JPH0461309A - 織物構造インダクタンス素子 - Google Patents
織物構造インダクタンス素子Info
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- JPH0461309A JPH0461309A JP17309590A JP17309590A JPH0461309A JP H0461309 A JPH0461309 A JP H0461309A JP 17309590 A JP17309590 A JP 17309590A JP 17309590 A JP17309590 A JP 17309590A JP H0461309 A JPH0461309 A JP H0461309A
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- magnetic
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、マイクロ化に好適する高周波数帯で用いる
インダクタやトランス等の織物構造インダクタンス素子
に関するものである。
インダクタやトランス等の織物構造インダクタンス素子
に関するものである。
[従来の技術]
第4図は例えば特開昭61−219114号公報に示さ
れた、従来の織物構造インダクタンス素子の概略構成図
である。図中のインダクタンス素子には説明の便宜上、
インダクタを取り上げている。図中1は伸線が可能な金
属磁性線、2は1本あるいは複数本の磁性線1で構成さ
れる磁心であり、□織物構造の経糸となっている。3は
絶縁被覆された励磁導体線である。今、磁性線1を経糸
とし、励磁導体線3を緯糸として長尺の帯状の織布を作
製した後、所要の長さに磁性線1よりなる磁心2を切断
すれば容易にインダクタンスを作製できる。このインダ
クタンスにおいては図中の矢印iの方向に励磁導体線3
中を電流iが流れると、磁心2には矢印Hで示すように
隣接磁心2間で相互に逆向きに磁界が励起される。この
結果、各磁心2の先端からの婦洩磁束は点線の矢印Φで
示すように隣接磁心2の先端に容易に流入でき、全体的
には反磁界の小さい準閉磁路が磁性!111により形成
されていることになる。即ち磁心2の透磁率の増加にほ
ぼ比例して大きなインダクタンスを効果的を得ることが
できる。しかも磁心2を形成する磁性線1の直径を細く
すると磁心2を流れる渦電流を減少させ、損失を小さく
でき高周波帯での使用が可能となる。
れた、従来の織物構造インダクタンス素子の概略構成図
である。図中のインダクタンス素子には説明の便宜上、
インダクタを取り上げている。図中1は伸線が可能な金
属磁性線、2は1本あるいは複数本の磁性線1で構成さ
れる磁心であり、□織物構造の経糸となっている。3は
絶縁被覆された励磁導体線である。今、磁性線1を経糸
とし、励磁導体線3を緯糸として長尺の帯状の織布を作
製した後、所要の長さに磁性線1よりなる磁心2を切断
すれば容易にインダクタンスを作製できる。このインダ
クタンスにおいては図中の矢印iの方向に励磁導体線3
中を電流iが流れると、磁心2には矢印Hで示すように
隣接磁心2間で相互に逆向きに磁界が励起される。この
結果、各磁心2の先端からの婦洩磁束は点線の矢印Φで
示すように隣接磁心2の先端に容易に流入でき、全体的
には反磁界の小さい準閉磁路が磁性!111により形成
されていることになる。即ち磁心2の透磁率の増加にほ
ぼ比例して大きなインダクタンスを効果的を得ることが
できる。しかも磁心2を形成する磁性線1の直径を細く
すると磁心2を流れる渦電流を減少させ、損失を小さく
でき高周波帯での使用が可能となる。
[発明が解決しようとする課題]
織物構造において磁性線が長い場合には反磁界の影響を
無視することができ、磁心に励起される磁界により隣接
磁心間で相互に逆向きに励起されるため隣接磁心間で磁
性線にとり準閉磁路が形成される。しかし、マイクロ化
に伴いインダクタンス素子全体のサイズが小さくなった
場合には、磁性線の長さは短くなり従って反磁界の影響
を無視できなくなる。すなわち、反磁界が大きくなるた
め励起される磁界は弱められるためにインダクタンスが
劣化する問題があった。
無視することができ、磁心に励起される磁界により隣接
磁心間で相互に逆向きに励起されるため隣接磁心間で磁
性線にとり準閉磁路が形成される。しかし、マイクロ化
に伴いインダクタンス素子全体のサイズが小さくなった
場合には、磁性線の長さは短くなり従って反磁界の影響
を無視できなくなる。すなわち、反磁界が大きくなるた
め励起される磁界は弱められるためにインダクタンスが
劣化する問題があった。
そこで、本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、
サイズが小さくなった場合にも磁性線による反磁界の影
響を小さくしてインダクタンスの劣゛化を防止し得る織
物構造インダクタンス素子を提供することを目的とする
。
サイズが小さくなった場合にも磁性線による反磁界の影
響を小さくしてインダクタンスの劣゛化を防止し得る織
物構造インダクタンス素子を提供することを目的とする
。
[課題を解決するための手段及び作用]本発明は上記課
題を解決するために、磁性線を経糸とし、絶縁膜で被覆
した励磁導体と磁性線とを緯糸として織物状に構成した
ことを特徴とするもので、緯糸を絶縁膜で被覆した励磁
導体と磁性線とで構成することにより、経糸磁心と緯糸
磁心により閉磁路を作るようにしたものである。
題を解決するために、磁性線を経糸とし、絶縁膜で被覆
した励磁導体と磁性線とを緯糸として織物状に構成した
ことを特徴とするもので、緯糸を絶縁膜で被覆した励磁
導体と磁性線とで構成することにより、経糸磁心と緯糸
磁心により閉磁路を作るようにしたものである。
[実施例]
(実施例1)
第1図はこの発明の実施例1の概略図である。
以下図面を参照して詳細に説明する。説明の便宜上イン
ダクタンス素子としてインダクタを取り上げている。1
本あるいは複数本のアモルファス磁性線11を束ねて構
成した磁心12を経糸とし、絶縁膜としてホルマルを被
覆した銅線等の励磁導体線13と1本あるいは複数本の
アモルファス磁性線を束ねて構成した磁心14を緯糸と
して、織物状に構成したものである。このインダクタに
おいて図中の矢印iの方向に励磁導体線13中を電流i
が流れると経糸磁心12及び緯糸磁心14には矢印Hで
示すように磁界が励起される。この結果磁心12と14
間で閉磁路ができる。このことにより磁心12が短い場
合にもインダクタンスを劣化させず透磁率の増加にほぼ
比例して大きいインダクタンスが効果的に得られる。
ダクタンス素子としてインダクタを取り上げている。1
本あるいは複数本のアモルファス磁性線11を束ねて構
成した磁心12を経糸とし、絶縁膜としてホルマルを被
覆した銅線等の励磁導体線13と1本あるいは複数本の
アモルファス磁性線を束ねて構成した磁心14を緯糸と
して、織物状に構成したものである。このインダクタに
おいて図中の矢印iの方向に励磁導体線13中を電流i
が流れると経糸磁心12及び緯糸磁心14には矢印Hで
示すように磁界が励起される。この結果磁心12と14
間で閉磁路ができる。このことにより磁心12が短い場
合にもインダクタンスを劣化させず透磁率の増加にほぼ
比例して大きいインダクタンスが効果的に得られる。
(実施例2)
第2図はこの発明に係わる実施例2の概略図である。緯
糸磁心141は連続的に接続していない場合においても
図中に矢印Hで示すように閉磁路ができるため第1図に
示す実施例の場合と同様の効果が得られる。第2図中、
第1図と同一部分は同一符号を付してその説明を省略す
る。
糸磁心141は連続的に接続していない場合においても
図中に矢印Hで示すように閉磁路ができるため第1図に
示す実施例の場合と同様の効果が得られる。第2図中、
第1図と同一部分は同一符号を付してその説明を省略す
る。
(実施例3)
第3図は本発明の実施例3に係わるインダクタンス素子
のトランスの概略図である。第3図中、第1図と同一部
分は同一符号を付してその説明を省略する。即ち、′I
a3図は第1図の励磁導体線13を一次導体線131お
よび二次導体線132の二本に置き換え織物状に織った
トランスである。
のトランスの概略図である。第3図中、第1図と同一部
分は同一符号を付してその説明を省略する。即ち、′I
a3図は第1図の励磁導体線13を一次導体線131お
よび二次導体線132の二本に置き換え織物状に織った
トランスである。
また、2本の導体線131.132を直列に接続するこ
とにより、実施例1の約2倍のインダクタンスが得られ
る。このトランスにおいて実施例2と同様に緯糸磁心が
連続でない場合にも同様に実施できることが十分推察さ
れる。
とにより、実施例1の約2倍のインダクタンスが得られ
る。このトランスにおいて実施例2と同様に緯糸磁心が
連続でない場合にも同様に実施できることが十分推察さ
れる。
以上のように導体線と磁性線とを同時に緯糸とすること
により、経糸磁心と緯糸磁心との間に閉磁路ができるた
めに、マイクロ化に伴うインダクタンスの劣化を防ぐこ
とができる。この織物構造インダクタンス素子はコンデ
ンサーや抵抗と集積化しても当然使用できる。この場合
、この織物構造インダクタンス素子は閉磁路構成になっ
ているために他の磁気的な外部条件の影響が少なく集積
化に好都合である。
により、経糸磁心と緯糸磁心との間に閉磁路ができるた
めに、マイクロ化に伴うインダクタンスの劣化を防ぐこ
とができる。この織物構造インダクタンス素子はコンデ
ンサーや抵抗と集積化しても当然使用できる。この場合
、この織物構造インダクタンス素子は閉磁路構成になっ
ているために他の磁気的な外部条件の影響が少なく集積
化に好都合である。
[発明の効果]
以上述べたように本発明における織物構造インダクタン
ス素子によれば、磁性線の反磁界により磁心に励起され
る磁界が弱まりインダクタンスが劣化することを防ぐこ
とができる。従って、本発明は織物構造インダクタンス
素子のマイクロ化に非常に有用である。
ス素子によれば、磁性線の反磁界により磁心に励起され
る磁界が弱まりインダクタンスが劣化することを防ぐこ
とができる。従って、本発明は織物構造インダクタンス
素子のマイクロ化に非常に有用である。
第1図は本発明の実施例1における織物構造インダクタ
の構成を示す概略図、第2図は本発明の実施例2におけ
る織物構造インダクタの構成を示す概略図、第3図は本
発明の実施例3における織物構造トランスの構成を示す
概略図、第4図は従来の織物構造インダクタの構成を示
す概略図である。 1・・・磁性線、 2・・・経糸磁心、 13・・ は励磁 導体線、 14・・・緯糸磁心、 1・・・−次導体線、 32・・・二次導体線。
の構成を示す概略図、第2図は本発明の実施例2におけ
る織物構造インダクタの構成を示す概略図、第3図は本
発明の実施例3における織物構造トランスの構成を示す
概略図、第4図は従来の織物構造インダクタの構成を示
す概略図である。 1・・・磁性線、 2・・・経糸磁心、 13・・ は励磁 導体線、 14・・・緯糸磁心、 1・・・−次導体線、 32・・・二次導体線。
Claims (1)
- 磁性線を経糸とし、絶縁膜で被覆した励磁導体と磁性線
とを緯糸として織物状に構成したことを特徴とする織物
構造インダクタンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17309590A JPH0461309A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 織物構造インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17309590A JPH0461309A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 織物構造インダクタンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461309A true JPH0461309A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15954100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17309590A Pending JPH0461309A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 織物構造インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0461309A (ja) |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP17309590A patent/JPH0461309A/ja active Pending
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