JPS61122548A - 薄膜の光吸収特性測定装置 - Google Patents

薄膜の光吸収特性測定装置

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JPS61122548A
JPS61122548A JP24318684A JP24318684A JPS61122548A JP S61122548 A JPS61122548 A JP S61122548A JP 24318684 A JP24318684 A JP 24318684A JP 24318684 A JP24318684 A JP 24318684A JP S61122548 A JPS61122548 A JP S61122548A
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light
thin film
liquid
liquid surface
excitation light
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JP24318684A
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Kenji Saito
謙治 斉藤
Yukio Nishimura
征生 西村
Yoshinori Tomita
佳紀 富田
Haruki Kawada
河田 春紀
Takeshi Eguchi
健 江口
Takashi Nakagiri
孝志 中桐
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Original Assignee
Canon Inc
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    • G01N21/171Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated with calorimetric detection, e.g. with thermal lens detection
    • GPHYSICS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、特に液面上に展開された薄膜の特性を光学的
に測定する装置に関するもので、更に詳しくは、薄膜の
種々の特性分析の基礎となる光吸収特性の測定装置に関
する0本発明は、例えば単分子累積膜の形成に際し、累
積すべく液面上に展開された単分子膜の特性分析等に利
用されるものである。
[従来の技術] 従来、ある試料の光吸収特性を測定する装置としては、
透過率又は反射率から光吸収特性を求める装置がある。
しかし、試料に光が照射された場合、透過光、反射光の
他に散乱光があり、更に高精度を期すためには光の吸収
成分を直接測定することが光吸収特性評価上重要となる
光の吸収成分を直接測定する装置としては、断続的に光
を照射すると、試料に吸収された光エネルギーが無輻射
緩和過程により、断続的に熱に変換されることを利用し
た測定装置である光音響分光装置(Photoacou
stic 5pectroscopy:PAS )や光
熱輻射分光装置(PhotothermalRadio
metry:  PTR)がある。
RAS装置は、検出器の種類によりマイクロホン方式と
圧電素子方式に分けられるが、マイクロホン方式では試
料を密閉した試料室にいれる必要があり、圧電素子方式
では検出器と試料の配置が問題となり、いずれも液面上
に展開された薄膜の測定には不向きである。また、PT
R装置は、赤外線検出器を用いていることから、水蒸気
等の大気変動の影響を受けやすいという欠点がある。
一方、やはり光の吸収成分を直接測定する装置として、
光熱偏向分光装置(phc)totermalDefl
ection 5pectroscopy:  PDS
 )と言われる装置がある。このPDS装置は、試料の
光吸収による発熱と共に試料内及び試料近傍に温度分布
が生じて屈折率が変化し、これによってそこに入射する
光が偏向することを利用したものである。即ち、試料の
測定部位に、光吸収されたときに発熱による温度分布を
生じさせて屈折率を変化させる励起光と、これによる偏
向量を測定するためのプローブ光とを照射し、励起光の
波長とプローブ光の偏も 同量とから試料の光吸収特性を測定するものである。こ
の装置は、試料と検出系が独立に設定でき、現場での計
測や遠隔計測に適しており、本発明の基本原理もこのP
DS装置と同様である。
上記PDS装置は、励起光とプローブ光の配置によって
、横方向(transverse)型と縦方向(col
linear )型の二通りがあり、いずれも上述のよ
うに試料の励起光吸収量に応じたプローブ光の偏向量を
測定するもので、検出器としては位置敏感検出器(PS
D)を用いることが多い。
第10図(a)は縦方向型の例で、励起光源10より出
た励起光11は、チョッパー12で断続光となり、レン
ズ34で集束されて試料4′に照射される。プローブ光
源5より出たプローブ光6は、レンズ35及びミラー等
の光路調整器17で励起光11が照射されている試料4
′の領域を通過して検出器7へと至り1点線で示される
ように偏向したときの偏向量が測定される。第10図(
b)は横方向型の例で、プローブ光5が試料4′の表面
に平行に照射される点が縦方向型と相違するだけで他は
同様である。
このPDS装置におけるの理論的取扱いは、試料内の熱
伝導方程式を解けばよく、偏向角φとして測定される偏
向量は、励起光強度、屈折率の温度係数(?n1つT)
、プローブ光の通過する領域での温度勾配(つT1つX
)等に比例することになる。試料の光吸収係数に比例す
る項は(’27T/θX)に含まれる。また(つn/a
T )は、試料によっては正負いずれかの値をとり得、
このことは偏向角も正負両方の場合があることを示して
いる。
しかしながら、このPDS装置をそのまま液面上に展開
された薄膜についての測定に適用すると、試料たる薄膜
が極めて薄いものであるため、次のような不都合を生ず
る。ここで液面上に展開された薄膜とは、例えば単分子
膜のように、液面上に浮きも沈みもせずに広げられた薄
い膜をいう。
液面上に展開された薄膜の場合、照射される励起光の薄
膜通過領域が短いため、励起光が液面に達する前の外環
境による影響1例えば空気中の粉塵やゆらぎの影響を受
けやすい。また、励起光が薄膜到達後の不要な反射光や
透過光の影響もS/N比を低下させる原因となり、精度
及び感度のよい測定が困難となる。特に、液面上の気相
に特殊な気体を用いて液面上の薄膜と相互作用を利用す
る系においては、励起光が通過する気体領域をできるだ
け短かくする必要があるが、実現が困難である。
[発明が解決しようとする問題点] 本発明は、液面に展開された薄膜という極めて薄く特異
な環境下にある試料について、その光吸収特性を精度及
び感度よく測定できるようにすることをその解決すべき
問題点とするものである。
[問題点を解決するための手段] 本発明において上記問題点を解決するために講じられた
手段は、液面上に薄膜を展開させる液体を収容した液槽
と、液面下から液面上の薄膜の測定部位へ当該液面で全
反射される入射角で照射される励起光を出射する励起光
源と、励起光を測定部位到達前に継続光とするチョッパ
ーと、前記測定部位又はその近傍を通るプローブ光を出
射するプローブ光源と、この測定部位又はその近傍を通
ったプローブ光の偏向量を検出する検出器とを有する薄
膜の光吸収特性測定装置とすることである。
[作 用] 励起光が試料たる薄膜に吸収されると、励起光の照射時
と非照射時とでは測定部位及びその近傍の屈折率が変化
するので、これをプローブ光の偏向量として検出するこ
とによって光吸収特性を測定することができる。この原
理自体は従来のPDS装置と同様である。
ところで、本発明では、試料が液面上に展開された薄膜
であり、しかも励起光は、薄膜が展開している液面で全
反射されるよう液体側から照射されるものである。励起
光は液体内を通って薄膜に照射されるので、空気中を通
って照射されるときのように空気中の粉塵やゆらぎの影
響を受けることがない、また、薄膜へ照射された励起光
は、液へ 面で全反射され、液面上の気相へと抜ける透
過光は、全反射時のエバネッセント波としての波長オー
ダー以下のごくわずかのものであるので、透過光が測定
値に影響を及ぼす心配もない、更に、励起光は、液面で
規則的に反射されることになるため、不規則な反射光に
よる悪影響も生じないものである。
[実施例] 第1図においてlは液体2を収容した液槽で、その液面
3上には試料たる薄膜4が展開されている。図示される
薄膜4は、単分子膜を模式的に表わしたものである。
液槽1の側方にはプローブ光源5が設けられている。こ
のプローブ光源5からは、液面3直下で液面3と平行方
向にプローブ光6が照射されるものである。また、プロ
ーブ光源5と液槽lを挟んで相対向する位置には、送ら
れて来るプローブ光6の位置を検出する検出器7が設け
られている。
この検出器7の信号は、ドライバー8を介してロックイ
ンアンプ9へ送られるようになっている。
プローブ光源5のやや下方には励起光源lOが設けられ
ている。励起光源lOは、薄膜4が展開されている液面
3で全反射される角度で、液体2側から励起光11を薄
膜4の測定部位に向けて照射するものである。励起光1
1の光路に沿った位置に、励起光11を断続光として照
射するためのチ1ツバ−12が設;すられている、また
、励起光源10から照射されて液面3で全反射された励
起光11が液槽lから出た位置には、この励起光11を
吸収するための吸収体13が設けられている。
チョッパー12はロックインアンプ9にvc続されてい
て、チョッパー12から送られる励起光11の断続状態
を示す信号を参照信号として、検出器7からの信号を同
期検出できるようになっている。プローブ光源5、励起
光源lO、チョッパー12及びロックインアンプ9は、
各々測定制御器14に接続されている。測定制御器14
は、プローブ光6及び励起光11の光路及び波長並びに
チョッパー12による励起光11の断続間隔を制御する
と共に、ロックインアンプ9からの信号によって光吸収
特性を算出するものである。
尚、液+!1は、少なくともプローブ光6及び励起光1
1の光路となる部分に透明な窓を設けておけば、ことさ
ら全体を透明とする必要はない、また、液体2は、励起
光11について吸収の小さいものであればプローブ光6
へ多少直接影響を与えるものであっても測定にさほど悪
影響はないが、透明であることが好ましい。
まず、励起光源10より出射された励起光11は、チョ
ッパ−12により断続光に変調され、液槽lの液面3上
に展開されている薄膜4の測定部位を液面3下より照射
する。このとき、励起光11は、入射角が液体2の臨界
角より大きくなるように入射され、液面3で全反射され
、液体2内を通過して液槽lの外へ出る。液面3上の気
相には、全反射の時のエバネッセント波として、波長オ
ーダー以下のごくわずかな光がしみ出すだけである。液
槽1から出た励起光11は、吸収体13により吸収され
、不要な光がカットされる。断続励起光11が全反射さ
れる測定部位上の領域では、液面3上の薄膜4が光を吸
収し、無放射輻射過程により、断続的に熱を発生し、そ
のため、近傍の屈折率変化が断続的に生じることになる
一方、プローブ光源5から出射されるプローブ光6は、
液面3直下を液面3と平行に通るため、上記励起光11
の照射によって断続的に屈折率が変化する測定部位近傍
を通過することになる。この屈折率の断続的変化を生じ
る領域を、プローブ光源5から出射されたプローブ光6
が通過すると、変化した屈折率分布に応じて、点線で示
されるように光路が偏向することになる。
検出器7は、継続してプローブ光6を受け、プローブ光
6の受光位置をドライバー8を介してロックインアンプ
9へ送る。ロックインアンプ9は、この検出器7からの
信号を受けると同時にチョッパー12からの信号を受け
ており、両信号を同期させることによって、励起光11
照射時のプローブ光6の受光位置信号と、励起光11非
照射時のプローブ光6の受光位置信号とをS/N比良く
区5  分けして測定制御器14へ送る。測定制御器1
4は。
この送られて来た信号に基づき、その時の励起光11の
波長についてのプローブ光6の偏向量を求め、これに基
づいて光吸収特性を算出する。また、励起光11の波長
を順次変えながら同様の測定を行えば、薄膜4の分光吸
収特性を得ることができる。
この測定に際して、測定部位は、測定制御器14で励起
光11の光路を調節することで自由に選択でき、また液
面3の位置に応じてやはり測定制御器14でプローブ光
6の光路を調節して正確を期すことができる。また、プ
ローブ光源5、励起光源lO及びチョッパー12に必要
な調節を全て測定制御器14で自動的に行うようにし、
操作を簡略化することもu(能である。
励起光11の測定部位における光量分布、液体2の熱に
よる屈折率変化の特性、プローブ光6の入射ビーム位置
及びその時の偏向量から薄膜4によって吸収された光エ
ネルギーが求まる。
従って、励起光11の薄膜4への照射エネルギーをフォ
トセンサー等でモニターしておけば、両者から薄膜4の
絶対的な光吸収特性が得られる。そして、励起光11の
波長を変化させることにより、絶対的分光吸収特性が得
られる。また、励起光11の各波長における相対強度を
予め求め、波長に対応したプローブ光6の偏向量を求め
るだけでも、相対的な分光吸収特性を得ることができる
。光吸収特性の相対値、絶対値は、測定の目的に応じ適
宜選択すればよい。
プローブ光6は、第2図に示されるように、励起光11
と共に励起光11の測定部位で全反射させるようにして
もよい、このようにすると、液体2の大きな屈折率変化
を生ずる部分を通過させることができ、高感度の測定が
できる利点がある。
プローブ光6は、第3図に示されるように、液面3近く
の気相中を通過させ、気相部の屈折率変化の影響下に置
くこともできる。このようにすると、プローブ光6と励
起光11が全く交差しないので、プローブ光6に対して
励起光11が交差することによって及ぼす影響を除去す
ることができる。
第4図に示されるように、薄膜4が展開されている液面
3の一部を仕切枠15で仕切り、薄膜4の無い液面3′
を形成し、この液面3′を参照液面として測定すること
もできる。即ち、プローブ光源5から出射されたプロー
ブ光6及び励起光源10から出射されてチョッパー12
を経た励起光11を、例えばビームスプリッタ−やハー
フミラ−等の光路分割手段16で分割した後、ミラー等
の光路調整手段17を用いて液面3と3′に同時にプロ
ーブ光6と励起光11を送る。そして、液面3,3′に
対応するプローブ光6の偏向量を各々の検出器7で検知
し、両者の差から測定を行うものである。このようにす
ると、薄膜4の有無による差が測定でき、他の影響を相
殺することができるので、高精度の測定が可能となる。
また、第5図に示されるように、励起光11を多重反射
させることもできる。励起光源10より出射した励起光
11は、チョッパー12により断続光となった後、液面
3で全反射され、さらに液面3下に配置された鏡面1B
により反射され、再び液面3を照射する。液面3と平行
に鏡面18を設定すれば、鏡面18の存在する領域で反
射を繰り返し、液面3上の薄膜4を複数箇所照射するこ
とになり、屈折率分布の生ずる領域が広がる。そこにプ
ローブ光源5からプローブ光6jt通過させれば、プロ
ーブ光6は偏向される領域が増大するため、その大きな
偏向角を得ることができる。この偏向によるプローブ光
6の位置ずれを検出器7で検出すれば、高感度な検出を
行なうことができる。入射角θ、鏡面18と液面3の距
離d、反射領域を文とすれば、励起光照射回数Nは次式
のような関係がある。即ち、N = 1 / (2d 
tanθ)の関係が成立し、例えば、交=30■膳、d
 = 0.5■腸、θ=eo°とすればN#1Bとなり
、感度を約18倍上げることができる。
更に、第6図に示されるように、プローブ光6を、液面
3付近に設けた1例えばニオブ酸リチウム結晶、酸化チ
タン結晶、二酸化ケイ素結晶、ガラス、プラスチック等
の屈折率変化の大きな媒体19中に通すこともできる。
即ち、液面3上の薄膜64の光吸収によって発生した熱
を、薄膜4近傍に液面3と平行に配置した熱屈折率変化
の大きな媒体18に作用させて屈折率変化に変換し、そ
の媒体18中をプローブ光6を通過させ、プローブ光6
の偏向量を拡大し、高感度検出を図ることができる。
本発明による光吸収特性の測定は、液槽1を第7図及び
第8図に示されるようなものとして、単分子累積膜の取
得時に利用すると有益である。
発明者にちなんでラングミュア・プロジェット法と呼ば
れる単分子膜累積法(以下LB法という。
新実験化学講座18巻488頁〜507頁丸善参照)に
おいては、液面3上に形成した単分子膜を基板20の表
面上に移し取り、1枚ずつ重ねて超薄膜を作るため、液
面3上の薄膜の特性が重要である。 LB法により基板
20上に移し取った累積膜の構造や分子配向が液面3上
の展開単分子膜の状態を基にしていることは当然である
が、その状態がそのまま基板20上に移されているかど
うかには問題がある0本発明は、液面3上に展開された
単分子膜がそのままの状態で基板20上に移し取れるか
どうかを分析するのに利用できるものである。以下に、
単分子累積膜を得るための液槽1及びその手順を説明す
る。
第7図及び第8図に示されるように、液体2が収容され
た浅くて広い角型の液槽1の内側に、例えばポリプロピ
レン製等の内枠21が水平に釣ってあり、水面3.3′
を仕切っている。液体2としては、通常純水が用いられ
る。内枠21の内側には、例えばやはリボリプロビレン
製等の成膜枠22が浮かべられている。成膜枠22は、
幅が内枠21の内幅より僅かに短かい直方体で、図中左
右方向に二次元ピストン運動可能なものとなっている。
成膜枠22には、成膜枠22を図中右方に引張るための
重錘23が滑車24を介して結び付けられている。また
、成膜枠22上に固定された磁石25と、成膜枠22の
上方で図中左右に移動可能で磁石25に接近すると互に
反撥し合う対磁石26とが設けられていて、これによっ
て成膜枠22は図中左右への移動並びに停止が可能なも
のとなっている。このような重錘23や一組の磁石25
.26の代りに、回転モーターやプーリーを用いて直接
成膜枠22を移動させるものもある。
内枠21内の両側には、吸引パイプ27を介して吸引ポ
ンプ(図示されていない)に接続された吸引ノズル28
が並べられている。この吸引ノズル28は、単分子膜や
単分子累積膜内に不純物が混入してしまうのを防止する
ために、液面3.3′上の不要になった前工程の単分子
膜等を迅速に除去するのに用いられるものである。尚、
20は基板ホルダ28に取付けられて垂直に上下される
基板である。
まず、成膜枠22を移動させて、液面3.3′上の不要
となった単分子膜等を掃き寄せながら吸引ノズル28か
らすすり出し、液面3,3′を浄化する。こうして清浄
化された液面3,3′の左端に成膜枠22を寄せて、例
えば、〜5 X 10−’ mofL/ 1(7)W度
でベンゼン、クロロホルム等の揮発性溶媒に溶かした膜
構成物質の溶液を、スポイト等で数滴液面3上にたらす
。この溶液が液面3上に広がり、溶媒が揮発すると、単
分子膜が液面3上に残されることになる。
上記単分子膜は、液面3上で二次元系の挙動を示す。分
子の面密度が低いときには二次元気体の気体膜と呼ばれ
、−分子尭りの占有面積と表面圧との間に二次元理想気
体の状態方程式が成立する。
次いで、この気体膜の状態から、徐々に成膜枠22を右
方に動かし、単分子膜が展開している液面3の領域を次
第に縮めて面密度を増してやると、分子間相互作用が強
まり、二次元液体の液体膜を経て二次元固体の固体膜へ
と変わる。この固体膜となると、分子の配列配向はきれ
いに揃い、高度の秩序性及び均一な超薄膜性を持つに至
る。そして、このときに基板20の表面に当該固体膜と
なった単分子膜を付着させて移し取ることが可能となる
。また、同一の基板に複数回単分子膜を重ねて移し取る
ことによって、単分子累積膜を得ることができる。尚、
基板20としては、例えばガラス、合成樹脂、セラミッ
ク、金属等が使用されてI、zへ  る。
単分子膜を“液面3上から基板20の表面に移し取る方
法は大別して2種類ある。−は垂直浸漬法で他は水平付
着法である。垂直浸漬法とは、液面3上の単分子膜に累
積操作に好適な一定の表面圧をかけながら、膜を横切る
方向、即ち、垂直方向に基板20を上下させることによ
り単分子膜を移し取る方法である。水平付着法とは、基
板20を水平に保ちながら上から液面3にできるだけ近
づけ、わずかに傾けて一端から単分子膜に触れて付着す
る方法である。
上記基板20へ移し取るのに好適な単分子膜の状態下に
おいて当該移し取り操作を行うべく、単分子膜の表面圧
を計測することが行われている。一般に、移し取るのに
好適な単分子膜の表面圧は15〜30dyn/c腸とさ
れている。この範囲外では1分子の配列配向が乱れたり
膜の剥れを生じやすくなる。もっとも、特別の場合、例
えば、膜構成物質の化学構造、温度条件等によっては、
好適な表面圧の値が上記範囲からはみ出ることもあるの
で、上記範囲は一応の目安である。
上記単分子膜の表面圧は、表面圧測定器(図示されてい
ない)によって自動的かつ継続的に計測されるものであ
る。表面圧の測定器としては、単分子膜に覆われていな
い液面3′と、単分子膜に覆われた液面3との表面張力
の差から間接的に求める方法を応用したものや、単分子
膜に覆われていない液面3′と、単分子膜に覆われた液
面3とを区切って浮ぶことになる成膜枠22に加わる二
次元的圧力を直接測定するもの等があり、各々特色があ
る。また、通常、表面圧と共に単分子膜の一分子当りの
占有面積及びその変化量も計測される。占有面積及びそ
の変化量は、成膜枠22の左右の動きから求められる。
前述した成膜枠22の動きは、上記測定器によって計測
される単分子膜の表面圧に基づいて制御されるものであ
る。即ち、移し取り操作に好適な範囲内で選ばれた一定
の表面圧を単分子膜が常に維持するよう、対磁石26を
左右に移動させる駆動装置(図示されていない)が表面
圧測定器により計測された単分子膜の表面圧に基づいて
制御される。この成膜枠22の移動制御は、膜構成物質
の溶液滴下後、単分子膜の移し取り操作開始迄だけでな
く、移し取り操作中も継続して成されるものである0例
えば、移し取り操作において、単分子膜が基板20に移
し取られて行くに従って、液面3上の単分子膜分子の面
密度は低下し1表面圧も低下することになる。従って、
成膜枠22を移動させて単分子膜の展開面積を縮小し、
その表面圧低下分を補正して一定表面圧を維持すること
が必要となる。
上述のように、単分子累積膜を得るには種々の微妙な調
整が要求されるものである。しかし、これまでどのよう
な条件が最適条件となるかは種々の実験によらなければ
ならず、また液面3上の単分子膜が累積に適した状態と
なっているか否かは、表面圧等で間接的に確認すること
しかできず、正確さに欠けているのである。ところで、
本発明を前記表面圧測定器の代りに利用すれば、液面3
上の単分子膜の特性をその場で検知でき、その都度最適
条件下で累積させて行くことが可能となるものである。
次に、単分子累積膜の取得時に本発明を利用するに適し
た実施例を第9図で説明する。
液体2が収容された液槽lの一側に支持柱30が立上げ
られており、そこに基板20を保持した基板ホルダ29
が取付けられていて、基板2oを液面3に向って上下に
垂直移動できるようになっている。
液槽1内の底部には昇降装置31が設けられていて、そ
の上に計測ユニット32が設置されている。
計測ユニット32は、ドーナツ状に中抜きとなった略口
形を成すもので、その内周側底辺部は鏡面18となって
いて、この鏡面18が液面3の直ぐ下方で平行に位置す
るよう昇降装置31で位置がmrIされている。この計
測ユニット32内には、プローブ光源5、検出器7、プ
ローブ光源5から出射されたプローブ光6を液面3と鏡
面18の間を通して検出器7へと導く光路調整手段17
a〜17c、励起光源lO1励起光源から出射された励
起光11を断続光とするチョッパー12、吸収体13及
び励起光11を液5 面3と鏡面18の間で複数回反射
させて吸収体13へと導く光路調整手段17d、 17
eが設けられている。
また、計測ユニット32の内周側両側面下部は、計測ユ
ニット32内を液体2から仕切った状態でプローブ光6
と励起光10を通過させる窓部33となっている。尚、
22は、単分子膜である薄膜4の表面圧を調整するため
の成膜枠である。
上記実施例によれば薄膜4の光吸収特性を高感度で測定
できることは第5図で説明した通りである。特に本実施
例によれば、薄膜4を単分子膜としてこれを形成しつつ
光吸収特性を測定でき、これから形成されている単分子
膜の特性を容易に分析できるので、基板22に累積され
る単分子累積膜をより高精度のものとすることができる
。また、ユニット化されているので、測定系に外界から
与えられる影響を減少させることができ、液槽1への直
脱も容易である。
[発明の効果] 本発明によれば、液面上に展開されている薄膜の光吸収
特性の測定に当り、反射光及び透過光の影響並びに励起
ビームを空気中に通すことによる悪影響を排除でき、高
感度、高精度の測定が可能となるものである。
【図面の簡単な説明】
81図は本発明の一実施例を示す説明図、第2図ないし
第6図は各々他の実施例の説明図、第7図及び第8図は
単分子累積膜を得る場合の液槽及び手順の説明図、第9
図は単分子累積膜の取得時に利用するに適した実施例の
説明図、第10図(a)。 (b)は従来技術の説明図である。 1:液槽、2:液体、3.3′:液面、4:薄膜、5ニ
ブローブ光源、 6:プローブ光、7:検出器。 8ニドライバー、9:ロックインアンプ、】0:励起光
源、11:励起光、12:チ鵞ツバー113:吸収体、
14:測定制御器、15:仕切枠、16:光路分割手段
、 17.17a”17e  :光路調整手段、18:鏡面
、18:媒体、20:基板、21:内枠、22:成膜枠
、23:重錘、24:滑車、25:磁石、28二対磁石
、27:吸収パイプ、28:吸引ノズル、29:基板ホ
ルダ、30:支持柱、31:昇降装置、32:計測ユニ
ット、33:窓部。 第2図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)液面上に薄膜を展開させる液体を収容した液槽と、
    液面下から液面上の薄膜の測定部位へ当該液面で全反射
    される入射角で照射される励起光を出射する励起光源と
    、励起光を測定部位到達前に継続光とするチョッパーと
    、前記測定部位又はその近傍を通るプローブ光を出射す
    るプローブ光源と、この測定部位又はその近傍を通った
    プローブ光の偏向量を検出する検出器とを有することを
    特徴とする薄膜の光吸収特性測定装置。
JP24318684A 1984-11-20 1984-11-20 薄膜の光吸収特性測定装置 Pending JPS61122548A (ja)

Priority Applications (2)

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JP24318684A JPS61122548A (ja) 1984-11-20 1984-11-20 薄膜の光吸収特性測定装置
US06/799,497 US4830502A (en) 1984-11-20 1985-11-19 Apparatus and method for measuring light absorption characteristic of a thin film, and equipment provided with said apparatus for forming a monomolecular built-up film

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JP (1) JPS61122548A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6459018A (en) * 1987-08-31 1989-03-06 Japan Res Dev Corp Method and measuring instrument for long time resolution total reflection spectrum analyzing
WO2021131126A1 (ja) * 2019-12-23 2021-07-01 三菱電機株式会社 生体成分測定装置

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