JPH0327491B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0327491B2 JPH0327491B2 JP13376286A JP13376286A JPH0327491B2 JP H0327491 B2 JPH0327491 B2 JP H0327491B2 JP 13376286 A JP13376286 A JP 13376286A JP 13376286 A JP13376286 A JP 13376286A JP H0327491 B2 JPH0327491 B2 JP H0327491B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- base material
- sio
- soot body
- cladding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 60
- 239000004071 soot Substances 0.000 claims description 34
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 49
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 24
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は1.5μm帯に零分散波長を有するシング
ルモード光フアイバの製造方法に関する。
ルモード光フアイバの製造方法に関する。
石英系光フアイバにおいて伝送損失が最小とな
る1.5μm帯（1.50〜1.60μm）に零分散波長を有す
るシングルモードフアイバ（以下、分散シフト・
フアイバと称する）は、長距離かつ大伝送容量の
光通信線路として研究開発が進められている。分
散シフト・フアイバの屈折率分布構造設計の中
で、非常に曲げ損失に強くなるという特徴を有す
る構造として、第１図に示すような階段状の屈折
率分布構造が提案されている。第１図において１
は内側コア、２は外側コア、３はクラツドであり
n1〜3はそれぞれの屈折率である。
る1.5μm帯（1.50〜1.60μm）に零分散波長を有す
るシングルモードフアイバ（以下、分散シフト・
フアイバと称する）は、長距離かつ大伝送容量の
光通信線路として研究開発が進められている。分
散シフト・フアイバの屈折率分布構造設計の中
で、非常に曲げ損失に強くなるという特徴を有す
る構造として、第１図に示すような階段状の屈折
率分布構造が提案されている。第１図において１
は内側コア、２は外側コア、３はクラツドであり
n1〜3はそれぞれの屈折率である。
〔文献１：大橋他「階段形屈折率分布の分散シ
フトフアイバの特性」、昭和60年電子通信学会半
導体・材料部門全国大会講演論文集、413頁。文
献２：ケー．クワキ他“デイスパージヨン−シフ
テツド コンヴエツクス−インデツクス シング
ルモードフアイバーズ”エレクトロニクスレター
ズ、1985年21巻1186−1187頁。文献３：桑木他 「α乗分布段階形分散シフトフアイバの特性」 昭和61年度電子通信学会総合全国大会講演論文
集、1072頁〕 上記文献３などに見られるように内側コアの屈
折率はクラツドに比して比屈折率差で1.0％程度
と高くなる。石英系光フアイバにおいて屈折率を
高くするための添加物としてはGeO2が最も一般
的であるが、GeO2のみを用いて第１図のような
屈折率分布を形成すると、内側コア１内に含まれ
るGeO2量が極めて高くなりGeO2による散乱損失
が増加する。一方、屈折率を下げる成分としては
B2O3やＦがよく用いられる。特に、ＦはB2O3の
ように1.5μm帯近傍に吸収帯を持たないことか
ら、低損失化にとつて有利な材料である。そこで
クラツド部３にＦを添加することにより内側コア
１中のGeO2量を低減せしめることが低損失化に
とつて有効である、〔文献４：エイチ．ヨコタ他
“デイスパージヨン−シフテツド フアイバーズ
ウイズ フルオリン アツデツド クラツデイ
ング バイ ザ ベイパー フエイズ アクシア
ル デポジシヨン メソツド（VAP法により作
成したＦ添加クラツドを有する分散シフトフアイ
バー）”コンフエレンス オン オプテイカル
フアイバー コミユニケイシヨン テクニカル
ダイジエスト、1986年 ジヨージア州、アトンタ
（米国） WF2〕。
フトフアイバの特性」、昭和60年電子通信学会半
導体・材料部門全国大会講演論文集、413頁。文
献２：ケー．クワキ他“デイスパージヨン−シフ
テツド コンヴエツクス−インデツクス シング
ルモードフアイバーズ”エレクトロニクスレター
ズ、1985年21巻1186−1187頁。文献３：桑木他 「α乗分布段階形分散シフトフアイバの特性」 昭和61年度電子通信学会総合全国大会講演論文
集、1072頁〕 上記文献３などに見られるように内側コアの屈
折率はクラツドに比して比屈折率差で1.0％程度
と高くなる。石英系光フアイバにおいて屈折率を
高くするための添加物としてはGeO2が最も一般
的であるが、GeO2のみを用いて第１図のような
屈折率分布を形成すると、内側コア１内に含まれ
るGeO2量が極めて高くなりGeO2による散乱損失
が増加する。一方、屈折率を下げる成分としては
B2O3やＦがよく用いられる。特に、ＦはB2O3の
ように1.5μm帯近傍に吸収帯を持たないことか
ら、低損失化にとつて有利な材料である。そこで
クラツド部３にＦを添加することにより内側コア
１中のGeO2量を低減せしめることが低損失化に
とつて有効である、〔文献４：エイチ．ヨコタ他
“デイスパージヨン−シフテツド フアイバーズ
ウイズ フルオリン アツデツド クラツデイ
ング バイ ザ ベイパー フエイズ アクシア
ル デポジシヨン メソツド（VAP法により作
成したＦ添加クラツドを有する分散シフトフアイ
バー）”コンフエレンス オン オプテイカル
フアイバー コミユニケイシヨン テクニカル
ダイジエスト、1986年 ジヨージア州、アトンタ
（米国） WF2〕。
VAD法は量産性に優れた光フアイバ用母材の
製法として知られているが、第１図のような屈折
率分布を有し、かつＦをクラツド部に、GeO2を
内側コアに撰択的に添加した分散シフトフアイバ
用母材のような複雑な屈折率分布構造を作成する
ことが難かしいという問題点があつた。本発明は
このような現状に鑑み、VAD法を有効に利用し
て階段状屈折率分布を有する分散シフトフアイバ
用母材を容易に製造できる新規で優れた方法を提
供することを目的とするものである。
製法として知られているが、第１図のような屈折
率分布を有し、かつＦをクラツド部に、GeO2を
内側コアに撰択的に添加した分散シフトフアイバ
用母材のような複雑な屈折率分布構造を作成する
ことが難かしいという問題点があつた。本発明は
このような現状に鑑み、VAD法を有効に利用し
て階段状屈折率分布を有する分散シフトフアイバ
用母材を容易に製造できる新規で優れた方法を提
供することを目的とするものである。
本発明はVAD法によりGeO2を含有するSiO2か
らなる中央層と該中央層を取り囲む実質的に純粋
なSiO2からなる外層部からなるスート体を作成
し、該スート体を脱水及び焼結した透明ガラス体
をＨ原子を含まない雰囲気中で延伸し、中央部の
GeO2含有部とその外側の実質的に純粋SiO2から
なる部分からなる２重構造を有するコア用母材を
作成する工程と、VAD法により実質的に純粋な
SiO2からなるスート体を作成し、該スート体を
弗素を含有する雰囲気中で高温で加熱処理して弗
素をスート体に添加し、これを焼結することによ
り得られた透明ガラス体の中央部を穿設し、必要
に応じて延伸し、弗素を含有したSiO2からなる
円筒状のクラツド用母材を作成する工程と、該コ
ア用母材を該クラツド用母材中に挿入し両者を加
熱一体化する工程を含むことを特徴とする分散シ
フトシングルモード光フアイバの製造方法であ
る。
らなる中央層と該中央層を取り囲む実質的に純粋
なSiO2からなる外層部からなるスート体を作成
し、該スート体を脱水及び焼結した透明ガラス体
をＨ原子を含まない雰囲気中で延伸し、中央部の
GeO2含有部とその外側の実質的に純粋SiO2から
なる部分からなる２重構造を有するコア用母材を
作成する工程と、VAD法により実質的に純粋な
SiO2からなるスート体を作成し、該スート体を
弗素を含有する雰囲気中で高温で加熱処理して弗
素をスート体に添加し、これを焼結することによ
り得られた透明ガラス体の中央部を穿設し、必要
に応じて延伸し、弗素を含有したSiO2からなる
円筒状のクラツド用母材を作成する工程と、該コ
ア用母材を該クラツド用母材中に挿入し両者を加
熱一体化する工程を含むことを特徴とする分散シ
フトシングルモード光フアイバの製造方法であ
る。
本発明ではVAD法により、GeO2が添加された
内側コアを有するコア用ガラス体及びＦを添加し
たクラツド用ガラス体を作成し、該Ｆ添加クラツ
ド用ガラス体をパイプ化加工した後、上記コア用
ガラス体を該クラツド用ガラスパイプ内に挿入、
一体化することにより、第１図に示すような階段
状屈折率分布を容易に得ることができる。
内側コアを有するコア用ガラス体及びＦを添加し
たクラツド用ガラス体を作成し、該Ｆ添加クラツ
ド用ガラス体をパイプ化加工した後、上記コア用
ガラス体を該クラツド用ガラスパイプ内に挿入、
一体化することにより、第１図に示すような階段
状屈折率分布を容易に得ることができる。
以下、本発明の方法の各工程を詳細に説明す
る。
る。
コア用ガラス体
VAD法によるコア用スート体製造は第２図に
示すような構成で行われる。第２図において３は
内側コア用ガラス微粒子合成用バーナー、４は外
側コア用ガラス微粒子合成用バーナーである。内
側コア用ガラス微粒子合成用バーナー３にSiCl4，
GeCl4，H2，O2，Arを供給し、外側コア用ガラ
ス微粒子合成用バーナー４にSiCl4，H2，O2，Ar
を供給し、各バーナーの火炎５及び６中でSiCl4，
GeCl4を反応させてガラス微粒子（スート）を発
生させ、回転しているGeO2を含有するスート体
８とスート体８を取り囲む外側コアに相当する
SiO2からなるスート体９を同時に堆積させる。
出発石英棒７を回転・引上装置によりスート体
８，９の成長に合わせ除々に上方に引上げていく
ことにより、コア用スート体を軸方向に成長させ
る。このコア用スート体を加熱脱水処理及び焼結
することによりコア用透明ガラス体を得る。該コ
ア用透明ガラス体を電気抵抗炉等のＨ原子を含ま
ない雰囲気中で加熱軟化させることにより、所定
径に延伸されたコア用ガラス体を得る。このよう
にして、GeO2を含有するSiO2からなる内側コア
と実質的に純粋SiO2である外側コアからなる２
重構造を有するコア用ガス体を得ることができ
る。
示すような構成で行われる。第２図において３は
内側コア用ガラス微粒子合成用バーナー、４は外
側コア用ガラス微粒子合成用バーナーである。内
側コア用ガラス微粒子合成用バーナー３にSiCl4，
GeCl4，H2，O2，Arを供給し、外側コア用ガラ
ス微粒子合成用バーナー４にSiCl4，H2，O2，Ar
を供給し、各バーナーの火炎５及び６中でSiCl4，
GeCl4を反応させてガラス微粒子（スート）を発
生させ、回転しているGeO2を含有するスート体
８とスート体８を取り囲む外側コアに相当する
SiO2からなるスート体９を同時に堆積させる。
出発石英棒７を回転・引上装置によりスート体
８，９の成長に合わせ除々に上方に引上げていく
ことにより、コア用スート体を軸方向に成長させ
る。このコア用スート体を加熱脱水処理及び焼結
することによりコア用透明ガラス体を得る。該コ
ア用透明ガラス体を電気抵抗炉等のＨ原子を含ま
ない雰囲気中で加熱軟化させることにより、所定
径に延伸されたコア用ガラス体を得る。このよう
にして、GeO2を含有するSiO2からなる内側コア
と実質的に純粋SiO2である外側コアからなる２
重構造を有するコア用ガス体を得ることができ
る。
なおコア用ガス体延伸の際、Ｈ原子を含む雰囲
気中で延伸することは、コア用ガラス体表面が
OH基により汚染され、光フアイバの伝送損失の
原因となるので好ましくない。
気中で延伸することは、コア用ガラス体表面が
OH基により汚染され、光フアイバの伝送損失の
原因となるので好ましくない。
クラツド用ガラス体の作製
VAD法により純粋SiO2からなるスート体を形
成し、該スート体をSiF4などのＦを含む雰囲気中
で高温（約1100〜1200℃）処理することによりス
ート体を脱水処理するとともにスート体にＦを添
加し、しかるのちに、さらに高温（1600℃程度）
処理を行い透明ガラス化し、Ｆを添加したSiO2
からなる円柱状クラツド用ガラス母材を得ること
ができる。該円柱状クラツド用ガラス母材の中央
部に超音波穿孔機などにより穴をあけ、必要に応
じて延伸したのち、パイプ内部にガラスエツチン
グ作用のあるSF6などのＦ化合物ガスを流しつつ
外部より酸水素火炎等で加熱することにより、パ
イプ内表面をエツチングしつつ平滑化する。この
ようにしてＦを添加したパイプ状のクラツド用ガ
ラス体を得ることができる。
成し、該スート体をSiF4などのＦを含む雰囲気中
で高温（約1100〜1200℃）処理することによりス
ート体を脱水処理するとともにスート体にＦを添
加し、しかるのちに、さらに高温（1600℃程度）
処理を行い透明ガラス化し、Ｆを添加したSiO2
からなる円柱状クラツド用ガラス母材を得ること
ができる。該円柱状クラツド用ガラス母材の中央
部に超音波穿孔機などにより穴をあけ、必要に応
じて延伸したのち、パイプ内部にガラスエツチン
グ作用のあるSF6などのＦ化合物ガスを流しつつ
外部より酸水素火炎等で加熱することにより、パ
イプ内表面をエツチングしつつ平滑化する。この
ようにしてＦを添加したパイプ状のクラツド用ガ
ラス体を得ることができる。
コア用ガラス体とクラツド用ガラス体との一
体化 で得られたコア用ガラス体をで得られたパ
イプ状のクラツド用ガラス体内に挿入したのち、
外部より酸水素火炎等で加熱し、クラツド用ガラ
ス体を収縮させコア用ガラス体とクラツド用ガラ
ス体を融着・一体化させることにより、第１図に
示すような屈折率分布構造を有し、内側コアに
GeO2をクラツド部にＦを各々添加した分散シフ
トフアイバ用母材を作製することができる。
体化 で得られたコア用ガラス体をで得られたパ
イプ状のクラツド用ガラス体内に挿入したのち、
外部より酸水素火炎等で加熱し、クラツド用ガラ
ス体を収縮させコア用ガラス体とクラツド用ガラ
ス体を融着・一体化させることにより、第１図に
示すような屈折率分布構造を有し、内側コアに
GeO2をクラツド部にＦを各々添加した分散シフ
トフアイバ用母材を作製することができる。
なお、上記ないしの工程で作製した母材の
外周部にさらにスート体を堆積させ、で述べた
ようにスート体部にＦ添加をし、透明ガラス化処
理を施すことにより、フアイバ最外層までＦを均
一に添加させた構造を有する分散シフトフアイバ
と同一の断面構造を有する母材を作製することが
でき、さらにこの母材を線引することにより分散
シフトフアイバを作製することができる。
外周部にさらにスート体を堆積させ、で述べた
ようにスート体部にＦ添加をし、透明ガラス化処
理を施すことにより、フアイバ最外層までＦを均
一に添加させた構造を有する分散シフトフアイバ
と同一の断面構造を有する母材を作製することが
でき、さらにこの母材を線引することにより分散
シフトフアイバを作製することができる。
或いは、ないしの工程で作製した母材を
と同様の工程で作製したＦを添加したガラスパイ
プ内に挿入一体化することによつてもフアイバ最
外層までＦを均一に添加した構造を有する分散シ
フトフアイバと同一の断面構造を有する母材を作
製できる。
と同様の工程で作製したＦを添加したガラスパイ
プ内に挿入一体化することによつてもフアイバ最
外層までＦを均一に添加した構造を有する分散シ
フトフアイバと同一の断面構造を有する母材を作
製できる。
実施例
１ コア用ガラス体の作製
第２図に示した構成において内側コア用ガラス
微粒子合成用バーナー３として多重管バーナーを
用いSiCl4を120c.c.／分、GeCl4を20c.c.／分、Arを
2.5／分、H2を３／分、O2を6.0／分供給
し、外側コア用ガラス微粒子合成用バーナー４に
SiCl4を350c.c.／分、Arを3.0／分、H2を12／
分、O2を6.0／分を供給し、外径100mm長さ500
mmのコア材用スート体を合成した。該コア材用ス
ート体をCl2：He＝１：40の雰囲気の1100℃のリ
ング状電気炉中で５mm／分の速度で通過させ脱水
処理をしたのち、Heのみの雰囲気の1600℃のリ
ング状電気炉中で４mm／分の速度で通過させ、外
径40mm、長さ200mmの透明ガラス化したコア用ガ
ラス体を得た。このコア用ガラス体をリング状の
電気抵抗炉により1850℃に加熱し、外径４mmに延
伸し、長さ約300mmずつに分割した。このコア用
ガラス材の屈折率分布構造を第３図に示す。この
コア用ガラス材は、表面の汚れを取るため10％の
HF液にて約３時間洗浄した。
微粒子合成用バーナー３として多重管バーナーを
用いSiCl4を120c.c.／分、GeCl4を20c.c.／分、Arを
2.5／分、H2を３／分、O2を6.0／分供給
し、外側コア用ガラス微粒子合成用バーナー４に
SiCl4を350c.c.／分、Arを3.0／分、H2を12／
分、O2を6.0／分を供給し、外径100mm長さ500
mmのコア材用スート体を合成した。該コア材用ス
ート体をCl2：He＝１：40の雰囲気の1100℃のリ
ング状電気炉中で５mm／分の速度で通過させ脱水
処理をしたのち、Heのみの雰囲気の1600℃のリ
ング状電気炉中で４mm／分の速度で通過させ、外
径40mm、長さ200mmの透明ガラス化したコア用ガ
ラス体を得た。このコア用ガラス体をリング状の
電気抵抗炉により1850℃に加熱し、外径４mmに延
伸し、長さ約300mmずつに分割した。このコア用
ガラス材の屈折率分布構造を第３図に示す。この
コア用ガラス材は、表面の汚れを取るため10％の
HF液にて約３時間洗浄した。
２ クラツド用ガラス体の作製
VAD法により外径120mm長さ600mmの純粋SiO2
からなるスート体を作成し、このスート体を
SiF4：Cl2：He＝0.08：0.15：15の雰囲気の1150
℃に加熱したリング状電気抵抗炉内を２mm／分で
通過させ、該スート体に脱水及びＦ程加処理を施
し、さらにSiF4：He＝0.08：15の雰囲気の1600
℃に加熱したリング状電気抵抗炉内を６mm／分で
通過させて透明ガラス化し、Ｆが約0.65重量％添
加されたクラツド用ガラス体を得た。この時のク
ラツド用ガラス体の寸法は外径50mm、長さ280mm
であつた。このクラツド用ガラス体の中央部に超
音波穿孔機により直径８mmの穴をあけたのち酸水
素火炎により加熱延伸し、外径25mm、内径４mm、
長さ1120mmのパイプ状クラツド用ガラスとした。
これを長さ280mmずつに分割した。さらに該クラ
ツドパイプ内部にSF6200c.c.／分、O2を600c.c.／分
流しつつ外部より酸水素バーナーで加熱し内表面
をエツチングしつつ平滑化処理を行い、内径を６
mmとした。
からなるスート体を作成し、このスート体を
SiF4：Cl2：He＝0.08：0.15：15の雰囲気の1150
℃に加熱したリング状電気抵抗炉内を２mm／分で
通過させ、該スート体に脱水及びＦ程加処理を施
し、さらにSiF4：He＝0.08：15の雰囲気の1600
℃に加熱したリング状電気抵抗炉内を６mm／分で
通過させて透明ガラス化し、Ｆが約0.65重量％添
加されたクラツド用ガラス体を得た。この時のク
ラツド用ガラス体の寸法は外径50mm、長さ280mm
であつた。このクラツド用ガラス体の中央部に超
音波穿孔機により直径８mmの穴をあけたのち酸水
素火炎により加熱延伸し、外径25mm、内径４mm、
長さ1120mmのパイプ状クラツド用ガラスとした。
これを長さ280mmずつに分割した。さらに該クラ
ツドパイプ内部にSF6200c.c.／分、O2を600c.c.／分
流しつつ外部より酸水素バーナーで加熱し内表面
をエツチングしつつ平滑化処理を行い、内径を６
mmとした。
３ コア用ガラス体とクラツド用ガラス体の一体
化 １）で得られたコア用ガラス体を２）で得られ
たクラツド用パイプ内に挿入したのち外部より酸
水素炎により加熱し、コア用ガラス体表面及びク
ラツド用ガラス体内表面の清浄化処理を行つたの
ち、クラツド用ガラスパイプを加熱収縮させコア
用ガラス体とクラツド用ガラス体を溶着一体化さ
せた。このようにして得られた母材の屈折率分布
を第４図に示す。
化 １）で得られたコア用ガラス体を２）で得られ
たクラツド用パイプ内に挿入したのち外部より酸
水素炎により加熱し、コア用ガラス体表面及びク
ラツド用ガラス体内表面の清浄化処理を行つたの
ち、クラツド用ガラスパイプを加熱収縮させコア
用ガラス体とクラツド用ガラス体を溶着一体化さ
せた。このようにして得られた母材の屈折率分布
を第４図に示す。
４ その後の工程
１）ないし３）にて得られた母材を外径15mmに
延伸し第５図に示すような構成にて、該母材の外
周部に純粋SiO2からなるスート体を堆積したの
ち、２）で示した条件でスート体部分にＦを添加
するとともにスート体部分を透明ガラス化するこ
とにより第６図に示すような構造を有するプリフ
オームを得た。なお第５図において１０はガラス
微粒子合成用バーナー、１１は１）ないし３）に
て得られた母材を外径15mmに延伸したもの、１２
はスート体、１３は支持用ダミー棒である、該プ
リフオームを外径125μmに線引し分散シフトフア
イバを得た。このフアイバの零分散波長は
1.552μm、1.55μmでの伝送損失は0.25dB／Kmであ
り、実用上問題のない特性が得られた。
延伸し第５図に示すような構成にて、該母材の外
周部に純粋SiO2からなるスート体を堆積したの
ち、２）で示した条件でスート体部分にＦを添加
するとともにスート体部分を透明ガラス化するこ
とにより第６図に示すような構造を有するプリフ
オームを得た。なお第５図において１０はガラス
微粒子合成用バーナー、１１は１）ないし３）に
て得られた母材を外径15mmに延伸したもの、１２
はスート体、１３は支持用ダミー棒である、該プ
リフオームを外径125μmに線引し分散シフトフア
イバを得た。このフアイバの零分散波長は
1.552μm、1.55μmでの伝送損失は0.25dB／Kmであ
り、実用上問題のない特性が得られた。
本発明は単なるVAD法では作製が難しかつた
コア中央にGeO2をクラツドにＦを撰択的に添加
した階段状屈折率分布を有する分散シフトフアイ
バを、コア部とクラツド部のガラス体を別個に作
製しこれらを一体化させることによつて実現させ
ることが可能とするもので、本発明による分散シ
フトフアイバは、1.5μm帯で零分散であり伝送損
失特性も優れたものである。
コア中央にGeO2をクラツドにＦを撰択的に添加
した階段状屈折率分布を有する分散シフトフアイ
バを、コア部とクラツド部のガラス体を別個に作
製しこれらを一体化させることによつて実現させ
ることが可能とするもので、本発明による分散シ
フトフアイバは、1.5μm帯で零分散であり伝送損
失特性も優れたものである。
第１図は本発明の分散シフトフアイバの段階状
屈折率分布構造を示す模式図、第２図は本発明に
おけるコア用スート体作製の実施態様を概略説明
する概念図、第３図は本発明の実施例で製造した
コア用ガラス体の屈折率分布構造を示す模式図、
第４図は本発明の実施例におけるクラツド用ガラ
ス体とコア用ガラス体を一体化させた時の屈折率
分布構造を示す模式図、第５図は本発明の実施例
においてクラツド用ガラス体の外周部にさらにス
ート体を合成する際の構成を説明する概念図、第
６図は本発明の実施例で得られたプリフオームの
屈折率分布構造を示す模式図である。
屈折率分布構造を示す模式図、第２図は本発明に
おけるコア用スート体作製の実施態様を概略説明
する概念図、第３図は本発明の実施例で製造した
コア用ガラス体の屈折率分布構造を示す模式図、
第４図は本発明の実施例におけるクラツド用ガラ
ス体とコア用ガラス体を一体化させた時の屈折率
分布構造を示す模式図、第５図は本発明の実施例
においてクラツド用ガラス体の外周部にさらにス
ート体を合成する際の構成を説明する概念図、第
６図は本発明の実施例で得られたプリフオームの
屈折率分布構造を示す模式図である。
Claims (1)
- １ VAD法によりGeO2を含有するSiO2からなる
中央層と該中央層を取り囲む実質的に純粋な
SiO2からなる外層部からなるスート体を作成し、
該スート体を脱水及び焼結した透明ガラス体をＨ
原子を含まない雰囲気中で延伸し、中央部の
GeO2含有部とその外側の実質的に純粋SiO2から
なる部分からなる２重構造を有するコア用母材を
作成する工程と、VAD法により実質的に純粋な
SiO2からなるスート体を作成し、該スート体を
弗素を含有する雰囲気中で高温で加熱処理して弗
素をスート体に添加し、これを焼結することによ
り得られた透明ガラス体の中央部を穿孔し、必要
に応じて延伸し、弗素を含有したSiO2からなる
円筒状のクラツド用母材を作成する工程と、該コ
ア用母材を該クラツド用母材中に挿入し両者を加
熱一体化する工程を含むことを特徴とする分散シ
フトシングルモード光フアイバの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61133762A JPS62292647A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 分散シフトシングルモ−ド光フアイバの製造方法 |
| KR1019870005307A KR900003449B1 (ko) | 1986-06-11 | 1987-05-28 | 분산 시프트싱글모우드 광파이버 및 그 제조방법 |
| US07/060,176 US4822399A (en) | 1986-06-11 | 1987-06-10 | Glass preform for dispersion shifted single mode optical fiber and method for the production of the same |
| CA000539353A CA1294438C (en) | 1986-06-11 | 1987-06-10 | Glass preform for dispersion shifted single mode optical fiber and method for the production of the same |
| AU74131/87A AU592875B2 (en) | 1986-06-11 | 1987-06-11 | Glass preform for dispersion shifted single mode optical fiber and method for the production of the same |
| EP87108453A EP0249230B1 (en) | 1986-06-11 | 1987-06-11 | Glass preform for dispersion shifted single mode optical fiber and method for the production of the same |
| DE8787108453T DE3762609D1 (de) | 1986-06-11 | 1987-06-11 | Glas-vorform fuer eine dispersionsverschobene optische einzelmodenfaser und verfahren zu deren herstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61133762A JPS62292647A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 分散シフトシングルモ−ド光フアイバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62292647A JPS62292647A (ja) | 1987-12-19 |
| JPH0327491B2 true JPH0327491B2 (ja) | 1991-04-16 |
Family
ID=15112357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61133762A Granted JPS62292647A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 分散シフトシングルモ−ド光フアイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62292647A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110927862A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-03-27 | 普天线缆集团有限公司 | 一种新型弯曲不敏感g657单模光纤及其制作方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6243522B1 (en) * | 1998-12-21 | 2001-06-05 | Corning Incorporated | Photonic crystal fiber |
| WO2006043698A1 (ja) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Fujikura Ltd. | 光ファイバ及び伝送システム並びに波長多重伝送システム |
| JP6402471B2 (ja) * | 2014-04-07 | 2018-10-10 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバの製造方法 |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP61133762A patent/JPS62292647A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110927862A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-03-27 | 普天线缆集团有限公司 | 一种新型弯曲不敏感g657单模光纤及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62292647A (ja) | 1987-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900003449B1 (ko) | 분산 시프트싱글모우드 광파이버 및 그 제조방법 | |
| US4846867A (en) | Method for producing glass preform for optical fiber | |
| US4082420A (en) | An optical transmission fiber containing fluorine | |
| US4737179A (en) | Method for producing glass preform for optical fiber | |
| JPS61155225A (ja) | 光導波管製造方法 | |
| JPS60257408A (ja) | 光フアイバおよびその製造方法 | |
| JPH0425210B2 (ja) | ||
| JPH11209141A (ja) | セグメントコア光導波路プリフォームの製造方法 | |
| EP0176263B1 (en) | Optical fiber | |
| CN102149648A (zh) | 光纤母材的制造方法 | |
| JP3098828B2 (ja) | 分散シフトファイバ及びその製造方法 | |
| CN113716861A (zh) | 一种采用外气相沉积法制备弯曲不敏感光纤的方法 | |
| CA1266403A (en) | Method for producing glass preform for optical fiber containing fluorine in cladding | |
| JPH0327491B2 (ja) | ||
| JPH0479981B2 (ja) | ||
| JPH0820574B2 (ja) | 分散シフトフアイバ及びその製造方法 | |
| JPH0463365B2 (ja) | ||
| JPH0798671B2 (ja) | 光フアイバ用プリフオ−ムの製造方法 | |
| JPS63139028A (ja) | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 | |
| JPS63147840A (ja) | 石英ガラス材の製造方法 | |
| JPH0460930B2 (ja) | ||
| JP3439258B2 (ja) | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 | |
| JP2026514168A (ja) | 多孔質ガラス体から金属または金属酸化物を除去するための洗浄ステップ | |
| JPS60145927A (ja) | 光フアイバ−用母材の製造方法 | |
| JPH0453823B2 (ja) |