 従来用いられているAl2O3基板はAl2O3を92〜
93％含有したもので、1500〜1600℃程度の焼結程
度、εs＝10.5〜12、tanδ＝２〜５×10-3、ρ＝0.2
〜５×1013、α８×10-6℃である。 本発明においては、前述のごとく焼結温度で
Al2O3を大幅に下回り、他の特性も同等かそれ以
上のものを得ることができる。 本発明絶縁性基板を用いて、同時焼結により多
層配線基板を形成した例を説明する。 まず、所望のBaO，SnO2，B2O3，TiO2組成比
を有する原料粉末を含有するスラリーを製造す
る。スラリーは原料粉末に、例えばポリビニルブ
チラル等の結合剤、フタール酸オクチル、ポリエ
チレングリコール等の可塑剤、メンヘーテン油等
の解膠剤、エチルアルコール、トリクロロエチレ
ン等の溶媒を加えて製造する。このスラリーを用
い、ドクタープレード法でグリーンシートを製造
する。次いでAg系等の導体ペーストを用い、第
１の導体層を印刷・塗布し乾燥する。続いて所望
のBaO，SnO2，B2O3，TiO2の組成比を有する原
料粉末を含有する絶縁体ペーストを第１の導体層
上に印刷塗布し、乾燥した後、第２の導体層を同
様に形成する。絶縁ペーストは、ブチルカルビト
ールアセテート、テルピネオール、エチルセルロ
ーズ等を添加してペースト状とし、塗布する。 このように、２層配線を施したグリーンシート
を電気炉中で例えば1000℃程度で3hr同時焼成し、
多層配線基板を製造する。 本発明の回路基板は、多層配線を有する同時焼
成用の基板としての用途に特に優れている。本発
明によれば低温焼成が可能な絶縁体層を提供でき
るので、導体層として、従来のＷ，Mo等にか
え、シート抵抗の小さいAg系、Cu系、Au系、
Ni系等のペーストを用いることができる。特に
ガラス成分を含んでいないため、空孔が少なく、
構造がち密であるため、Ag系を用いてもマイグ
レーシヨン等の問題が起こることもない。従つて
配線密度をあげ、高密度化が可能となる。また、
Ag系ペースト中の例えばPd量を減少させること
もできコスト的にもすぐれた基板を提供できる。 従来Al2O3にＷ，Mo等の導体ペースト用いた
場合は、還元性雰囲気中で同時焼結を行なう必要
があつたが、Ag，Auを用いることができるた
め、空気中焼成が可能であり、製造容易、コスト
の低下等の効果を得ることもできる。又、基板中
にガラス成分がないため、Agのマイグレーシヨ
ンが生じにくい。 また、この例は印刷多層であるがいわゆるグリ
ーンシート多層でも同様であり、２層以上でも同
様である。 この方法では、まずドクターブレート法て
100μｍ程度の厚さを有するグリーンシートを作
り、そのシートの片面上に導体パターンを印刷
し、それらのシートを複数枚重ねて、温度50℃程
度、圧力200Kg／cm2程度で加圧積層し、多層配線
を施す。同時焼成は上記と同様である。 また、多層配線基板の場合、基体としては、本
発明の回路基板を用いても良いが、例えばAl2O3
基板、ムライト基板等の他の基体を用いても良
い。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、1300℃以
下程度、特に800〜1200℃程度の低温で焼成可能
な回路基板を得ることができる。 従つて高密度配線、特に一体焼結による多層配
線基板用として有効である。また熱膨張も小さく
できるため、LSIチツプ等を直接搭載する高密度
ハイブリツドIC用の基板としても有効である。 〔発明の実施例〕 以下に本発明の実施例を説明する。本実施例の
回路基板は以下のようにして製造した。 まず、所望の組成比となるようにBaO，B2O3，
SnO2，TiO2の原料粉末を調合し、この調合され
た粉末をアルミナボールと共にアルミナ製ポツト
に入れ、振動ミルにより16時間程度の湿式粉砕を
行なつた。この原料粉末は、焼結後酸化物に転化
するもの、例えば炭酸塩等で用いても良く、本実
施例ではBaCO3，H3BO3，SnO2，TiO2を用い
た。次いで脱水乾燥を施し、1000〜1400℃で３時
間程度の加熱処理を加えた仮焼の後、再度アルミ
ナ製ポツト中に入れ、30時間程度の湿式粉砕を行
なつた。次に、例えばポリビニールアルコール
（P.V.A）等の粘結剤を加え、造粒し、団粒を製
造した。 その後前記団粒を金型に充填し、1000Kg／cm2程
度の圧力で加圧成形し、大気中830〜1200℃３時
間焼成し、試料を作成した。 試料としては、22mmφ×１mmｔの円板状試料、
20×3.5×3.5tmmの棒状試料及び20×10×２mmの角
板状試料を作成し、諸特性を測定した。その結果
を第１表に示す。なお比誘電率（εs）及び誘電損
失（tanδ）、抵抗率（ρ）は、円板状試料の両面
にAgペーストを325メツシユのスクリーン印刷に
より同心円状に印刷し、乾燥後大気中にて750℃
20分間の焼付処理を行ない、22mmφ×15μｍの円
形の電極を形成して測定した。εs及びtanδは1M
Hzでの値であり、ρは25℃、湿度50％の条件で
1000V印加してから１分後の値の最低値である。
また熱膨張係数（α）は棒状試料を用い、25〜
500℃の温度変化の条件で測定した。 また吸水率は、プレツシヤークツカーテスト
（121℃、２Kg／cm2、水蒸気中）での値であり、テ
スト前後における単位体積当りの重量変化から得
た値（mg／cm2）である。 第１表から明らかなように、本発明の実施例に
おいては、いずれも1300℃以下の焼成温度を有し
tanδが〜10-4程度、αが〜８×10-4／℃以下程度
と優れた特性を示す。また、いずれの試料も抗折
強度は1500Kg／cm2と優れた値を示した。 特に焼成温度低下の効果が大きく、他の特性で
もAl2O3と同等もしくはそれ以上の値を示す。 又、比較例（試料No.16〜19）からも明らかなよ
うに、TiO2が本発明の範囲をはずれるが、吸水
性が大きく、耐水性に劣ることがわかる。 特に試料No.７および12は、100時間後でも高々
0.5mg／cm2以下であり、非常に優れている。
【表】
【表】
【表】
次に本発明絶縁性基板を用いて、同時焼結によ
り多層配線基板を形成した実施例を説明する。 まず、所望のBaO，SnO2，B2O3，TiO2組成比
を有する原料粉末を含有するスラリーを製造す
る。スラリーは原料粉末に、例えばポリビニルブ
チラル等の結合剤、フタール酸オクチル、ポリエ
チレングリコール等の可塑剤、メンヘーデン油等
の解膠剤、エチルアルコール、トリクロロエチレ
ン等の溶媒を加えて製造する。このスラリーを用
い、ドクターブレード法でグリーンシートを製造
する。次いでAg系等の導体ペーストを用い、第
１の導体層を印刷・塗布し乾燥する。続いて所望
のBaO，SnO2，B2O3，TiO2の組成比を有する原
料粉末を含有する絶縁体ペーストを第１の導体層
上に印刷塗布し、乾燥した後、第２の導体層を同
様に形成する。絶縁ペーストは、ブチルカルビト
ールアセテート、テルピネオール、エチルセルロ
ーズ等を添加してペースト状とし、塗布する。 このように、２層配線を施したグリーンシート
を電気炉中で1000℃程度で3hr同度焼成し、多層
配線基板を製造した。 第２表に、この多層配線基板の諸特性を示す。
同表中密着強度は引張試験用ワイヤを半田付で第
２の導体層に固着し、インストロン引張試験機を
用いて測定した（引張測定0.5cm／min）基板と
導体層との密着の度合である。またワイヤボンデ
イング性はAu、Al系の25μｍφのボンデイング
ワイヤの導体層との接着の強度を示したものであ
る。また同表中試料No.は、第１表における組成比
のセラミツル原料粉を用いたことを示す。また各
特性は10個の試料の平均値である。 なお第３表に、第２表で用いた導体ペーストの
諸特性を示す。 密着強度、ボンデイング特性は、それぞれ１
Kg／mm2以上、５ｇ以上で実用上問題はなく、各実
施例ともに十分満足している。またシート抵抗も
導体ペーストの設定値のものを得ることができ
た。 また、同時焼成時の焼成温度は組成によつても
異なるが、800〜1200℃程度が好ましい。余り高
くするとＢが蒸発しやすくなり、均一な基板を得
り多層配線基板を形成した実施例を説明する。 まず、所望のBaO，SnO2，B2O3，TiO2組成比
を有する原料粉末を含有するスラリーを製造す
る。スラリーは原料粉末に、例えばポリビニルブ
チラル等の結合剤、フタール酸オクチル、ポリエ
チレングリコール等の可塑剤、メンヘーデン油等
の解膠剤、エチルアルコール、トリクロロエチレ
ン等の溶媒を加えて製造する。このスラリーを用
い、ドクターブレード法でグリーンシートを製造
する。次いでAg系等の導体ペーストを用い、第
１の導体層を印刷・塗布し乾燥する。続いて所望
のBaO，SnO2，B2O3，TiO2の組成比を有する原
料粉末を含有する絶縁体ペーストを第１の導体層
上に印刷塗布し、乾燥した後、第２の導体層を同
様に形成する。絶縁ペーストは、ブチルカルビト
ールアセテート、テルピネオール、エチルセルロ
ーズ等を添加してペースト状とし、塗布する。 このように、２層配線を施したグリーンシート
を電気炉中で1000℃程度で3hr同度焼成し、多層
配線基板を製造した。 第２表に、この多層配線基板の諸特性を示す。
同表中密着強度は引張試験用ワイヤを半田付で第
２の導体層に固着し、インストロン引張試験機を
用いて測定した（引張測定0.5cm／min）基板と
導体層との密着の度合である。またワイヤボンデ
イング性はAu、Al系の25μｍφのボンデイング
ワイヤの導体層との接着の強度を示したものであ
る。また同表中試料No.は、第１表における組成比
のセラミツル原料粉を用いたことを示す。また各
特性は10個の試料の平均値である。 なお第３表に、第２表で用いた導体ペーストの
諸特性を示す。 密着強度、ボンデイング特性は、それぞれ１
Kg／mm2以上、５ｇ以上で実用上問題はなく、各実
施例ともに十分満足している。またシート抵抗も
導体ペーストの設定値のものを得ることができ
た。 また、同時焼成時の焼成温度は組成によつても
異なるが、800〜1200℃程度が好ましい。余り高
くするとＢが蒸発しやすくなり、均一な基板を得
【表】
【表】
【表】
ることが困難だからである。また1200℃以上では
Au、Ag等がセラミツク中に拡散してしまい良好
なシート抵抗が得られなくなるからである。 従来Al2O3にＷ，Mo等の導体ペーストを用い
た場合は、還元性雰囲気中で同時焼結を行なう必
要があつたが、Ag，Auを用いることができるた
め空気中焼成が可能であり、製造容易、コストの
低下等の効果を得ることもできる。
Au、Ag等がセラミツク中に拡散してしまい良好
なシート抵抗が得られなくなるからである。 従来Al2O3にＷ，Mo等の導体ペーストを用い
た場合は、還元性雰囲気中で同時焼結を行なう必
要があつたが、Ag，Auを用いることができるた
め空気中焼成が可能であり、製造容易、コストの
低下等の効果を得ることもできる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ バリウム、スズ、硼素、チタンをBaO，
SnO2，B2O3，TiO2に換算して BaO ８〜54mol％ SnO2 ７〜40mol％ B2O3 10〜58mol％ TiO2 ５〜48mol％ 含有された酸化物焼結体を絶縁体として用いる
ことを特徴とする回路基板。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034160A JPS60180953A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 回路基板 |
| EP84110683A EP0140067B1 (en) | 1983-09-09 | 1984-09-07 | Circuit substrate and producing method of the same |
| US06/648,304 US4916261A (en) | 1983-09-09 | 1984-09-07 | Circuit substrate and producing method of the same |
| DE8484110683T DE3476010D1 (en) | 1983-09-09 | 1984-09-07 | Circuit substrate and producing method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034160A JPS60180953A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180953A JPS60180953A (ja) | 1985-09-14 |
| JPH0459260B2 true JPH0459260B2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=12406451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59034160A Granted JPS60180953A (ja) | 1983-09-09 | 1984-02-27 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180953A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010510955A (ja) * | 2006-11-30 | 2010-04-08 | コリア インスティチュート オブ セラミック エンジニアリング アンド テクノロジー | 非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP59034160A patent/JPS60180953A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010510955A (ja) * | 2006-11-30 | 2010-04-08 | コリア インスティチュート オブ セラミック エンジニアリング アンド テクノロジー | 非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス及びその製造方法 |
| JP2013063909A (ja) * | 2006-11-30 | 2013-04-11 | Korea Inst Of Ceramic Engineering & Technology | 非ガラス系マイクロ波誘電体 |
| JP2013091599A (ja) * | 2006-11-30 | 2013-05-16 | Korea Inst Of Ceramic Engineering & Technology | 誘電体セラミックス組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60180953A (ja) | 1985-09-14 |
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