JPH0461222A - レジスト膜除去装置 - Google Patents
レジスト膜除去装置Info
- Publication number
- JPH0461222A JPH0461222A JP17162790A JP17162790A JPH0461222A JP H0461222 A JPH0461222 A JP H0461222A JP 17162790 A JP17162790 A JP 17162790A JP 17162790 A JP17162790 A JP 17162790A JP H0461222 A JPH0461222 A JP H0461222A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- plasma
- semiconductor substrate
- stage
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概 要〕
半導体基板の周辺部に形成されたレジスト膜のみを除去
″４るのに用いるＬ／シスト膜除去装置に関し、 半導体基板表面の周辺部のレジスト膜を除去する際に、
素子形成領域に形成した残存”づるし・シスト膜に住し
る障害を防止することがｉＪ能となるレジスト膜除去装
置の提供を目的とし１、Ｃ１’Ｊ′！−導体装置の製造
丁８稈のツメ・トリソグラフィ］−程において、半導体
基板の周辺部に形成されたレジスト膜を除去するレジス
ト膜除去装置において、前記１′導体基板の周辺部に形
成されたしパジス１膜に、プラズマ化したガスｌ中り、
て噴出−４る丁０段を具備するよう構成し、。
″４るのに用いるＬ／シスト膜除去装置に関し、 半導体基板表面の周辺部のレジスト膜を除去する際に、
素子形成領域に形成した残存”づるし・シスト膜に住し
る障害を防止することがｉＪ能となるレジスト膜除去装
置の提供を目的とし１、Ｃ１’Ｊ′！−導体装置の製造
丁８稈のツメ・トリソグラフィ］−程において、半導体
基板の周辺部に形成されたレジスト膜を除去するレジス
ト膜除去装置において、前記１′導体基板の周辺部に形
成されたしパジス１膜に、プラズマ化したガスｌ中り、
て噴出−４る丁０段を具備するよう構成し、。
（２〕請求項１記載のレジスト膜除去装置において１．
ガスをプラズマ化１゛るマイクロ波発生手段を具備する
よう構成する。
ガスをプラズマ化１゛るマイクロ波発生手段を具備する
よう構成する。
本発明は、半導体基板の周辺部に形成されたレジスト膜
のみを除去するのに用いるレジスト膜除去装置乙こ関４
゛るものＣある。
のみを除去するのに用いるレジスト膜除去装置乙こ関４
゛るものＣある。
半導体基板の表面にスピン−“１−［・法によりレジス
ト膜を塗布、形成した後に、この半導体基板の表面の周
辺部及び端面の不要なＬ／ジス［・膜を除去するには、
このレジスト膜の剥離液を用いてレジスト膜を除去する
湿式の除去方法が採用されているが、残存するレジス（
・膜の−・部の膜厚が極端に厚くなる障害が発生してい
る。
ト膜を塗布、形成した後に、この半導体基板の表面の周
辺部及び端面の不要なＬ／ジス［・膜を除去するには、
このレジスト膜の剥離液を用いてレジスト膜を除去する
湿式の除去方法が採用されているが、残存するレジス（
・膜の−・部の膜厚が極端に厚くなる障害が発生してい
る。
以］−のような状況から、半導体基板−１に残存するレ
ジスト膜の厚さが均等になるように、１′導体基板の周
辺部の不要なＬ・シスト膜を除りするごとが６Ｊ能なレ
ジスト膜除去袋面が要望されでいる。
ジスト膜の厚さが均等になるように、１′導体基板の周
辺部の不要なＬ・シスト膜を除りするごとが６Ｊ能なレ
ジスト膜除去袋面が要望されでいる。
［従求の技術］
従来のＬ・シスト膜除去装置を第７図に、Ｊ、り詳細に
説明する。
説明する。
従来のレジス［・膜除去装置は、第′？図に小′ずよう
な同転口丁能なステージ２６の中心と百′導体基扱ｌの
中心とを一致さセ゛で、レジスト膜２を塗布、形成した
イ′導体基板Ｉをステージ２６の表１ｈ７に載置して固
定し、Ｌ、−ジスＦ・膜２を除去ずべき゛ｆ′導体基板
■の周辺部に剥離液ζ町田する剥離液ノズル２３を設け
た装置である。
な同転口丁能なステージ２６の中心と百′導体基扱ｌの
中心とを一致さセ゛で、レジスト膜２を塗布、形成した
イ′導体基板Ｉをステージ２６の表１ｈ７に載置して固
定し、Ｌ、−ジスＦ・膜２を除去ずべき゛ｆ′導体基板
■の周辺部に剥離液ζ町田する剥離液ノズル２３を設け
た装置である。
このようなレジスト膜除去装置を用いてレジスト膜を除
去する場合には、ステージ２６を同転さゼながら、剥離
液ノズル２３からレジスト膜２の剥離ｅ＄−９４力向に
吐出してこの周辺部のＬ／シスト膜２ａ４剥離液で溶解
して除去している。
去する場合には、ステージ２６を同転さゼながら、剥離
液ノズル２３からレジスト膜２の剥離ｅ＄−９４力向に
吐出してこの周辺部のＬ／シスト膜２ａ４剥離液で溶解
して除去している。
Ｃ発明が解決しようとする課題〕
以ｊ−７説明した従来のレジスト膜除去装置においては
、剥離液を剥離液ノズルから直接半導体基析の周辺部Ｇ
二“向けて吐出ξ７ているので、剥離液が半導体基板に
当たった場合に、剥離液の飛沫が半導体基拵の素子形成
領域のレジスト膜に付着し、付着した部分のレジスト膜
が剥離されるという問題点があり、また液体による化学
処理によりレジストｇり膜除去しているので、レジスト
膜除去処理後にノズルの先端に水滴状になった剥離液が
滴干し、第８図に丞ずように残存させる素子形成領域の
レジスト膜２ｂの周辺部が膨潤してその膜厚が他の部分
のＭｌｌの２倍、オリエンブー・ジョンソラン（−の部
勺ごは３倍と厚くな、てし、まうとい・）問題＋飄があ
１．た。
、剥離液を剥離液ノズルから直接半導体基析の周辺部Ｇ
二“向けて吐出ξ７ているので、剥離液が半導体基板に
当たった場合に、剥離液の飛沫が半導体基拵の素子形成
領域のレジスト膜に付着し、付着した部分のレジスト膜
が剥離されるという問題点があり、また液体による化学
処理によりレジストｇり膜除去しているので、レジスト
膜除去処理後にノズルの先端に水滴状になった剥離液が
滴干し、第８図に丞ずように残存させる素子形成領域の
レジスト膜２ｂの周辺部が膨潤してその膜厚が他の部分
のＭｌｌの２倍、オリエンブー・ジョンソラン（−の部
勺ごは３倍と厚くな、てし、まうとい・）問題＋飄があ
１．た。
本発明は以−１，のような状況から、半導体基キル表面
の周辺部のレジスト膜を除去する＋１＝ｃ＝、−ｘイ形
成領域に形成した残存するレジスト膜に４１シる障害を
防止することがｏＪ能となるレジスト膜除去装置の櫂供
を目的と５７だものである。
の周辺部のレジスト膜を除去する＋１＝ｃ＝、−ｘイ形
成領域に形成した残存するレジスト膜に４１シる障害を
防止することがｏＪ能となるレジスト膜除去装置の櫂供
を目的と５７だものである。
〔課題を解決するだめの手段］
本発明のレジスト膜除去装置は、
し１］半導体装置の製造ｒ程のノオＩ・リソグラフィ丁
、程において、半導体基板の周辺部に形成されたレジス
ト膜を除去するレジスト膜除去装置において、この崖導
体基板の周辺部に形成されたレジスト膜に、プラズマ化
し７たガスを集中して噴出す−る手段を具備するよ・）
構成し７、 〔２］請求項、ｌ記載のレジスト脱除ノ、装置において
、ガスをプラズマ化するマイクロ波発件ニー’ｆ−段を
具備するよ・う構成４る。
、程において、半導体基板の周辺部に形成されたレジス
ト膜を除去するレジスト膜除去装置において、この崖導
体基板の周辺部に形成されたレジスト膜に、プラズマ化
し７たガスを集中して噴出す−る手段を具備するよ・）
構成し７、 〔２］請求項、ｌ記載のレジスト脱除ノ、装置において
、ガスをプラズマ化するマイクロ波発件ニー’ｆ−段を
具備するよ・う構成４る。
即ち本発明のレジスト膜除去装置においては、第１図Ｃ
コ示ずように半導体基板１の周辺部に形成されたレジス
ト膜２ａのみに、プラズマ化したガスをＷ中Ｌ２“て噴
出する手段、例えばプラズマノズル３を只倫し２、気体
によりレジスト膜除去処理を行うので、半導体基板１の
素子形成領域に残存するし・・ジス） １ＩＩ２ｂに障
害が生じるのを防止することが１〕］能となる。
コ示ずように半導体基板１の周辺部に形成されたレジス
ト膜２ａのみに、プラズマ化したガスをＷ中Ｌ２“て噴
出する手段、例えばプラズマノズル３を只倫し２、気体
によりレジスト膜除去処理を行うので、半導体基板１の
素子形成領域に残存するし・・ジス） １ＩＩ２ｂに障
害が生じるのを防止することが１〕］能となる。
〔実施例］
以Ｆ第２図〜第３図により本発明による一実施例のレジ
スト膜除去装置について、第４図へ・第６図により本発
明による他の実施例のレジスト膜除去装置について詳細
に説明する。
スト膜除去装置について、第４図へ・第６図により本発
明による他の実施例のレジスト膜除去装置について詳細
に説明する。
本発明による一実施例のレジスト膜除去装置は、第２図
にポずように、チャンバ４の内部に回転１〕■能なステ
ージ６を設け、チャンバ４の土壁を貫通し２ζプラズマ
ノズル３が、側壁を貫通し゛Ｃコンダクタンスバルブ５
を備え、チャンバ４内の空気苓排気してチャンバ４内を
真空に保つ排気管が接続されている。
にポずように、チャンバ４の内部に回転１〕■能なステ
ージ６を設け、チャンバ４の土壁を貫通し２ζプラズマ
ノズル３が、側壁を貫通し゛Ｃコンダクタンスバルブ５
を備え、チャンバ４内の空気苓排気してチャンバ４内を
真空に保つ排気管が接続されている。
このプラズマノズル３はプラズマ発生室１０に接続され
ており、このプラズマ発生室１０はマイクロ波発生装Ｗ
７とマイクロ波導入管８で接続されて”おり、このプラ
ズマ発住室１０ヘチューブｌｏａから酸素を供給し２て
いる。
ており、このプラズマ発生室１０はマイクロ波発生装Ｗ
７とマイクロ波導入管８で接続されて”おり、このプラ
ズマ発住室１０ヘチューブｌｏａから酸素を供給し２て
いる。
レジスト膜を塗布した半導体基板１の中心を一致させて
ステージ６に載置して固定し２、その周辺部の除去すべ
きレジスト膜２ａにプラズマノズル３の先端が向けられ
ているので、ステージ６を回転させながらプラズマ発生
室１０でマイクロ波によりプラズマ化し７た酸素をこの
プラズマノズル３からＬ／レジスト膜ａに叶出さセ−る
と、このプラズマ化した酸素によるドライアッシング法
によりごのレジスト膜２ａを除去することが可能となる
。
ステージ６に載置して固定し２、その周辺部の除去すべ
きレジスト膜２ａにプラズマノズル３の先端が向けられ
ているので、ステージ６を回転させながらプラズマ発生
室１０でマイクロ波によりプラズマ化し７た酸素をこの
プラズマノズル３からＬ／レジスト膜ａに叶出さセ−る
と、このプラズマ化した酸素によるドライアッシング法
によりごのレジスト膜２ａを除去することが可能となる
。
本実施例においてはコンダクタンスバルブ５の調節によ
り、チャンバ４及びプラズマ発生室１０内の圧力をｌ
Ｔｏｒｒに保っており、プラズマ発生室１０への酸素の
供給蓋’１５００ｓｅｃｍにし、マイクし２波発生装置
７からマイクロ波導入管８を経てプラズマ発生室１０に
マイクロ波を印加すると１．このプラズマ発生室１０内
で酸素原子を千とする反応種が発ノ］゛し７、プラズマ
ノズル３を通してその先端から半導体基板１の周辺部の
除去すべきレジスト膜２ｉ６−向けで吐出される。
り、チャンバ４及びプラズマ発生室１０内の圧力をｌ
Ｔｏｒｒに保っており、プラズマ発生室１０への酸素の
供給蓋’１５００ｓｅｃｍにし、マイクし２波発生装置
７からマイクロ波導入管８を経てプラズマ発生室１０に
マイクロ波を印加すると１．このプラズマ発生室１０内
で酸素原子を千とする反応種が発ノ］゛し７、プラズマ
ノズル３を通してその先端から半導体基板１の周辺部の
除去すべきレジスト膜２ｉ６−向けで吐出される。
スブージ６は５００ｒｐｍで回転させているので、半導
体基板１の周辺部全域のレジスト膜２ａを除去”づ−る
ことが可能となる。
体基板１の周辺部全域のレジスト膜２ａを除去”づ−る
ことが可能となる。
このし・シスト膜除去装置のステージ６には温度制御ｔ
＝Ｊ能なヒータが備えられＣおり、この上７に載置した
半導体基板１の温度を制御してレジスト膜除去処理速度
を一定にし２゛でいる。スう−−−ジ６の温度と半導体
基板５０枚あたりの処理時間との関係は第３図に示すよ
うに８０”Ｃの場合に２０分で、温度を」二４さセると
やや短縮されるが、はぼ同様である。
＝Ｊ能なヒータが備えられＣおり、この上７に載置した
半導体基板１の温度を制御してレジスト膜除去処理速度
を一定にし２゛でいる。スう−−−ジ６の温度と半導体
基板５０枚あたりの処理時間との関係は第３図に示すよ
うに８０”Ｃの場合に２０分で、温度を」二４さセると
やや短縮されるが、はぼ同様である。
本発明による他の実施例のレジスト膜除去装置は、第４
図に示すようにチャンバ１４の内部に回転６Ｊ能なステ
ージ１６が設りられており、チャンバ１４の上部には遮
蔽板２１が設Ｃノられている。
図に示すようにチャンバ１４の内部に回転６Ｊ能なステ
ージ１６が設りられており、チャンバ１４の上部には遮
蔽板２１が設Ｃノられている。
ステージ１６０周辺部近傍のチャンバ１４の側壁にはコ
ンダクタンスバルブ１５を備え、図示しない真空ポンプ
と接続された排気管が設けられており、室内圧はコンダ
クタンスバルブ１５の調節によりＩＴｏｒｒに保たれて
いる。
ンダクタンスバルブ１５を備え、図示しない真空ポンプ
と接続された排気管が設けられており、室内圧はコンダ
クタンスバルブ１５の調節によりＩＴｏｒｒに保たれて
いる。
第５図に詳細構造を示す遮蔽板２１はプラズマを半導体
基板１の周辺部にのみ噴出さセる噴出［”’、’、］
２１ ａを２個所に備え、半導体基板１の崖導体素子を
形成した中央部を遮賠し７、周辺部にプラズマを噴出さ
せる構造を有し２°でいる。
基板１の周辺部にのみ噴出さセる噴出［”’、’、］
２１ ａを２個所に備え、半導体基板１の崖導体素子を
形成した中央部を遮賠し７、周辺部にプラズマを噴出さ
せる構造を有し２°でいる。
この遮蔽板２１の上はプラズマ発生室２０であり２マイ
クロ波発生装置ｔ １７で発生させたマイクロ波をマイ
クロ波導入管Ｊ８により導入し、このプラズマ発生室２
０の上部のマイクロ波透過窓１９を透過さセてこのプラ
ズマ発生室２０に印加する。このプラズマ発生室２０の
側壁には酸素の供給口が設けられており、このプラズマ
発生室２０内において酸素原子を主とする反応種が発生
し、遮蔽板２１の噴出ＩＪ ２ ］、ａから噴出される
。
クロ波発生装置ｔ １７で発生させたマイクロ波をマイ
クロ波導入管Ｊ８により導入し、このプラズマ発生室２
０の上部のマイクロ波透過窓１９を透過さセてこのプラ
ズマ発生室２０に印加する。このプラズマ発生室２０の
側壁には酸素の供給口が設けられており、このプラズマ
発生室２０内において酸素原子を主とする反応種が発生
し、遮蔽板２１の噴出ＩＪ ２ ］、ａから噴出される
。
レジスト膜を塗布した半導体基板１をステージ１６に載
置して固定し、その周辺部の除去すべきレジスト膜２ａ
に噴出０２１ ａの先端が向けられ一ζいるので、ステ
ージ１６を回転させながらプラズマ発付−室２０でマイ
クロ波によりプラズマ化した酸素を噴出ＩＸ’、’、］
２１ ａからこのレジスト膜２ａに噴出させると、この
プラズマ化した酸素によるドライアッシング法によりこ
のレジスト膜２ａを除去することがｉｉＪ能となる。
置して固定し、その周辺部の除去すべきレジスト膜２ａ
に噴出０２１ ａの先端が向けられ一ζいるので、ステ
ージ１６を回転させながらプラズマ発付−室２０でマイ
クロ波によりプラズマ化した酸素を噴出ＩＸ’、’、］
２１ ａからこのレジスト膜２ａに噴出させると、この
プラズマ化した酸素によるドライアッシング法によりこ
のレジスト膜２ａを除去することがｉｉＪ能となる。
本実施例においては、酸素の供給量をＩＳＬ？！にし２
、マイクロ波発生装置１７からマイクロ波導入管１８を
経てプラズマ発生室２０にマイクロ波を印加すると、こ
のプラズマ発生室２０内で酸素原ｊ′−をｉソとする反
応種が発生し、噴出［’、］ ２１ ａの先端から１゛
導体基板１０周辺部の除去Ｊべきレジスト膜２ａＱこ向
けて噴出される。
、マイクロ波発生装置１７からマイクロ波導入管１８を
経てプラズマ発生室２０にマイクロ波を印加すると、こ
のプラズマ発生室２０内で酸素原ｊ′−をｉソとする反
応種が発生し、噴出［’、］ ２１ ａの先端から１゛
導体基板１０周辺部の除去Ｊべきレジスト膜２ａＱこ向
けて噴出される。
ステージ１６は３００ｒｐ＋ｎで回転さゼ°ζいるので
、半導体基板１０周辺部全域のレジスト膜２８を除去“
づるごとが６■能となる。
、半導体基板１０周辺部全域のレジスト膜２８を除去“
づるごとが６■能となる。
このレジスト膜除去装置のステージ１６には温度制御１
■能なし−タが備えられており、この１−に載置しまた
半導体基板ｌの温度を制御しべＩ゛レジスト膜除去処理
速度を・定にしている。スラー・−・ジ１６の温度と半
導体基板５０枚あたりの処理時間との関係は第６し１に
示す通りである。
■能なし−タが備えられており、この１−に載置しまた
半導体基板ｌの温度を制御しべＩ゛レジスト膜除去処理
速度を・定にしている。スラー・−・ジ１６の温度と半
導体基板５０枚あたりの処理時間との関係は第６し１に
示す通りである。
本発明による ・実施例及び他の実施例Ｃごより半導体
基板１の周辺部のし・シスト膜２ａを除去した後の中心
部のレジスト膜２ｈの膜厚は全て均等でありバターニン
グを行−）場合の障害発生し）なか、った。
基板１の周辺部のし・シスト膜２ａを除去した後の中心
部のレジスト膜２ｈの膜厚は全て均等でありバターニン
グを行−）場合の障害発生し）なか、った。
〔発明の効果］
以ｔ−の説明から明らかなように本発明によれば、マイ
クロ波などによりプラズマ化し、たガスを、半導体基板
の周辺部に形成された除去すべきし・シスト膜にのみ葉
中Ｕ２τ噴出させてこの１．−シスト膜を除去するので
、素子形成領域に残存させるＬ／レジスト膜膜■が肥大
化してバターニングを行う場合に障害が発生するのを防
止することが可能となる利点があり１．著し７い晶質向
上の効果が期待できるレジスト膜除去装置の提供が可能
となる。
クロ波などによりプラズマ化し、たガスを、半導体基板
の周辺部に形成された除去すべきし・シスト膜にのみ葉
中Ｕ２τ噴出させてこの１．−シスト膜を除去するので
、素子形成領域に残存させるＬ／レジスト膜膜■が肥大
化してバターニングを行う場合に障害が発生するのを防
止することが可能となる利点があり１．著し７い晶質向
上の効果が期待できるレジスト膜除去装置の提供が可能
となる。
第１図は本発明の原理図、
第２図は本発明による−・実施例の１７・ヅスト膜除去
装置の概略構造を丞ず図、 第３図は第２回のレジスト膜除去装置にお＆するステー
ジ温度と処理時間との関係を示ずし１、第４図は本発明
による他の実施例のし・ミ／スト膜除去装置の概略構造
を示″ス図、 第５図は第４図の遮蔽板の構造をｉｙ”（１図１、第６
図は第４図のレジスト膜除去装置におけるステージ温度
と処理時間との関係を示す図、第７図は従来のレジスト
膜除去装置の概略構造を丞１図、 第８図は従来のレジスト膜除去装置の問題点をボず図、 である。 図において、 １は半導体基板、 ２ａはレジスト膜、 ２ｂはレジスト膜、 を示ず。 ３はプラズマノズル、 ４．１４はチャンバ、 ５．１５は７〉′ダクタンスハルプ、 ６．１６はステージ、 ７．１７はマイクロ波発生装置、 Ｈ１〕８はマイクロ波導入管、 １９はマイクロ波透過窓、 １．０．２０はグラズマ発生室、 １０ａは千−−ブ、 ２１は遮蔽板、 ２１ａは噴出「１．４ 本発明のに１理図 第 １ 図
装置の概略構造を丞ず図、 第３図は第２回のレジスト膜除去装置にお＆するステー
ジ温度と処理時間との関係を示ずし１、第４図は本発明
による他の実施例のし・ミ／スト膜除去装置の概略構造
を示″ス図、 第５図は第４図の遮蔽板の構造をｉｙ”（１図１、第６
図は第４図のレジスト膜除去装置におけるステージ温度
と処理時間との関係を示す図、第７図は従来のレジスト
膜除去装置の概略構造を丞１図、 第８図は従来のレジスト膜除去装置の問題点をボず図、 である。 図において、 １は半導体基板、 ２ａはレジスト膜、 ２ｂはレジスト膜、 を示ず。 ３はプラズマノズル、 ４．１４はチャンバ、 ５．１５は７〉′ダクタンスハルプ、 ６．１６はステージ、 ７．１７はマイクロ波発生装置、 Ｈ１〕８はマイクロ波導入管、 １９はマイクロ波透過窓、 １．０．２０はグラズマ発生室、 １０ａは千−−ブ、 ２１は遮蔽板、 ２１ａは噴出「１．４ 本発明のに１理図 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕半導体装置の製造工程のフォトリソグラフィ工程
において、半導体基板（１）の周辺部に形成されたレジ
スト膜（２ａ）を除去するレジスト膜除去装置において
、 前記半導体基板（１）の周辺部に形成されたレジスト膜
（２ａ）に、プラズマ化したガスを集中して噴出する手
段を具備することを特徴とするレジスト膜除去装置。 〔２〕請求項１記載のレジスト膜除去装置において、ガ
スをプラズマ化するマイクロ波発生手段を具備すること
を特徴とするレジスト膜除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17162790A JPH0461222A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | レジスト膜除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17162790A JPH0461222A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | レジスト膜除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461222A true JPH0461222A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15926689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17162790A Pending JPH0461222A (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | レジスト膜除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0461222A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003083624A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | 空気調和機 |
| US20090293907A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Nancy Fung | Method of substrate polymer removal |
-
1990
- 1990-06-28 JP JP17162790A patent/JPH0461222A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003083624A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Mitsubishi Electric Corp | 空気調和機 |
| US20090293907A1 (en) * | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Nancy Fung | Method of substrate polymer removal |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3300624B2 (ja) | 基板端面の洗浄方法 | |
| US9418831B2 (en) | Method for precision cleaning and drying flat objects | |
| US5716453A (en) | Apparatus to apply photoresist primer to a wafer | |
| JPH0734890B2 (ja) | スピン・コーティング方法 | |
| US7942967B2 (en) | Method and system of coating polymer solution on a substrate in a solvent saturated chamber | |
| JP2021119001A (ja) | ラッカーで基板を被覆する方法およびラッカー層を平坦化するための装置 | |
| US20050109369A1 (en) | Method to use a laser to perform the edge clean operation on a semiconductor wafer | |
| US6598314B1 (en) | Method of drying wafers | |
| JPH0461222A (ja) | レジスト膜除去装置 | |
| JP4147721B2 (ja) | 洗浄装置及びエッチング装置並びに洗浄方法及びエッチング方法 | |
| JP2003017464A (ja) | 半導体ウェーハの片面エッチング方法およびその装置 | |
| JP2558490B2 (ja) | 現像装置 | |
| JP2008171923A (ja) | ウェハ洗浄装置、ウェハ洗浄方法 | |
| JP2537611B2 (ja) | 塗布材料の塗布装置 | |
| JPH01253923A (ja) | 塗布膜除去装置 | |
| JPH01200623A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2004356486A (ja) | 有機物除去方法および装置 | |
| JP2624426B2 (ja) | 角形基板の洗浄装置 | |
| JPH0263289B2 (ja) | ||
| JPH0361510B2 (ja) | ||
| JPH02116130A (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| JPH01283930A (ja) | ウエハチヤツク | |
| JPH07110996B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS5972725A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPH1079334A (ja) | 半導体基板の塗布膜除去装置 |