JPS6041047A - 堆積膜形成法 - Google Patents
堆積膜形成法Info
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- JPS6041047A JPS6041047A JP58149366A JP14936683A JPS6041047A JP S6041047 A JPS6041047 A JP S6041047A JP 58149366 A JP58149366 A JP 58149366A JP 14936683 A JP14936683 A JP 14936683A JP S6041047 A JPS6041047 A JP S6041047A
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- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、機能性膜、殊に半導体デバイス或いは′１１
ε子写真用の感光デバイスなどの用途に有用な堆積膜の
形成法に関する。
ε子写真用の感光デバイスなどの用途に有用な堆積膜の
形成法に関する。
例えばアモルファスシリコン膜の形成には、真空蒸着法
、ブ２ズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法２反応性スパッタリング
法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試みら
れており、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用いら
れ、企業化されている。
、ブ２ズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法２反応性スパッタリング
法、イオンブレーティング法、光ＣＶＤ法などが試みら
れており、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広く用いら
れ、企業化されている。
丙午ら、アモルファスシリコンで構成される堆積膜は電
気的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるい
は使用環境特性、更には均一性、再現性を含めて生産性
、を産性の点において更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。
気的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるい
は使用環境特性、更には均一性、再現性を含めて生産性
、を産性の点において更に総合的な特性の向上を図る余
地がある。
従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法によるアモ
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であシ、その反
応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の
形成パラメーターも多く（例えば、基板温度、導入ガス
の流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造１反
応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）これ
らの多くのパラメータの組み合せによるだめ、時にはプ
ラズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著し
い悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ、装
置特有のパラメーターを装置ごとに選定しなければなら
ず、したがって製造条件を一般化することがむずかしい
というのが実状であった。
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であシ、その反
応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の
形成パラメーターも多く（例えば、基板温度、導入ガス
の流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構造１反
応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など）これ
らの多くのパラメータの組み合せによるだめ、時にはプ
ラズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に著し
い悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ、装
置特有のパラメーターを装置ごとに選定しなければなら
ず、したがって製造条件を一般化することがむずかしい
というのが実状であった。
一方、アモルファスシリコン膜として電気的。
光学的特性が各用途を十分に満足させ得るものを発現さ
せるには、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成する
ことが最良とされている。
せるには、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成する
ことが最良とされている。
丙午ら、堆積膜の応用用途によっては、大面積化、膜厚
の均一性、膜品質の均一性を十分にφ５足ζせて、再現
性のある量産化を図らねばならないため、プラズマＣＶ
Ｄ法によるアモルフ・アスンリコン堆積膜の形成におい
ては、量産装置に多大が設備投資が必要となり、まブこ
その量ノ〒の為の管、Ｉ２＋！項目も複雑になり、管理
許容幅も狭くなり、装置の１￥整も微妙であることから
、これらのことが、今後改善すべき問題点として指摘さ
れている。
の均一性、膜品質の均一性を十分にφ５足ζせて、再現
性のある量産化を図らねばならないため、プラズマＣＶ
Ｄ法によるアモルフ・アスンリコン堆積膜の形成におい
ては、量産装置に多大が設備投資が必要となり、まブこ
その量ノ〒の為の管、Ｉ２＋！項目も複雑になり、管理
許容幅も狭くなり、装置の１￥整も微妙であることから
、これらのことが、今後改善すべき問題点として指摘さ
れている。
他方、通當のＣＶＤ法による従来の技術では、高温を必
要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得られていな
かった。
要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得られていな
かった。
上述の如く、アモルファスシリコン膜の形成に於て、そ
の実用可能な特性、均一性を維持させながら低コストな
装置で量産化できる形成方法を開発することが切望さノ
１．ている。
の実用可能な特性、均一性を維持させながら低コストな
装置で量産化できる形成方法を開発することが切望さノ
１．ている。
これ等のことは、他の機能性１１１７、例えば窒化シリ
コン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても各々
同様のことがいえる。
コン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても各々
同様のことがいえる。
本発明は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除去する
と同時に、従来の形Ｈｊ９方ｆＪｉ Ｋ 、＋： を己
−。
と同時に、従来の形Ｈｊ９方ｆＪｉ Ｋ 、＋： を己
−。
い新規な堆積膜形成法を提供するものであス・。
本発明の目的は、堆積膜を形成する准積空間囚に於て、
プラズマ反応を用いないで形成す１１る膜の特性を保持
し、堆積速度の向上を図りなから、膜形成条件の管理の
簡素化＋ ’Ｉｊの１１産化を容易に達成させるととで
ある。
プラズマ反応を用いないで形成す１１る膜の特性を保持
し、堆積速度の向上を図りなから、膜形成条件の管理の
簡素化＋ ’Ｉｊの１１産化を容易に達成させるととで
ある。
本発明は、胡板上に堆積膜を形成する為のイ１己積空間
（４）に、分解空間０に於て生成さｉする堆１〆ｉ膜予
成用の原料と外る前駆体と分解空１ｉｉｉ （Ｑに於て
生成され、前記前駆体と相互作用をする活性種とを夫々
別々に導入することによってｓ ！Ｍｌ ｎ＋２基板上
に堆積膜を形成する事を特徴上するものである。
（４）に、分解空間０に於て生成さｉする堆１〆ｉ膜予
成用の原料と外る前駆体と分解空１ｉｉｉ （Ｑに於て
生成され、前記前駆体と相互作用をする活性種とを夫々
別々に導入することによってｓ ！Ｍｌ ｎ＋２基板上
に堆積膜を形成する事を特徴上するものである。
本発明の方法では、所望の堆積膜を形成する堆積空間（
４）でプラズマを使用しないので、堆積膜の形成パラメ
ーターが導入する前駆体及び活性種の導入量、基板及び
堆積空間内の温度、堆積空間内の内圧となり、したがっ
て堆積膜形成のコントロールが容易になシ、再現性、量
産性のある堆積膜を形成させることができる。
４）でプラズマを使用しないので、堆積膜の形成パラメ
ーターが導入する前駆体及び活性種の導入量、基板及び
堆積空間内の温度、堆積空間内の内圧となり、したがっ
て堆積膜形成のコントロールが容易になシ、再現性、量
産性のある堆積膜を形成させることができる。
尚、本発明での「前駆体」とは、形成される堆積膜の原
料には成り得るがそのままのエネルギー状態では堆積膜
を形成することが全く又は殆んど出来ないものを云う。
料には成り得るがそのままのエネルギー状態では堆積膜
を形成することが全く又は殆んど出来ないものを云う。
「活性種」とは、前記前駆体と化学的相互作用を起して
例えば前駆体にエネルギーを与えたり、前駆体と化学的
に反応したりして、前駆体を堆積膜を形成することが出
来る状態にする役目を荷うものを云う。
例えば前駆体にエネルギーを与えたり、前駆体と化学的
に反応したりして、前駆体を堆積膜を形成することが出
来る状態にする役目を荷うものを云う。
従って、活性種としては、形成される堆積膜を’５：ｊ
成する構成要素に成る構成要素を含んでいても良く、或
いはその様な構成要素を含んでいなくとも良い。
成する構成要素に成る構成要素を含んでいても良く、或
いはその様な構成要素を含んでいなくとも良い。
本発明では、堆積空間囚に導入される分解空間ＣＢ）か
らの前駆体は、その寿命が好ましくは０．０１秒以上、
より好ましくは０．１秒以上、最適には１秒以上あるも
のが、所望に従って選択されて使用され、この前駆体の
構成要素が堆積空間（４）で形成させる堆積膜を構成す
る主成分を構成するものとなる。又、分解空間（Ｑから
導入される活性種は、その寿命が好ましくは１０秒以下
、より好ましくは８秒以下、最適には５秒以下のもので
ある。この活性種は堆積空間に）で堆積膜を形成する際
、同時に分解空間（Ｂ）から堆積空間（ロ）に導入され
、形成される堆、積換の主構成成分となる構成要素を含
む前記前駆動体と化学的に相互作用する。その結果、所
望の裁板上に所望の堆積膜が容易に形成される。
らの前駆体は、その寿命が好ましくは０．０１秒以上、
より好ましくは０．１秒以上、最適には１秒以上あるも
のが、所望に従って選択されて使用され、この前駆体の
構成要素が堆積空間（４）で形成させる堆積膜を構成す
る主成分を構成するものとなる。又、分解空間（Ｑから
導入される活性種は、その寿命が好ましくは１０秒以下
、より好ましくは８秒以下、最適には５秒以下のもので
ある。この活性種は堆積空間に）で堆積膜を形成する際
、同時に分解空間（Ｂ）から堆積空間（ロ）に導入され
、形成される堆、積換の主構成成分となる構成要素を含
む前記前駆動体と化学的に相互作用する。その結果、所
望の裁板上に所望の堆積膜が容易に形成される。
本発明の方法によれば、堆積空間（４）内でプラズマを
生起させないで形成される堆積膜は、エツチング作用、
或いはその他の例えば異常放電作用等による悪影響を受
けることは、実質的にない。又、本発明によれば堆積空
間囚の雰囲気温度、基板温度を所望に従って任意に制御
することにより、より安定したＣＶＤ法とするととがで
きる。
生起させないで形成される堆積膜は、エツチング作用、
或いはその他の例えば異常放電作用等による悪影響を受
けることは、実質的にない。又、本発明によれば堆積空
間囚の雰囲気温度、基板温度を所望に従って任意に制御
することにより、より安定したＣＶＤ法とするととがで
きる。
本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、あら
かじめ堆積空間（ロ）とは異なる空間に於いて活性化さ
れた活性種を使うことである。
かじめ堆積空間（ロ）とは異なる空間に於いて活性化さ
れた活性種を使うことである。
このことにより、従来のＣＶＤ法よシ堆積速度を飛躍的
に伸ばすことが出来、加えて堆積膜形成の際の基板温度
も一層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定
した堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供出
来る。
に伸ばすことが出来、加えて堆積膜形成の際の基板温度
も一層の低温化を図ることが可能になり、膜品質の安定
した堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供出
来る。
本発明に於て分解空間（Ｑで生成される活性種は放電、
光、熱等のエネルギーで或いはそれ等の併用によって励
起されるはかシではなく、触媒などとの接触、あるいは
添加によシ生成されてもよい。
光、熱等のエネルギーで或いはそれ等の併用によって励
起されるはかシではなく、触媒などとの接触、あるいは
添加によシ生成されてもよい。
本発明に於て、分解空間０３）に導入される原材料とし
ては、硅素原子に電子吸引性の高い原子又は原子団、或
いは極性基が結合しているものが利用される。その様な
ものとしては、例えば５ｔｎＸｚｎ＋ｔ （ｎ”” １
．２．３ ・・’ Ｉ Ｘ” Ｆ ｇ ＣＬ ＋ Ｂｒ
、 ” ） ＊（５ｔｘｔ）ｎ（”≧３． Ｘ＝ＦＩ
Ｃ１，Ｂｒｌ Ｉ ） １ＳｉｎＨＸｔｎ＋＋（ｎ ＝
１．２．３− ＋ Ｘ＝Ｆ、ＣＬ、Ｂｒｌ Ｉ ＬＳ
ｉｎＨｔＸｔｎ （ｎ ＝ １．２．３−、Ｘ＝Ｆ、Ｃ
１＋ Ｂｒｌ Ｉ ）＋などが挙げられる。
ては、硅素原子に電子吸引性の高い原子又は原子団、或
いは極性基が結合しているものが利用される。その様な
ものとしては、例えば５ｔｎＸｚｎ＋ｔ （ｎ”” １
．２．３ ・・’ Ｉ Ｘ” Ｆ ｇ ＣＬ ＋ Ｂｒ
、 ” ） ＊（５ｔｘｔ）ｎ（”≧３． Ｘ＝ＦＩ
Ｃ１，Ｂｒｌ Ｉ ） １ＳｉｎＨＸｔｎ＋＋（ｎ ＝
１．２．３− ＋ Ｘ＝Ｆ、ＣＬ、Ｂｒｌ Ｉ ＬＳ
ｉｎＨｔＸｔｎ （ｎ ＝ １．２．３−、Ｘ＝Ｆ、Ｃ
１＋ Ｂｒｌ Ｉ ）＋などが挙げられる。
具体的には例えばＳｉＦ４ 、 （５ｉＦｔ ）ｓ ＋
（５ｉＦｚ ）ｅ ＋（ＳｉＦ＊ ）４ ＋ ５ｉｔ
Ｆｅ ｒ ５ｉＨＦｓ ｒ ５ｉＬＦｔ ＋ ５ｉＣ４
（ＳｉＣ４）ｓ ＋５ｉＢｒａ、 （５ｉＢｒｔ ）ｓ
などのガス状態の又は容易にガス化し得るものが挙げら
れる。
（５ｉＦｚ ）ｅ ＋（ＳｉＦ＊ ）４ ＋ ５ｉｔ
Ｆｅ ｒ ５ｉＨＦｓ ｒ ５ｉＬＦｔ ＋ ５ｉＣ４
（ＳｉＣ４）ｓ ＋５ｉＢｒａ、 （５ｉＢｒｔ ）ｓ
などのガス状態の又は容易にガス化し得るものが挙げら
れる。
又、５ｉＨｚ （ＣＪム）＊ 、Ｓｉル（ＣＮ）２など
も形成される堆積膜の使用目的によっては使用される。
も形成される堆積膜の使用目的によっては使用される。
上述したものに、分解空間（８１で熱、光、放電などの
分解エネルギーを加えることにより、前駆体が生成され
る。この前駆体を堆積空間囚へ導入する。この際、前駆
体の寿命が望１しくけ０．０１秒以上あることが必要で
、堆積効率及び堆積速度の上昇を促進させ、堆積空間（
４）に於て、分解空間Ｃ）から導入される活性種との活
性化反応の効率を増し、その際、必要であればプラズマ
などの放電エネルギーを使用しないで、堆ｔ／を空間内
あるいは基板上に熱、光などのエネルギーを与えること
で、所望の堆積膜の形成が達成される。
分解エネルギーを加えることにより、前駆体が生成され
る。この前駆体を堆積空間囚へ導入する。この際、前駆
体の寿命が望１しくけ０．０１秒以上あることが必要で
、堆積効率及び堆積速度の上昇を促進させ、堆積空間（
４）に於て、分解空間Ｃ）から導入される活性種との活
性化反応の効率を増し、その際、必要であればプラズマ
などの放電エネルギーを使用しないで、堆ｔ／を空間内
あるいは基板上に熱、光などのエネルギーを与えること
で、所望の堆積膜の形成が達成される。
本発明に於て、分解空間（Ｑに導入され、活性種を生成
させる原料としては％ Ｈ＠ ｌ ’５ＩＨ４１ＳｆＨ
ｓＦ＋ ５ｉＨｓＣｔ＋ ５ｉＨｓＢｒ＋ ５ｉＨｓＩ
などの他、Ｈｅ。
させる原料としては％ Ｈ＠ ｌ ’５ＩＨ４１ＳｆＨ
ｓＦ＋ ５ｉＨｓＣｔ＋ ５ｉＨｓＢｒ＋ ５ｉＨｓＩ
などの他、Ｈｅ。
Ａｒ等の稀ガスが挙げられる。
本発明に於て堆積空間（Ａ）愕於ける分解空間（ロ）か
ら導入される前駆体の量と分解空間（Ｑから導入される
活性種の量の割合は、堆積条件、活性種の種類などで適
宜所望に従って決められるが好ましくは１０：１〜１：
１０（導入流量比）が適当であり、よシ好ましくは８：
２〜４：６とされるのが望ましい。
ら導入される前駆体の量と分解空間（Ｑから導入される
活性種の量の割合は、堆積条件、活性種の種類などで適
宜所望に従って決められるが好ましくは１０：１〜１：
１０（導入流量比）が適当であり、よシ好ましくは８：
２〜４：６とされるのが望ましい。
本発明に於て分解空間（Ｂ）、及び分解空間（Ｑで前駆
体及び活性種を生成させる方法をしては各々の条件、装
置を考慮して放電エネルギー、熱エネルギー、光エネル
ギーなどの励起エネルギーが使用される。
体及び活性種を生成させる方法をしては各々の条件、装
置を考慮して放電エネルギー、熱エネルギー、光エネル
ギーなどの励起エネルギーが使用される。
次に本発明の堆積膜製造方法によって形成される電子写
真用像形成部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する
。
真用像形成部材の典型的な例を挙げて本発明を説明する
。
第１図は、本発明によって得られる典型的な光導電部材
の構成例を説明する為の図である。
の構成例を説明する為の図である。
第１図に示す光導電部材１００は、電子耳白、用像形成
部材として適用させ得るものであって、光導電部材用と
しての支持体１０１の上に、必要に応じて設けられる中
間層１０２と表面層１０４、光導電層１０３とで構成さ
れろ層構造を有している。
部材として適用させ得るものであって、光導電部材用と
しての支持体１０１の上に、必要に応じて設けられる中
間層１０２と表面層１０４、光導電層１０３とで構成さ
れろ層構造を有している。
支持体１０１としては、導電性でも電り、絶縁性であっ
ても良い。導電性支持体としてｔま、例えば、ＮｉＣｒ
、ステンレス、 Ａｔ、 Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ａｕ＋Ｉｒ
＋Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉ ＋ Ｐｔ＋ Ｐｄ等の
全屈又はこれ等の合金が挙げられる。
ても良い。導電性支持体としてｔま、例えば、ＮｉＣｒ
、ステンレス、 Ａｔ、 Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ａｕ＋Ｉｒ
＋Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉ ＋ Ｐｔ＋ Ｐｄ等の
全屈又はこれ等の合金が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。
ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。
ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面が導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面が導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。
例えば、ガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ ＋ＡＡ
、 Ｃｒ＋ Ｍｏ、 Ａｕ＋ Ｉｒ＋ Ｎｂ、 Ｔａ、
ｖ、 Ｔｉ 、 Ｐｔ＋ Ｐｄ。
、 Ｃｒ＋ Ｍｏ、 Ａｕ＋ Ｉｒ＋ Ｎｂ、 Ｔａ、
ｖ、 Ｔｉ 、 Ｐｔ＋ Ｐｄ。
Ｉｎ２Ｏ３１５ｎＣｈ ｌ ＩＴＯ（Ｉｎ２０Ｓ＋５ｎ
０２）等の薄膜を設けることによって導電処理され、或
いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれ
ば、ＮｉＣｒ、 Ａｔ＋ Ａｙ、 Ｐｂ＋ Ｚｎ、 Ｎ
ｉ ＋ Ａｕ＋ Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ｉｒ＋歯、 ’ｌ：
’ａ、 Ｖ、 Ｔｉｔ Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子
ビームへ着、スパッタリング等で処理し、又は前記金Ｌ
ｉでラミネート処理して、その表面が導電処理さノする
。支持体の形状としては、円筒伏、ベルト伏、板状等、
任意の形状として得、所望によって、その形状は決定さ
れるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子写真
用像形成部材として使用するのであれば連続高速複写の
場合には、無フｍ１ベルト伏又は円筒伏とするのがＴ１
しい。
０２）等の薄膜を設けることによって導電処理され、或
いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれ
ば、ＮｉＣｒ、 Ａｔ＋ Ａｙ、 Ｐｂ＋ Ｚｎ、 Ｎ
ｉ ＋ Ａｕ＋ Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ｉｒ＋歯、 ’ｌ：
’ａ、 Ｖ、 Ｔｉｔ Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子
ビームへ着、スパッタリング等で処理し、又は前記金Ｌ
ｉでラミネート処理して、その表面が導電処理さノする
。支持体の形状としては、円筒伏、ベルト伏、板状等、
任意の形状として得、所望によって、その形状は決定さ
れるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子写真
用像形成部材として使用するのであれば連続高速複写の
場合には、無フｍ１ベルト伏又は円筒伏とするのがＴ１
しい。
中間層１０２は例えばシリコン原−ｆ−及び炭素原子又
は窒素原子又は酸素原子又はノ・ロゲン原、構成され、
支持体１０１の側から光導電層１０３中へのキャリアの
流入を効果的に阻止し且つ電磁波′の照射によって光導
電層１０３中に生じ、支持体１０１の側に向って移動す
るフォトキャリアの光導電層１０３の側から支持体１０
１の側への通過を容易に許す機能を有するものである。
は窒素原子又は酸素原子又はノ・ロゲン原、構成され、
支持体１０１の側から光導電層１０３中へのキャリアの
流入を効果的に阻止し且つ電磁波′の照射によって光導
電層１０３中に生じ、支持体１０１の側に向って移動す
るフォトキャリアの光導電層１０３の側から支持体１０
１の側への通過を容易に許す機能を有するものである。
中間層１０２を形成する場合には、光導電層１０３の形
成まで連続的に行うことが出来る。
成まで連続的に行うことが出来る。
その場合には、中間層形成用の原料ガスを、必要に応じ
てＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスと所定量の混合比で混合して
、各々を所定の分解空間（Ｂ）と分解空間Ωとに導入し
、所望の励起エネルギーを夫々の空間に加えて、各々の
前駆体及び活性種を生成させ、それらを支持体１０１の
設置しておる真空堆積用の堆積空間囚に導入し、必要に
応じては、これ等に膜形成用のエネルギーを与えること
によって、前記支持体１０１上に中間層１０２を形成さ
せれば良い。
てＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスと所定量の混合比で混合して
、各々を所定の分解空間（Ｂ）と分解空間Ωとに導入し
、所望の励起エネルギーを夫々の空間に加えて、各々の
前駆体及び活性種を生成させ、それらを支持体１０１の
設置しておる真空堆積用の堆積空間囚に導入し、必要に
応じては、これ等に膜形成用のエネルギーを与えること
によって、前記支持体１０１上に中間層１０２を形成さ
せれば良い。
中間層１０２を形成する為に分解空間Ｃ）に導入される
活性種を生成する有効な出発物質は、Ａｒ＋ Ｈｅ、
Ｈ２ｒ ｓｉとＨとを構成原子とする５ｉｆｔＳ ｉＨ
ｓ Ｃｔ＋ Ｓ ｔｌＥ（ｉＦ ｒ Ｓ ｉＨｓ Ｂｒ
等の水素の多いハロゲン化シラン、Ｎを構成原子とする
、或いはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ）、
アンモニア（ＮＨ，）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）
、アジ化水素（ｎＮ、 ） 、アジ化アンモニウム（Ｎ
Ｈ４Ｎ、）等のガス犬の又はガス化し得る窒素、窒化物
及びアジ化物等の窒素化合物、ＣとＨを構成原子とする
例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水
素等、具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＬ
） 、エタン（Ｃ−）Ｉ６） 、プロパン（ＣｓＬ
） 、ｎ−ブタン（ｎ−ＣａＨ＋ｏ ） 、ペンタ／（
Ｃ３ＨＩ２ ） 、エチレン系炭化水素としては、エチ
レン（ＣｚＴ（４） ＋プロピＬ／ ７ （ＣＪ６ ）
＋ブテンー１（ＱＨａ）＋ブテンー２ （Ｃ４ＨＲ）
、イソブチレン（Ｃ４Ｈ８） 、ペンテンＣＣ５Ｌ。
活性種を生成する有効な出発物質は、Ａｒ＋ Ｈｅ、
Ｈ２ｒ ｓｉとＨとを構成原子とする５ｉｆｔＳ ｉＨ
ｓ Ｃｔ＋ Ｓ ｔｌＥ（ｉＦ ｒ Ｓ ｉＨｓ Ｂｒ
等の水素の多いハロゲン化シラン、Ｎを構成原子とする
、或いはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ）、
アンモニア（ＮＨ，）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）
、アジ化水素（ｎＮ、 ） 、アジ化アンモニウム（Ｎ
Ｈ４Ｎ、）等のガス犬の又はガス化し得る窒素、窒化物
及びアジ化物等の窒素化合物、ＣとＨを構成原子とする
例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水
素等、具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＬ
） 、エタン（Ｃ−）Ｉ６） 、プロパン（ＣｓＬ
） 、ｎ−ブタン（ｎ−ＣａＨ＋ｏ ） 、ペンタ／（
Ｃ３ＨＩ２ ） 、エチレン系炭化水素としては、エチ
レン（ＣｚＴ（４） ＋プロピＬ／ ７ （ＣＪ６ ）
＋ブテンー１（ＱＨａ）＋ブテンー２ （Ｃ４ＨＲ）
、イソブチレン（Ｃ４Ｈ８） 、ペンテンＣＣ５Ｌ。
）、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃｔ
Ｈ２） 、メチルアセチレン（ＣｓＨ４） 。
Ｈ２） 、メチルアセチレン（ＣｓＨ４） 。
ブチン（Ｃ４Ｈ６）等、更に、これ等の他に例えば、酸
素（０２）、オゾン（Ｏ８） 、−酸化炭素（ＣＯ）
、二酸化炭素（ＣＯｔ ） 、−酸化窒素（Ｎｏ ）
、二酸化窒素（Ｎｏｖ ） 、−酸化二窒素（Ｎ、Ｏ）
等を挙けることが出来る。
素（０２）、オゾン（Ｏ８） 、−酸化炭素（ＣＯ）
、二酸化炭素（ＣＯｔ ） 、−酸化窒素（Ｎｏ ）
、二酸化窒素（Ｎｏｖ ） 、−酸化二窒素（Ｎ、Ｏ）
等を挙けることが出来る。
これらの中間層１０２形成用の出発物質は、所定の原子
が構成原子として、形成される中間層１０２中に含まれ
る様に、層形成の際に適宜選択されて使用される。
が構成原子として、形成される中間層１０２中に含まれ
る様に、層形成の際に適宜選択されて使用される。
一方、中間層１０２を形成する際に分解空間（６）に導
入されて前駆体を生成し得る出発物質としては、 Ｓｉ
Ｆ４． ＳｔルＦｔ等が有効なものとして挙げられ、こ
れ等は高温下で容易にＳｉＦ、の如き長寿命の前駆体を
生成する。
入されて前駆体を生成し得る出発物質としては、 Ｓｉ
Ｆ４． ＳｔルＦｔ等が有効なものとして挙げられ、こ
れ等は高温下で容易にＳｉＦ、の如き長寿命の前駆体を
生成する。
中間層１０２の層厚としては、好ましくは、３０〜１０
００人、より好適には５０〜６００人とされるのが望ま
しい。
００人、より好適には５０〜６００人とされるのが望ま
しい。
光導電層１０３は、電子写真用像形成部材としての機能
を十分に発揮することができるような光導電特性を持つ
ようにシリコン原子を母体とし、ハロゲン（Ｘ）を含み
、必要に応じて水素（Ｈ：ｌ含ｔｒアモルファスシリコ
ンａ −ＳｉＸ （Ｈ）で構成される。
を十分に発揮することができるような光導電特性を持つ
ようにシリコン原子を母体とし、ハロゲン（Ｘ）を含み
、必要に応じて水素（Ｈ：ｌ含ｔｒアモルファスシリコ
ンａ −ＳｉＸ （Ｈ）で構成される。
光導電層１０３の形成も、中間層１０２と同様に分解空
間（Ｂ）に５ｉＦ４ｔ ５ｉｔＦｔＨｚ等の原料ガスが
導入され、これ等を分解することで高温下にて前駆体が
生成される。前駆体は堆積空間■に導入される。他方、
分解空間Ｃ）にはＨｌ、 ＳｉＨ，＋Ｓ ｉＨｓ Ｆな
どの原料ガスが導入され、所定の励起エネルギーによシ
活性種が生成される０活性種は堆積空間［有］に導入さ
れ、分解空間（豹から堆積空間（４）に導入されて来る
前駆体と化学的相互作用を起し、その結果所望の光導電
層１０３が堆積される。光導電層１０３０層厚としては
、適用するものの目的に適合させて所望に従って適宜決
定される。
間（Ｂ）に５ｉＦ４ｔ ５ｉｔＦｔＨｚ等の原料ガスが
導入され、これ等を分解することで高温下にて前駆体が
生成される。前駆体は堆積空間■に導入される。他方、
分解空間Ｃ）にはＨｌ、 ＳｉＨ，＋Ｓ ｉＨｓ Ｆな
どの原料ガスが導入され、所定の励起エネルギーによシ
活性種が生成される０活性種は堆積空間［有］に導入さ
れ、分解空間（豹から堆積空間（４）に導入されて来る
前駆体と化学的相互作用を起し、その結果所望の光導電
層１０３が堆積される。光導電層１０３０層厚としては
、適用するものの目的に適合させて所望に従って適宜決
定される。
第１図に示される光導電層１０３の層厚としては、光導
電層１０３の機能及び中間層１０２の機能が各々有効に
活されてる様に中間層１０２との層厚関係に於いて適宜
所望に従って決められるものであり、通常の場合、中間
層１０２の層厚に対して数百〜数千倍以上の層厚とされ
るのが好ましいものである。
電層１０３の機能及び中間層１０２の機能が各々有効に
活されてる様に中間層１０２との層厚関係に於いて適宜
所望に従って決められるものであり、通常の場合、中間
層１０２の層厚に対して数百〜数千倍以上の層厚とされ
るのが好ましいものである。
具体的な値としては、好ましくは１〜１００μ、よシ好
適には２〜５０μの範囲とされるのが望ましい。
適には２〜５０μの範囲とされるのが望ましい。
第１図に示す光導電部材の光導電層中に含有されるＨ又
はＸの量は（Ｘ＝Ｆなどハロゲン原子）好ましくは１〜
４０ ａｔｏｍｉｅｓ ｓ より好適には５〜３０ ａ
ｔｏｍｉｅｓとされるのが望ましい。
はＸの量は（Ｘ＝Ｆなどハロゲン原子）好ましくは１〜
４０ ａｔｏｍｉｅｓ ｓ より好適には５〜３０ ａ
ｔｏｍｉｅｓとされるのが望ましい。
第１図の光導電部材の表面層１０４は必要に応じて中間
層１０２．及び光導電層１０３と同様に形成される。シ
リコンカーバイド膜であれば、例えば、分解空間（Ｂ）
にＳｉＦ４を９分解中間（Ｃ）にＳｉＨ＜とＣＨ，とＨ
３あるいはＳｉＨ４とＳ ｉ Ｌ （ＣＨｓ ）ｔなど
の原料ガスを導入し、各々分解エネルギーで励起させて
、前駆体及び活性種の夫々を夫々の空間で生成しそれ等
を別々に堆積空間囚へ導入させることにより表面層１０
４が堆積される。
層１０２．及び光導電層１０３と同様に形成される。シ
リコンカーバイド膜であれば、例えば、分解空間（Ｂ）
にＳｉＦ４を９分解中間（Ｃ）にＳｉＨ＜とＣＨ，とＨ
３あるいはＳｉＨ４とＳ ｉ Ｌ （ＣＨｓ ）ｔなど
の原料ガスを導入し、各々分解エネルギーで励起させて
、前駆体及び活性種の夫々を夫々の空間で生成しそれ等
を別々に堆積空間囚へ導入させることにより表面層１０
４が堆積される。
又、表面層１０４としては、窒化シリコン、酸化シリコ
ン膜などのバンドギャップの広い堆積膜が好ましく、光
導電層１０３から表面層１０４へその膜組成を連続的に
変えることも可能である。表面層１０４の層厚は、好ま
しくは０．Ｏ１μ〜５μ、より好ましくは、０．０５μ
〜１μの範囲が望ましい。
ン膜などのバンドギャップの広い堆積膜が好ましく、光
導電層１０３から表面層１０４へその膜組成を連続的に
変えることも可能である。表面層１０４の層厚は、好ま
しくは０．Ｏ１μ〜５μ、より好ましくは、０．０５μ
〜１μの範囲が望ましい。
光導電層１０３を必要に応じてｎ型又はｐ型とするには
、層形成の際に、ｎ型不純物又は、１ｍ不純物、或いは
両不純物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピ
ングしてやる事によって成される。
、層形成の際に、ｎ型不純物又は、１ｍ不純物、或いは
両不純物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピ
ングしてやる事によって成される。
光導電層中にドーピングされる不純物としては、ｎ型不
純物として、周期律表第■族Ａの元素、例えば、Ｂ、
Ａｔ、 Ｇａ、 Ｉｎ、 Ｔｔ等が好適なものとして誉
げられ、ｎ型不純物としては、周期律表第■族Ａの元素
、例えばＮ ＨＰ ＋ Ａｓ ｌ ｓｂ ｔ１３を等が
好適なものとして挙げられるが、殊にＢ。
純物として、周期律表第■族Ａの元素、例えば、Ｂ、
Ａｔ、 Ｇａ、 Ｉｎ、 Ｔｔ等が好適なものとして誉
げられ、ｎ型不純物としては、周期律表第■族Ａの元素
、例えばＮ ＨＰ ＋ Ａｓ ｌ ｓｂ ｔ１３を等が
好適なものとして挙げられるが、殊にＢ。
Ｇａ＋Ｐ＋Ｓｂ等が最適である。
本発明に於いて所望の伝導屋を有する為に光々７電層１
’０３中にドーピングされる不純物の量は、所壊され
る′−気的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周
期律表第■族Ａの不純物の場合３ Ｘ １０−２０−２
ａｔｏ％以下の全範囲でドーピングしてやれば良く、周
期律表第■族Ａの不純物の場合には５ Ｘ １０”３ａ
ｔｏｍｉｃ ％以下の搦範囲でドーピングしてやれば良
い。
’０３中にドーピングされる不純物の量は、所壊され
る′−気的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周
期律表第■族Ａの不純物の場合３ Ｘ １０−２０−２
ａｔｏ％以下の全範囲でドーピングしてやれば良く、周
期律表第■族Ａの不純物の場合には５ Ｘ １０”３ａ
ｔｏｍｉｃ ％以下の搦範囲でドーピングしてやれば良
い。
光導電層１０３中に不純物をドーピングするには、層形
成の際に不純物導入用の原料物質をガス状態で分解空間
（４）あるいは（Ｑ中に導入してやれば良い。その際に
は分解空間（Ｂ）の方ではなく、分解空間（Ｑ方へ導入
し、そこからその活性種を堆積空間（４）に導入する方
が好ましい。
成の際に不純物導入用の原料物質をガス状態で分解空間
（４）あるいは（Ｑ中に導入してやれば良い。その際に
は分解空間（Ｂ）の方ではなく、分解空間（Ｑ方へ導入
し、そこからその活性種を堆積空間（４）に導入する方
が好ましい。
この様な不純物導入用の原料物質としては、常温常圧で
ガス状態の又は、少なくともに’ｒ Ｖ酸条件下で容易
にガス化し得るものが採用される。
ガス状態の又は、少なくともに’ｒ Ｖ酸条件下で容易
にガス化し得るものが採用される。
その様な不純物導入用の出発物質として具体的には、Ｐ
Ｈｓ ＋ ＰｔＨ４＊ ＰＦｘ ＋ ＰＦｓ ｇ ＰＣ
Ｉ−ｓ ＋ ＡｓＨｓ ＋ ＡｓＦ’ｓ ＋Ａ８ＦＳ
＋ ＡｓＣ４１ｓｂｕ、 ｌ ５ｂＦｓ ＋ Ｂ１１（
＊ ＋ ＢＦｓ ＋ ＢＣｌｓ ＋ Ｊ３Ｂｒ ｓ ｌ
ＢｓＨｏ ＩＢ４ＨＩＯｌＢｓＨｏ ｌＢｓＨｏ會Ｂａ
Ｈ＋ｏ ＩＢ６Ｈ１２ＩＡにｔ３ν等を挙げることが出
来る。
Ｈｓ ＋ ＰｔＨ４＊ ＰＦｘ ＋ ＰＦｓ ｇ ＰＣ
Ｉ−ｓ ＋ ＡｓＨｓ ＋ ＡｓＦ’ｓ ＋Ａ８ＦＳ
＋ ＡｓＣ４１ｓｂｕ、 ｌ ５ｂＦｓ ＋ Ｂ１１（
＊ ＋ ＢＦｓ ＋ ＢＣｌｓ ＋ Ｊ３Ｂｒ ｓ ｌ
ＢｓＨｏ ＩＢ４ＨＩＯｌＢｓＨｏ ｌＢｓＨｏ會Ｂａ
Ｈ＋ｏ ＩＢ６Ｈ１２ＩＡにｔ３ν等を挙げることが出
来る。
実施例１
第２図に示す装置使い、以下の如き操作によってドラム
状の電子写真用像形成部材を作成した。
状の電子写真用像形成部材を作成した。
第２図において、１は堆ち（空間図、２は分解空間（Ｂ
）、３は分解空間（Ｃ）％４は電気炉、５は固体Ｓｉ粒
、６は前駆体の原料物質導入管、７は前駆体導入管、８
は電気炉、９は活性種の原料物質導入管、１０は活性種
導入管、１１はモーター、１２は加熱ヒーター、１３は
吹き出し管、１４は吹き出し管、１５はＡｔ’／リンダ
−１１６は排気バルブを示している。
）、３は分解空間（Ｃ）％４は電気炉、５は固体Ｓｉ粒
、６は前駆体の原料物質導入管、７は前駆体導入管、８
は電気炉、９は活性種の原料物質導入管、１０は活性種
導入管、１１はモーター、１２は加熱ヒーター、１３は
吹き出し管、１４は吹き出し管、１５はＡｔ’／リンダ
−１１６は排気バルブを示している。
堆積空間（５）］にＡＡシリンダー１５をつり下げ、そ
の内側に加熱ヒーター１２を備え、モーターＩＪにより
回転できるようにし、分解空間（Ｂ）２からの前、１駆
体を導入する導入管７を経て、吹き出し管１３と、分解
空間（Ｃ） ３からの活性種を導入する導入管１０を経
て、吹き出し管１４を備えるＯ 分解空間（Ｂ）２に固体８１粒５を詰めて、電気炉４に
より加熱しｓ １１００℃に保ち、Ｓｉ ｔ 溶融Ｌ、
そこへボンベからＳｉＦ、の導入管６により％ＳｉＦ。
の内側に加熱ヒーター１２を備え、モーターＩＪにより
回転できるようにし、分解空間（Ｂ）２からの前、１駆
体を導入する導入管７を経て、吹き出し管１３と、分解
空間（Ｃ） ３からの活性種を導入する導入管１０を経
て、吹き出し管１４を備えるＯ 分解空間（Ｂ）２に固体８１粒５を詰めて、電気炉４に
より加熱しｓ １１００℃に保ち、Ｓｉ ｔ 溶融Ｌ、
そこへボンベからＳｉＦ、の導入管６により％ＳｉＦ。
を吹き込むことにより、５ｉＦｙの活性種を生成させ、
導入管７を経て、堆積空間図ｌの吹き出し管１３へ導入
する。一方、分解空間（Ｃ１３に導入管９からＳ ｉＨ
＋とＨ２を導入し、電気炉８により６００℃に加熱し、
ＳＩＨ，２＋ ＳＩＨ＋ Ｓ＋Ｊｉｊｌ Ｈなどの活性
種を生成させ、導入管１０から吹き出し管１４へ導入す
る。このとき、２ｎ人管１（）の長さは、装置上、可能
な限り短縮１７％その活性ｆＩＫの有効効率を落さない
ようにする。堆情空間囚内のＭシリンダーは３００℃に
ヒーター１２により加熱、保持され、回転させ、排ガス
は排気パルプ１６を通じて排気させる。このようにして
光導電層１０３が形成されるが、同様に中間層１０２、
表面層１０４も形成される。
導入管７を経て、堆積空間図ｌの吹き出し管１３へ導入
する。一方、分解空間（Ｃ１３に導入管９からＳ ｉＨ
＋とＨ２を導入し、電気炉８により６００℃に加熱し、
ＳＩＨ，２＋ ＳＩＨ＋ Ｓ＋Ｊｉｊｌ Ｈなどの活性
種を生成させ、導入管１０から吹き出し管１４へ導入す
る。このとき、２ｎ人管１（）の長さは、装置上、可能
な限り短縮１７％その活性ｆＩＫの有効効率を落さない
ようにする。堆情空間囚内のＭシリンダーは３００℃に
ヒーター１２により加熱、保持され、回転させ、排ガス
は排気パルプ１６を通じて排気させる。このようにして
光導電層１０３が形成されるが、同様に中間層１０２、
表面層１０４も形成される。
実施例２
一般的なプラズマＣＶＤ法によりＮ ＳｉＦ＜とＳｉＬ
およびＨ２から第２図の堆積空間図１に１３．５６■（
Ｚの高周波装置を備えて、アモルファスシリコン堆積膜
を形成した。
およびＨ２から第２図の堆積空間図１に１３．５６■（
Ｚの高周波装置を備えて、アモルファスシリコン堆積膜
を形成した。
＊施例３
実施例１と同様に堆積膜を形成するが、分解空間（Ｃ）
３に導入する原料ガスをＨ３として、電気炉によって加
熱する代わシに１３．５６ ＭＨｚのプラズマ反、応を
発生させ、水素プラズマ状態を作シ、Ｈの活性種を吹き
出し管１４へ導入し、ドラム状の電子写真用像形成部材
を作成した。
３に導入する原料ガスをＨ３として、電気炉によって加
熱する代わシに１３．５６ ＭＨｚのプラズマ反、応を
発生させ、水素プラズマ状態を作シ、Ｈの活性種を吹き
出し管１４へ導入し、ドラム状の電子写真用像形成部材
を作成した。
上記した実施例１．２．３のドラム状の電子写真用像形
成部材の製造栄件と性能を第１表に示す。
成部材の製造栄件と性能を第１表に示す。
実施例１．３の中間層１０２は分解空間（均にＳ Ｉ
Ｆ４ ＋分解空間（Ｃ）にＳ ｉＬ／ Ｈｔ／ Ｎｏ／
ＢｚＨａ （容量襲でＮＯ：２％、ＢｔＨａ ： ０
．２チ）を各々導入し各々の励起エネルギーで前駆体及
び活性種を生成し、堆積空間（４）へ導入して形成し、
中間層１０２０層厚は、２０００人とする。
Ｆ４ ＋分解空間（Ｃ）にＳ ｉＬ／ Ｈｔ／ Ｎｏ／
ＢｚＨａ （容量襲でＮＯ：２％、ＢｔＨａ ： ０
．２チ）を各々導入し各々の励起エネルギーで前駆体及
び活性種を生成し、堆積空間（４）へ導入して形成し、
中間層１０２０層厚は、２０００人とする。
実施例２の場合も実施例１，３と同様な組成のＳ Ｉ
Ｈ４／ ］（ｔ ／ ＮＯ／ Ｂ２Ｈ６のガスを用いて
プラズマＣＶＤ法で中間層１０２を形成し、その層厚を
２０００人とする。
Ｈ４／ ］（ｔ ／ ＮＯ／ Ｂ２Ｈ６のガスを用いて
プラズマＣＶＤ法で中間層１０２を形成し、その層厚を
２０００人とする。
実施例１．３の表面層１０４は、分解空間（Ｂ）にＳｉ
Ｆ、を導入し、また分解空間（Ｃ）ＫはＳｉＬ／ＣＨ４
／Ｈ，を容量比１０：１００：５０で導入し、各々の励
起熱エネルギーで前駆体及び活性種を生成し、堆積空間
（４）へ導入して形成し、表面層１０４の層厚は１００
０人とする。
Ｆ、を導入し、また分解空間（Ｃ）ＫはＳｉＬ／ＣＨ４
／Ｈ，を容量比１０：１００：５０で導入し、各々の励
起熱エネルギーで前駆体及び活性種を生成し、堆積空間
（４）へ導入して形成し、表面層１０４の層厚は１００
０人とする。
実施例２の場合も５ＬＨ４／ＣＨ＋ ／Ｈｚを同組成で
導入し、プラズマＣＶＤ法で表面層１０４を形成し、そ
の層厚を１０００人とする。
導入し、プラズマＣＶＤ法で表面層１０４を形成し、そ
の層厚を１０００人とする。
実施例１．２．３のドラム状の電子写真用像形成部材を
、■帯電、露光、転写によるカールソンプロセスに於い
てθトナーによる熱定着方式の複写装置に装着し、全面
暗部全面明部あるいは全面ハーフトーン部のＡ３サイズ
の複写を行ない、画像中に不均一なノイズが発生するが
否かについて観察したものが平均画像欠陥の数である。
、■帯電、露光、転写によるカールソンプロセスに於い
てθトナーによる熱定着方式の複写装置に装着し、全面
暗部全面明部あるいは全面ハーフトーン部のＡ３サイズ
の複写を行ない、画像中に不均一なノイズが発生するが
否かについて観察したものが平均画像欠陥の数である。
又、その際にドラムの周方向、母線方向の受容電位の均
一性を測定した。
一性を測定した。
これらの結果は、第１表に示す。
実施例４
第３図において、１７は回転機構を備えた移動式遣台、
１８は冷却空間、１９は加熱空間、２０は堆積空間を示
している。
１８は冷却空間、１９は加熱空間、２０は堆積空間を示
している。
本実施例は、第３図に示すように、加熱室１９、堆積室
２０．冷却室１８から成り、各々の空間に、Ａｔシリン
ダー１５を回転機構を備えた移動式置台１７上に置き、
連続的に１つの堆積空間で多数本のドラム状の電子写真
用像形成部材が作成される装置である。本装置を使用し
て、実施例１と同様な作成方法を試みたところ、堆積空
間の温度、ＡＡシリンダーの温度９分解空間（Ｂ）から
の導入管７を経て吹き出し管１３からと、分解空間Ωか
らの導入管１０を経て吹き出し管１４からの各々の前駆
体及び活性種の吹き出し量を制御することによシ、均一
で再現性のある堆積膜をもつドラム状の電子写真用像形
成部材を低コストで量産することができることが確認さ
れた。
２０．冷却室１８から成り、各々の空間に、Ａｔシリン
ダー１５を回転機構を備えた移動式置台１７上に置き、
連続的に１つの堆積空間で多数本のドラム状の電子写真
用像形成部材が作成される装置である。本装置を使用し
て、実施例１と同様な作成方法を試みたところ、堆積空
間の温度、ＡＡシリンダーの温度９分解空間（Ｂ）から
の導入管７を経て吹き出し管１３からと、分解空間Ωか
らの導入管１０を経て吹き出し管１４からの各々の前駆
体及び活性種の吹き出し量を制御することによシ、均一
で再現性のある堆積膜をもつドラム状の電子写真用像形
成部材を低コストで量産することができることが確認さ
れた。
プラズマＣＶ、Ｄ法では、このように１つの堆積空間内
で、多本数のドラム状の電子写真用像形成部材を作成し
ようとすると、放電の均一性や製造条件の複雑なパラメ
ーターの相互の相乗効果もあって、再現性よく均一な堆
積膜をもつドラム状の電子写真用像形成部材を作成する
ことが不可能であった。
で、多本数のドラム状の電子写真用像形成部材を作成し
ようとすると、放電の均一性や製造条件の複雑なパラメ
ーターの相互の相乗効果もあって、再現性よく均一な堆
積膜をもつドラム状の電子写真用像形成部材を作成する
ことが不可能であった。
実施例５
第４図に於て、２１は高周波電源（１３，５６ＭＨｚ
）、２２はプラズマ空間、２３は５０メツシユステンレ
ス金鋼、２４は基板、２５は支持台、２６は同電位にす
るアースを示す。
）、２２はプラズマ空間、２３は５０メツシユステンレ
ス金鋼、２４は基板、２５は支持台、２６は同電位にす
るアースを示す。
本実施例に於ては、第４図に示すように分解空間（Ｑと
堆積空間に）を同−室の中に配置し、分解空間（ロ）を
別に備えた装置に於て、分解空間（均で実施例１と同様
にＳ ｉ Ｆｚを生成させ、堆積空間（４）へ導入し、
分解空間（ＱではＳｉＨ４とＨ７を導入しプラズマを生
起させｓ ５ｉＦｚと作用させ、メツシュを通して堆積
空間（１）内の２８０℃に保持された基板上に堆積させ
る。この堆積膜の光導電層は、暗導電率υＤ＝２Ｘ１０
ｏΩ−一−１，明導電率υＰ＝３Ｘ１０ａΩ−１ｃ１ｎ
−１であり、良好な特性を示した。
堆積空間に）を同−室の中に配置し、分解空間（ロ）を
別に備えた装置に於て、分解空間（均で実施例１と同様
にＳ ｉ Ｆｚを生成させ、堆積空間（４）へ導入し、
分解空間（ＱではＳｉＨ４とＨ７を導入しプラズマを生
起させｓ ５ｉＦｚと作用させ、メツシュを通して堆積
空間（１）内の２８０℃に保持された基板上に堆積させ
る。この堆積膜の光導電層は、暗導電率υＤ＝２Ｘ１０
ｏΩ−一−１，明導電率υＰ＝３Ｘ１０ａΩ−１ｃ１ｎ
−１であり、良好な特性を示した。
第１表
第１図は、本発明の方法を用いて作成される光導電部材
の１実施態様例を説明するために層構造を示した模式図
である。第２図は本発明の製造法を具現化するだめの装
置の１例を示す模式的説明図である。第３図は本発明の
製造法が工業的に量産化可能なことを示す具体的な装置
例を示した模式図である。第４図は本発明に係わる別の
装置例を示した模式図である。 １：堆’ｉ７（空間囚 ２：分解空間の）３：分解空間
（Ｃ） ４：電気炉 ５：固体Ｓｉ粒 ６ ： ＳｉＦ、の導入管７：前駆体
導入管 ８：電気炉 ９：活性（・］（の原料物質導入管 １０：活性種導入管 １１：モーター １２：加熱ヒーター １３：吹き出し管１４：吹き出し
管 １５ ： Ａｔシリンダー１６：排気バルブ １７：回転機’５・ｒ ｆ：備えだ移動式置台１８：冷
却空間 １９：加熱空間 ２０：堆積空間 ２１：高周波電源 ２２ ： プラズマ空間 ２３：５０メツシュステンレ
ス２４：基板 ２５：支持台 ２６：同電位にするアース １００：光導電部材 １０１：支持体 １０２：中間層 １０３：光導電層 １０４：表面層。 １（埋Δ 凡 島 慣 ゴ四１．゛、−。 テ；１．脂□
の１実施態様例を説明するために層構造を示した模式図
である。第２図は本発明の製造法を具現化するだめの装
置の１例を示す模式的説明図である。第３図は本発明の
製造法が工業的に量産化可能なことを示す具体的な装置
例を示した模式図である。第４図は本発明に係わる別の
装置例を示した模式図である。 １：堆’ｉ７（空間囚 ２：分解空間の）３：分解空間
（Ｃ） ４：電気炉 ５：固体Ｓｉ粒 ６ ： ＳｉＦ、の導入管７：前駆体
導入管 ８：電気炉 ９：活性（・］（の原料物質導入管 １０：活性種導入管 １１：モーター １２：加熱ヒーター １３：吹き出し管１４：吹き出し
管 １５ ： Ａｔシリンダー１６：排気バルブ １７：回転機’５・ｒ ｆ：備えだ移動式置台１８：冷
却空間 １９：加熱空間 ２０：堆積空間 ２１：高周波電源 ２２ ： プラズマ空間 ２３：５０メツシュステンレ
ス２４：基板 ２５：支持台 ２６：同電位にするアース １００：光導電部材 １０１：支持体 １０２：中間層 １０３：光導電層 １０４：表面層。 １（埋Δ 凡 島 慣 ゴ四１．゛、−。 テ；１．脂□
Claims (1)
- 裁板上に堆積膜を形成する為の堆積空間（ロ）に、分解
空間（Ｂ）に於て生成される堆積膜形成用の原料となる
前駆体と、分解空間０に於て生成され、前記前風体と相
互作用をする活性種とを夫々別々に導入することによっ
て、前記益板上に堆積膜を形成する事を特徴とする堆積
膜形成法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149366A JPS6041047A (ja) | 1983-08-16 | 1983-08-16 | 堆積膜形成法 |
| DE19843429899 DE3429899A1 (de) | 1983-08-16 | 1984-08-14 | Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms |
| GB08420725A GB2148328B (en) | 1983-08-16 | 1984-08-15 | Chemical vapour deposition process |
| FR848412872A FR2555614B1 (fr) | 1983-08-16 | 1984-08-16 | Procede pour former un film sur un substrat par decomposition en phase vapeur |
| US07/161,386 US4835005A (en) | 1983-08-16 | 1988-02-22 | Process for forming deposition film |
| US08/469,676 US5910342A (en) | 1983-08-16 | 1995-06-06 | Process for forming deposition film |
| US08/477,269 US5645947A (en) | 1983-08-16 | 1995-06-07 | Silicon-containing deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58149366A JPS6041047A (ja) | 1983-08-16 | 1983-08-16 | 堆積膜形成法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62136454A Division JPS63100183A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 堆積膜形成法 |
| JP62136453A Division JPH0674503B2 (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6041047A true JPS6041047A (ja) | 1985-03-04 |
| JPH0360917B2 JPH0360917B2 (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=15473564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58149366A Granted JPS6041047A (ja) | 1983-08-16 | 1983-08-16 | 堆積膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041047A (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042765A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-07 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61179870A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61179868A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61179869A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61222120A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61237418A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-22 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS61276976A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-06 | Res Dev Corp Of Japan | 中間状態種を用いた熱ｃｖｄ法によるシリコン含有高品質薄膜の製造方法及び装置 |
| JPS61276977A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-06 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| JPS6235521A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Hitachi Ltd | 表面処理装置 |
| JPS6290924A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-25 | Nobuo Mikoshiba | 堆積膜形成法及びこれに用いる装置 |
| JPS62177911A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
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| JPS62223762A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-01 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材及びその製造方法 |
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| JPS63141920A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-14 | Lion Corp | 歯磨組成物 |
| US5126169A (en) * | 1986-08-28 | 1992-06-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming a deposited film from two mutually reactive active species |
| US5178905A (en) * | 1988-11-24 | 1993-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the formation of a functional deposited film by hydrogen radical-assisted cvd method utilizing hydrogen gas plasma in sheet-like state |
| JPH06196422A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Nec Corp | 半導体結晶成長装置および成長法 |
| JPH08238710A (ja) * | 1994-12-23 | 1996-09-17 | Saint Gobain Vitrage | 透明基材及びその製造方法 |
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| JPS5767938A (en) * | 1980-10-16 | 1982-04-24 | Canon Inc | Production of photoconductive member |
-
1983
- 1983-08-16 JP JP58149366A patent/JPS6041047A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS61276977A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-06 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0360917B2 (ja) | 1991-09-18 |
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