JPH0460930B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0460930B2 JPH0460930B2 JP59001700A JP170084A JPH0460930B2 JP H0460930 B2 JPH0460930 B2 JP H0460930B2 JP 59001700 A JP59001700 A JP 59001700A JP 170084 A JP170084 A JP 170084A JP H0460930 B2 JPH0460930 B2 JP H0460930B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cladding
- soot
- core
- semi
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光フアイバー用母材の製造方法に関
するものであり、特にはコア径とクラツド径の比
が正確にコントロールされた光フアイバー用母材
の提供を目的とする。
するものであり、特にはコア径とクラツド径の比
が正確にコントロールされた光フアイバー用母材
の提供を目的とする。
従来、光フアイバー用母材の製造方法として
は、ガラス原料ガスを火炎加水分解して生成する
ガラス微粒子を軸方向に堆積させることにより、
コアおよびクラツド層として必要な大きさを有す
る多孔質ガラス層（スート）を形成し、これを加
熱溶融して透明ガラス体とする方法が知られてい
る。この方法はクラツド用多孔質ガラス層を充分
厚く形成しなければならないため、スート径が大
きくなつてしまい、製造装置が非常に大がかりに
なること、また大きな径のスートは割れ易くその
取扱いが面倒であること、さらにクラツド層厚さ
のコントロールが非常に困難であることなどの欠
点がある。
は、ガラス原料ガスを火炎加水分解して生成する
ガラス微粒子を軸方向に堆積させることにより、
コアおよびクラツド層として必要な大きさを有す
る多孔質ガラス層（スート）を形成し、これを加
熱溶融して透明ガラス体とする方法が知られてい
る。この方法はクラツド用多孔質ガラス層を充分
厚く形成しなければならないため、スート径が大
きくなつてしまい、製造装置が非常に大がかりに
なること、また大きな径のスートは割れ易くその
取扱いが面倒であること、さらにクラツド層厚さ
のコントロールが非常に困難であることなどの欠
点がある。
他方、ガラス原料ガスを火炎加水分解して作つ
たコア層となるスートを加熱することにより透明
ガラス化してロツドとなし、このロツドに石英ガ
ラス管をかぶせ溶融一体化することにより必要な
厚みのクラツド層を有する光フアイバー用母材を
製造する方法が知られている（特開昭55−32716
号公報参照）。
たコア層となるスートを加熱することにより透明
ガラス化してロツドとなし、このロツドに石英ガ
ラス管をかぶせ溶融一体化することにより必要な
厚みのクラツド層を有する光フアイバー用母材を
製造する方法が知られている（特開昭55−32716
号公報参照）。
この方法は通常ロツドインチューブ法と称され
ている方法であり、前記方法に比べて最初に作る
スートはその径を小さくすることができる利点が
あるが、しかしなお次のような不利欠点がある。
ている方法であり、前記方法に比べて最初に作る
スートはその径を小さくすることができる利点が
あるが、しかしなお次のような不利欠点がある。
すなわち、石英ガラス管の径、肉厚が必ずしも
充分な精度を有するものではないので、コア径と
クラツド径の比を正確にコントロールするために
は、最終的に目的の寸法になる管を選択するか、
あるいは逆に石英管に合うように前記ロツドを所
定の径になるように延伸調整することが必要とさ
れる。このような操作は面倒であるばかりでな
く、規格品を大量生産するうえからも不利であ
り、他方また市販石英ガラス管は天然水晶を溶融
して製造したもので、管中に微小の気泡を含むも
のであるため、光フアイバーの強度を低下させる
欠点がある。
充分な精度を有するものではないので、コア径と
クラツド径の比を正確にコントロールするために
は、最終的に目的の寸法になる管を選択するか、
あるいは逆に石英管に合うように前記ロツドを所
定の径になるように延伸調整することが必要とさ
れる。このような操作は面倒であるばかりでな
く、規格品を大量生産するうえからも不利であ
り、他方また市販石英ガラス管は天然水晶を溶融
して製造したもので、管中に微小の気泡を含むも
のであるため、光フアイバーの強度を低下させる
欠点がある。
半焼結ロツドに軸付法によりさらにクラツド層
を連続して堆積させる方法が知られているが、こ
の場合には堆積層の厚みを正確にコントロールで
きないといつた問題点がある。すなわち、堆積層
の厚みは堆積時間、原料供給量、反応効率、堆積
効率などによつて決まるものであるが、これらの
すべてを一定に維持することはきわめて困難であ
る。特に堆積効率は堆積雰囲気、条件を可能な限
り一定に保つたとしても、コントロール不可能な
要因によつて変動する。また堆積時間は引上速度
に依存するもので、コア部の成長を制御するため
に堆積位置を計測し、引上速度にフイードバツク
して位置を一定にする手法が一般に採用されてい
る。このことは逆に引上速度は常に変動すること
を意味している。この結果、堆積時間は必ずしも
一定になることはなく、堆積層の厚さは制御でき
ないという問題がある。
を連続して堆積させる方法が知られているが、こ
の場合には堆積層の厚みを正確にコントロールで
きないといつた問題点がある。すなわち、堆積層
の厚みは堆積時間、原料供給量、反応効率、堆積
効率などによつて決まるものであるが、これらの
すべてを一定に維持することはきわめて困難であ
る。特に堆積効率は堆積雰囲気、条件を可能な限
り一定に保つたとしても、コントロール不可能な
要因によつて変動する。また堆積時間は引上速度
に依存するもので、コア部の成長を制御するため
に堆積位置を計測し、引上速度にフイードバツク
して位置を一定にする手法が一般に採用されてい
る。このことは逆に引上速度は常に変動すること
を意味している。この結果、堆積時間は必ずしも
一定になることはなく、堆積層の厚さは制御でき
ないという問題がある。
本発明者らはかかる従来の不利欠点を解決すべ
く鋭意研究した結果、下記の要旨からなる光フア
イバー用母材の製造方法に関する発明を完成し
た。
く鋭意研究した結果、下記の要旨からなる光フア
イバー用母材の製造方法に関する発明を完成し
た。
（本発明の要旨）
(イ) 火炎加水分解によりガラスとなり得る化合物
からコアと全クラツドの３〜80％に相当する量
のスートを軸方向に堆積して第１クラツド層を
作り、コアー第１クラツド用スートを作る工
程、 (ロ) 該スートを透明ガラス体にならない800〜
1100℃という条件で加熱することにより堆積を
１／３〜1/8に収縮させた半焼結ロツドを作り、こ
の径を正確に測定する工程、 (ハ) 該半焼結ロツドを水平に保持して自転させな
がら火炎加水分解用バーナーを左右に往復運動
させて該ロツドの外周に側面から所定量の第２
クラツド用スートを外付CVD法により径方向
に層の厚さを測定しながら堆積させる工程、 および (ニ) 加熱により全体を透明ガラス化する工程、 からなることを特徴とする、コアとクラツドの比
が正確にコントロールされた光フアイバー用母材
の製造方法。
からコアと全クラツドの３〜80％に相当する量
のスートを軸方向に堆積して第１クラツド層を
作り、コアー第１クラツド用スートを作る工
程、 (ロ) 該スートを透明ガラス体にならない800〜
1100℃という条件で加熱することにより堆積を
１／３〜1/8に収縮させた半焼結ロツドを作り、こ
の径を正確に測定する工程、 (ハ) 該半焼結ロツドを水平に保持して自転させな
がら火炎加水分解用バーナーを左右に往復運動
させて該ロツドの外周に側面から所定量の第２
クラツド用スートを外付CVD法により径方向
に層の厚さを測定しながら堆積させる工程、 および (ニ) 加熱により全体を透明ガラス化する工程、 からなることを特徴とする、コアとクラツドの比
が正確にコントロールされた光フアイバー用母材
の製造方法。
上記(ハ)工程での第２クラツド用スートの形成
（堆積）は、半焼結ロツドを回転させながら外付
CVD法により該ロツドの径方向に均一に堆積さ
せる方法（後記第２図参照）であるので、コア径
とクラツド径を正確にコントロールすることがで
きる。
（堆積）は、半焼結ロツドを回転させながら外付
CVD法により該ロツドの径方向に均一に堆積さ
せる方法（後記第２図参照）であるので、コア径
とクラツド径を正確にコントロールすることがで
きる。
本発明によりもたらされる主な利点を列記すれ
ばつぎのとおりである。
ばつぎのとおりである。
１ 本発明の前記(ロ)工程で得られた半焼結ロツド
に関し、そのコア径およびクラツド径をあらか
じめ測定したうえで、必要な量の第２クラツド
層をその厚さを測定しながら（堆積）させるた
め、きわめて寸法精度の高いものとなる。特に
シングルモードフアイバーにおいては、このコ
アークラツド径は λc＝2πa／2.405√1 2−2 2 λc：カツトオフ波長、ａ：コア径、 n1：コアの屈折率、 n2：クラツドの屈折率、 で表されるカツトオフ波長を設計値に合わせる
ことが重要であるが、この点本発明によればき
わめてよく一致する。
に関し、そのコア径およびクラツド径をあらか
じめ測定したうえで、必要な量の第２クラツド
層をその厚さを測定しながら（堆積）させるた
め、きわめて寸法精度の高いものとなる。特に
シングルモードフアイバーにおいては、このコ
アークラツド径は λc＝2πa／2.405√1 2−2 2 λc：カツトオフ波長、ａ：コア径、 n1：コアの屈折率、 n2：クラツドの屈折率、 で表されるカツトオフ波長を設計値に合わせる
ことが重要であるが、この点本発明によればき
わめてよく一致する。
２ 最外層（第２クラツド層）が外付CVD法に
より形成された合成石英からなるため、微小な
気泡は含まず、引張強度の大きな光フアイバー
が得られる。
より形成された合成石英からなるため、微小な
気泡は含まず、引張強度の大きな光フアイバー
が得られる。
３ 前記(ロ)工程で得られた半焼結ロツドに関し、
母材としての特性の評価を行なうことにより、
不合格品を次工程〔(ハ)工程〕に送る前にチエツ
クできることから、製造上のロスを最小限に抑
えることができる。
母材としての特性の評価を行なうことにより、
不合格品を次工程〔(ハ)工程〕に送る前にチエツ
クできることから、製造上のロスを最小限に抑
えることができる。
４ コアと第１クラツドとの界面はもちろんのこ
と、第１クラツドと第２クラツドとの界面もそ
の第２クラツドがスート堆積により形成される
ため、気泡を含まずきわめて低損失化が可能と
なる。
と、第１クラツドと第２クラツドとの界面もそ
の第２クラツドがスート堆積により形成される
ため、気泡を含まずきわめて低損失化が可能と
なる。
５ 半焼結ロツドに第２クラツド層を堆積させる
ため、クラツド厚みは一様に成長させることが
でき、ロツドインチューブ法に比較してコアー
クラツド偏心率のきわめて小さな母材が得られ
る。
ため、クラツド厚みは一様に成長させることが
でき、ロツドインチューブ法に比較してコアー
クラツド偏心率のきわめて小さな母材が得られ
る。
つぎに、本発明にかかわる光フアイバー用母材
の製造方法について前記した各工程順に説明す
る。
の製造方法について前記した各工程順に説明す
る。
本発明の方法は、まず、火炎加水分解によりガ
ラスとなり得る化合物からコアークラツド用スー
トを製造（堆積）する〔(イ)工程〕。このコアーク
ラツド用スートを堆積させる方法としては、コア
部となるガラス原料を適宜ドーパント剤と共に火
炎加水分解して、これにより得られるスートを軸
方向に成長させると同時にクラツド部となるスー
トをコア部の周囲に連続して堆積させる方法、あ
るいはコア部を形成し、つぎにこのコア部の周囲
にクラツド部となるスートを堆積させる方法のい
ずれでもよく、さらにまた単一のバーナであつて
も周辺部がきわめて低密度となるように調整され
た条件で堆積することにより、次のガラス化工程
で周辺部のドーパントを揮散させクラツド層を形
成する方法であつてもよい。
ラスとなり得る化合物からコアークラツド用スー
トを製造（堆積）する〔(イ)工程〕。このコアーク
ラツド用スートを堆積させる方法としては、コア
部となるガラス原料を適宜ドーパント剤と共に火
炎加水分解して、これにより得られるスートを軸
方向に成長させると同時にクラツド部となるスー
トをコア部の周囲に連続して堆積させる方法、あ
るいはコア部を形成し、つぎにこのコア部の周囲
にクラツド部となるスートを堆積させる方法のい
ずれでもよく、さらにまた単一のバーナであつて
も周辺部がきわめて低密度となるように調整され
た条件で堆積することにより、次のガラス化工程
で周辺部のドーパントを揮散させクラツド層を形
成する方法であつてもよい。
なお、火炎加水分解によりガラスとなり得る化
合物としては、従来公知のものたとえば主成分と
して酸化あるいは加水分解可能なけい素化合物、
ドーパントとしてゲルマニウム化合物、リン化合
物などが挙げられ、一般には四塩化けい素、四塩
化ゲルマニウム、塩化ホスホリルなどが用いられ
る。
合物としては、従来公知のものたとえば主成分と
して酸化あるいは加水分解可能なけい素化合物、
ドーパントとしてゲルマニウム化合物、リン化合
物などが挙げられ、一般には四塩化けい素、四塩
化ゲルマニウム、塩化ホスホリルなどが用いられ
る。
上記のようにして製造したコアー第１クラツド
用スートをつぎに透明ガラス体にならない条件で
加熱することにより体積を収縮させ半焼結ロツド
とする。この半焼結ロツドは第１図に例示する方
法によつて得ることができる。同図において、１
は炉心管、２は加熱装置であり、３はコアー第１
クラツド用スートであつて、炉心管１内で加熱さ
れ半焼結ロツド４となる。スート層が焼結される
ことにより体積が収縮するが、その収縮率は体積
でおよそ1/3〜1/8である。半焼結体にするための
温度は体積収縮率をどの程度にするか等により若
干異なるが、800〜1100℃前後とすればよい。
用スートをつぎに透明ガラス体にならない条件で
加熱することにより体積を収縮させ半焼結ロツド
とする。この半焼結ロツドは第１図に例示する方
法によつて得ることができる。同図において、１
は炉心管、２は加熱装置であり、３はコアー第１
クラツド用スートであつて、炉心管１内で加熱さ
れ半焼結ロツド４となる。スート層が焼結される
ことにより体積が収縮するが、その収縮率は体積
でおよそ1/3〜1/8である。半焼結体にするための
温度は体積収縮率をどの程度にするか等により若
干異なるが、800〜1100℃前後とすればよい。
なお、上記半焼結ロツド４を得る場合に、炉心
管内にドーパント分布を調節するためのガスをＡ
から流すことが有利である。すなわち、ドーパン
トがGeO2である場合に、ＡからHClをキヤリア
ーガス（He等）と共に流すことにより、コアー
第１クラツド用スート中主として第１クラツド用
スート層中のGeO2がGeCl4に変化し揮散され、
結果としてコアークラツド層の屈折率分布が調整
される。
管内にドーパント分布を調節するためのガスをＡ
から流すことが有利である。すなわち、ドーパン
トがGeO2である場合に、ＡからHClをキヤリア
ーガス（He等）と共に流すことにより、コアー
第１クラツド用スート中主として第１クラツド用
スート層中のGeO2がGeCl4に変化し揮散され、
結果としてコアークラツド層の屈折率分布が調整
される。
つぎに、上記半焼結ロツドに、けい素化合物の
火炎加水分解により所定量の第２クラツド用スー
トを外付CVD法により径方向に層の厚さを測定
しながら堆積させる〔(ハ)工程〕。
火炎加水分解により所定量の第２クラツド用スー
トを外付CVD法により径方向に層の厚さを測定
しながら堆積させる〔(ハ)工程〕。
この半焼結ロツドに第２クラツド用スートを堆
積させる具体的方法としては、第２図に示すよう
に、半焼結ロツド４を実質的に水平に保持して自
転させながら火炎加水分解用バーナ５を左右に往
復運動させ該ロツドの外周に側面からスート６
（第２クラツド用スート）を堆積形成する方法に
より行われる。なお、第３図は半焼結ロツド４を
実質的に垂直に保持して自転させながらバーナ５
の炎を斜め方向から半焼結ロツド４にあてそのロ
ツドの軸方向に順次スート６を堆積形成する方法
（従来法）であるが、この場合にはスート６の層
厚さを正確にコントロールすることが困難であ
る。
積させる具体的方法としては、第２図に示すよう
に、半焼結ロツド４を実質的に水平に保持して自
転させながら火炎加水分解用バーナ５を左右に往
復運動させ該ロツドの外周に側面からスート６
（第２クラツド用スート）を堆積形成する方法に
より行われる。なお、第３図は半焼結ロツド４を
実質的に垂直に保持して自転させながらバーナ５
の炎を斜め方向から半焼結ロツド４にあてそのロ
ツドの軸方向に順次スート６を堆積形成する方法
（従来法）であるが、この場合にはスート６の層
厚さを正確にコントロールすることが困難であ
る。
上記第２クラツド用スート６の層厚さは、光フ
アイバー用母材として最終的に要求されるクラツ
ド厚みに対し、第１クラツド用スートがどれだけ
の量堆積されているかにより決定される。すなわ
ち、前記(ロ)工程終了の段階でその半焼結ロツドの
重量、物性を測定し、最終クラツド厚みとするた
めに必要とされる第２クラツド用スート量を定
め、この目標値となるようにスート６を正確に堆
積させればよい。この場合第１クラツド用スート
と第２クラツド用スートとの堆積割合は、コント
ロールの容易さ等の観点から光フアイバー用母材
として要求される最終クラツド厚み（設計値）に
対し、第１クラツド用スート層を透明ガラス化し
たときの厚みで３〜80％となるようにすることが
必要とされる。
アイバー用母材として最終的に要求されるクラツ
ド厚みに対し、第１クラツド用スートがどれだけ
の量堆積されているかにより決定される。すなわ
ち、前記(ロ)工程終了の段階でその半焼結ロツドの
重量、物性を測定し、最終クラツド厚みとするた
めに必要とされる第２クラツド用スート量を定
め、この目標値となるようにスート６を正確に堆
積させればよい。この場合第１クラツド用スート
と第２クラツド用スートとの堆積割合は、コント
ロールの容易さ等の観点から光フアイバー用母材
として要求される最終クラツド厚み（設計値）に
対し、第１クラツド用スート層を透明ガラス化し
たときの厚みで３〜80％となるようにすることが
必要とされる。
上記第１クラツド用スートの堆積量が少なすぎ
る場合は、第１クラツドと第２クラツドとの界面
に光のパワーがかなり伝搬し、散乱損失等が増加
するし、さらに次工程で多量のクラツドを形成せ
ねばならず、このために目標最終厚みの誤差が大
きくなる。一方第１クラツド層の厚みが大きくて
も特性上からは何ら問題がないのであるが、この
第１クラツド層が大量に形成されているため、仮
にコア部の分布形状、屈折率差などが不合格であ
つた場合、製造コストのうえからもロスが大きく
なる不利があるほか、第１クラツド層が厚いこと
に対応して第２クラツド層を必然的に薄くせざる
を得ず、この結果第２クラツド層によるコントロ
ール精度が低くなるという不利がある。
る場合は、第１クラツドと第２クラツドとの界面
に光のパワーがかなり伝搬し、散乱損失等が増加
するし、さらに次工程で多量のクラツドを形成せ
ねばならず、このために目標最終厚みの誤差が大
きくなる。一方第１クラツド層の厚みが大きくて
も特性上からは何ら問題がないのであるが、この
第１クラツド層が大量に形成されているため、仮
にコア部の分布形状、屈折率差などが不合格であ
つた場合、製造コストのうえからもロスが大きく
なる不利があるほか、第１クラツド層が厚いこと
に対応して第２クラツド層を必然的に薄くせざる
を得ず、この結果第２クラツド層によるコントロ
ール精度が低くなるという不利がある。
第１クラツド層の厚さは上記した理由から最終
クラツド厚みの３〜80％とすることが必要とされ
るが、この点をマルチモードフアイバーとシング
ルモードフアイバーの個々について述べると次の
とおりである。すなわち、マルチモードフアイバ
ーにおいては、光パワーのクラツド部への拡がり
が小さいために、第１クラツド層は薄くても十分
に有効に作用する。この場合の厚みは最終厚みの
３〜60％であることが好ましい。一方、シングル
モードフアイバーにおいてはクラツド層へかなり
光パワーが拡がつて伝搬するために、第１クラツ
ド層が厚い方が好ましく、最終クラツド厚みに対
して10〜80％の範囲に調整することが望ましい。
クラツド厚みの３〜80％とすることが必要とされ
るが、この点をマルチモードフアイバーとシング
ルモードフアイバーの個々について述べると次の
とおりである。すなわち、マルチモードフアイバ
ーにおいては、光パワーのクラツド部への拡がり
が小さいために、第１クラツド層は薄くても十分
に有効に作用する。この場合の厚みは最終厚みの
３〜60％であることが好ましい。一方、シングル
モードフアイバーにおいてはクラツド層へかなり
光パワーが拡がつて伝搬するために、第１クラツ
ド層が厚い方が好ましく、最終クラツド厚みに対
して10〜80％の範囲に調整することが望ましい。
(ハ)工程により所定量堆積させたスートは次に加
熱により全体を透明ガラス化する〔(ニ)工程〕。こ
の透明ガラス化するための加熱温度は、おおむね
1200〜1600℃とすればよい。なお、要すれば(ニ)工
程を実施する際に、脱水剤としてハロゲンもしく
はハロゲン化合物たとえばCl2，CCl4，SOCl2，
SiCl4などを存在させることにより、脱水化処理
を同時に施こすことができ、品質、性能を向上さ
せることができる。
熱により全体を透明ガラス化する〔(ニ)工程〕。こ
の透明ガラス化するための加熱温度は、おおむね
1200〜1600℃とすればよい。なお、要すれば(ニ)工
程を実施する際に、脱水剤としてハロゲンもしく
はハロゲン化合物たとえばCl2，CCl4，SOCl2，
SiCl4などを存在させることにより、脱水化処理
を同時に施こすことができ、品質、性能を向上さ
せることができる。
以上述べた(イ)〜(ニ)工程によつて、コア中心層と
該コアをとり囲む第１クラツド層とその第１クラ
ツドの周囲に設けられた合成石英からなる第２ク
ラツド層とから構成された光フアイバー用母材が
得られる。なお、一般に第１クラツド層はコア中
心層と同様に気相法により合成されたシリカを主
成分とし、シリカ単独かあるいはふつ素、ほう素
等でシリカよりも屈折率を低くしたものの中から
選択されること、およびコア部分と同様に低OH
基含有の石英ガラスを主成分とするものであるこ
とが望ましい。他方、第２クラツド層については
通常第１クラツド層よりもOH基含有量が多いも
のであつても、伝送損失に及ぼす影響が少なく、
差支えない。
該コアをとり囲む第１クラツド層とその第１クラ
ツドの周囲に設けられた合成石英からなる第２ク
ラツド層とから構成された光フアイバー用母材が
得られる。なお、一般に第１クラツド層はコア中
心層と同様に気相法により合成されたシリカを主
成分とし、シリカ単独かあるいはふつ素、ほう素
等でシリカよりも屈折率を低くしたものの中から
選択されること、およびコア部分と同様に低OH
基含有の石英ガラスを主成分とするものであるこ
とが望ましい。他方、第２クラツド層については
通常第１クラツド層よりもOH基含有量が多いも
のであつても、伝送損失に及ぼす影響が少なく、
差支えない。
本発明によれば、第１クラツド層をあらかじめ
形成しついで第２クラツド層を形成するので、コ
アークラツド径のコントロールがきわめて容易で
あり、目的とする光フアイバー用母材を低コスト
で製造することができる。
形成しついで第２クラツド層を形成するので、コ
アークラツド径のコントロールがきわめて容易で
あり、目的とする光フアイバー用母材を低コスト
で製造することができる。
つぎに具体的実施例をあげる。
実施例
同心４重管構造の石英バーナの中心部に、
SiCl4105ml／分、GeCl420ml／分を搬送用のアル
ゴンガスと均一混合した原料ガスを、その外側に
H22.8／分，Ar0.6／分，O25.6／分の順で
それぞれの管に流して酸水素炎を形成し、生成す
るガラス微粒子を回転移動する出発材に堆積、軸
方向に成長させることにより50mmφの円柱状のコ
アークラツド用スートを得た。
SiCl4105ml／分、GeCl420ml／分を搬送用のアル
ゴンガスと均一混合した原料ガスを、その外側に
H22.8／分，Ar0.6／分，O25.6／分の順で
それぞれの管に流して酸水素炎を形成し、生成す
るガラス微粒子を回転移動する出発材に堆積、軸
方向に成長させることにより50mmφの円柱状のコ
アークラツド用スートを得た。
上記スートを第１図に示すごとき装置の炉心管
内に入れ、この炉心管内に10％のHClを含むヘリ
ウムガスを流しながら1000℃に加熱し、約35mmφ
の半焼結ロツド（コア部約23mmφ、クラツド部厚
み約６mm）を得た。
内に入れ、この炉心管内に10％のHClを含むヘリ
ウムガスを流しながら1000℃に加熱し、約35mmφ
の半焼結ロツド（コア部約23mmφ、クラツド部厚
み約６mm）を得た。
この半焼結ロツドを第２図に示すようにほぼ水
平に保つて自転させながら外付CVD法によつて
シリカのみからなるガラス微粒子を径方向に層の
厚みを測定しながら堆積させ、約75mmφのスート
を得た。
平に保つて自転させながら外付CVD法によつて
シリカのみからなるガラス微粒子を径方向に層の
厚みを測定しながら堆積させ、約75mmφのスート
を得た。
つぎにこのスートを0.5％のCl2を含むヘリウム
ガス雰囲気中で1400℃に加熱することにより全体
を透明ガラス化し、約43mmφの光フアイバー用母
材を得た。
ガス雰囲気中で1400℃に加熱することにより全体
を透明ガラス化し、約43mmφの光フアイバー用母
材を得た。
このようにして得た母材を2100℃の電気炉で加
熱溶融し紡糸してコア50μm外径125μmの光フア
イバーを製造したが、このフアイバーのコア径の
変動幅は50μmに対して±1μm以下であつた。
熱溶融し紡糸してコア50μm外径125μmの光フア
イバーを製造したが、このフアイバーのコア径の
変動幅は50μmに対して±1μm以下であつた。
第１図は半焼結ロツドを得るための装置を示す
概略断面図、第２図は半焼結ロツドに外付CVD
法により径方向にスートを堆積させる説明図、第
３図は半焼結ロツドに軸付法により軸方向にスー
トを堆積させる説明図をそれぞれ示したものであ
る。 １……炉心管、２……加熱装置、３……コアー
第１クラツド用スート、４……半焼結ロツド、５
……バーナ、６……スート。
概略断面図、第２図は半焼結ロツドに外付CVD
法により径方向にスートを堆積させる説明図、第
３図は半焼結ロツドに軸付法により軸方向にスー
トを堆積させる説明図をそれぞれ示したものであ
る。 １……炉心管、２……加熱装置、３……コアー
第１クラツド用スート、４……半焼結ロツド、５
……バーナ、６……スート。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (イ) 火炎加水分解によりガラスとなり得る化
合物からコアーと全クラツドの３〜80％に相当
する量のスートを軸方向に堆積して第１クラツ
ド層を作り、コアー第１クラツド用スートを作
る工程、 (ロ) 該スートを透明ガラス体にならない800〜
1100℃という条件で加熱することにより体積を
１／３〜1/8に収縮させた半焼結ロツドを作り、こ
の径を正確に測定する工程、 (ハ) 該半焼結ロツドを水平に保持して自転させな
がら火炎加水分解用バーナーを左右に往復運動
させて該ロツドの外周に側面から所定量の第２
クラツド用スートを外付CVD法により径方向
に層の厚さを測定しながら堆積させる工程、 および、 (ニ) 加熱により全体を透明ガラス化する工程、 からなることを特徴とする、コアとクラツドの比
が正確にコントロールされた光フアイバー用母材
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP170084A JPS60145926A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 光フアイバ−用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP170084A JPS60145926A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 光フアイバ−用母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145926A JPS60145926A (ja) | 1985-08-01 |
| JPH0460930B2 true JPH0460930B2 (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=11508810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP170084A Granted JPS60145926A (ja) | 1984-01-09 | 1984-01-09 | 光フアイバ−用母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145926A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0764578B2 (ja) * | 1987-12-11 | 1995-07-12 | 住友電気工業株式会社 | シングルモード光フアイバ用母材の製造方法 |
| US5318611A (en) * | 1992-03-13 | 1994-06-07 | Ensign-Bickford Optical Technologies, Inc. | Methods of making optical waveguides and waveguides made thereby |
| JP5466248B2 (ja) * | 2012-01-27 | 2014-04-09 | 信越石英株式会社 | 繊維状光触媒体の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5792532A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Preparation of oxide powder rod for optical fiber |
-
1984
- 1984-01-09 JP JP170084A patent/JPS60145926A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60145926A (ja) | 1985-08-01 |
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