JPH0460934B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0460934B2 JPH0460934B2 JP62282528A JP28252887A JPH0460934B2 JP H0460934 B2 JPH0460934 B2 JP H0460934B2 JP 62282528 A JP62282528 A JP 62282528A JP 28252887 A JP28252887 A JP 28252887A JP H0460934 B2 JPH0460934 B2 JP H0460934B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- strain
- furnace core
- core tube
- nuclei
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体の熱処理工程に用いられる石
英ガラス炉芯管に関し、特に、高温における変
形、たわみあるいはそり等の不都合現象が低減さ
れた耐熱性炉芯管に関するものである。 （従来の技術） 半導体ウエーハの熱処理用治具としては高純度
で高温に耐えるということから石英ガラス部材が
汎用されているが、これについてはその使用中に
おける変形、たわみ、そりなどを防止する目的に
おいて石英ガラス部材の外表面をクリストバライ
ト層で被覆するということが提案されている（特
公昭47−1477号公報、同47−1883号公報参照）。 しかし、このクリストバライト層を有する石英
ガラス管の製造は、石英ガラス管上に粉末状の純
粋なクリストバル石をスプレーしたのち、これを
火焔処理するかあるいは炉中で加熱してこのクリ
ストバル石を石英ガラス管表面に焼付け、これを
微細結晶層に成長させるように高温下に長時間加
熱するという工程で行われるために、処理時間が
長く、この工程中に石英ガラス管がつぶれるとい
う不利があるし、このようにして得られた石英ガ
ラス管にはこのクリストバライト層がダストの原
因となるためにクリーンルーム内で使用すること
ができないという欠点もある。 （発明が解決しようとする問題点） 本発明者は、半導体工業に用いられる炉芯管の
上記のような問題点ないし欠点を解決すべく、特
に、クリストバライト層の耐熱性向上効果に着目
し、クリストバライトがダストの原因とならない
炉芯管への層形成方法について研究を重ね、実用
的に極めて望ましい炉芯管形成技術を開発した。 すなわち、本発明の課題は、改善された耐熱性
を有する、クリーンルームにおいても使用し得る
炉芯管を提供することにある。 （問題点を解決するための手段） 本発明は、特許請求の範囲に記載の構成要件を
要旨とするものである。 本発明は、特に、クリストバライト結晶に成長
するひずみ核形成剤を石英ガラス炉芯管の外表面
に附着させ、加熱により、これが管の表層部に浸
透させ、その表層部に浸透したひずみ核が半導体
の高温熱処理工程においてクリストバライト結晶
に容易に成長し、その高温での使用において変
形、ひずみ、そりなどのない望ましい耐熱性炉芯
管を形成するという技術的知見に基づくものであ
る。 本発明の石英ガラス炉芯管は、半導体工業にお
ける技術的要求に関連して、その材料としての石
英ガラスは可及的高純度のものが用いられる。半
導体は、各種金属不純物類による汚染が重大であ
り、特に、ナトリウム、カリウム、リチウムなど
のアルカリ金属類の含有量は、いずれも1ppm以
下であることが望ましく、従つて、本発明の炉芯
管は、天然水晶を溶融成形したもの、けい素化合
物の加水分解や熱分解などで形成された合成石英
ガラス母材を加熱溶融成形したものが好ましく用
いられる。これらは高い無色透明性を有する高純
度素材であるが、半導体の熱処理において要求さ
れる均熱効果を高めるために、微細気泡入りの半
透明の炉芯管として提供すこともできる。この気
泡は、真球状でもよいが、楕円球状のものは、そ
の方位によつてさらに均熱効果が高められるとい
う利点を有する。気泡の大きさは、実用的には、
楕円球状のものでは長径が15〜1000μm程度、ま
た真球では直径が10〜100μm程度である。 本発明においては、そのような炉芯管の外表面
全体にひずみ核形成剤を附着させ、加熱処理され
る。このひずみ核形成剤としては例えば亜鉛、マ
グネシウム、カルシウム、ジルコニウム、すず、
ほう素、アルミニウム、りん、アンチモンおよ
び／またはこれらの元素の一つの化合物が適して
いるが、実用的には、特にアルミニウム化合物が
好適である。そのようなアルミニウム化合物とし
ては、例えば、塩化アルミニウム、硫酸アルミニ
ウム、硝酸アルミニウム、酢酸アルミニウム等の
水に溶解する塩類が好ましく用いられる。これら
は、通常、適当な濃度に水に溶解して炉芯管表面
に塗布、附着される。その附着量が少なすぎる
と、表層部のひずみ核の形成が少なくなり、満足
し得る改善効果が得られないし、多すぎると石英
ガラス部材の表面が失透する。 また、この加熱処理はこの石英ガラス部材を直
接火焔で加熱するか電気炉中で加熱すればよい
が、この加熱温度は1000℃以下では核形成が行わ
れないので、1000℃以上、好ましくは1200〜1300
℃とし、この温度で10分〜10時間加熱するように
すればよく、この成形品が管状体で高温加熱によ
つて管がつぶれるおそれがある場合にはこの成形
品を適宜回転させることがよい。 このように処理された石英ガラス部材はその表
面に付着した核形成剤がガラス層内に浸透し、加
熱によつてガラス層内に核が形成されるのである
が、このひずみ核はその大きさが5μm以下のもの
ではクリストバライト結晶に成長するのに長時間
を要するので効果がない。一方、1000μmよりも
大きくなるともはや本発明が目的とするひずみ核
ではなく、すでにクリストバライト結晶層をもつ
た石英ガラス部材製品となつてしまうので、本発
明におけるひずみ核は1000μm以下のものとされ
る。 このひずみ核を含有する石英ガラス部材は高温
時における機械的強度の大きいものになるのであ
るが、そのひずみ核は外表面から100μmの深さの
ところに存在していればよい。ひずみ核の存在数
についてはこれが核となつてクリストバライト結
晶が成長されるものであることから、あまり少な
くては効果が薄くなり、10000個／mm3以上とする
と外表面までクリストバライトとなつてしまつて
ダストの原因となり、クリーンルーム内で使用す
ることができなくなるので、１mm3当り10〜10000
個、好ましくは100〜5000個の範囲となるように
することがよい。 本発明の石英ガラス炉芯管の表層部に存在させ
るひずみ核は、その表層部を、例えば、二枚の偏
光フイルターを直交状に重ね合わせ、これを通し
て偏光顕微鏡で観察することにより容易に確認す
ることができる。石英ガラス中にひずみ核が形成
されると、貼付図面第１図及び第２図の写真から
判るように、ひずみ核の周囲が星のように明るく
輝いてその存在が明確にされ、その焦点距離を順
次、特定長だけ移動させて観察することにより単
位体積あたりの存在核数を確認することができ
る。ひずみ核がない場合には、観察面全体が暗
く、核らしきものの存在は全く認められない。 （発明の効果） 本発明の石英ガラス部材はそのガラス層中に高
温下でクリストバライト結晶に成長するひずみ核
を含有しているので、これを半導体工業における
ウエーハ処理用などに使用するとこの処理が比較
的高温で行われることからこのガラス層中にクリ
ストバライト結晶が比較的すみやかに成長し、こ
れによつて機械的強度の大きいものとなるので、
これが使用中にたわんだり、変形したり、そると
いうことがなくなるという有利性をもつものであ
る。 （実施例） つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１〜５，比較例１〜５ 天然水晶を酸水素火焔で溶融して外径202mm、
厚さ６mmの透明石英ガラス製炉芯管１を作り、ま
た天然石英を電気溶融して微細気泡入りの半透明
な石英ガラス製炉芯管２を作つた。一方、上記と
同様にして作つた炉芯管１および２についてこれ
らの外表面に塩化アルミニウムの水溶液を塗布
し、ついで加熱処理することにより、外表面から
75μmのところのアルミニウム平均濃度が200ppm
である透明石英ガラス製炉芯管３、および微細気
泡入り半透明の石英ガラス製炉芯管４を作つた。 つぎに、この炉芯管３，４から長さ20mmのリン
グを切り出してリング、リングを作り、この
リングを箱型電気炉内の石英ガラス炉床板上に横
向きに置き、1250℃で10時間または1300℃で30分
間加熱してから取り出し冷却したものについてこ
れらのリング中に存在するひずみ核の平均濃度、
ひずみ核の大きさを測定し、外観をしらべると共
に、これらのリングについてはこれを箱型電気炉
中に立てゝ入れ1200℃で120時間加熱したときの
リングのつぶれ量を測定したところ、第１表に示
したとおりの結果が得られた。 つぎに比較のために上記における透明石英ガラ
ス製炉芯管３から得られたリングを加熱処理し
ないもの（比較例１）、リングを箱型電気炉中
に横向きにおいて1350℃で24時間加熱したもの
（比較例２）および透明石英ガラス製炉心管１か
ら得られたリングを加熱処理しないもの（比較
例５）について、そのリング中に存在しているひ
ずみ核の平均濃度、ひずみ核の大きさ、外観をし
らべると共に、上記と同じ加熱条件におけるリン
グのつぶれ量を測定したところ、第１表に併記し
たとおりの結果が得られた。 また、横型管状炉に装着し、この炉内で半導体
シリコーンウエーハの熱処理を1200℃で2000時間
行なつたところ、第２表に示したように1250℃で
10時間熱処理したもの（実施例３，４）はひずみ
核の発生が適正であり、したがつてクリストバラ
イト結晶の成長も適度であり、これによつて機械
的強度が大きくなつているのでウエーハ処理中に
たわみ、変形、そりなどが生じなかつたが、ひず
み核を発生させていない炉芯管３（比較例３）は
クリストバライト結晶の成長が始まる前の速い時
期につぶれてしまい、1350℃で24時間処理したも
の（比較例４）は横型管状炉に装着する前に外表
面がクリストバライト層になつていたために、装
着時にこれがダストの原因となり、ウエーハの歩
留りが低下した。 なお、上記で得た透明石英炉芯管１の外表面に
塩化アルミニウムの10重量％溶液を塗布し、さら
にバーナーで焼き仕上げをした炉芯管から長さ20
mmのリングを切り出し、箱型電気炉内において
1250℃で10時間加熱したのち、大気中で冷却し、
このリングの外表面から低速カツターを用いて厚
さ100μmのガラス片を切り出して、このものにつ
いての偏光顕微鏡写真をオリンパス社製の実体顕
微鏡の偏光装置を用いて倍率40倍で撮影したとこ
ろ、このひずみ核について第１図に示したとおり
の結果が得られ、この箱型電気炉における加熱を
1200℃で５時間としたものについては第２図に示
したとおりの結果が得られた。
英ガラス炉芯管に関し、特に、高温における変
形、たわみあるいはそり等の不都合現象が低減さ
れた耐熱性炉芯管に関するものである。 （従来の技術） 半導体ウエーハの熱処理用治具としては高純度
で高温に耐えるということから石英ガラス部材が
汎用されているが、これについてはその使用中に
おける変形、たわみ、そりなどを防止する目的に
おいて石英ガラス部材の外表面をクリストバライ
ト層で被覆するということが提案されている（特
公昭47−1477号公報、同47−1883号公報参照）。 しかし、このクリストバライト層を有する石英
ガラス管の製造は、石英ガラス管上に粉末状の純
粋なクリストバル石をスプレーしたのち、これを
火焔処理するかあるいは炉中で加熱してこのクリ
ストバル石を石英ガラス管表面に焼付け、これを
微細結晶層に成長させるように高温下に長時間加
熱するという工程で行われるために、処理時間が
長く、この工程中に石英ガラス管がつぶれるとい
う不利があるし、このようにして得られた石英ガ
ラス管にはこのクリストバライト層がダストの原
因となるためにクリーンルーム内で使用すること
ができないという欠点もある。 （発明が解決しようとする問題点） 本発明者は、半導体工業に用いられる炉芯管の
上記のような問題点ないし欠点を解決すべく、特
に、クリストバライト層の耐熱性向上効果に着目
し、クリストバライトがダストの原因とならない
炉芯管への層形成方法について研究を重ね、実用
的に極めて望ましい炉芯管形成技術を開発した。 すなわち、本発明の課題は、改善された耐熱性
を有する、クリーンルームにおいても使用し得る
炉芯管を提供することにある。 （問題点を解決するための手段） 本発明は、特許請求の範囲に記載の構成要件を
要旨とするものである。 本発明は、特に、クリストバライト結晶に成長
するひずみ核形成剤を石英ガラス炉芯管の外表面
に附着させ、加熱により、これが管の表層部に浸
透させ、その表層部に浸透したひずみ核が半導体
の高温熱処理工程においてクリストバライト結晶
に容易に成長し、その高温での使用において変
形、ひずみ、そりなどのない望ましい耐熱性炉芯
管を形成するという技術的知見に基づくものであ
る。 本発明の石英ガラス炉芯管は、半導体工業にお
ける技術的要求に関連して、その材料としての石
英ガラスは可及的高純度のものが用いられる。半
導体は、各種金属不純物類による汚染が重大であ
り、特に、ナトリウム、カリウム、リチウムなど
のアルカリ金属類の含有量は、いずれも1ppm以
下であることが望ましく、従つて、本発明の炉芯
管は、天然水晶を溶融成形したもの、けい素化合
物の加水分解や熱分解などで形成された合成石英
ガラス母材を加熱溶融成形したものが好ましく用
いられる。これらは高い無色透明性を有する高純
度素材であるが、半導体の熱処理において要求さ
れる均熱効果を高めるために、微細気泡入りの半
透明の炉芯管として提供すこともできる。この気
泡は、真球状でもよいが、楕円球状のものは、そ
の方位によつてさらに均熱効果が高められるとい
う利点を有する。気泡の大きさは、実用的には、
楕円球状のものでは長径が15〜1000μm程度、ま
た真球では直径が10〜100μm程度である。 本発明においては、そのような炉芯管の外表面
全体にひずみ核形成剤を附着させ、加熱処理され
る。このひずみ核形成剤としては例えば亜鉛、マ
グネシウム、カルシウム、ジルコニウム、すず、
ほう素、アルミニウム、りん、アンチモンおよ
び／またはこれらの元素の一つの化合物が適して
いるが、実用的には、特にアルミニウム化合物が
好適である。そのようなアルミニウム化合物とし
ては、例えば、塩化アルミニウム、硫酸アルミニ
ウム、硝酸アルミニウム、酢酸アルミニウム等の
水に溶解する塩類が好ましく用いられる。これら
は、通常、適当な濃度に水に溶解して炉芯管表面
に塗布、附着される。その附着量が少なすぎる
と、表層部のひずみ核の形成が少なくなり、満足
し得る改善効果が得られないし、多すぎると石英
ガラス部材の表面が失透する。 また、この加熱処理はこの石英ガラス部材を直
接火焔で加熱するか電気炉中で加熱すればよい
が、この加熱温度は1000℃以下では核形成が行わ
れないので、1000℃以上、好ましくは1200〜1300
℃とし、この温度で10分〜10時間加熱するように
すればよく、この成形品が管状体で高温加熱によ
つて管がつぶれるおそれがある場合にはこの成形
品を適宜回転させることがよい。 このように処理された石英ガラス部材はその表
面に付着した核形成剤がガラス層内に浸透し、加
熱によつてガラス層内に核が形成されるのである
が、このひずみ核はその大きさが5μm以下のもの
ではクリストバライト結晶に成長するのに長時間
を要するので効果がない。一方、1000μmよりも
大きくなるともはや本発明が目的とするひずみ核
ではなく、すでにクリストバライト結晶層をもつ
た石英ガラス部材製品となつてしまうので、本発
明におけるひずみ核は1000μm以下のものとされ
る。 このひずみ核を含有する石英ガラス部材は高温
時における機械的強度の大きいものになるのであ
るが、そのひずみ核は外表面から100μmの深さの
ところに存在していればよい。ひずみ核の存在数
についてはこれが核となつてクリストバライト結
晶が成長されるものであることから、あまり少な
くては効果が薄くなり、10000個／mm3以上とする
と外表面までクリストバライトとなつてしまつて
ダストの原因となり、クリーンルーム内で使用す
ることができなくなるので、１mm3当り10〜10000
個、好ましくは100〜5000個の範囲となるように
することがよい。 本発明の石英ガラス炉芯管の表層部に存在させ
るひずみ核は、その表層部を、例えば、二枚の偏
光フイルターを直交状に重ね合わせ、これを通し
て偏光顕微鏡で観察することにより容易に確認す
ることができる。石英ガラス中にひずみ核が形成
されると、貼付図面第１図及び第２図の写真から
判るように、ひずみ核の周囲が星のように明るく
輝いてその存在が明確にされ、その焦点距離を順
次、特定長だけ移動させて観察することにより単
位体積あたりの存在核数を確認することができ
る。ひずみ核がない場合には、観察面全体が暗
く、核らしきものの存在は全く認められない。 （発明の効果） 本発明の石英ガラス部材はそのガラス層中に高
温下でクリストバライト結晶に成長するひずみ核
を含有しているので、これを半導体工業における
ウエーハ処理用などに使用するとこの処理が比較
的高温で行われることからこのガラス層中にクリ
ストバライト結晶が比較的すみやかに成長し、こ
れによつて機械的強度の大きいものとなるので、
これが使用中にたわんだり、変形したり、そると
いうことがなくなるという有利性をもつものであ
る。 （実施例） つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１〜５，比較例１〜５ 天然水晶を酸水素火焔で溶融して外径202mm、
厚さ６mmの透明石英ガラス製炉芯管１を作り、ま
た天然石英を電気溶融して微細気泡入りの半透明
な石英ガラス製炉芯管２を作つた。一方、上記と
同様にして作つた炉芯管１および２についてこれ
らの外表面に塩化アルミニウムの水溶液を塗布
し、ついで加熱処理することにより、外表面から
75μmのところのアルミニウム平均濃度が200ppm
である透明石英ガラス製炉芯管３、および微細気
泡入り半透明の石英ガラス製炉芯管４を作つた。 つぎに、この炉芯管３，４から長さ20mmのリン
グを切り出してリング、リングを作り、この
リングを箱型電気炉内の石英ガラス炉床板上に横
向きに置き、1250℃で10時間または1300℃で30分
間加熱してから取り出し冷却したものについてこ
れらのリング中に存在するひずみ核の平均濃度、
ひずみ核の大きさを測定し、外観をしらべると共
に、これらのリングについてはこれを箱型電気炉
中に立てゝ入れ1200℃で120時間加熱したときの
リングのつぶれ量を測定したところ、第１表に示
したとおりの結果が得られた。 つぎに比較のために上記における透明石英ガラ
ス製炉芯管３から得られたリングを加熱処理し
ないもの（比較例１）、リングを箱型電気炉中
に横向きにおいて1350℃で24時間加熱したもの
（比較例２）および透明石英ガラス製炉心管１か
ら得られたリングを加熱処理しないもの（比較
例５）について、そのリング中に存在しているひ
ずみ核の平均濃度、ひずみ核の大きさ、外観をし
らべると共に、上記と同じ加熱条件におけるリン
グのつぶれ量を測定したところ、第１表に併記し
たとおりの結果が得られた。 また、横型管状炉に装着し、この炉内で半導体
シリコーンウエーハの熱処理を1200℃で2000時間
行なつたところ、第２表に示したように1250℃で
10時間熱処理したもの（実施例３，４）はひずみ
核の発生が適正であり、したがつてクリストバラ
イト結晶の成長も適度であり、これによつて機械
的強度が大きくなつているのでウエーハ処理中に
たわみ、変形、そりなどが生じなかつたが、ひず
み核を発生させていない炉芯管３（比較例３）は
クリストバライト結晶の成長が始まる前の速い時
期につぶれてしまい、1350℃で24時間処理したも
の（比較例４）は横型管状炉に装着する前に外表
面がクリストバライト層になつていたために、装
着時にこれがダストの原因となり、ウエーハの歩
留りが低下した。 なお、上記で得た透明石英炉芯管１の外表面に
塩化アルミニウムの10重量％溶液を塗布し、さら
にバーナーで焼き仕上げをした炉芯管から長さ20
mmのリングを切り出し、箱型電気炉内において
1250℃で10時間加熱したのち、大気中で冷却し、
このリングの外表面から低速カツターを用いて厚
さ100μmのガラス片を切り出して、このものにつ
いての偏光顕微鏡写真をオリンパス社製の実体顕
微鏡の偏光装置を用いて倍率40倍で撮影したとこ
ろ、このひずみ核について第１図に示したとおり
の結果が得られ、この箱型電気炉における加熱を
1200℃で５時間としたものについては第２図に示
したとおりの結果が得られた。
【表】
第１図及び第２図は、いずれも本発明の石英ガ
ラス部材のひずみ核の粒子構造を示す偏光顕微鏡
写真である。
ラス部材のひずみ核の粒子構造を示す偏光顕微鏡
写真である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高温下でクリストバライト結晶に成長し得る
５〜1000μmの大きさのひずみ核をガラスの外表
面から100μmまでのガラス表層中に１mm3当り10〜
10000個存在させて成る石英ガラス炉芯管。 ２ ひずみ核形成剤としてアルミニウム化合物を
透明もしくは微細気泡入り半透明の石英ガラス炉
芯管の外表面に附着させ、加熱してその炉芯管の
表層中に浸透させてなる特許請求の範囲第１項記
載の石英ガラス炉芯管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28252887A JPH01126238A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 石英ガラス炉芯管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28252887A JPH01126238A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 石英ガラス炉芯管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01126238A JPH01126238A (ja) | 1989-05-18 |
| JPH0460934B2 true JPH0460934B2 (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=17653631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28252887A Granted JPH01126238A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 石英ガラス炉芯管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01126238A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5096857A (en) * | 1990-10-22 | 1992-03-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Chemically stabilized cristobalite |
| EP0854116B1 (en) * | 1995-02-28 | 2001-01-24 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Cristobalite-contained silica glass, and silica glass jig made of same |
| US7118789B2 (en) | 2001-07-16 | 2006-10-10 | Heraeus Shin-Etsu America | Silica glass crucible |
| US6641663B2 (en) | 2001-12-12 | 2003-11-04 | Heracus Shin-Estu America | Silica crucible with inner layer crystallizer and method |
| US6875515B2 (en) * | 2002-05-10 | 2005-04-05 | General Electric Company | Fused quartz article having controlled devitrification |
| JP5050363B2 (ja) * | 2005-08-12 | 2012-10-17 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 半導体シリコン基板用熱処理治具およびその製作方法 |
| US7427327B2 (en) | 2005-09-08 | 2008-09-23 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Silica glass crucible with barium-doped inner wall |
| US7383696B2 (en) | 2005-09-08 | 2008-06-10 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Silica glass crucible with bubble-free and reduced bubble growth wall |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2038564C3 (de) * | 1970-08-04 | 1973-09-13 | Heraeus Schott Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Quarzglasgeräteteil, insbesondere Quarzglasrohr, mit in seiner Außenoberflächenschicht enthaltenen, Kristallbildung fördernden Keimen zur Verwendung bei hohen Temperaturen, insbesondere für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren |
| DE2530808A1 (de) * | 1975-07-10 | 1977-01-27 | Bayer Ag | Chrom- und/oder mangan-modifiziertes quarzglas bzw. cristobalit, insbesondere fuer die herstellung von fasern |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP28252887A patent/JPH01126238A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01126238A (ja) | 1989-05-18 |
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