JPH0460835B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、新規な感熱記録ヘツドに係り、具体
的には、Cr−Si−Ｏ合金を発熱抵抗体に用いた
感熱記録ヘツドに関する。 感熱記録は、印字ドツトに対応する複数個の抵
抗体を配し、電圧を印加することにより発熱さ
せ、感熱紙または熱転写紙に所望の印字、印画を
行う方法である。ここに使用する発熱抵抗体は、
極めて大きな印加電力（数10W／mm²）に耐え、
かつ300℃以上のピーク温度を持つ熱パルスの繰
返し印加に耐える必要がある。近年、感熱記録の
高精細化、高解像度化、高速記録化への要求は強
く、この為には、さらに発熱抵抗体の高耐電力
化、高熱パルス化の達成が必須となる。また駆動
電源の低価格化という点から、発熱抵抗体の比抵
抗が高く高抵抗が得やすいこと、さらに抵抗温度
係数が小さく、成膜時に所望の抵抗値が制御性良
く得られることも重要な要素である。 従来、感熱記録用発熱抵抗体としては高融点金
屬またはこれらの合金、窒化物、酸化物などが検
討されてきた。しかしながら発熱抵抗体の場合、
前述した如く、通常の電子回路に使用する抵抗体
に比較して大きな耐電力（数10mW／mm²〜数100
ｍＷ／mm²）を必要とする。電子回路に使用でき
る材料として公知であつても感熱記録用の発熱抵
抗材料として使用できるとは限らない。 図１１は、発熱抵抗体にパルス巾１ｍsec、パ
ルス間隔10ｍsecのパルスを繰り返し６万回印加
し、印加電力を2.5W／mm²毎に階段的に上昇さ
せ、抵抗値の変化を測定した（ステツプアツプス
トレス試験）結果である。本方法は、発熱抵抗体
の耐電力性、耐パルス安定性を比較的簡便に評価
できる方法として知られている。 例えば電子回路用の薄膜抵抗材料として広く知
られ、極めて安定な材料として実用化されている
Ta₂抵抗体（第１１図、曲線３２）でも耐電力性
に劣り、実用に耐えない。 Cr−Si系薄膜抵抗は比較的比抵抗が高く、安
定な材料として知られているが、発熱抵抗体材料
として比抵抗が小さく（＜100μΩ・cm）また耐
電力性に劣ることが解つた。（第１１図、３１） また、Cr−SiOあるいはCr−SiO₂を原材料と
して蒸着またはスパツタリングで形成するCr−
SiOサーメツト系材料は、成膜時の制御性、再現
性が悪く、また抵抗値の温度係数（TCR）が負
の大きな値を示すことが解つた。 負のTCRを持つ発熱抵抗体を使用した場合、
駆動中に抵抗値が低下し、定電圧駆動では発熱を
加速する動作となり、抵抗寿命の低下あるいは暴
走に至る危険性がある。 本発明は上記した従来の欠点をなくした発熱材
料を具備した感熱記録ヘツドを提供するものであ
る。即ち発熱材料として、高い耐電力性を有し、
高温で長時間使用しても抵抗値変化が小さく、ま
た微細パターンを形成する上で重要となる適正な
エツチング速度を有し、さらに抵抗温度係数
（TCR）が小さな負の値から小さな正の値を得る
ことの出来る発熱抵抗体を提供するものである。 感熱記録ヘツド用の発熱抵抗体は、比抵抗２×
10²〜１×10⁶μΩ・cmの範囲を満足するものが求
められます。これを満足するため、発明者等は
Cr−Si系合金を種々検討した結果、第２図に示
されるCr、Si、Ｏの組成が三角図内の点Ａ、Ｂ、
Ｃ、Ｄを結んで囲まれた範囲とし、新規なCr−
Si、Cr−Si−SiO、Cr−Si−SiO₂からなる三元系
合金を見出した。この三元系合金には、Cr−Ｏ
結合が存在しないことから優れた比抵抗値を満足
できるといえる。 しかし、感熱記録ヘツド用の発熱抵抗体に求め
られる特性は、比抵抗値等の電気的特性のみでな
く、硬度等の機械的特性、エツチング制御性等の
化学的特性についても要求される。 そこで組成範囲について、電気的特性、機械的
特性及び化学的特性について種々実験を重ねて、
Cr、Si、Ｏの組成は、Cr 26.2〜30.4原子％、Si
46.6〜67.3原子％、Ｏ 6.5〜27.0原子％の組成範
囲にて優れた結果が得られ、目的を満足できるこ
とが解つた。 通常、抵抗体の抵抗値ドリフトの一因は酸化劣
化によるものであり、Cr−Si系材料においても、
膜中の酸素の存在が極めて重要であり、本発明
は、特定のCr−Si、組成範囲において、成膜中
の酸素分在制御により、成膜された膜のCr、Si
およびＯ組成を特定したことにある。 ここで特定のCr−Si組成とは、成膜された間
のＸ線電子分析でCr−Ｏ結合の化学シフトのな
い、即ち、Cr−Ｏ結合が存在しない領域のこと
である。 次にCr−Si−SiO抵抗体の製造方法を述べる。
成膜には、反応性スパツタリング法を使い行つ
た。ターゲツトには、(a)Cr−Si合金、または(b)
第１図に示すように、Cr１とSi２の短冊状の板
を交互に配置したもののいずれかを用いる。（枠
３はシールド板でかくされている）。上記(a)のタ
ーゲツトを用いた場合はCrとSiの組成を変える
ことで、上記(b)の場合は短形のCrとSiの面積比
を変えることで抵抗体の組成を変えることができ
る。 スパツタリングは、上記(a)，(b)のいずれかのタ
ーゲツトを用い、不活性ガス（例えばAr、Kr、
Ne、Xeなど）分圧0.5〜80ｍTorr、酸素ガス分
圧１×10^-6〜１×10^-3Torrの雰囲気中で、ター
ゲツトに400V〜10kVの電圧（0.2W／cm²〜
10W／cm²の電力）を印加して行う。 なお、Cr−Si−SiOで表示する抵抗体は、Cr、
Si、Ｏの三元素で構成され、かつ抵抗体は結晶性
のCr−Si金属間化合物と、非晶質のCr−Si−Ｏ
又はCr−Si−SiO₂が混在している。この点が従
来の非晶質Cr−SiOサーメツトと基本的に異な
る。 そして、感熱記録ヘツドの発熱抵抗体には、比
抵抗２×10²〜１×10⁶μΩ・cmの範囲のものが良
く、これはCr、Si、Ｏが第２図の三角図におい
てＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄでかこまれた範囲にある組成の
ものである。但し、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは以下の組成
を表わす。

【表】 以下、本発明を実施例により詳細に説明する。 実施例 １ ターゲツトを、厚さ60μｍグレーズ層を設けた
基板に対向させて真空槽内に設置した。なお、タ
ーゲツトはSiとCrを所定の面積比（例えばSiの面
積：Crの面積＝80：20）に調節したものであつ
た。DCスパツタ装置の真空槽は適当な排気手段
で５×10^-7Torr以下に排気し、所定の酸素量を
含有するアルゴンガスを導入し、アルゴンガス分
圧１×10mmTorr、酸素ガス分圧１×10^-7〜１×
10^-8Torr雰囲気を形成した。基板は、必要なら
ば回転させた。上記ターゲツトには400V〜10KV
の電圧を印加してグロー放電を起こし、基板面上
に所定の組成を有するCr−Si−SiO合金薄膜を反
応性スパツタリングにより形成した。膜厚は1000
〜3000Åであつた。 つぎにこのようにして製造した発熱抵抗体層同
定方法と同定結果を述べる。 先ず、プラズマ分光分析で抵抗体の元素分析を
行なつた。6000〜8000℃の超高温で元素を発光さ
せ、この発光スペクトル分布から元素を定性し、
スペクトル強度から元素量を定量した。抵抗体
は、Si72.Oat％、Cr28.Oat％よりなつていた。 ついでＸ線電子分析で抵抗体の原子の結合状態
と結合量を調べた。抵抗体にＸ線を照射したとき
励起され脱離した光電子エネルギーのスペクトル
が基準状態よりシフトした化学シフト量から原子
の結合状態を知り、スペクトル強度比から組成比
を求めた。その結果、以下(1)、(2)のことが明らか
になつた。 (1) Cr−Ｏの結合は、Cr−Crの結合からの化学
シフト量で明らかになる。しかし、化学シフト
がなかつた。したがつてCrOの酸化物は存在し
ない。 (2) Si−Ｏの結合は、Si−Siの結合からの化学シ
フト量からその存在が明らかになり、スペクト
ル強度比からSi単体とSi酸化物の存在比が95：
５であることが解つた。Cr−Ｏの酸化物が存
在しないことから、Siに結合している酸素量か
らＯ量を確定し、Cr、Si、Ｏ比を同定した。 以上の事実から、Cr：Si：Ｏ＝26.2：67.3：6.5
となることが解つた。 また、透過電子顕微鏡写真を撮つた所、第３図
のａに示すように結晶化部分のCrSi₂と非結晶部
分のCr−Si−SiOの存在が明らかになつた。 なお、結晶化度は小さかつた。 実施例 ２ Cr、Si比および反応スパツタリング時の酸素
分圧を変化させ、且つスパツタリング方法を変え
て成膜したCr−Si−Ｏ膜の分析結果とその抵抗
体膜の電気的、機械的特性結果を表１に示す。表
１のNo.２のようにDCスパツタ装置で基板上に形
成した抵抗体と、表のNo.３のようにプレーナマグ
ネトロン型DCスパツタ装置で基板上に形成した
抵抗体を、実施例１と同様にして同定した結果、
表１のNo.２、No.３の同定結果欄の値と、第３図の
ｂ，ｃのような透過電子顕微鏡像が得られた（第
３図のｂは結晶化度が第３図のａより進んでお
り、第３図のｃは更に第３図のａより結晶化度が
進んでいる）。 いづれも、Ｘ線電子分析結果からCr−Ｏ結合
が検出されないことから、SiとＯ比を強度スペク
トルの面積比から算出しCr、Si、Ｏ比を同定し
た。成膜方法により被膜の結晶化度は異なるが、
目的とする材料構造が得られる事が解つた。

【表】 実施例 ３ 実施例１、２に述べた方法で作成した発熱抵抗
体の(1)比抵抗、(2)抵抗温度係数、(3)高度、(4)引張
応力、(5)密度、(6)エツチング性を測定し、表１の
特性欄に示す値を得た。 Cr：26.4at％、Si：46.6at％、Ｏ：27.0at％
（表１、No.２）の３元合金薄膜抵抗の温度係数は、
90ppm／℃の正の値を得ることが出来ることが解
つた。表１、No.１〜No.３に示す様にCr、Siおよ
びＯの膜組成を制御することによつて、抵抗温度
係数を制御でき、さらに特定の組成範囲において
は、小さな正の温度係数が得られる。なお、抵抗
膜の熱処理については後の実施例で述べるが、電
気的特性の測定は350℃、２時間の安定化熱処理
を行つたのちに測定した値である。 実施例 ４ 膜中のSi＋Cr原子数に対するSi比（at％）を横
軸に、Ｏ原子組成をパラメータとして、比抵抗と
の関係を第４図に示す。Si比を増加することによ
り比抵抗は比抵抗は増大し、Ｏ原子含有量が多い
程、比抵抗が大きくなることを示している。尚、
第４図中の曲線４は酸素（Ｏ）が７〜8at％のも
の、曲線５は26〜28at％のもの、および曲線６は
38〜40at％の場合を示してある。また同様にCr
＋Si原子数に対するSi比を63〜64at％と一定と
し、酸素の含有量を変化させた場合の結果を第５
図に示す。酸素組成の増加に伴い急激に比抵抗が
増大することが解る。この様に大きな比抵抗を得
るにはSi比の増大、Ｏ比増大が必要であり、これ
により所望の1000μΩcm以上の被膜を得ることが
出来る。 実用に際しては、制御性、エツチング程度、耐
熱安定性などの諸条件から上限が決定される。 実施例 ５ 第６図にCr−Si−SiO三元合金の熱処理による
抵抗値の変化状態を示した（昇温速度２℃／
min）、抵抗値は昇温に伴なつて減少する領域８
から最低値に至り、不可逆的に増加に転ずる領域
１０から温度を昇降させることによつて抵抗値が
可逆的に変化する領域１１に至る。最低値９の値
は、Cr−Si−SiOの組成比および成膜方式、成膜
温度によつて異なる。 また領域１１の勾配はCr−Si−SiOの組成比、
結晶化度などから決まり、使用状態での抵抗温度
係数を決定する。また、熱処理による変化の大き
さ（領域８の値と領域１１の値の差）は、成膜温
度、膜組成などに依存する。比抵抗ρは、Cr−
Si−SiOの組成と熱処理温度によつて決まり最終
的には成膜温度に依存しない。 このため、抵抗値を安定化するためには、最低
値９が示す温度より高い温度で熱処理を行なう必
要がある。更に、本材料を発熱抵抗体として安定
に使用するためには、使用する発熱抵抗体のピー
ク温度より高い温度で熱処理を行なう必要があ
る。即ち、Cr−Si−SiOの三元系合金の発熱抵抗
体の最も低い抵抗値が示す温度及び発熱抵抗体の
発熱ピーク温度より高い温度で熱処理を行なうこ
とにより、抵抗値が安定化する可逆的領域１１で
発熱抵抗体を使用することが可能となる。 また、第７図の曲線１２，１３，１４はCr−
Si−SiO三元合金膜中のＯ（酸素）がそれぞれ1at
％未満、７〜8at％、26〜28at％の場合について、
SiとCrの割合を変えた各合金膜を400℃、窒素中
で熱処理した場合の熱処理前後の抵抗変化率を示
す。Ｏが26〜28at％になるとSiとCrの割合が多少
変わつても抵抗値はほとんど変わらない。 分析結果より熱処理によつてCr−Si−SiOの酸
化度が変化しないことから、熱処理による抵抗値
の変化は、微細構造の変化、すなわち非晶質状態
からの結晶化およびCrとSiとの結合に依存する
と推定される。 スパツタや蒸着の様に、一旦原子、分子レベル
にバラバラにして、基盤上に過冷却に近い状態で
形成された膜のストレスを開放する等の安定化の
為に熱処理を施すことは周知の事実である。しか
しながら、Cr−Si系薄膜においては、低温領域
からCrSi₂の結晶化が起り実用に際しては特定の
熱処理条件を満足する必要があることが解つた。 すなわち、Cr−Si系薄膜ではCrSi₂の結晶化に
より、工程中における抵抗変化が極めて大きく、
初期抵抗値の設定が難しいと同時に、安定性にも
問題があつた。第６図中１０の領域はこのCrSi₂
生成による変化であり、最高熱処理温度Tmaxよ
り温度の低い領域では抵抗値変化が可逆的である
ことが解つた。 すなわち、Cr−Si−SiOの三元系合金の発熱抵
抗体の最も低い抵抗値が示す温度及び発熱抵抗体
の発熱ピーク温度より高い温度で熱処理を行なう
ことが、規定のCr、Si比の発熱抵抗体を安定に
使用するためには必須であることが解る。 また、CrSi₂が生成する一定のSi組成範囲
（66at％）近傍では、熱処理におけるCrSi₂の結晶
化が熱処理変化を律速し、含有酸素比の影響が少
なく、抵抗値変化律が小さく再現性のよいことが
解る。（第７図） 膜中の酸素量が増すと（第７図、曲線１２
（1at％）→曲線１３（７〜8at％）→曲線１４
（26〜28at％））、含有酸素によりCrSi₂の結晶化、
Cr−Siの結合がさまたげられ、熱処理による変
化は小さくなる。このように、第２図に示した酸
素割合 １〜59原子％の範囲内において、膜中の
酸素量の増加は比抵抗値等の電気的特性を優れた
ものとすることができるが、一方、硬度等の機械
的特性は、酸素含有量が極端に多くなると（＜
35at％）、膜硬度が上がり、熱パルス印加時にク
ラツクの原因となる。膜中の酸素量はこれらの安
定性を満足する条件から決定すれば良い。 実施例 ６ 第８図中の１５，１６，１７はCr：Si：Ｏ＝
26.4：46.6：27.0（at％）のCr−Si−SiO三元合金、
Cr−Si合金、Cr−SiO合金薄膜をそれぞれ上記の
安定化熱処理の後に450℃の空気中に長時間放置
したときの抵抗値変化を示した。新規なCr−Si
−SiO抵抗体は耐酸化性にすぐれ、抵抗値が安定
していることがわかつた。 抵抗値の劣化モードは酸化モード、クラツクモ
ード、マイグレーシヨンモードに大別されるが、
抵抗体材料に起因するモードはほとんど酸化劣化
モードである。この為、高電力パルス印加による
安定性は、空気中の高温加速試験により予測する
ことが可能である。 第８図の結果から熱処理を施した特定のCr、
SiおよびＯ化を有したCr−Si−SiO抵抗体は、他
の抵抗体（Cr−Si、Cr−SiOなど）より高電力密
度にできることを示唆している。 実施例 ７ 薄膜抵抗体の微細加工に必要なエツチング速度
は、HF／HNO₃＝１／30（体積比）の溶液でCr
−Si−SiO抵抗体とCr−SiO抵抗体をエツチング
した場合、前者は500〜6000Å／min、後者は８
Å／min以下であつた。酸素を含まないCr−Si抵
抗体のエチツング速度は極めて早く微細加工に不
適当であつた。 実施例 ８ 第９図のｂのように、厚さ60μｍのグレーズ層
１９をそなえたアルミナ基板１８に、DCスパツ
タ法でCr−Si−SiOの熱抵抗体を形成する。ター
ゲツトには第１図に示すようなストライプターゲ
ツト（CrとSiの面積比は20：80）を使用し、ス
パツタガスにはArを使用した。成膜条件は、Ar
ガス圧30mmTorr、酸素ガス分圧2.0×10^-5Torr、
スパツタ電力10kw、スパツタ時間10分、スパツ
タ時の基板温度は400℃であつた。 成膜されたCr−Si−SiO膜は、比抵抗2700μΩ
−cm、膜厚1500Åであり、この膜をプラズマ分光
分析を行なつたところ、Cr：Si：Ｏ＝26.4：
46.6：27.0（原子比）で、Crの酸化物は検出され
ず、Cr−Si−SiOの発熱抵抗体２０であることが
わかつた。 この後、配線導体２２とCr−Si−SiO膜の接着
層２１としてCrを1000Å、配線導体２２として
Alを1μｍをいずれもスパツタにより形成する。 この後、第９図のａに示したように巾90μｍ、
長さ250μｍの発熱抵抗体層２０を125μｍピツチ
になるようにパターンニングした。この場合、エ
ツチヤントはHF／HNO₃＝１／30（体積％）を使
用する。エツチング時間は30秒であつた。 ついで、これを空気中で400℃、500℃で熱処理
したところ、第１０図の２５，２６のように抵抗
値が変化した。熱処理は窒素雰囲気中、真空中で
行なつても第１０図と同様な結果となつた。ま
た、熱処理は配線導体の膜を形成した状態で行な
つても良く、耐酸化保護層、耐摩耗層を形成して
から行なつても良い。さらに、Cr−Si−SiO発熱
抵抗体をスパツタリングなどにより形成する際
に、基板温度を所要の温度まで上昇させても良
い。 このあと高周波スパツタ法により発熱抵抗体層
２０、配線導体２２上にSiO₂を3μｍ、Ta₂O₅を
5μｍ順次成膜し、耐酸化保護層２３、耐摩耗層
２４を設けた。このとき、抵抗体の抵抗値は505
Ωであつた。 これに、パルス巾１ｍsec、パルス周期10ｍsec
で６万パルス印加してステツプアツプストレス試
験を行ない、抵抗体を長時間高温で加熱した場合
の抵抗値変化をしらべた。その結果、45W／mm²
で抵抗値変化はなく、55W／mm²でも8.5％の抵抗
値変化率であつた。 また、上記の抵抗体にパルス巾１ｍsec、パル
ス周期10ｍsec、印加電力32.9W／mm²でパルスを
印加し、抵抗体を発熱させた。 その結果、発熱ピーク温度は320〜330℃、抵抗
値変化率は２億パルス印加後でも初期抵抗値に対
して５％変化したのみであり、抵抗体の外観も変
化がなかつた。 実施例 ９ 第９図のｂのように厚さ60μｍのグレーズ層１
９をそなえたアルミナ基板１８に、DCスパツタ
法でCr−Si−SiO抵抗体を成膜した。 ターゲツトには第１図のストライプターゲツト
を使用し（CrとSiの面積比30：70）、スパツタガ
スはアルゴンを使用した。成膜条件は、Arガス
圧３mmTorr、酸素ガス分圧1.0×10^-7Torr、ター
ゲツト電圧800V、スパツタ時間20分、スパツタ
時の基板温度150℃であつた。 成膜されたCr−Si−SiOは比抵抗500μΩ−cm、
膜厚1200Åであり、この膜をプラズマ分光分析、
Ｘ線光電子分光分析を行なつたところ、Cr：
Si：Ｏ＝33.5：59.7：6.8（原子比）Crは酸化され
ておらずSiが部分的に酸化されていることがわか
つた。 その後、実施例９と同様にして抵抗体と配線導
体の被着層としてのCr、Al配線導体、SiO耐酸化
保護層、Ta₂O₅耐摩耗層を形成した。形成した抵
抗体の形状は巾90μｍ、長さ250μｍであり、抵抗
値は117Ωであつた。このあと、窒素雰囲気中で
400℃、500℃で熱処理した。その結果、第１０図
の２７，２８に示すように抵抗値が変化した。 この後、パルス巾１ｍsec、パルス間隔10ｍ
sec、パルス印加数６万パルスステツプアツプス
トレス試験を行なつた。その結果、30W／mm²ま
では抵抗値は変化せず、37.5W／mm²で9.3％の変
化率であつた。 つぎに、抵抗体にパルス巾１ｍsec、パルス周
期10ｍsec、印加電力32.9W／mm²の条件で抵抗体
を加熱した。この結果、発熱ピーク温度は310〜
320℃であり、抵抗値変化率は3000万パルス印加
後は＋9.7％、さらに7000万パルス印加した後は
＋7.0％であり、8000万パルス印加により断線し
た。 実施例８と比較するとほぼ同じSi／（Cr＋Si）
比において、（実施例８；Si／Cr＋Si；63.8％）
酸素組成比が少なくなることにより、高温熱処理
（400℃、500℃）による変化率が大きく、且つ耐
電力特性が劣ることが解る。 実施例 10 実施例８、９と同様にして第９図の構造の感熱
記録ヘツドを二種類作成した。これらについて長
時間高温の熱パルスを印加した場合の発熱抵抗体
の安定性を調べた。 第１１図は、発熱抵抗体にパルス巾１ｍsec、
パルス間隔10ｍsec、印加パルス電力を2.5W／mm
^２位に上昇させて６万回印加した（ステツプアツ
プストレス試験）ときの抵抗変化である。第１１
図中２９はCr：Si：Ｏ＝26.4：46.6：27.0（原子
比）の場合、３０はCr：Si：Ｏ＝26.2：67.3：6.5
（原子比）の場合、３１はＯ（酸素）の原子比が１
％未満であつて、かつCr：Si＝28.8：71.2（原子
比）の場合のデータである。また、第１１図中３
２は比較用の比抵抗250μΩ−cmのTa₂N抵抗体の
データである。 これから、曲線２９，３０は30W／mm²以下で
は抵抗値の変化はなく、曲線３１，３２に比して
優れた発熱抵抗体であることがわかる。 また、第１２図は、発熱抵抗体にパルス巾１ｍ
sec、パルス間隔10ｍsec、印加電力32.9W／mm²
パルスを連続して印加した時の抵抗値変化であ
る。そして同図中、３３はCr：Si：Ｏ＝26：
47：27（原子比）の場合、３４はCr：Si：Ｏ＝
26：67：７の場合、３５は比較用のTa₂Nのデー
タである。 曲線３３，３４は共に8000万パルス印加後でも
抵抗値変化率は10％以内であり、曲線３５は500
万パルス印加後で全数破断したことを示してい
る。すなわち、本発明の発熱抵抗体は長寿命であ
ることが解る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ターゲツトの一例を示す図、第２図
は本発明の感熱記録ヘツドの発熱抵抗体に使用で
きる抵抗体の組成範囲を示す図、第３図は本発明
の抵抗体の透過電子顕微鏡像、第４図〜第１２図
は抵抗体の諸特性である。 １８……アルミナ基板、２０……発熱抵抗体
層、２２……配線導体。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 絶縁基板と、この絶縁基板上に設けられた発
   熱抵抗体層と、この発熱抵抗体層に電流を供給す
   るための手段を具備した感熱記録ヘツドにおい
   て、上記発熱抵抗体層が発熱抵抗体層の最も低い
   抵抗値が示す温度及び発熱抵抗体層の発熱ピーク
   温度よりも高温で熱処理されたCr−Si、Cr−Si
   −SiO、Cr−Si−SiO₂合金からなり、かつCr、
   Si、Ｏの組成が、Cr 26.2〜30.4原子％、Si 46.6
   〜67.3原子％、Ｏ 6.5〜27.0原子％であることを
   特徴とする感熱記録ヘツド。