JPH0460516A - 強誘電性液晶用配向制御膜及び強誘電性液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶分子の初期配向状態を改善することによ
り、表示特性を改善することが出来る強誘電性液晶配向
制御膜及びそれを使用した強誘電性液晶素子に関する。

〔従来の技術〕

強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光素子と
の組み合せにより透過光線を制御する型の表示素子がク
ラーク（Ｃｌａｒｋ　）及びラガーウオール（Ｉ、ａｇ
ｅｒｖａｌｌ　）により提案されている（特開昭５６−
１０７２６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細書
等）。この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域におい
て、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）またはＨ相
（ＳｍＨ＊）を有し、この状態において、加えられる電
界に応答して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定
状態のいずれかを取り、且つ電界の印加の無いときはそ
の状態を維持する性質、すなわち双安定性を有し、また
電界の変化に対する応答も速やかであり、高速ならびに
記憶型の表示素子としての広い利用が期待されている。

この双安定性を有する液晶を用いた光学変調素子が所定
の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基板間に配
置される液晶が電界の印加状態とは無関係に、上記２つ
の安定状態の間での変換か効果的に起こることが必要で
ある。

また、白黒文字表示素子やカラー表示素子として用いる
ためには、偏光板をクロスニコルに配し、その間に液晶
素子をはさんで第１の安定状態を最暗にした時に配向が
黒く透過光量か少ないことが必要である。

これらの機能を満足するためには、それに適した特殊な
配向状態を作り出す必要がある。

強誘電性液晶の配向方法としては、従来からネマチック
液晶の配向て用いられてきた方法と同様に、全芳香族ポ
リイミド、ポリアミドまたはポリビニルアルコール膜な
どのラビング処理や斜方蒸着処理などによる一軸性配向
処理を施した配向制御膜を用いる方法が知られている。

しかしながら、前述したごとき従来の配向制御膜をクラ
ークとラガーウォールによって発表された双安定性を示
す強誘電性液晶に対する配向制御膜に適用した場合には
、下記のごとき問題点を有していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

すなわち、従来ネマチック液晶の配向に用いられてきた
ような配向制御膜で配向させて得られた強誘電性液晶で
のチルト角θ（後述の第３図に示す角度）は後述の第２
図に示す強誘電性液晶のコーン角（三角錘の頂角）の１
／２の値である角度ｅと比べて小さくなってしまう。

クラークとラガーウォールによれば、双安定性を実現す
る強誘電性液晶でのチルト角は、強誘電性液晶のコーン
角のｌ／２のチルト角θと同一の角度を有するはずであ
るが、実際にはチルト角θの方がチルト角θより小さく
なっている。即ち、チルト角θが最大チルト角ｅをとる
ためには、液晶分子の配向が第４図に示すような配向状
態となっている必要があるが、実際には第５図に示すよ
うに隣接する各々の液晶分子が捻れ角αで捻れて配向し
ていることに原因するスプレィ配向状態となっているた
めに、十分に大きいチルト角θを形成することができな
い問題点があった。また、スプレィ配向状態下の液晶素
子は、第７図に示すようなパルス信号に対する光学応答
性を示し、この光学応答性がマルチプレクシング駆動を
行ったときの表示画面のちらつきの原因となる問題点か
あった。

スプレィ配向をしない強誘電性液晶素子を得るための最
良の方法であると考えられている方法は、ＳｉＯ等を斜
め蒸着した高プレチルト界面を持つ配向膜を用いること
であると考えられているが、これらの配向膜を工業的に
作成しようとする場合には、巨大な装置が必要であり、
装置上の制約が大きい。そのため、この配向膜をネマチ
ック液晶素子のような有機薄膜を用いた配向膜で置き換
えることが要望されている。

従って、本発明の目的は、前述の問題点を解決すること
、すなわち少なくとも２つの安定状態、特に双安定性を
実現する非螺旋構造の強誘電性液晶でのチルト角を増大
し、これによって画素シャッタ開口時の透過率を向上さ
せ、かつ薄膜形成が容易である配向膜とこれらを使用し
た液晶素子を提供することにある。

また、本発明の別の目的は、マルチプレクシレグ駆動時
の画面にちらつきを生じない液晶素子を提供することに
ある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の強誘電性液晶配向膜は、 一般式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を５〜１００％
有するポリイミド高分子物質よりなることを特徴とする
。

（ここで、Ｒ−Ｒ６は水素、炭素数１〜２２のアルキル
基であり、相互に同じであっても、一部もしくは全部が
異っていてもよい。またＲ７−Ｒ１４は水素、炭素数１
〜声のアルキル基であり、相互に同じてあっても一部も
しくは全部か異なってもよく、そして、Ａｒは４価の芳
香族基を示す。） また本発明の強誘電性液晶素子は、基板、電圧印加手段
、強誘電性液晶配向制御膜及び強誘電性液晶層を包含す
る強誘電性液晶素子に於て、該強誘電性液晶配向制御膜
が本発明の強誘電性液晶用配向制御膜であることを特徴
とする。

更に強誘電性液晶素子が、液晶光変調素子または液晶表
示素子である。

更に詳しく述べると、本発明の強誘電性液晶配向膜は、
強誘電性液晶素子の配向制御において、高プレチルト角
を有するポリイミドを配向制御膜とすることを特徴とす
る。

本発明の液晶素子は一対の平行基板と該一対の平行基板
の面に対して垂直な複数の層を形成している分子の配列
を持つ強誘電性液晶とを有する液晶素子に於て、前記一
対の平行基板のうち少なくとも一方の基板が前記複数の
層を一方向に優先して配向させる配向制御膜を有し、該
配向制御膜が高プレチルト角を有するポリイミドを用い
たことを特徴とする。

本発明の液晶配向膜は具体的に述べると、下記の式（Ｉ
Ｉ）で示されるテトラカルボン酸二無水物、式（ＩＩＩ
）で表わされるジアミノ化合物を溶媒中で混合し、反応
を行い、ポリアミック酸を生成し、該ポリアミック酸を
、必要により式（ＩＶ）のシリコン化合物と共に共重合
することにより得られる強誘電性液晶配向膜である。

ＮＨ２−Ｚ−５１（ＯＲ１５）　３ （ＩＶ） （ここで、Ｒ−Ｒ６は水素、炭素数１〜２２のアルキル
基であり、相互に同じてあっても、一部もしくは全部が
異っていてもよい。またＲ７−Ｒ１４は水素、炭素数１
〜３のアルキル基であり、相互に同してあっても一部も
しくは全部が異なってもよく、そして、Ａｒは４価の芳
香族基、Ｚは炭素数２〜１０のアルキレン基もしくはフ
ェニレン基、Ｒ１５は炭素数１〜１０のアルキル基を示
す。） 本発明の強誘電性液晶素子は、本発明に係わる強誘電性
液晶の良好な配向性を実現しうる強誘電性液晶を備えて
いることが特徴であり、通常、基板、電圧印加手段、強
誘電性液晶配向膜、強誘電性液晶等により構成される。

本発明の強誘電性液晶配向膜の形成について具体的に説
明すると、強誘電性液晶配向膜となるポリイミドは、一
般に溶媒に不溶である。そのため、基板上に均一なポリ
イミド高分子膜を設けるためには、その前駆体で通常テ
トラカルボン酸二無水物とジアミノ化合物との縮合によ
って得られるボリアミック酸をＮ−メチル−２−ピロリ
ドン（ＮＭＰ）　、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ　ｃ
　）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）　、ジメチルス
ルホキシド（ＤＭＳＯ）などの溶剤に溶解し、この溶液
を刷毛塗り法、浸漬法、回転塗布法、スプレー法、印刷
法などの方法で基板に塗布した後、１００〜４５０℃、
好ましくは１８０〜２９０℃で加熱処理して脱水閉環し
てイミド結合を持たせる方法によるのが好ましい。

上記ポリイミドの前駆体のポリアミック酸は、通常テト
ラカルボン酸二無水物とジアミノ化合物との縮合により
合成される。これらの縮合反応は無水の条件下、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）　、ジメチルアセトア
ミド（Ｄ　Ｍ　Ａ　ｃ　）、ジメチルホルムアミド（Ｄ
ＭＦ）　、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）　、硫酸
ジメチル、スルホラン、ブチロラクトン、クレゾール、
フェノール、ハロゲン化フェノール、シクロヘキサノン
、ジオキサン、テトラヒドロフランなど、好ましくはＮ
−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）の溶媒中５０℃ま
たはそれ以下の温度で行なわれる。ただし、ポリエーテ
ルイミド高分子が溶媒への溶解性に問題がない物である
場合には、基板に塗布する前の段階で高温で反応させ、
ポリイミドワニスとして使用しても良い。

また、必要であればポリイミドの生成を促進する触媒を
加えても同等問題ない。

ジアミノ化合物として、前記の式（ｍ）で示される化合
物であり、具体的にはつぎの化合物をあげることができ
る。

１．１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
］　　−４−（２−シクロヘキシルエチル）シクロヘキ
サン １．１−ビス［４−（４−アミノフェノキン）フェニル
］　　−４−［２−（）ランス−４−メチルシクロヘキ
シル）エチルコシクロヘキサン１．１−ビスＥ４−（４
−アミノフェノキシ）フェニルコ　−４−　　［２−（
トランス−４−エチルシクロヘキシル）エチルコシクロ
ヘキサン１．１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］　　−４−［２−（Ｉ−ランス−４−ｎ−プ
ロビルシクロヘキンル）エチルコシクロヘキサン１．１
−ビスＥ４〜　（４−アミノフェノキシ）フェニル］　
　−４−［２−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキ
シル）エチルコシクロへ午サン１．１−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］　　−４−［２−（ト
ランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）エチルコシ
クロヘキサン１．１−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］　　−４−［２−（トランス−４−ｎ−
ヘキシルシクロヘキシル）エチルコシクロヘキサン１．
１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］　
　−４−［２−（トランス−４−ｎ−へブチルシクロヘ
キシル）エチルコシクロヘキサン１．１〜ビス［４−（
４−アミノフェノキシ）フェニル］　　−４−［２−（
）ランス−４−ｎ−オクチルシクロヘキシル）エチルコ
シクロヘキサン１．１−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］　　−４−［２−（Ｉ−ランス−４−
ｎ〜ノニルシクロヘキシル）エチルコシクロヘキサン１
．１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］
　　−４−［２−（トランス−４−ｎ−デシルシクロヘ
キシル）エチルコシクロヘキサン１．１−ビス［４−（
４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−［２−（＋−
ランス−４−ｎ−ウンデシルシクロヘキシル）エチルコ
シクロヘキサン １．１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
コ　−４−　１２−　　（）ランス−４−ｎ−ドデシル
シクロヘキシル）エチルコシクロヘキサン１．１−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］　　−４−
［２−（トランス−４−ｎ−トリデシルシクロヘキンル
）エチルコシクロヘキサン １．１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
コ　−４−　　［２−（）ランス−４−ｎ−テトラデシ
ルシクロヘキシル）エチルコシクロヘキサン １．１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
］　　−４−［２−（トランス−４−ｎ−ぺンタデシル
シクロヘキシル）エチルコシクロヘキサン １．１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
］　　−４−［２−（）ランス−４−ｎ−ヘキサデシル
シクロヘキシル）エチルコシクロヘキサン １．１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
］　　−４−［２−（トランス−４−ｎ−ヘプタデシル
シクロヘキシル）エチルコシクロヘキサン ］、１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
］　　−４−［２−（Ｉ−ランス−４−ｎ−オクタデシ
ルシクロヘキシル）エチルフシクロへ牛サン １．１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
］　　−４−［２−（トランス−４−ｎ−ノナデシルシ
クロへキシル）エチルコシクロヘキサン テトラカルボン酸二無水物は前記の式（ＩＩ）で示され
る化合物であり、具体的には、ピロメリット酸二無水物
、３．３’　、４．４’　　−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、２．２’　、３．３’ビフエニルテトラ
カルボン酸二無水物、２．３゜３’　、４’　　−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、３．３’　、４．４
’　　−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２
，３．３’　４’　　−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸二無水物、２．２′３．３′　−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）エーテルニ無水物、ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）スルホンニ無７ｆｌ、１．２．５．６−ナ
フタリンテトラカルボン酸二無水物、２，３゜６．７−
ナフタリンテトラカルボン酸二無水物等をあげることが
できる。

本発明の液晶配向膜の基板への接着性を高めるため、ア
ミノシリコン化合物またはジアミノシリコン化合物をポ
リエーテルイミドもしくはポリイミドに導入して変性す
ることも可能である。

本発明の強誘電性液晶用配向制御膜用ポリイミド高分子
物質は、具体的には、一般式 形に誘導する。

また、一般式（Ｉｆ）、（ＩＩＩ）、（ＴＶ）で示され
る構造単位を主成分として、つぎの一般式（Ｖ［）で示
される構造単位を０．１〜５０％、好ましくは０．１〜
３０％以下を含む液晶配向膜があげられる。

（ここで、Ｒ−Ｒ６は水素、炭素数１〜２２の■ アルキル基であり、相互に同じであっても、一部もしく
は全部が異っていてもよい。またＲ７−Ｒ１４は水素、
炭素数１〜３のアルキル基であり、相互に同じであって
も一部もしくは全部が異なっでもよく、そしてＡｒは４
価の芳香族基、Ｚは炭素数２〜１０のアルキレン基もし
くはフェニレン基、Ｒ１、は炭素数１〜１０のアルキル
基を示す。）（ここで、Ｘは炭素数１〜３のアルキレン
基もしくはフェニレン基、ＲＩ６は炭素数１〜６のアル
キル基であり、Ａ、　ｒは４価の芳香族基、ｇは０〜４
の整数を示す。） アミノシリコン化合物としては前記一般式（ＩＶ）で示
される化合物であり、具体的にはつぎの化合物をあげる
ことができる。

Ｎｌ２−　（ＣＨ２）　３−５１（ＱＣ）Ｉ３）　３、
Ｎｌ２　　（ＣＨ２）　３　　Ｓ　ｌ　（ＱＣ２Ｒ５）
　３、ＮＦ２−（ＣＨ２）３−５Ｎ（ＣＨ３）（ＯＣＨ
３）２、ＮＦ２−（ＣＨ２）３−８ｉ（ＣＨ３）（ＯＣ
２Ｈ５）２、ＮＦ２−（ＣＨ２）３−８ｉ（Ｃ２Ｈ５）
（ｏｎ−Ｃ３Ｈ７）２、ＮＦ２−　（ＣＨ２）　２−５
　ｉ　（ＯＣＨ３）　３、ＮＦ２−（ＣＨ２）　２−５
ｉ　（ＯＣ２Ｈ５）３、ＮＦ２−（ＣＨ２）４−８ｉ（
ＣＨ３）（ＯＣ２Ｈ５）２、ＮＦ２べ＞Ｓ　ｉ（ＯＣＨ
ｓ　）　ｓ、ＮＨ２ＲｙＳ　ｉ　（ＯＣ２Ｈ５）　３、
ＮＦ２べＩ）−３ｉ　（ＣＨ３）　（ＯＣＨ３）　２、
ＮＦ２べｙＳｉ（ＣＨ３）（ＯＣ２Ｈ５）２、ＮＦ２−
’ＣＩ）−ＣＣＨ２）　３−５　ｉ　（ＯＣＨ３）　３
ＮＨ２−（Ｘ（ＣＨ２）３−８ｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、こ
れらのアミノシリコン化合物のポリイミド系高分子物質
に導入する場合、その含有量は、ポリイミド原料との間
につぎの関係が満足される範囲内が好ましい。

（上式において、Ａはテトラカルボン酸二無水物、Ｂは
一般式（ｍ）で表わされるジアミノ化合物、Ｃはアミノ
シリコン化合物のモル数を示す。）また、式（ＶＩ）で
示される構造単位を生成するためのジアミノシリコン化
合物としては、（式中、ｇは０〜４の整数を示す。） Ｈ３ＣＨ３ （式中、ｐは０〜４の整数を示す。） をあげることができ、ポリイミド系高分子に導入する場
合、前記（ＩＩＩ）式で表わされるジアミノ化合物の５
０モル％以下を、好ましくは３０モル％以下をジアミノ
シリコン化合物で置き換えて用いることができる。

本発明の液晶配向膜に用いるポリエーテルイミドまたは
ポリイミドは、前記成分の他に芳香族ジアミノ化合物、
脂環式ジアミノ化合物およびその誘導体を導入して変成
することも可能である。

具体的に例をあげると、４，４′　−ジアミノフェニル
エーテル、４．４’　　−ジアミノジフェニルメタン、
４．４’　　〜ジアミノジフェニルスルホン、４．４′
　−ジアミノジフェニルスルフィド、４゜４′−ジ（メ
タ−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、４．４’
　　−ジ（パラ−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホ
ン、オルト−フェニレンジアミン、メタ−フェニレンジ
アミン、パラ−フェニレンジアミン、ベンジジン、２．
２’　　−ジアミノベンゾフェノン、４．４’　　−ジ
アミノベンゾフェノン、４．４’　　−ジアミノジフェ
ニル−２゜２′−プロパン、１，５−ジアミノナフタレ
ン、１．８−ジアミノナフタレン等の芳香族ジアミノ化
合物、１．４−ジアミノシクロヘキサンなどの脂環式ジ
アミノ化合物がある。

本発明の液晶配向膜を、基板上に設けるには、ポリエー
テルイミドの前駆体であるテトラカルボン酸二無水物と
ジアミノ化合物との縮合によって得られるポリアミック
酸を基板上に塗布し、加熱処理して、脱水反応をさせて
ポリイミド系高分子膜を基板上に形成する方法が好まし
い。具体的に説明すると、ポリアミック酸をＮ−メチル
−２−ピロリドン（ＮＭＰ）　、ジメチルアセトアミド
（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメ
チルスルホキシド（ＤＭＳＯ）などの溶剤に溶解し、０
．１〜３０重量％溶液、好ましくは１〜１０重量％溶液
に調整し、この溶液を刷毛塗り法、浸漬法、回転塗布法
、スプレー法、印刷法などにより塗布し、基板上に塗膜
を形成する。塗布後、１００〜４５０℃、好ましくは１
８０〜２９０℃で加熱処理を行ない、脱水閉環反応させ
てポリイミド系高分子膜からなる液晶配向膜を設ける。

もし得られたポリイミド系高分子膜の基板への接着性が
良好でない場合には、事前に基板表面上にシランカップ
リング剤で表面処理を行なった後、ポリイミド系高分子
膜を形成すれば改善される。しかる後、この被膜面を布
などで一方向にラビングして、液晶配列制御膜を得る。

この基板は、通常は基板上に電極、具体的には１ｒＯ（
＃化インジウムー酸化スズ）や酸化スズの透明電極が形
成されている。。更に、この電極の下に基板からのアル
カリの溶比の防止の目的の絶縁膜、偏光板、カラーフィ
ルター等のアンダーコート膜を形成していてもよく、電
極の上に絶縁膜、カラーフィルター膜、光透過防止膜等
のオーバーコート膜を形成していてもよい。これらの電
極を絶縁膜を介して２層構造にしても良い。ＴＰＴ、非
直線抵抗素子等の能動素子を形成していても良い。これ
らの電極、アンダーコート、その他のセル内の構成は従
来の液晶素子の構成が使用可能である。

このようにして形成された基板を使用してセル化し、液
晶を注入して、注入口を封止する。この封入される液晶
としては、通常の強誘電性液晶のほか、二色性色素を添
加した強誘電性液晶が使用できる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明ではこれらの実施例に限定されない。

（実施例１） 攪拌装置、温度計、コンデンサーおよび窒素置換装置を
付した２００ｍ１の４つロフラスコに脱水精製したＮ−
メチル−２−ピロリドン６０ｍ１、ついて、１，１−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキン）フェニル）−４−［
２−（トランス−４−ｎペンチルシクロヘキシル）エチ
ルコシクロヘキサン１０．４３．を仕込み攪拌溶解した
。これを１３℃に冷却してピロメリット酸二無水物４．
１２ｇを一度に投入し、冷却しながら攪拌反応させた。

１時間後、パラアミノフェニルトリメトキシシラン０．
９１ｇを加えて２０℃　１時間攪拌反応させた。その後
、反応液をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）７５
ｍｌで希釈することによりポリアミック酸１０重量％の
透明溶液が得られた。この溶液の２５℃における粘度（
東京計器轢製Ｅ型粘度計を使用し、温度２５±０．１℃
で測定した。）は１５５センチボイズであった。

この溶液をブチルセロソルブ、Ｎ−メチル−２ピロリド
ン１：１で混合した溶液で３重量％に希釈した後、片面
にＩＴＯ透明電極を設けた透明ガラス基板上に回転塗布
法（スピンナー法）で塗布した。回転条件は２５０Ｏｒ
ｐｍ、２０秒であった。塗布後１００℃で１０分間乾燥
した後、オーブン中で２００℃９０分加熱処理を行い、
塗膜の厚さ約７００人のポリエーテルイミド膜を得た。

このポリエーテルイミド膜が形成された基板２枚の塗膜
面をそれぞれラビング処理し液晶配向膜とし、ラビング
方向が平行で、かつ互いに対向するようにセル厚２０μ
ｍの液晶セルを組み立て、ネマチック液晶のメルク社製
液晶ＺＬＩ−，１１３２を封入した。封入後、等方性液
体温度まで加熱し、徐冷することによって液晶素子を得
た。この液晶素子のプレチルト角を測定したところ、２
０度であった。

プレチルト角を測定するために作成したセルと同様の方
法で、ポリエーテルイミド膜を形成した基板２枚を用い
、塗膜面をラビング処理し、ラビング軸方向が平行とな
るようにセル厚約１．４μｍの液晶セルを作成した。

このセル内にチッソ轢製の強誘電性液晶「Ｃ８−１０３
１Ｊ　　（商品名）を等方相下で注入し、等方相から徐
冷することにより配向させた。

直交ニコル下でこのセルを観察すると、−様で欠陥のな
い非らせん構造のカイラルスメクチック相を構成したモ
ノドメインが得られていた。

三角波を印加して、双安定性を調べたところ、双安定性
を有していることがわかった。またこのときのチルト角
θは１９度であった。

（実施例２） 実施例１の１．１−ビス［４−（４〜アミノフエノキシ
）フェニル）−４−［２−（）ランス４−ｎ−ペンチル
シクロヘキシル）エチルクシクロへ牛サンを１．１−ビ
ス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−Ｃ
２−（）ランス４−ｎ−ヘプチルシクロヘキシル）エチ
ルコシクロヘキサンに置き換える以外は実施例１とまっ
たく同様の操作で、粘度１４５ｃｐのポリアミック酸１
０重量％溶液が得られた。この溶液を実施例１と同様の
操作で希釈、塗布、加熱処理を行い、膜厚約１１００人
のポリエーテルイミド膜を得た。

このポリエーテルイミド膜が形成された基板２枚を実施
例１と同様にして液晶配向膜として後、セル厚２０μｍ
の液晶素子を得た。この液晶素子にメルク社製液晶ＺＬ
Ｉ−１１３２を封入し、プレチルト角を測定したところ
１５．３度であった。

実施例１と同様の操作で、ラビング軸方向が平行となる
ように、セル厚約１．４μｍの液晶セルを作成した。

このセルにチッソ観製の強誘電性液晶ｒｃｓ−１０３１
４（商品名）を等方相下で注入し、等方相から徐冷する
ことにより配向させた。

直交ニコル下でこのセルを観察すると、−様で欠陥のな
い非らせん構造のカイラルスメクチック相を構成したモ
ノドメインが得られた。

また、このセルは、双安定性を示していた。このときの
チルト角θは１８．５度であった。

（比較例１） ２．２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕プロパン２４．９２ｇと無水ピロメリット酸１５．１
６ｇ及びパラアミノフェニルトリメトキシシラン３．３
６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン３８０．３ｍｌを溶
媒として５℃〜１０℃で重合し、ポリアミック酸溶液（
Ｉ０重量％、η２ｏ−１１３ｃ　ｐ　ｓ　）を得た。こ
の溶液をＮ−メチル−２−ピロリドン１部、ブチルセロ
ソルブ１部を混合した溶媒で３％に希釈した後、回転塗
布法（スピンナー法）で塗布した。塗布条件は回転数３
，０００ｒｐｍ、２０秒であった。塗布後１００℃で１
０分間予備加熱を行った後、２００℃　１時間で加熱処
理を行ない膜厚約６００人のポリエーテルイミド膜を得
た。さらにこれにラビング処理を施して液晶配向膜とし
、実施例１と同様に液晶セルを組み立てラビング軸方向
が平行でセル厚が約１．６μｍの液晶素子を得た。

このセルにチッソ■製の強誘電性液晶ｒｃｓ−１０３１
Ｊを注入し、徐冷により配向させた。

このセルのチルト角θを測定すると８度であった。また
、双安定性も得られなかった。

〔発明の効果〕

本発明によれば、配向性が良好で、コントラストが大き
く、また双安定性を示す強誘電性液晶素子が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の液晶素子の断面図を示し、（ａ）は側
基板に配向膜を有する素子、（ｂ）は片面の基板のみに
配向膜を有する素子を示す。 第２図はらせん構造の強誘電性液晶を用いた液晶素子を
模式的に表す斜視図、第３図は非らせん構造の強誘電性
液晶を模式的に表す図、第４図はスプレィ配向を持たな
い理想的な配向状態を模式的に表す断面図、第５図は、
スプレィ配向状態を模式的に表す断面図、第６図は、ス
プレィ配向を持たない状態での光学応答を表す特性図、
第７図はスプレィ配向を持つ状態での光学応答を表す特
性図を示す。 出願人代理人　　藤　　本　　博　　光甚 回（α） 芋 図（ｂ） 塔 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ）で表わされる繰り返し単位を５〜１
   ００モル％有するポリイミド高分子物質よりなる強誘電
   性液晶用配向制御膜。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ここで、Ｒ＿１〜Ｒ＿６は水素、炭素数１〜２２のア
   ルキル基であり、相互に同じであっても、一部もしくは
   全部が異っていてもよい。またＲ＿７〜Ｒ＿１＿４は水
   素、炭素数１〜３のアルキル基であり、相互に同じであ
   っても一部もしくは全部が異なってもよく、そして、Ａ
   ｒは４価の芳香族基を示す。） ２、基板、電圧印加手段、強誘電性液晶配向制御膜及び
   強誘電性液晶層を包含する強誘電性液晶素子に於て、該
   強誘電性液晶配向制御膜が請求項１記載の強誘電性液晶
   用配向制御膜である強誘電性液晶素子。 ３、強誘電性液晶素子が、液晶光変調素子である請求項
   ２記載の強誘電性液晶素子。 ４、強誘電性液晶素子が、液晶表示素子である請求項２
   記載の強誘電性液晶素子。