JPH046103A - ダイヤモンドの合成方法 - Google Patents
ダイヤモンドの合成方法Info
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- JPH046103A JPH046103A JP2104768A JP10476890A JPH046103A JP H046103 A JPH046103 A JP H046103A JP 2104768 A JP2104768 A JP 2104768A JP 10476890 A JP10476890 A JP 10476890A JP H046103 A JPH046103 A JP H046103A
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- carbides
- carbide
- tire
- diamond
- kpa
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ダイヤモンドの合成方法に関する。
さらに詳しく言うと、本発明は、たとえば、研磨剤、切
削工具、耐摩耗性工具等の超硬工具、電気・電子材料な
どの各種のダイヤモンド利用材料としで、あるいはCV
D法等の気相合成法によるダイヤモンド類の合成の際の
核剤などとしで、広範囲の分野に利用することかてきる
ダイヤモンドもしくは基材付きダイヤモンドを、金属炭
化物または半金属炭化物から温和な条件て安価に製造す
る方法に関する。
削工具、耐摩耗性工具等の超硬工具、電気・電子材料な
どの各種のダイヤモンド利用材料としで、あるいはCV
D法等の気相合成法によるダイヤモンド類の合成の際の
核剤などとしで、広範囲の分野に利用することかてきる
ダイヤモンドもしくは基材付きダイヤモンドを、金属炭
化物または半金属炭化物から温和な条件て安価に製造す
る方法に関する。
[従来の技術と発明か解決しようとする課題]ダイヤモ
ンドは、現存する物質の中て最も硬く、かつ熱伝導性、
電気絶縁性等にも優れた材料であることから、工業上極
めて有用な材料てあり、たとえば、研磨剤、切削工具、
耐摩耗性工具等の超硬工具、電気・電子材料などの広範
囲の分野に利用されている。
ンドは、現存する物質の中て最も硬く、かつ熱伝導性、
電気絶縁性等にも優れた材料であることから、工業上極
めて有用な材料てあり、たとえば、研磨剤、切削工具、
耐摩耗性工具等の超硬工具、電気・電子材料などの広範
囲の分野に利用されている。
このような各種のタイヤセント材料には、天然産のダイ
ヤモンドも利用されるか、天然産のものは高価である上
、基材との′f、着性を保持し難いなとの種々の欠点か
あることから、近年、タイヤセント被覆部材をはじめと
する各種の工業用ダイヤモンド材料には、合成ダイヤモ
ンドもしくはダイヤモンド膜の利用か一般化しつつあり
、そのため種々の合成方法の開発研究か盛んになされて
きている。
ヤモンドも利用されるか、天然産のものは高価である上
、基材との′f、着性を保持し難いなとの種々の欠点か
あることから、近年、タイヤセント被覆部材をはじめと
する各種の工業用ダイヤモンド材料には、合成ダイヤモ
ンドもしくはダイヤモンド膜の利用か一般化しつつあり
、そのため種々の合成方法の開発研究か盛んになされて
きている。
こうしたダイヤモンドあるいは基材付きタイヤセント(
タイヤセント類膜)の合成方法としては、従来、高温・
高圧を用いる方法、炭素源カスを利用するCVD法等の
気相合成法などが知られている。
タイヤセント類膜)の合成方法としては、従来、高温・
高圧を用いる方法、炭素源カスを利用するCVD法等の
気相合成法などが知られている。
しかしなから、こうした高温・高圧法および気相合成法
はいずれも、コスト高となったり、得られるダイヤモン
ドもしくはタイヤモント類膜の特性か必ずしも満足てな
いなどの問題かあり、利用上の大きな制限かある。
はいずれも、コスト高となったり、得られるダイヤモン
ドもしくはタイヤモント類膜の特性か必ずしも満足てな
いなどの問題かあり、利用上の大きな制限かある。
ところで、ダイヤモンドの合成には、種々の原料か利用
されるか、金属炭化物を原料として用いる方法も知られ
ている。
されるか、金属炭化物を原料として用いる方法も知られ
ている。
たとえば、特開昭48−292号公報や特開昭49−5
5588号公報には、金属炭化物を原料とするダイヤモ
ンドの合成方法か開示されている。
5588号公報には、金属炭化物を原料とするダイヤモ
ンドの合成方法か開示されている。
しかしなから、これらの方法は、高温(1,300°C
以上)高圧(55,000気圧以上)下ての合成法であ
るので、装置自体か大型になる上に1回当たりの生産量
か少なく、したかって生産性か著しく悪くなり、しかも
コスト高になるなどの問題点かある。
以上)高圧(55,000気圧以上)下ての合成法であ
るので、装置自体か大型になる上に1回当たりの生産量
か少なく、したかって生産性か著しく悪くなり、しかも
コスト高になるなどの問題点かある。
一方、金属炭化物等の炭化物の酸化に関する文献は数多
くあるか、比較的低い温度ての酸化についての報告は、
C1arkらの文献[J、N、C1ark eta 1
.、Rev、Chem、Miner、、Vol、24.
No、6.pp、554〜666(1987)コのみで
ある。
くあるか、比較的低い温度ての酸化についての報告は、
C1arkらの文献[J、N、C1ark eta 1
.、Rev、Chem、Miner、、Vol、24.
No、6.pp、554〜666(1987)コのみで
ある。
しかし、この文献に記載されている方法ては、炭化物の
酸化を常圧空気(酸素分圧的20.2kPa )により
行っているので、ダイヤモンドの生成は認められていな
い。
酸化を常圧空気(酸素分圧的20.2kPa )により
行っているので、ダイヤモンドの生成は認められていな
い。
本発明は、前記の事情に鑑みてなされたものである。
本発明の目的は、金属や半金属の炭化物から、比較的低
い温度てかつ減圧下という温和な条件で、安価にダイヤ
モンドもしくは基材付きダイヤモンドを得ることかでき
る実用上著しく有用なダイヤモンドの合成方法を提供す
ることにある。
い温度てかつ減圧下という温和な条件で、安価にダイヤ
モンドもしくは基材付きダイヤモンドを得ることかでき
る実用上著しく有用なダイヤモンドの合成方法を提供す
ることにある。
[課題を解決するための手段]
本発明者らは、金属炭化物や半金属炭化物は、種類が豊
富で、取り扱いやすく、それ自体を粉末や単結晶あるい
は成形体、焼結体、薄膜等として種々の形状に加工しや
すく、しかも超硬工具あるいはその母材(基材)等とし
て一般にひろく利用されていることから、これを原料に
用いで、温和な条件てダイヤモンドもしくは基材付きダ
イヤモンドか合成てきるならば工業的に極めて重要な技
術になりつることに注目し、金属炭化物および半金属炭
化物からのダイヤモンドの合成方法、中ても特にそれら
の炭化物の酸化によるダイヤモンドの合成条件について
鋭意研究を重ねた。
富で、取り扱いやすく、それ自体を粉末や単結晶あるい
は成形体、焼結体、薄膜等として種々の形状に加工しや
すく、しかも超硬工具あるいはその母材(基材)等とし
て一般にひろく利用されていることから、これを原料に
用いで、温和な条件てダイヤモンドもしくは基材付きダ
イヤモンドか合成てきるならば工業的に極めて重要な技
術になりつることに注目し、金属炭化物および半金属炭
化物からのダイヤモンドの合成方法、中ても特にそれら
の炭化物の酸化によるダイヤモンドの合成条件について
鋭意研究を重ねた。
その結果、本発明者らは、驚くべきことに、金属炭化物
や半金属炭化物を、空気よりも低い酸素分圧てあっで、
しかも特定の比較的低い温度において酸化することによ
りダイヤモンドもしくは基材付きダイヤモンドを容易に
合成することかてきることを見出し、その知見に基づい
て本発明を完成するに至った。
や半金属炭化物を、空気よりも低い酸素分圧てあっで、
しかも特定の比較的低い温度において酸化することによ
りダイヤモンドもしくは基材付きダイヤモンドを容易に
合成することかてきることを見出し、その知見に基づい
て本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、金属炭化物または半金属炭化物を
、酸素分圧0.5〜15kPaの雰囲気中て300〜1
,000゜cで、酸化することを特徴とするダイヤモン
ドの合成方法に係る。
、酸素分圧0.5〜15kPaの雰囲気中て300〜1
,000゜cで、酸化することを特徴とするダイヤモン
ドの合成方法に係る。
本発明の方法においで、ダイヤモンドもしくは基材付き
ダイヤモンドの原料として使用する前記金属炭化物また
は半金属炭化物としては、各種のものか使用可能である
か、通常は、周期表■a族の金属元素(Ti、Zr、H
f)、Va族の金属元素(V、Nb、Ta)、Vla族
の金属元素(Cr、Mo、W) 、■a族の金属元素(
Mn等)または■族の金属元素(Fe、Co、Ni等)
、B、SiまたはAn等の炭化物を挙げることかてきる
。
ダイヤモンドの原料として使用する前記金属炭化物また
は半金属炭化物としては、各種のものか使用可能である
か、通常は、周期表■a族の金属元素(Ti、Zr、H
f)、Va族の金属元素(V、Nb、Ta)、Vla族
の金属元素(Cr、Mo、W) 、■a族の金属元素(
Mn等)または■族の金属元素(Fe、Co、Ni等)
、B、SiまたはAn等の炭化物を挙げることかてきる
。
これらの炭化物の具体例としては、たとえば、TiC等
のTi系炭化物、ZrC等のZr系炭化物、NbC等f
7)Nb系炭化物、v、C3,v5c等のV系炭化物、
TaC等のTa系炭化物Cr z C2、Cr7Cs
、 Cr、、C6等のCr系炭化物、MoC,MoC2
等のMo系炭化物、WC,WC2等のW系炭化物、Mn
:IC,Mn7Cal 、Mnt3Cg 、Mn7C2
、Mns C2等のMn系炭化物、Fe:+C等のFe
系炭化物、CO2C,CoCt等のCo系炭化物、Ni
3C等のNi系炭化物、A14Cs、A文、C6等のA
n系炭化物、SiC等のSi系炭化物、BCB、C,8
6C等のB系炭化物などを挙げることかてきる。 これ
らの中ても、特にZrC等が好ましい。
のTi系炭化物、ZrC等のZr系炭化物、NbC等f
7)Nb系炭化物、v、C3,v5c等のV系炭化物、
TaC等のTa系炭化物Cr z C2、Cr7Cs
、 Cr、、C6等のCr系炭化物、MoC,MoC2
等のMo系炭化物、WC,WC2等のW系炭化物、Mn
:IC,Mn7Cal 、Mnt3Cg 、Mn7C2
、Mns C2等のMn系炭化物、Fe:+C等のFe
系炭化物、CO2C,CoCt等のCo系炭化物、Ni
3C等のNi系炭化物、A14Cs、A文、C6等のA
n系炭化物、SiC等のSi系炭化物、BCB、C,8
6C等のB系炭化物などを挙げることかてきる。 これ
らの中ても、特にZrC等が好ましい。
なお、これらの炭化物は、一種の金属元素からなるもの
てあってもよく、二種以上の金属元素からなるものであ
ってもよい。また、これらの炭化物は、単純化合物、複
合化合物あるいは過剰炭素および/または過剰金属を含
有する不定比化合物もしくは組成物、それら一種または
二種以上からなる固溶体等の組成物または混合物であっ
てよい。さらに、これらは、本発明の目的に支障のない
範囲で、前記金属元素や半金属元素および炭素以外の他
の元素成分を含有しているものてあってもよい。すなわ
ち、これらの炭化物は、一般に炭化物類等と称される広
義の意味ての炭化物と解釈してもよい。たとえば、炭化
物と言いなからも、炭化物てありかつ窒化物や酸化物で
あるものなど、炭化物系の複合化合物や組成物等の炭化
物類てあってもよい。
てあってもよく、二種以上の金属元素からなるものであ
ってもよい。また、これらの炭化物は、単純化合物、複
合化合物あるいは過剰炭素および/または過剰金属を含
有する不定比化合物もしくは組成物、それら一種または
二種以上からなる固溶体等の組成物または混合物であっ
てよい。さらに、これらは、本発明の目的に支障のない
範囲で、前記金属元素や半金属元素および炭素以外の他
の元素成分を含有しているものてあってもよい。すなわ
ち、これらの炭化物は、一般に炭化物類等と称される広
義の意味ての炭化物と解釈してもよい。たとえば、炭化
物と言いなからも、炭化物てありかつ窒化物や酸化物で
あるものなど、炭化物系の複合化合物や組成物等の炭化
物類てあってもよい。
本発明の方法においては、タイヤセントもしくは基材付
きタイヤセントの原料としで、前記各種の炭化物(上記
の広義の意味て炭化物、以下同様)を、一種単独で使用
してもよく、あるいは二種以上を併用してもよい。
きタイヤセントの原料としで、前記各種の炭化物(上記
の広義の意味て炭化物、以下同様)を、一種単独で使用
してもよく、あるいは二種以上を併用してもよい。
また、使用に供する前記原料炭化物は、単結晶、多結晶
状、非晶質状あるいはこれらの混合状態等のいずれの形
態でも使用することかてき、その形状としても特に限定
されるものてはなく、たとえば、粉末状、繊維状、布状
、機械的成形体固溶体、焼結体等の熱的成形体などの各
種の形状の成形体、あるいはフィルム状、シート状、薄
膜状等の任意の形状あるいは形態ものとして使用するこ
とかてきる。
状、非晶質状あるいはこれらの混合状態等のいずれの形
態でも使用することかてき、その形状としても特に限定
されるものてはなく、たとえば、粉末状、繊維状、布状
、機械的成形体固溶体、焼結体等の熱的成形体などの各
種の形状の成形体、あるいはフィルム状、シート状、薄
膜状等の任意の形状あるいは形態ものとして使用するこ
とかてきる。
なお、これらは、所望に応しで、適当な母材(基材)上
に設けて使用してもよい。たとえば、超硬工具等の母材
や電子・電気材料の基板上に薄膜状もしくは層状に、あ
るいはブロック状に形成させて使用することもてきる。
に設けて使用してもよい。たとえば、超硬工具等の母材
や電子・電気材料の基板上に薄膜状もしくは層状に、あ
るいはブロック状に形成させて使用することもてきる。
本発明の方法においては、前記所定の形状の炭化物を、
酸素分圧か0.5〜15kPa (キロパスカル)の
範囲、好ましくはI〜I(lkPaの範囲にある雰囲気
中においで、200〜1,000°Cの範囲、好ましく
は200〜300℃の範囲の温度て酸化することによっ
で、所望のタイヤセントもしくは基材付きタイヤセント
を合成する。
酸素分圧か0.5〜15kPa (キロパスカル)の
範囲、好ましくはI〜I(lkPaの範囲にある雰囲気
中においで、200〜1,000°Cの範囲、好ましく
は200〜300℃の範囲の温度て酸化することによっ
で、所望のタイヤセントもしくは基材付きタイヤセント
を合成する。
ここで、酸素分圧か、0.5 kPa未満てあったり、
あるいは反応温度か300°C未満であるとタイヤセン
トの形成速度か不十分となったり、タイヤセントか形成
されないことかあり、本発明の目的を十分に達成するこ
とかてきない。一方、酸素分圧か、15kPaを超える
高い酸素分圧、あるいは反応温度か1.000℃を超え
る高い温度ては、タイヤセントか形成されなかったり、
形成されたとしてもその生成量は著しく不満足となり、
いずれにしても本発明の目的を達成することかできない
。
あるいは反応温度か300°C未満であるとタイヤセン
トの形成速度か不十分となったり、タイヤセントか形成
されないことかあり、本発明の目的を十分に達成するこ
とかてきない。一方、酸素分圧か、15kPaを超える
高い酸素分圧、あるいは反応温度か1.000℃を超え
る高い温度ては、タイヤセントか形成されなかったり、
形成されたとしてもその生成量は著しく不満足となり、
いずれにしても本発明の目的を達成することかできない
。
前記酸化に用いる酸素ガスは、純酸素を使用してもよく
、あるいは一種または二種以上の反応に支障のないガス
と酸素との混合ガスを使用してもよい。
、あるいは一種または二種以上の反応に支障のないガス
と酸素との混合ガスを使用してもよい。
この反応に支障のないガスとしては、たとえば、アルゴ
ン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ラドン
、窒素ガス等の不活性ガスを挙げることかできる。これ
らの中ても、特にアルゴン、ヘリウム等の周期表0族元
素の不活性ガスか好ましい。
ン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン、ラドン
、窒素ガス等の不活性ガスを挙げることかできる。これ
らの中ても、特にアルゴン、ヘリウム等の周期表0族元
素の不活性ガスか好ましい。
もちろん、酸素分圧か前記の範囲に調整されるならば前
記混合ガスとして空気を使用してもよい。
記混合ガスとして空気を使用してもよい。
本発明の方法においては、前記酸化は、酸素分圧か前記
の範囲に設定されているならば、加圧下、常圧、減圧下
のいずれても行うことかてきるか、通常は、減圧で行う
のか好ましい。
の範囲に設定されているならば、加圧下、常圧、減圧下
のいずれても行うことかてきるか、通常は、減圧で行う
のか好ましい。
前記酸化を行う反応時間は、使用する原料炭化物の種類
や反応温度、酸素分圧等の他の条件によって異なるのて
一律に定めることかてきないか、一般には、 1〜10
0時間、好ましくは10〜50時間程度の範囲から選ば
れる。
や反応温度、酸素分圧等の他の条件によって異なるのて
一律に定めることかてきないか、一般には、 1〜10
0時間、好ましくは10〜50時間程度の範囲から選ば
れる。
本発明の方法においで、前記酸化を行うに際して使用す
る反応方式については特に限定されるものてはない。た
とえば、供給醇化ガスについて流通式、循環式、回分式
等、あるいはこれらの組み合わせによる方式など各種の
反応方式を利用することができる。
る反応方式については特に限定されるものてはない。た
とえば、供給醇化ガスについて流通式、循環式、回分式
等、あるいはこれらの組み合わせによる方式など各種の
反応方式を利用することができる。
前記原料炭化物については、通常は回分法か適用される
か、所望に応しで、連続反応方式等の他の反応方式を適
用してもよい。
か、所望に応しで、連続反応方式等の他の反応方式を適
用してもよい。
反応装置としても、特に限定されるものてはなく、各種
のものか使用可能であるか、通常はまたとえば真空排気
可能な反応容器からなるものなどか好適に利用される。
のものか使用可能であるか、通常はまたとえば真空排気
可能な反応容器からなるものなどか好適に利用される。
本発明のタイヤセント(もしくは基材付きタイヤセント
)の合成方法に好適に使用される具体的な方法の一例を
示すと、次のとおりである。
)の合成方法に好適に使用される具体的な方法の一例を
示すと、次のとおりである。
すなわち、前記炭化物またはこれを含有する原料を、真
空排気か可能な反応容器に設置し、系内を十分に排気し
たのち、前記所定の酸素分圧を有する酸素とアルゴン等
の不活性ガスとの混合ガスを導入する。次いで、この反
応容器を、あらかしめ前記所定の温度範囲から選んだ適
当な温度に設定された加熱炉中に導入し、適当な時間、
前記酸化を実施する。
空排気か可能な反応容器に設置し、系内を十分に排気し
たのち、前記所定の酸素分圧を有する酸素とアルゴン等
の不活性ガスとの混合ガスを導入する。次いで、この反
応容器を、あらかしめ前記所定の温度範囲から選んだ適
当な温度に設定された加熱炉中に導入し、適当な時間、
前記酸化を実施する。
このようにすると、原料として用いた炭化物中の金属ま
たは半金属は、その一部あるいは全部か酸化物などに変
化し、少なくともその表面上にタイヤセントか膜状に生
成する。たとえは、原料としてZrCを用いた場合、こ
の酸化によってZrCのほとんどはZrO2となり、少
なくともそのZrO2の外表面にタイヤセント(通常、
Hexagonal diamond )か膜状に生成
する。
たは半金属は、その一部あるいは全部か酸化物などに変
化し、少なくともその表面上にタイヤセントか膜状に生
成する。たとえは、原料としてZrCを用いた場合、こ
の酸化によってZrCのほとんどはZrO2となり、少
なくともそのZrO2の外表面にタイヤセント(通常、
Hexagonal diamond )か膜状に生成
する。
以上のようにして本発明の方法て得られたタイヤセント
あるいはこれを含有する生成物は、その原料として用い
る炭化物の形態に応しで、たとえば、研磨剤、切削工具
、耐摩耗性工具等の超硬工具、電気・電子材料などの各
種のタイヤセント利用材料としで、あるいはCVD法等
の気相合成法によるタイヤセント類の合成の際の核剤な
ととしで、広範囲の分野に利用することかてきる。
あるいはこれを含有する生成物は、その原料として用い
る炭化物の形態に応しで、たとえば、研磨剤、切削工具
、耐摩耗性工具等の超硬工具、電気・電子材料などの各
種のタイヤセント利用材料としで、あるいはCVD法等
の気相合成法によるタイヤセント類の合成の際の核剤な
ととしで、広範囲の分野に利用することかてきる。
より具体的に言えば、たとえば、原料炭化物を粉末状等
として用いた場合にはそのまま研磨剤としても用いるこ
とかてきるし、あるいは原料炭化物を切削工具等の超硬
工具にふされしい形態として用いた場合には、超硬工具
あるいはそれに用いるタイヤセント被覆部材等として好
適に利用することかできる。
として用いた場合にはそのまま研磨剤としても用いるこ
とかてきるし、あるいは原料炭化物を切削工具等の超硬
工具にふされしい形態として用いた場合には、超硬工具
あるいはそれに用いるタイヤセント被覆部材等として好
適に利用することかできる。
また、本発明の方法て合成したタイヤセントあるいは基
材上のタイヤセントを核剤として用い、その面上にさら
に、たとえば、CVD法等法相気相合成法ってダイヤモ
ンドもしくはタイヤセント類を成長させることもてきる
。
材上のタイヤセントを核剤として用い、その面上にさら
に、たとえば、CVD法等法相気相合成法ってダイヤモ
ンドもしくはタイヤセント類を成長させることもてきる
。
[実施例J
次に、本発明を実施例によってさらに詳細に説明するか
1本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内て種々の変形か可能である。
1本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内て種々の変形か可能である。
(実施例1)
真空排気可能な反応容器(シリカチューブ)に、粉末状
のZrC(平均粒径31gm)を5゜mg入れ、系内を
十分に排気した後、酸素とアルゴンとの混合ガス(全圧
39.5 kPa;酸素分圧2.6kPa )を導入し
、この反に容器なあらがしめ530℃に設定した抵抗加
熱炉に装入し、200分間がけて酸化を行った。得られ
た生成物を電子線回折により分析したところ、第1図に
示す回折写真を得た。
のZrC(平均粒径31gm)を5゜mg入れ、系内を
十分に排気した後、酸素とアルゴンとの混合ガス(全圧
39.5 kPa;酸素分圧2.6kPa )を導入し
、この反に容器なあらがしめ530℃に設定した抵抗加
熱炉に装入し、200分間がけて酸化を行った。得られ
た生成物を電子線回折により分析したところ、第1図に
示す回折写真を得た。
なお、第1図においで、符合1.2,4および5は、そ
れぞれ、ZrO2(111)、Zr02(200) 、
Z r O2(220)およびZr02(311)を
示し、符合3および6は、いずれもヘキサゴナル(He
xagona I)構造のダイヤモンド(Hex D)
を示す。
れぞれ、ZrO2(111)、Zr02(200) 、
Z r O2(220)およびZr02(311)を
示し、符合3および6は、いずれもヘキサゴナル(He
xagona I)構造のダイヤモンド(Hex D)
を示す。
このようにヘキサゴナル構造のダイヤモンドか得られる
ことが分かった。
ことが分かった。
(実施例2)
酸素分圧を1.3 kPa (全圧はそのまま39.
5kPa )とし5反応時間を1200分間とした以外
は、実施例1と同様にして実施した。得られた生成物を
電子線回折法で分析した結果、ヘキサゴナルタイヤモン
トの生成か確認された。
5kPa )とし5反応時間を1200分間とした以外
は、実施例1と同様にして実施した。得られた生成物を
電子線回折法で分析した結果、ヘキサゴナルタイヤモン
トの生成か確認された。
(比較例1)
酸素分圧を(11,55kPa (全圧はそのまま39
,5kPa )とした外は前記実施例2と同様に実施し
た。得られた生成物を電子線回折法て分析した結果、ヘ
キサゴナルタイヤセントか確認されなかった。
,5kPa )とした外は前記実施例2と同様に実施し
た。得られた生成物を電子線回折法て分析した結果、ヘ
キサゴナルタイヤセントか確認されなかった。
(実施例3)
酸素分圧を7.9 kPa (全圧はそのまま39.
5kPa )とした外は前記実施例2と同様に実施した
。
5kPa )とした外は前記実施例2と同様に実施した
。
得られた生成物を電子線回折法で分析した結果、ヘキサ
ゴナルタイヤセントか確認された。
ゴナルタイヤセントか確認された。
(比較例2)
酸素分圧を15.8 kPa (全圧はそのまま39.
5kPa )とした外は前記実施例2と同様に実施した
。得られた生成物を電子線回折法て分析した結果、ヘキ
サゴナルダイヤモンドか確認されなかった。
5kPa )とした外は前記実施例2と同様に実施した
。得られた生成物を電子線回折法て分析した結果、ヘキ
サゴナルダイヤモンドか確認されなかった。
(実施例4.比較例3)
抵抗加熱炉の設定温度を300℃とした外は前記実施例
1と同様に実施した。
1と同様に実施した。
得られた生成物を電子線回折法て分析し・た結果、ヘキ
サゴナルタイヤモントか確認された。
サゴナルタイヤモントか確認された。
また、抵抗加熱炉の設定温度を1000°Cとした外は
前記実施例1と同様に実施した。この場合においても得
られた生成物を電子線回折法て分析した結果、ヘキサゴ
ナルタイヤモントか確認された。
前記実施例1と同様に実施した。この場合においても得
られた生成物を電子線回折法て分析した結果、ヘキサゴ
ナルタイヤモントか確認された。
一方、抵抗加熱炉の設定温度を200°Cにした外は前
記実施例1と同様に実施したところヘキサゴナルタイヤ
モントの生成か確認されなかった。また、抵抗加熱炉の
設定温度を1100°Cにした外は前記実施例1と同様
に実施したところ、同様にヘキサゴナルタイヤモントの
生成か確認されなかった。
記実施例1と同様に実施したところヘキサゴナルタイヤ
モントの生成か確認されなかった。また、抵抗加熱炉の
設定温度を1100°Cにした外は前記実施例1と同様
に実施したところ、同様にヘキサゴナルタイヤモントの
生成か確認されなかった。
[発明の効果]
本発明によると、金属もしくは半金属の炭化物から、比
較的低い温度てかつ減圧下という温和な条件で、タイヤ
セントもしくは基材付きタイヤセントを得ることかでき
る実用上著しく有用なタイヤセントの合成力〃:を提供
することかてきる。
較的低い温度てかつ減圧下という温和な条件で、タイヤ
セントもしくは基材付きタイヤセントを得ることかでき
る実用上著しく有用なタイヤセントの合成力〃:を提供
することかてきる。
第1図は、それぞれ、本発明の方法の例である前記実施
例1および2て得られた生成物の電子線回折写真図を示
す。 図中の符合は、 1 : Zr0z (111)、 2 : ZrO2(Zoo)、 3 ヘキサゴナル タイヤセント 4 : ZrO2(220) 5:ZrO2(311)、 6、ヘキサゴナル タイヤセント を示す。 特許出願人 出光興産株式会社 手続補正書 8.補正の内容 平成2年 8月24日 明細書の第1 7項2行〜第4行に記載
例1および2て得られた生成物の電子線回折写真図を示
す。 図中の符合は、 1 : Zr0z (111)、 2 : ZrO2(Zoo)、 3 ヘキサゴナル タイヤセント 4 : ZrO2(220) 5:ZrO2(311)、 6、ヘキサゴナル タイヤセント を示す。 特許出願人 出光興産株式会社 手続補正書 8.補正の内容 平成2年 8月24日 明細書の第1 7項2行〜第4行に記載
Claims (1)
- (1)金属炭化物または半金属炭化物を、酸素分圧0.
5〜15kPaの雰囲気中で、300〜1,000゜c
で、酸化することを特徴とするダイヤモンドの合成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2104768A JPH046103A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | ダイヤモンドの合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2104768A JPH046103A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | ダイヤモンドの合成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH046103A true JPH046103A (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=14389657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2104768A Pending JPH046103A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | ダイヤモンドの合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH046103A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016505490A (ja) * | 2012-12-05 | 2016-02-25 | ケンブリッジ エンタープライズ リミテッド | 合成ダイヤモンドの生成方法 |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP2104768A patent/JPH046103A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016505490A (ja) * | 2012-12-05 | 2016-02-25 | ケンブリッジ エンタープライズ リミテッド | 合成ダイヤモンドの生成方法 |
| JP2017160114A (ja) * | 2012-12-05 | 2017-09-14 | ケンブリッジ エンタープライズ リミテッド | 合成ダイヤモンドの生成方法 |
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