JPH06326080A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

プラズマｃｖｄ装置

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JPH06326080A
JPH06326080A JP5136928A JP13692893A JPH06326080A JP H06326080 A JPH06326080 A JP H06326080A JP 5136928 A JP5136928 A JP 5136928A JP 13692893 A JP13692893 A JP 13692893A JP H06326080 A JPH06326080 A JP H06326080A
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JP
Japan
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cylindrical electrode
heating means
plasma cvd
shield
cylindrical
Prior art date
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Pending
Application number
JP5136928A
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English (en)
Inventor
Shigeru Yagi
茂 八木
Goji Ota
剛司 大田
Masahito Ono
雅人 小野
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Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
Priority to JP5136928A priority Critical patent/JPH06326080A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 効率のよいプラズマＣＶＤ装置を提供する。 【構成】 真空に排気のできる反応容器１内に設けられ
た内側加熱手段（シールド２およびヒーター１０）と、
該内側加熱手段を外包するように設けた円筒状電極３
と、前記円筒状電極に電圧を印加する手段８と、前記内
側加熱手段と前記円筒状電極との空間にガスを導入する
手段を有し、前記内側加熱手段と前記円筒状電極との間
に、複数の析出皮膜支持体４を保持する保持装置を接地
状態で配設し、かつ前記保持装置は析出皮膜支持体４を
自転・公転させる機構を備えていることを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置。 【効果】 複数の小径の析出皮膜支持体の上に、一度の
操作で成膜を行うことができ、しかも、粉末等の不必要
な反応生成物が反応容器外壁等に付着することが殆どな
く、良好な品質の膜を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、改良されたプラズマＣ
ＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真感光体としての非晶質ケ
イ素感光体の製造は、真空槽内に、回転可能な感光体ド
ラム保持部材と、その周りに設けた円筒状電極とを設置
したプラズマＣＶＤ装置を用い、その電極の一方の側面
に設けた反応ガス導入口より反応ガスを導入して、グロ
ー放電を発生させて反応ガスを分解紙、感光体ドラム保
持部材上に保持された導電性支持体表面に、非晶質ケイ
素感光層を形成することによって行われている。
【０００３】図４は、従来の容量結合型プラズマＣＶＤ
装置の一例を示す。２１は密閉反応槽であり、その中
に、モーター２８により回転する円筒状の導電性基体２
２を電極として載置し、一方、複数のガス噴出孔２６を
設けた剛性の金属よりなる中空対向電極２３を、導電性
基体２２に対向してそれを取り囲むように設置する。そ
の外側は金属よりなるシールド板２７で覆っている。原
料ガスは、ボンベ２４からガス導入管２５により反応槽
２１内に同入試、導電性基体（電極）２２、電極２３間
にグロー放電を起こさせて原料ガスを分解し、導電性基
体２２上に膜を体積形成させる。２９は高周波電源であ
り、３０は排気系である。
【０００４】このプラズマＣＶＤ装置は、１回の操作で
１個の非晶質ケイ素感光体を製造するものであるので、
量産化の点で問題がある。そこで最近量産化の目的で、
種々の提案がなされている。例えば真空槽内に複数の感
光体ドラム保持部材を配設したものが知られている（特
開昭５７−１８５９７１号公報、特開昭６１−５７９４
６号公報等）。また、二重になっている筒状電極間に複
数本の円筒状析出皮膜支持体を設置し、各筒状電極に高
周波電圧を印加するものが知られている（特開昭６２−
４８７２号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】量産化を目的として提
案された従来の技術は、種々の問題点があった。例えば
特開昭５８−７１３６９号公報に記載のように、複数個
の蒸着装置を設けたものは、それぞれの蒸着装置に高周
波電源およびインピーダンス整合のためのマッチングボ
ックスを設ける必要があり、各蒸着装置を別々に制御す
ることが必要となるので、設備が複雑になると共に手間
がかかるという問題があった。また、一つの円筒状電極
内に複数の感光体ドラム保持部材を設置したものは、反
応ガス導入口と排出口との間で蒸着条件が変化するため
に、各乾固体ドラム保持部材上に保持された導電性基体
上に形成される感光層が均一にならないという問題があ
った。
【０００６】また、それを防止する目的で提案された、
感光体ドラム保持体を自転させると同時に公転させる装
置においては、上記の問題は多少改善されるものの、回
転させるための駆動装置が複雑になり、基体内部からの
加熱ができないという新たな問題が発生した。また、反
応ガスを各感光体ドラム上に均一に流れるようにする装
置においては、反応ガスの導入および排出のための機構
が複雑になるという問題があり、いずれの場合において
も、十分満足のいく結果は得られていなかった。また、
プラズマＣＶＤ装置において、析出皮膜支持体内部にヒ
ーターを持つ機構の場合は、多くの析出皮膜支持体を同
時に成膜することが困難であり、また、小径、棒状の析
出皮膜支持体上に成膜することも問題である。
【０００７】特開昭６２−４８７２号公報の、二重にな
っている筒状電極間に複数本の円筒状析出皮膜し自体を
設置した装置では、筒状電極と円筒状析出皮膜支持体間
に高周波電圧を印加するものであるため、電極と析出皮
膜支持体との感覚が接近しており、狭い領域でしか放電
が行われず、成膜速度が低くまた膜厚分布も悪くなると
いう問題がある。本発明は、従来の技術における上記の
ような問題点に鑑みてなされたもので、非晶質ケイ素感
光層等の均一な非晶質感光層を有する電子写真感光体を
量産化することが可能な、簡単な構造のプラズマＣＶＤ
装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、真空に廃棄
できる反応容器内に設けられた加熱手段と、該加熱手段
を外包するように設けた円筒状電極と、前記円筒状電極
に電圧を印加する手段と、前記加熱手段と前記円筒状電
極との空間にガスを導入する手段を有し、前記加熱手段
と前記円筒状電極との間に、複数の析出皮膜支持体を保
持する保持装置を接地状態で配設し、かつ前記保持承知
は析出皮膜支持体を自転・公転させる機構を採用した。
【０００９】本発明においては、加熱手段（下記の外側
加熱手段がある場合には、内側加熱手段）は円筒状であ
ってもよい。また、円筒状電極に加熱手段（外側加熱手
段）を設けてもよい。また、ガス導入手段は、加熱手段
（内側加熱手段）に設けても或いは円筒状電極に設けて
も、さらには両方に設けてもよい。プラズマ放電を発生
するための電源は、直流、交流、高周波或いはマイクロ
波のいずれでもよいが、高周波が放電の均一性において
優れているので好ましい。
【００１０】本発明装置において印加される電圧は好ま
しくは高周波電圧で、電極の外側に設けた、接地された
シールドおよびこのシールドを加熱する手段を有するの
が好適である。また析出皮膜支持耐として、棒状ないし
円筒状のモノを複数設置するように構成されているのが
好ましく、それらは各々の析出皮膜支持体保持手段に同
時に複数個配設されていてもよい。
【００１１】
【作用】本発明の構成と作用を説明する。本発明のプラ
ズマＣＶＤ装置は、非晶質ケイ素感光体等の均一な非晶
質感光層を有する電子写真感光体の製造に適用できるも
のであって、反応容器内の加熱手段と円筒状電極との間
の保持手段に、棒状或いは円筒状析出皮膜支持体を接地
状態で載置する。反応容器内を減圧にした状態で、析出
皮膜支持体と円筒状電極間に、例えば、高周波電圧を印
加し、加熱手段および／または円筒状電極に設けられて
いるガス導入手段から原料ガスを導入する。この場合、
析出皮膜支持体は加熱手段および／またはシールドを介
して加熱される円筒状電極によって加熱され、導入され
たガスは円筒状電極と析出皮膜支持体の周辺の空間にお
いてグロー放電により分解され、析出皮膜支持体上に非
晶質ケイ素感光層皮膜が形成される。したがって、本発
明のプラズマＣＶＤ装置は、簡単な構造を有し、小径の
棒状或いは円筒状析出皮膜支持体に対して、粉状物の生
成を減少させ、良質な膜を大量に生産することが可能に
なる。
【００１２】
【実施例】本発明を実施例により具体的に説明するが、
これによって本発明は限定されるものではない。以下、
本発明の実施例を図面を参照して説明する。図１は本発
明のプラズマＣＶＤ装置の一実施例の横断面図である。
図２はその縦断面図である。図において、１は反応容器
外壁であり、その内部にヒーター１０およびシールド２
よりなる内側加熱手段と、それを外包する円筒状電極３
が配設されている。内側加熱手段を構成するシールド２
と円筒状電極３との間には、複数個の析出皮膜支持体４
が支持体保持手段５により保持され、モーター６によっ
て自転・公転可能に載置されている。円筒状電極３に
は、原料ガス、例えばシラン（ＳｉＨ4 ）ガス等の原料
ガス供給口７が設けられており、そして電極内面に設け
た多数の穴９１から、原料ガスが噴出されるようになっ
ている。また円筒状電極３には、ヒーター１１およびシ
ールド９よりなる外側加熱手段が近接して設けられてお
り、そして、高周波電源８と接続され高周波電圧が印加
できるようになっている。一方、内側のシールド２と析
出皮膜支持体４および外側のシールド９は接地されてい
る。また、反応容器は内部が真空になるように排気系１
２によって排気できるようになっている。なお、１３は
原料ガスを供給するためのボンベである。図２におい
て、各々の支持体保持手段５には複数の析出皮膜支持体
４が載置されており、各析出皮膜支持体は自転・公転が
可能に保持されている。
【００１３】以上のように構成された本発明のプラズマ
ＣＶＤ装置を用いて、析出皮膜支持体上に感光層皮膜を
形成する場合について説明する。先ず、円筒状または棒
状の析出皮膜支持体４を配置した反応容器１の空間を、
１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒの高真空に排気する。次に、ヒ
ーター１０を１５０〜３００℃に、ヒーター１１を２０
０〜３００℃に加熱し、また高周波電源８により円筒状
電極３に高周波電圧を印加する。その際、シールド９を
接地することにより反応容器外へのノイズの放出と、制
御系の狂いが防止されるｄ。円筒状または棒状の析出皮
膜支持体４は、接地状態で保持されている。ボンベ１３
からの原料ガス、例えばシラン（ＳｉＨ4 ）ガスを、原
料ガス供給口７から円筒状電極とシールド９の間に導入
する。原料ガスは円筒状電極３内面に設けられた多数の
穴９１から噴出され、円筒状電極３と析出皮膜支持体４
の間の空間に発生するグロー放電により分解されて析出
皮膜支持体４上に皮膜を形成する。
【００１４】図３においては、原料ガス供給口７が内側
加熱手段に近接して設置されている。この場合には、高
周波のシールドが不要になるので、原料ガス供給口を円
筒状電極に設置する場合に比して装置が簡略になる。な
お、ガス排出は、円筒状電極３に設けた排出系１２から
行っている。
【００１５】以上のように構成された本発明のプラズマ
ＣＶＤ装置を用いて、析出皮膜支持体上にブロッキング
層、ａ−Ｓｉ光導電層、表面層の３層からなる負帯電感
光体を形成した。すなわち、フロン溶剤などで洗浄処理
した円筒状の析出皮膜支持体１６個を、高周波（１３．
５６ＭＨｚ）プラズマＣＶＤ装置の真空反応槽にセット
した後、真空に排気した。続いて、Ｎ2 をガス流量１０
０ｃｍ3 ／ｍｉｎの速度で導入し、ヒーター１０を２０
０℃に、ヒーター１１を２５０℃に加熱し、円筒状の析
出皮膜支持体表面を２５０℃に制御した。このとき、真
空反応槽は、０．５Ｔｏｒｒに保持する。続いて、真空
反応槽を１０-6まで排気した後、第１層目のブロッキン
グ層を形成した。ＳｉＨ4 １５０ｓｃｃｍ、ＮＨ3 １５
０ｓｃｃｍを導入し、圧力は０．５Ｔｏｒｒに保持し
た。この圧力は、以後、一定に保持した。高周波電力は
３００Ｗで、成膜時間は１０ｍｉｎであった。光導電層
の形成には、ＳｉＨ4 ３００ｓｃｃｍ、Ｂ2 Ｈ6 ３ｓｃ
ｃｍを導入して行った。高周波電力は５００Ｗ、成膜時
間は３６０ｍｉｎであった。表面層の形成には、ＳｉＨ
4 ５０ｓｃｃｍ、ＮＨ3 ２５０ｓｃｃｍを導入して行っ
た。高周波電力は３００Ｗ、成膜時間は１０ｍｉｎであ
った。各層の膜厚は、ブロッキング層が０．５μｍ、光
導電層が２０μｍ、表面層が０．３μｍであった。この
様にして作製された１６個の小径ａ−Ｓｉ感光体は、電
気特性・画像特性等について、殆どバラツキがなく、良
好な特性を示した。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているから、複数の小径の析出皮膜支持体の上に一度の
操作で成膜を行うことができ、しかも、粉末などの不必
要な反応生成物が反応容器外壁等に付着することが殆ど
なく、良好な品質の膜を得ることができるので、産業上
極めて有益である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のプラズマＣＶＤ装置の一実施例の横
断面図である。
【図２】 図１のプラズマＣＶＤ装置の縦断面図であ
る。
【図３】 本発明のプラズマＣＶＤ装置の他の実施例の
横断面図である。
【図４】 従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置の概略
構成図である。
【符号の説明】
１…反応容器、２、９…シールド、３…円筒状電極、４
…析出皮膜支持体、５…支持体保持手段、６…モータ
ー、７…原料ガス供給口、８…高周波電源、１０，１１
…ヒーター、１２…排気系、１３…ボンベ。
【手続補正書】
【提出日】平成６年５月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 プラズマＣＶＤ装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、改良されたプラズマＣ
ＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真感光体としての非晶質ケ
イ素感光体の製造は、真空槽内に、回転可能な感光体ド
ラム保持部材と、その周りに設けた円筒状電極とを設置
したプラズマＣＶＤ装置を用い、その電極の一方の側面
に設けた反応ガス導入口より反応ガスを導入して、グロ
ー放電を発生させて反応ガスを分解し、感光体ドラム保
持部材上に保持された導電性支持体表面に、非晶質ケイ
素感光層を形成することによって行われている。
【０００３】図４は、従来の容量結合型プラズマＣＶＤ
装置の一例を示す。２１は密閉反応槽であり、その中
に、モーター２８により回転する円筒状の導電性基体２
２を電極として載置し、一方、複数のガス噴出孔２６を
設けた剛性の金属よりなる中空対向電極２３を、導電性
基体２２に対向してそれを取り囲むように設置する。そ
の外側は金属よりなるシールド板２７で覆っている。原
料ガスは、ボンベ２４からガス導入管２５により反応槽
２１内に導入し、導電性基体（電極）２２、電極２３間
にグロー放電を起こさせて原料ガスを分解し、導電性基
体２２上に膜を堆積形成させる。２９は高周波電源であ
り、３０は排気系である。
【０００４】このプラズマＣＶＤ装置は、１回の操作で
１個の非晶質ケイ素感光体を製造するものであるので、
量産化の点で問題がある。そこで最近量産化の目的で、
種々の提案がなされている。例えば真空槽内に複数の感
光体ドラム保持部材を配設したものが知られている（特
開昭５７−１８５９７１号公報、特開昭６１−５７９４
６号公報等）。また、二重になっている筒状電極間に複
数本の円筒状析出皮膜支持体を設置し、各筒状電極に高
周波電圧を印加するものが知られている（特開昭６２−
４８７２号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】量産化を目的として提
案された従来の技術は、種々の問題点があった。例えば
特開昭５８−７１３６９号公報に記載のように、複数個
の蒸着装置を設けたものは、それぞれの蒸着装置に高周
波電源およびインピーダンス整合のためのマッチングボ
ックスを設ける必要があり、各蒸着装置を別々に制御す
ることが必要となるので、設備が複雑になると共に手間
がかかるという問題があった。また、一つの円筒状電極
内に複数の感光体ドラム保持部材を設置したものは、反
応ガス導入口と排出口との間で蒸着条件が変化するため
に、各感光体ドラム保持部材上に保持された導電性基体
上に形成される感光層が均一にならないという問題があ
った。
【０００６】また、それを防止する目的で提案された、
感光体ドラム保持体を自転させると同時に公転させる装
置においては、上記の問題は多少改善されるものの、回
転させるための駆動装置が複雑になり、基体内部からの
加熱ができないという新たな問題が発生した。また、反
応ガスを各感光体ドラム上に均一に流れるようにする装
置においては、反応ガスの導入および排出のための機構
が複雑になるという問題があり、いずれの場合において
も、十分満足のいく結果は得られていなかった。また、
プラズマＣＶＤ装置において、析出皮膜支持体内部にヒ
ーターを持つ機構の場合は、多くの析出皮膜支持体を同
時に成膜することが困難であり、また、小径、棒状の析
出皮膜支持体上に成膜することも困難である。
【０００７】特開昭６２−４８７２号公報の、二重にな
っている筒状電極間に複数本の円筒状析出皮膜支持体を
設置した装置では、筒状電極と円筒状析出皮膜支持体間
に高周波電圧を印加するものであるため、電極と析出皮
膜支持体との間隔が接近しており、狭い領域でしか放電
が行われず、成膜速度が低くまた膜厚分布も悪くなると
いう問題がある。本発明は、従来の技術における上記の
ような問題点に鑑みてなされたもので、非晶質ケイ素感
光層等の均一な非晶質感光層を有する電子写真感光体を
量産化することが可能な、簡単な構造のプラズマＣＶＤ
装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、真空に排気
できる反応容器内に設けられた加熱手段と、該加熱手段
を外包するように設けた円筒状電極と、前記円筒状電極
に電圧を印加する手段と、前記加熱手段と前記円筒状電
極との空間にガスを導入する手段を有し、前記加熱手段
と前記円筒状電極との間に、複数の析出皮膜支持体を保
持する保持装置を接地状態で配設し、かつ、前記保持装
置は析出皮膜支持体を自転・公転させる機構を採用し
た。
【０００９】本発明においては、加熱手段（下記の外側
加熱手段がある場合には、内側加熱手段）は円筒状であ
ってもよい。また、円筒状電極に加熱手段（外側加熱手
段）を設けてもよい。また、ガス導入手段は、加熱手段
（内側加熱手段）に設けても或いは円筒状電極に設けて
も、さらには両方に設けてもよい。プラズマ放電を発生
するための電源は、直流、交流、高周波或いはマイクロ
波のいずれでもよいが、高周波が放電の均一性において
優れているので好ましい。
【００１０】本発明装置において印加される電圧は好ま
しくは高周波電圧で、電極の外側に設けた、接地された
シールドおよびこのシールドを加熱する手段を有するの
が好適である。また析出皮膜支持体として、棒状ないし
円筒状のものを複数設置するように構成されているのが
好ましく、それらは各々の支持体保持手段に同時に複数
個配設されていてもよい。
【００１１】
【作用】本発明の構成と作用を説明する。本発明のプラ
ズマＣＶＤ装置は、非晶質ケイ素感光層等の均一な非晶
質感光層を有する電子写真感光体の製造に適用できるも
のであって、反応容器内の加熱手段と円筒状電極との間
の保持手段に、棒状或いは円筒状析出皮膜支持体を接地
状態で載置する。反応容器内を減圧にした状態で、析出
皮膜支持体と円筒状電極間に、例えば、高周波電圧を印
加し、加熱手段および／または円筒状電極に設けられて
いるガス導入手段から原料ガスを導入する。この場合、
析出皮膜支持体は加熱手段および／またはシールドを介
して加熱される円筒状電極によって加熱され、導入され
たガスは円筒状電極と析出皮膜支持体の周辺の空間にお
いてグロー放電により分解され、析出皮膜支持体上に非
晶質ケイ素感光層皮膜が形成される。したがって、本発
明のプラズマＣＶＤ装置は、簡単な構造を有し、小径の
棒状或いは円筒状析出皮膜支持体に対して、粉状物の生
成を減少させ、良質な膜を大量に生産することが可能に
なる。
【００１２】
【実施例】本発明を実施例により具体的に説明するが、
これによって本発明は限定されるものではない。以下、
本発明の実施例を図面を参照して説明する。図１は本発
明のプラズマＣＶＤ装置の一実施例の横断面図である。
図２はその縦断面図である。図において、１は反応容器
であり、その内部にヒーター１０およびシールド２より
なる内側加熱手段と、それを外包する円筒状電極３が配
設されている。 内側加熱手段を構成するシールド２と
円筒状電極３との間には、複数個の析出皮膜支持体４が
支持体保持手段５により保持され、モーター６によって
自転・公転可能に載置されている。円筒状電極３には、
原料ガス、例えばシラン（ＳｉＨ4 ）ガス等の原料ガス
供給口７が設けられており、そして電極内面に設けた多
数の穴９１から、原料ガスが噴出されるようになってい
る。また円筒状電極３には、ヒーター１１およびシール
ド９よりなる外側加熱手段が近接して設けられており、
そして、高周波電源８と接続され高周波電圧が印加でき
るようになっている。一方、内側のシールド２と析出皮
膜支持体４および外側のシールド９は接地されている。
また、反応容器は内部が真空になるように排気系１２に
よって排気できるようになっている。なお、１３は原料
ガスを供給するためのボンベである。図２において、各
々の支持体保持手段５には複数の析出皮膜支持体４が載
置されており、各析出皮膜支持体は自転・公転が可能に
保持されている。
【００１３】以上のように構成された本発明のプラズマ
ＣＶＤ装置を用いて、析出皮膜支持体上に感光層皮膜を
形成する場合について説明する。まず、円筒状または棒
状の析出皮膜支持体４を配置した反応容器１の空間を、
１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒの高真空に排気する。次に、ヒ
ーター１０を１５０〜３００℃に、ヒーター１１を２０
０〜３００℃に加熱し、また高周波電源８により円筒状
電極３に高周波電圧を印加する。その際、シールド９を
接地することにより反応容器外へのノイズの放出と、制
御系の狂いが防止される。円筒状または棒状の析出皮膜
支持体４は、接地状態で保持されている。ボンベ１３か
らの原料ガス、例えばシラン（ＳｉＨ4 ）ガスを、原料
ガス供給口７から円筒状電極とシールド９の間に導入す
る。原料ガスは円筒状電極３内面に設けられた多数の穴
９１から噴出され、円筒状電極３と析出皮膜支持体４の
間の空間に発生するグロー放電により分解されて析出皮
膜支持体４上に皮膜を形成する。
【００１４】図３においては、原料ガス供給口７が内側
加熱手段に近接して設置されている。この場合には、高
周波のシールドが不要になるので、原料ガス供給口を円
筒状電極に設置する場合に比して装置が簡略になる。な
お、ガス排出は、円筒状電極３に設けた排出系１２から
行っている。
【００１５】以上のように構成された本発明のプラズマ
ＣＶＤ装置を用いて、析出皮膜支持体上にブロッキング
層、ａ−Ｓｉ光導電層、表面層の３層からなる負帯電感
光体を形成した。すなわち、フロン溶剤などで洗浄処理
した円筒状の析出皮膜支持体１６個を、高周波（１３．
５６ＭＨｚ）プラズマＣＶＤ装置の真空反応槽にセット
した後、真空に排気した。続いて、Ｎ2 をガス流量１０
０ｃｍ3 ／ｍｉｎの速度で導入し、ヒーター１０を２０
０℃に、ヒーター１１を２５０℃に加熱し、円筒状の析
出皮膜支持体表面を２５０℃に制御した。このとき、真
空反応槽は、０．５Ｔｏｒｒに保持する。続いて、真空
反応槽を１０-6まで排気した後、第１層目のブロッキン
グ層を形成した。ＳｉＨ4 １５０ｓｃｃｍ、ＮＨ3 １５
０ｓｃｃｍを導入し、圧力は０．５Ｔｏｒｒに保持し
た。この圧力は、以後、一定に保持した。高周波電力は
３００Ｗで、成膜時間は１０ｍｉｎであった。光導電層
の形成には、ＳｉＨ4 ３００ｓｃｃｍ、Ｂ2 Ｈ6 ３ｓｃ
ｃｍを導入して行った。高周波電力は５００Ｗ、成膜時
間は３６０ｍｉｎであった。表面層の形成には、ＳｉＨ
4 ５０ｓｃｃｍ、ＮＨ3 ２５０ｓｃｃｍを導入して行っ
た。高周波電力は３００Ｗ、成膜時間は１０ｍｉｎであ
った。各層の膜厚は、ブロッキング層が０．５μｍ、光
導電層が２０μｍ、表面層が０．３μｍであった。この
様にして作製された１６個の小径ａ−Ｓｉ感光体は、電
気特性・画像特性等について、殆どバラツキがなく、良
好な特性を示した。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているから、複数の小径の析出皮膜支持体の上に、一度
の操作で成膜を行うことができ、しかも、粉末などの不
必要な反応生成物が反応容器外壁等に付着することが殆
どなく、良好な品質の膜を得ることができるので、産業
上極めて有益である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のプラズマＣＶＤ装置の一実施例の横
断面図である。
【図２】 図１のプラズマＣＶＤ装置の縦断面図であ
る。
【図３】 本発明のプラズマＣＶＤ装置の他の実施例の
横断面図である。
【図４】 従来の容量結合型プラズマＣＶＤ装置の概略
構成図である。
【符号の説明】 １…反応容器、２，９…シールド、３…円筒状電極、４
…析出皮膜支持体、５…支持体保持手段、６…モータ
ー、７…原料ガス供給口、８…高周波電源、１０，１１
…ヒーター、１２…排気系、１３…ボンベ。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空に排気のできる反応容器内に設けら
    れた加熱手段と、該加熱手段を外包するように設けた円
    筒状電極と、前記円筒状電極に電圧を印加する手段と、
    前記加熱手段と前記円筒状電極との空間にガスを導入す
    る手段を有し、前記加熱手段と前記円筒状電極との間
    に、複数の析出皮膜支持体を保持する保持装置を接地状
    態で配設し、かつ前記保持承知は析出皮膜支持体を自転
    ・公転させる機構を備えていることを特徴とするプラズ
    マＣＶＤ装置。
  2. 【請求項２】 円筒状電極に加熱手段が設けられている
    請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。
  3. 【請求項３】 内側の加熱手段が円筒状である請求項１
    または２記載のプラズマＣＶＤ装置。
  4. 【請求項４】 複数のガス導入口を円筒状電極に設けた
    請求項１、２または３記載のプラズマＣＶＤ装置。
  5. 【請求項５】 ガス導入手段を内側加熱手段に設けた請
    求項１ないし４記載のプラズマＣＶＤ装置。
  6. 【請求項６】 電極に印加される電圧が高周波である請
    求項１ないし５のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装
    置。
  7. 【請求項７】 各々の析出皮膜支持体保持手段に複数こ
    の析出皮膜支持体を同時に支持する請求項１ないし６の
    いずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置。
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