JPH0460698B2

JPH0460698B2 -

Info

Publication number: JPH0460698B2
Application number: JP24319084A
Authority: JP
Inventors: Kenji Saito; Yukio Nishimura; Yoshinori Tomita; Harunori Kawada; Takeshi Eguchi; Takashi Nakagiri
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-11-20
Filing date: 1984-11-20
Publication date: 1992-09-28
Also published as: JPS61125434A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、特に液面上に展開された単分子膜の
特性を光学的に測定しながらその累積操作を行う
ことのできる単分子累積膜形成装置に関するもの
で、更に詳しくは、単分子膜の種々の特性分析の
基礎となる光吸収特性の測定装置を備えた単分子
累積膜形成装置に関する。

［従来の技術］従来、ある試料の光吸収特性を測定する装置と
しては、透過率又は反射率から光吸収特性を求め
る装置がある。しかし、試料に光が照射された場
合、透過光、反射光の他に散乱光があり、更に高
精度を期すためには光の吸収成分を直接測定する
ことが光吸収特性評価上重要となる。

光の吸収成分を直接測定する装置としては、断
続的に光を照射すると、試料に吸収された光エネ
ルギーが無輻射緩和過程により、断続的に熱に変
換されることを利用した測定装置である光音響分
光装置（Photoacoustic Spectroscopy：PAS）
や光熱輻射分光装置（Photothermal
Radiometry：PTR）がある。

PAS装置は、検出器の種類によりマイクロホ
ン方式と圧電素子方式に分けられるが、マイクロ
ホン方式では試料を密閉した試料室にいれる必要
があり、圧電素子方式では検出器と試料の配置が
問題となり、いずれも液面上に展開された単分子
膜の測定には不向きである。また、PTR装置は、
赤外線検出器を用いていることから、水蒸気等の
大気変動の影響を受けやすいという欠点がある。

一方、やはり光の吸収成分を直接測定する装置
として、光熱偏向分光装置（Photothermal
Deflection Spectroscopy：PDS）と言われる装
置がある。このPDS装置は、試料の光吸収によ
る発熱と共に試料内及び試料近傍に温度分布が生
じて屈折率が変化し、これによつてそこに入射す
る光が偏向することを利用したものである。即
ち、試料の測定部位に、光吸収されたときに発熱
による温度分布を生じさせて屈折率を変化させる
励起光と、これによる偏向量を測定するためのプ
ローブ光とを照射し、励起光の波長とプローブ光
の偏向量とから試料の光吸収特性を測定するもの
である。この装置は、試料と検出系が独立に設定
でき、現場での計測や遠隔計測に適しており、本
発明の単分子累積膜形成装置に設けられる光吸収
特性測定装置の基本原理もこのPDS装置と同様
である。

上記PDS装置は、励起光とプローブ光の配置
によつて、横方向（transverse）型と縦方向
（collinear）型の二通りがあり、いずれも上述の
ように試料の励起光吸収量に応じたプローブ光の
偏向量を測定するもので、検出器としては位置敏
感検出器（PSD）を用いることが多い。

第１０図ａは縦方向型の例で、励起光源１０よ
り出た励起光１１は、チヨツパー１２で断続光と
なり、レンズ３４で集束されて試料４′に照射さ
れる。プローブ光源５より出たプローブ光６は、
レンズ３５及びミラー等の光路調整器１７で励起
光１１が照射されている試料４′の領域を通過し
て検出器７へと至り、点線で示されるように偏向
したときの偏向量が測定される。第１０図ｂは横
方向型の例で、プローブ光５が試料４′の表面に
平行に照射される点が縦方向型と相違するだけで
他は同様である。

このPDS装置におけるの理論的取扱いは、試
料内の熱伝導方程式を解けばよく、偏向角φとし
て測定される偏向量は、励起光強度、屈折率の温
度係数（∂n／∂T）、プローブ光の通過する領域
での温度匂配（∂T／∂x）等に比例することにな
る。試料の光吸収係数に比例する項は（∂T／
∂x）に含まれる。また（∂n／∂T）は、試料によ
つては正負いずれかの値をとり得、このことは偏
向角も正負両方の場合があることを示している。

しかしながら、このPDS装置をそのまま液面
上に展開された単分子膜についての測定に適用す
ると、試料たる単分子膜が極めて薄いものである
ため、次のような不都合を生ずる。

液面上に展開された単分子膜の場合、照射され
る励起光の通過領域が短いため、励起光が液面に
達する前の外環境による影響、例えば空気中の粉
塵やゆらぎの影響を受けやすい。また、励起光が
単分子膜到達後の不要な反射光や透過光の影響も
Ｓ／Ｎ比を低下させる原因となり、精度及び感度
のよい測定が困難となる。特に、液面上の気相に
特殊な気体を用いて液面上の単分子膜と相互作用
を利用する系においては、励起光が通過する気体
領域をできるだけ短かくする必要があるが、実現
が困難である。

一方、発明者にちなんでラングミユア・ブロジ
エツト法と呼ばれる単分子膜累積法（以下LB法
という。新実験化学講座18巻498頁〜507頁丸善参
照）においては、液面上に形成した単分子膜を基
板の表面上に移し取り、１枚ずつ重ねて超薄膜を
作るため、液面上の単分子膜の特性が重要であ
る。LB法により基板上に移し取つた累積膜の構
造や分子配向が液面上の展開単分子膜の状態を基
にしていることは当然であるが、その状態がその
まま基板上に移されているかどうかには問題があ
る。

従来、LB法を実施するための単分子累積膜形
成装置においては、成膜枠を移動させて単分子膜
の展開領域を縮め、面密度を増してやるに従つて
上昇する単分子膜の表面圧を測定する表面圧測定
器を設け、この測定値が所定の範囲内のものとな
つているか否かによつて基板に移し取るに適した
状態となつているか否かを判断している。即ち、
基板への移し取りに好適な範囲内で選ばれた一定
の表面圧を単分子膜が維持するように、成膜枠の
移動量を表面圧測定器の測定値に基づいて制御し
ている。また、単分子膜が基板に移し取られて行
くに従つて液面上の単分子膜の面密度は低下し、
表面圧も低下することになるので、上記制御は、
液面上での単分子膜の形成からその基板への移し
取り操作完了まで継続して成されるもので、単分
子累積膜の取得における重要な制御の一つとなつ
ている。

上記表面圧測定器としては、単分子膜に覆われ
ていない液面と、単分子膜に覆われた液面との表
面張力の差から間接的に求める方法を応用したも
のや、単分子膜に覆われていない液面と、単分子
膜に覆われた液面とを区切つて浮ぶことになる成
膜枠に加わる二次元的圧力を直接測定するもの等
があり、各々特色がある。また、通常、表面圧と
共に単分子膜の一分子当りの占有面積及びその変
化量も計測されている。占有面積及びその変化量
は、成膜枠の左右の動きから求められている。

しかしながら、上記基板に移し取るに適した状
態の単分子膜の表面圧は、種々の実験によらなけ
れば定められず、また表面圧で液面上の単分子膜
の状態を判断するのは間接的であつて正確さに欠
ける問題がある。また、一般に、移し取るのに好
適な単分子膜の表面圧は15〜30dyn／cmとされて
いる。この範囲外では、分子の配列配向が乱れた
り膜の剥れを生じやすくなる。しかし、特別の場
合、例えば、膜構成物質の化学構造、温度条件等
によつては、好適な表面圧の値が上記範囲からは
み出ることもあるので、上記範囲は一応の目安に
しか過ぎない。

［発明が解決しようとする問題点］本発明は、液面に展開された単分子膜という極
めて薄く特異な環境下にある試料について、その
光吸収特性を精度及び感度よく測定できるように
することによつて、液面上の単分子膜の特性を直
接分析しつつ累積操作ができるようにすることを
その解決すべき問題点とするものである。

［問題点を解決するための手段］本発明において上記問題点を解決するために講
じられた手段は、液面下から液面上に展開された
単分子膜の測定部位へ当該液面で全反射される入
射角で照射される励起光を出射する励起光源と、
励起光を測定部位到達前に断続光とするチヨツパ
ーと、前記測定部位又はその近傍を通るプローブ
光を出射するプローブ光源と、この測定部位又は
その近傍を通つたプローブ光の偏向量を検出する
検出器とを有する光吸収特性測定装置を備えた単
分子累積膜形成装置とすることである。

［作用］励起光が単分子膜に吸収されると、励起光の照
射時と非照射時とでは測定部位及びその近傍の屈
折率が変化するので、これをプローブ光の偏向量
として検出することによつて光吸収特性を測定す
ることができる。この原理自体は従来のPDS装
置と同様である。

ところで、本発明では、試料が液面上に展開さ
れた単分子膜であり、しかも励起光は、単分子膜
が展開している液面で全反射されるよう液体側か
ら照射されるものである。励起光は液体内を通つ
て単分子膜に照射されるので、空気中を通つて照
射されるときのように空気中の粉塵やゆらぎの影
響を受けることがない。単分子膜へ照射された励
起光は、液面で全反射され、液面上の気相へと抜
ける透過光は、全反射時のエバネツセント波とし
ての波長オーダー以下のごくわずかのものである
ので、透過光が測定値に影響を及ぼす心配もな
い。また、励起光は、液面で規則的に反射される
ことになるため、不規則な反射光による悪影響も
生じないものである。そして、このようにして液
面上に展開されている単分子膜の光吸収特性を測
定し、これに基づいて単分子膜の特性を分析して
基板に移し取るに適した状態となつているか否か
を判別すれば、正確な判別が可能である。

［実施例］第１図において１は液体２を収容した液槽で、
その液面３上には単分子膜４が展開されている。
図面では単分子膜４を模式的に表わしてある。

液槽１の側方にはプローブ光源５が設けられて
いる。このプローブ光源５からは、液面３直下で
液面３と平行方向にプローブ光６が照射されるも
のである。また、プローブ光源５と液槽１を挟ん
で相対向する位置には、送られて来るプローブ光
６の位置を検出する検出器７が設けられている。
この検出器７の信号は、ドライバー８を介してロ
ツクインアンプ９へ送られるようになつている。

プローブ光源５のやや下方には励起光源１０が
設けられている。励起光源１０は、単分子膜４が
展開されている液面３で全反射される角度で、液
体２側から励起光１１を単分子膜４の測定部位に
向けて照射するものである。励起光１１の光路に
沿つた位置に、励起光１１を断続光として照射す
るためのチヨツパー１２が設けられている。ま
た、励起光源１０から照射されて液面３で全反射
された励起光１１が液槽１から出た位置には、こ
の励起光１１を吸収するための吸収体１３が設け
られている。

チヨツパー１２はロツクインアンプ９に接続さ
れていて、チヨツパー１２から送られる励起光１
１の断線状態を示す信号を参照信号として、検出
器７からの信号を同期検出できるようになつてい
る。プローブ光源５、励起光源１０、チヨツパー
１２及びロツクインアンプ９は、各々測定制御器
１４に接続されている。測定制御器１４は、プロ
ーブ光６及び励起光１１の光路及び波長並びにチ
ヨツパー１２による励起光１１の断続間隔を制御
すると共に、ロツクインアンプ９からの信号によ
つて単分子膜４の光吸収特性を算出するものであ
る。

尚、液槽１は、少なくともプローブ光６及び励
起光１１の光路となる部分に透明な窓を設けてお
けば、ことさら全体を透明とする必要はない。ま
た、液体２は、励起光１１について吸収の小さい
ものであればプローブ光６へ多少直接影響を与え
るものであつても測定にさほど悪影響はないが、
透明であることが好ましい。

まず、励起光源１０より出射された励起光１１
は、チヨツパー１２により断続光に変調され、液
槽１の液面３上に展開されている単分子膜４の測
定部位を液面３下より照射する。このとき、励起
光１１は、入射角が液体２の臨界角より大きくな
るように入射され、液面３で全反射され、液体２
内を通過して液槽１の外へ出る。液面３上の気相
には、全反射の時のエバネツセント波として、波
長オーダー以下のごくわずかな光がしみ出すだけ
である。液槽１から出た励起光１１は、吸収体１
３により吸収され、不要な光がカツトされる。断
続励起光１１が全反射される測定部位上の領域で
は、液面３上の単分子膜４が光を吸収し、無放射
輻射過程により、断続的に熱を発生し、そのた
め、近傍の屈折率変化が断続的に生じることにな
る。

一方、プローブ光源５から出射されるプローブ
光６は、液面３直下を液面３と平行に通るため、
上記励起光１１の照射によつて断続的に屈折率が
変化する測定部位近傍を通過することになる。こ
の屈折率の断続的変化を生じる領域を、プローブ
光源５から出射されたプローブ光６が通過する
と、変化した屈折率分布に応じて、点線で示され
るように光路が偏向することになる。

検出器７は、継続してプローブ光６を受け、プ
ローブ光６の受光位置をドライバー８を介してロ
ツクインアンプ９へ送る。ロツクインアンプ９
は、この検出器７からの信号を受けると同時にチ
ヨツパー１２からの信号を受けており、両信号を
同期させることによつて、励起光１１照射時のプ
ローブ光６の受光位置信号と、励起光１１非照射
時のプローブ光６の受光位置信号とをＳ／Ｎ比良
く区分けして測定制御器１４へ送る。測定制御器
１４は、この送られて来た信号に基づき、その時
の励起光１１の波長についてのプローブ光６の偏
向量を求め、これに基づいて単分子膜４光吸収特
性を算出する。また、励起光１１の波長を順次変
えながら同様の測定を行えば、単分子膜４の分光
吸収特性を得ることができる。

この測定に際して、測定部位は、測定制御器１
４で励起光１１の光路を調節することで自由に選
択でき、また液面３の位置に応じてやはり測定制
御器１４でプローブ光６の光路を調節して正確を
期すことができる。また、プローブ光源５、励起
光源１０及びチヨツパー１２に必要な調節を全て
測定制御器１４で自動的に行うようにし、操作を
簡略化することも可能である。

励起光１１の測定部位における光量分布、液体
２の熱による屈折率変化の特性、プローブ光６の
入射ビーム位置及びその時の偏向量から単分子膜
４によつて吸収された光エネルギーが求まる。従
つて、励起光１１の単分子膜４への照射エネルギ
ーをフオトセンサー等でモニターしておけば、両
者から単分子膜４の絶対的な光吸収特性が得られ
る。そして、励起光１１の波長を変化させること
により、絶対的分光吸収特性が得られる。また、
励起光１１の各波長における相対強度を予め求
め、波長に対応したプローブ光６の偏向量を求め
るだけでも、相対的な分光吸収特性を得ることが
できる。光吸収特性の相対値、絶対値は、測定の
目的に応じ適宜選択すればよい。

上述のような光吸収特性測定装置で単分子膜４
の光吸収特性を測定し、これに基づいてその他の
特性をも分析すれば、単分子膜４の状態を正確に
把握できる。そして、この分析を行いつつ単分子
膜４の累積操作を行えば、精度良く単分子累積膜
を形成できる。単分子膜４の累積操作及びそれを
行うための液槽１回りの装置は、後述するように
従来のものと同様である。また、単分子膜４の特
性分析及び累積操作を測定制御器１４で自動的に
行わせることもできる。

プローブ光６は、第２図に示されるように、励
起光１１と共に励起光１１の測定部位で全反射さ
せるようにしてもよい。このようにすると、液体
２の大きな屈折率変化を生ずる部分を通過させる
ことができ、高感度の測定ができる利点がある。

プローブ光６は、第３図に示されるように、液
面３近くの気相中を通過させ、気相部の屈折率変
化の影響下に置くこともできる。このようにする
と、プローブ光６と励起光１１が全く交差しない
ので、プローブ光６に対して励起光１１が交差す
ることによつて及ぼす影響を除去することができ
る。

第４図に示されるように、単分子膜４が展開さ
れている液面３の一部を仕切枠１５で仕切り、単
分子膜４の無い液面３′を形成し、この液面３′を
参照液面として測定することもできる。即ち、プ
ローブ光源５から出射されたプローブ光６及び励
起光源１０から出射されてチヨツパー１２を経た
励起光１１を、例えばビームスプリツターやハー
フミラー等の光路分割手段１６で分割した後、ミ
ラー等の光路調整手段１７を用いて液面３と３′
に同時にプローブ光６と励起光１１を送る。そし
て、液面３，３′に対応するプローブ光６の偏向
量を各々の検出器７で検知し、両者の差から測定
を行うものである。このようにすると、単分子膜
４の有無による差が測定でき、他の影響を相殺す
ることができるので、高精度の測定が可能とな
る。

また、第５図に示されるように、励起光１１を
多重反射させることもできる。励起光源１０より
出射した励起光１１は、チヨツパー１２により断
続光となつた後、液面３で全反射され、さらに液
面３下に配置された鏡面１８により反射され、再
び液面３を照射する。液面３と平行に鏡面１８を
設定すれば、鏡面１８の存在する領域で反射を繰
り返し、液面３上の単分子膜４を複数箇所照射す
ることになり、屈折率分布の生ずる領域が広が
る。そこにプローブ光源５からプローブ光６を通
過させれば、プローブ光６は偏向される領域が増
大するため、その大きな偏向角を得ることができ
る。この偏向によるプローブ光６の位置ずれを検
出器７で検出すれば、高感度な検出を行なうこと
ができる。入射角θ、鏡面１８と液面３の距離
ｄ、反射領域をｌとすれば、励起光照射回数Ｎは
次式のような関係がある。即ち、Ｎ＝ｌ／
（2dtanθ）の関係が成立し、例えば、ｌ＝30mm、
ｄ＝0.5mm、θ＝60°とすればＮ≒18となり、感度
を約18倍上げることができる。

更に、第６図に示されるように、プローブ光６
を、液面３付近に設けた、例えばニオブ酸リチウ
ム結晶、酸化チタン結晶、二酸化ケイ素結晶、ガ
ラス、プラスチツク等の屈折率変化の大きな媒体
１９中に通すこともできる。即ち、液面３上の単
分子膜４の光吸収によつて発生した熱を、単分子
膜４近傍に液面３と平行に配置した熱屈折率変化
の大きな媒体１９に作用させて屈折率変化に変換
し、その媒体１９中をプローブ光６を通過させ、
プローブ光６の偏向量を拡大し、高感度検出を図
ることができる。

本発明において、単分子膜４を累積させるため
の液槽１回りの装置は従来と同様であり、累積操
作手順も従来とほぼ同様であるが、これを第７図
及び第８図で説明する。

図に示されるように、液体２が収容された浅く
て広い角型の液槽１の内側に、例えばポリプロピ
レン製等の内枠２１が水平に釣つてあり、水面
３，３′を仕切つている。液体２としては、通常
純水が用いられる。内枠２１の内側には、例えば
やはりポリプロピレン製等の成膜枠２２が浮かべ
られている。成膜枠２２は、幅が内枠２１の内幅
より僅かに短かい直方体で、図中左右方向に二次
元ピストン運動可能なものとなつている。成膜枠
２２には、成膜枠２２を図中右方に引張るための
重錘２３が滑車２４を介して結び付けられてい
る。また、成膜枠２２上に固定された磁石２５
と、成膜枠２２の上方で図中左右に移動可能で磁
石２５に接近すると互に発撥し合う対磁石２６と
が設けられていて、これによつて成膜枠２２は図
中左右への移動並びに停止が可能なものとなつて
いる。このような重錘２３や一組の磁石２５，２
６の代りに、回転モーターやプーリーを用いて直
接成膜枠２２を移動させるものもある。

内枠２１内の両側には、吸引パイプ２７を介し
て吸引ポンプ（図示されていない）に接続された
吸引ノズル２８が並べられている。この吸引ノズ
ル２８は、単分子膜４や得られる単分子累積膜内
に不純物が混入してしまうのを防止するために、
液面３，３′上の不要になつた前工程の単分子膜
４等を迅速に除去するのに用いられるものであ
る。尚、２０は基板ホルダ２９に取付けられて垂
直に上下される基板である。

まず、成膜枠２２を移動させて、液面３，３′
上の不要となつた単分子膜４等を掃き寄せながら
吸引ノズル２８からすすり出し、液面３，３′を
浄化する。こうして清浄化された液面３，３′の
左端に成膜枠２２を寄せて、例えば、〜５×10^-3
mol／ｌの濃度でベンゼン、クロロホルム等の揮
発性溶媒に溶かした膜構成物質の溶液を、スポイ
ト等で数滴液面３上にたらす。この溶液が液面３
上に広がり、溶媒が揮発すると、単分子膜４が液
面３上に残されることになる。

上記単分子膜４は、液面３上で二次元系の挙動
を示す。分子の面密度が低いときには二次元気体
の気体膜と呼ばれ、一分子当りの占有面積と表面
圧との間に二次元理想気体の状態方程式が成立す
る。

次いで、この気体膜の状態から、徐々に成膜枠
２２を右方に動かし、単分子膜４が展開している
液面３の領域を次第に縮めて面密度を増してやる
と、分子間相互作用が強まり、二次元液体の液体
膜を経て二次元固体の固体膜へと変わる。この固
体膜となると、分子の配列配向はきれいに揃い、
高度の秩序性及び均一な超薄膜性を持つに至る。
そして、このときに基板２０の表面に当該固体膜
となつた単分子膜４を付着させて移し取ることが
可能となる。また、同一の基板２０に複数回単分
子膜４を重ねて移し取ることによつて、単分子累
積膜を得ることができる。尚、基板２０として
は、例えばガラス、合成樹脂、セラミツク、金属
等が使用されている。

単分子膜４を液面３上から基板２０の表面に移
し取る方法は大別して２種類ある。一は垂直浸漬
法で他は水平付着法である。垂直浸漬法とは、液
面３上の単分子膜４を累積操作に好適な一定の状
態に維持しながら、膜を横切る方向、即ち、垂直
方向に基板２０を上下させることにより単分子膜
４を移し取る方法である。水平付着法とは、基板
２０を水平に保ちながら上から液面３にできるだ
け近づけ、わずかに傾けて一端から単分子膜４に
触れて付着する方法である。そして、本発明で
は、前記した光吸収特性測定装置の測定値に基づ
いて、単分子膜４が基板２０への移し取りに適し
た状態となるよう、液面３上への単分子膜４の形
成から移し取り操作完了まで成膜枠２２の移動を
制御することになる。また、本発明における光吸
収特性測定装置は、従来の表面圧測定器に代えて
設けても、表面圧測定器と併用するようにしても
よい。

次に、本発明の他の実施例を第９図で説明す
る。

液体２が収容された液槽１の一側に支持柱３０
が立上げられており、そこに基板２０を保持した
基板ホルダ２９が取付けられていて、基板２０を
液面３に向つて上下に垂直移動できるようになつ
ている。液槽１内の底部には昇降装置３１が設け
られていて、その上に計測ユニツト３２が設置さ
れている。

計測ユニツト３２は、ドーナツ状に中抜きとな
つた略口形を成すもので、その内周側底辺部は鏡
面１８となつていて、この鏡面１８が液面３の直
ぐ下方で平行に位置するよう昇降装置３１で位置
が調節されている。この計測ユニツト３２内に
は、プローブ光源５、検出器７、プローブ光源５
から出射されたプローブ光６を液面３と鏡面１８
の間を通して検出器７へと導く光路調整手段１７
ａ〜１７ｃ、励起光源１０、励起光源から出射さ
れた励起光１１を断続光とするチヨツパー１２、
吸収体１３及び励起光１１を液面３と鏡面１８の
間で複数回反射させて吸収体１３へと導く光路調
整手段１７ｄ，１７ｅが設けられている。また、
計測ユニツト３２の内周側両側面下部は、計測ユ
ニツト３２内を液体２から仕切つた状態でプロー
ブ光６と励起光１０を通過させる窓部３３となつ
ている。尚、２２は、単分子膜である単分子膜４
の表面圧を調整するための成膜枠である。

上記実施例によれば単分子膜４の光吸収特性を
高感度で測定できることは第５図で説明した通り
である。特に本実施例によれば、光吸収特性測定
装置がユニツト化されているので、測定系に外界
から与えられる影響を減少させることができ、液
槽１への直脱も容易である。

［発明の効果］本発明によりば、液面上に展開されている単分
子膜の光吸収特性をその場で直接検知でき、これ
から形成されている単分子膜の種々の特性を容易
に分析できるので、最適状態下で単分子膜を累積
でき、得られる単分子累積膜をより高精度のもの
とすることができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２
図ないし第６図は各々プローブ光及び励起光光路
の他の実施例の説明図、第７図及び第８図は単分
子累積膜を得る場合の液槽回りの装置及び手順の
説明図、第９図は本発明の実施例の説明図、第１
０図ａ，ｂは従来技術の説明図である。１……液槽、２……液体、３，３′……液面、
４……単分子膜、５……プローブ光源、６……プ
ローブ光、７……検出器、８……ドライバー、９
……ロツクインアンプ、１０……励起光源、１１
……励起光、１２……チヨツパー、１３……吸収
体、１４……測定制御器、１５……仕切枠、１６
……光路分割手段、１７，１７ａ〜１７ｅ……光
路調整手段、１８……鏡面、１９……媒体、２０
……基板、２１……内枠、２２……成膜枠、２３
……垂錘、２４……滑車、２５……磁石、２６…
…対磁石、２７……吸収パイプ、２８……吸引ノ
ズル、２９……基板ホルダ、３０……支持柱、３
１……昇降装置、３２……計測ユニツト、３３…
…窓部。

Claims

【特許請求の範囲】

１液面下から液面上に展開された単分子膜の測
定部位へ当該液面で全反射される入射角で照射さ
れる励起光を出射する励起光源と、励起光を測定
部位到達前に断続光とするチヨツパーと、前記測
定部位又はその近傍を通るプローブ光を出射する
プローブ光源と、この測定部位又はその近傍を通
つたプローブ光の偏向量を検出する検出器とを有
する光吸収特性測定装置を備えていることを特徴
とする単分子累積膜形成装置。