JPH046165A - 焼成方法 - Google Patents
焼成方法Info
- Publication number
- JPH046165A JPH046165A JP2106992A JP10699290A JPH046165A JP H046165 A JPH046165 A JP H046165A JP 2106992 A JP2106992 A JP 2106992A JP 10699290 A JP10699290 A JP 10699290A JP H046165 A JPH046165 A JP H046165A
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- JP
- Japan
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- wafer
- plzt
- pot
- sample
- sheet
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は試料を容器内に置き、その試料を焼成する焼
成方法に係り、更に詳しくはＰＬＺＴ （透明なセラミ
ック）の複屈折製利用し、光シャッタやデイスプレィと
して用いるＰＬＺＴプレートを得る際、焼成によりＰＬ
ＺＴウェハに発生する亀裂（ｃｒａｃｋ）や剥離（ｄｅ
ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）等を抑制する焼成方法に関する
ものである。
成方法に係り、更に詳しくはＰＬＺＴ （透明なセラミ
ック）の複屈折製利用し、光シャッタやデイスプレィと
して用いるＰＬＺＴプレートを得る際、焼成によりＰＬ
ＺＴウェハに発生する亀裂（ｃｒａｃｋ）や剥離（ｄｅ
ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）等を抑制する焼成方法に関する
ものである。
［従 来 例］
近年、ＰＬＺ （商品名）にＬａを添加した透明なセラ
ミックのＰＬＺＴ（ＰｂＯ，ＬａＯ，Ｚｒ０２Ｔｉ：０
９／６５／３５：Ｌａ／Ｚｒ／Ｔｉ ｒａｔｉｏ）が光
シャッタやデイスプレィに用いられようとしている。こ
のＰＬＺＴを表示装置に利用する提案としては、例えば
特願昭６３−１０８６４８号があるが、何れにしてもそ
のＰＬＺＴウェハを脱バインダし、その後焼成して得た
ＰＬＺＴプレートを用いることになる。
ミックのＰＬＺＴ（ＰｂＯ，ＬａＯ，Ｚｒ０２Ｔｉ：０
９／６５／３５：Ｌａ／Ｚｒ／Ｔｉ ｒａｔｉｏ）が光
シャッタやデイスプレィに用いられようとしている。こ
のＰＬＺＴを表示装置に利用する提案としては、例えば
特願昭６３−１０８６４８号があるが、何れにしてもそ
のＰＬＺＴウェハを脱バインダし、その後焼成して得た
ＰＬＺＴプレートを用いることになる。
その焼成方法としては、例えば第２図に示されるように
、ＰＬＺＴウェハ１をこ７う鉢（例えばるつぼ）２内に
直接載置し、そのこう鉢２に蓋をしく密閉状態−にし）
、所定温度で制御するものがある。
、ＰＬＺＴウェハ１をこ７う鉢（例えばるつぼ）２内に
直接載置し、そのこう鉢２に蓋をしく密閉状態−にし）
、所定温度で制御するものがある。
しかし、上記こう鉢２がアルミナ（Ａｌ□Ｏ，）である
ことから、その雰囲気焼成の際、ＰＬＺＴウェハ１とこ
う鉢２とが反応し、特にＰＬＺＴ １のＰｂｏ成分が反
応し、そのＰＬＺＴウェハ１がらＰｂｏが析出してしま
う。
ことから、その雰囲気焼成の際、ＰＬＺＴウェハ１とこ
う鉢２とが反応し、特にＰＬＺＴ １のＰｂｏ成分が反
応し、そのＰＬＺＴウェハ１がらＰｂｏが析出してしま
う。
そこで、第３図に示す焼成方法が考えられ、この場合こ
う鉢２内にはセクタ（例えばＺｒＯ，またはＭｇＯから
なる多孔質板）３が配置されており、そのセクタ３上に
ＰＬＺＴウェハ１を載置し、ＰＬＺＴウェハ１とこう鉢
２とが反応しないようにしている。
う鉢２内にはセクタ（例えばＺｒＯ，またはＭｇＯから
なる多孔質板）３が配置されており、そのセクタ３上に
ＰＬＺＴウェハ１を載置し、ＰＬＺＴウェハ１とこう鉢
２とが反応しないようにしている。
また、第４図に示す焼成方法も考えられ、この場合こう
鉢２内には粗粉末（例えばＺｒＯ，またはＡＬＯ，等の
粉）４が例えば２０μｌｌ〜４０μｌに敷かれており、
その粗粉末４上にＰＬＺＴウェハ１を載置し、ＰＬＺＴ
ウェハ１とこう鉢２とが反応しないようにしている。
鉢２内には粗粉末（例えばＺｒＯ，またはＡＬＯ，等の
粉）４が例えば２０μｌｌ〜４０μｌに敷かれており、
その粗粉末４上にＰＬＺＴウェハ１を載置し、ＰＬＺＴ
ウェハ１とこう鉢２とが反応しないようにしている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、第３図に示すＰＬＺＴの焼成方法におい
ては、セクタ３に多孔質のものを用いているため、バイ
ンダの抜けが良く、またＰＬＺＴウェハ１とこう鉢２と
の反応をなくすことができるが、その多孔質板に含まれ
ているガラス成分とＰＬＺＴウェハ１とが反応するだけ
なく、また焼成時におけるＰＬＺＴウェハ１の収縮率と
セクタ３の収縮率が異なることから、 ＰＬＺＴウェハ
１に応力が働き、焼成にて得たＰＬＺＴウェハに歪や亀
裂（ｃｒａｋ）が発生することもあった・ また、第４図に示すＰ Ｌ Ｚ Ｔの焼成２方法におい
ては、粗粉末４とＰＬＺＴウェハ１のｐｂ○成分とが反
応し、その界面で中間物質（例えばＰｂＺｒ０．等）が
生成するという問題点がある。
ては、セクタ３に多孔質のものを用いているため、バイ
ンダの抜けが良く、またＰＬＺＴウェハ１とこう鉢２と
の反応をなくすことができるが、その多孔質板に含まれ
ているガラス成分とＰＬＺＴウェハ１とが反応するだけ
なく、また焼成時におけるＰＬＺＴウェハ１の収縮率と
セクタ３の収縮率が異なることから、 ＰＬＺＴウェハ
１に応力が働き、焼成にて得たＰＬＺＴウェハに歪や亀
裂（ｃｒａｋ）が発生することもあった・ また、第４図に示すＰ Ｌ Ｚ Ｔの焼成２方法におい
ては、粗粉末４とＰＬＺＴウェハ１のｐｂ○成分とが反
応し、その界面で中間物質（例えばＰｂＺｒ０．等）が
生成するという問題点がある。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目
的は焼成の際、ＰＬＺＴウェハと他のものとの反応をな
くし、焼成して得るＰＬＺＴウェハに発生する歪や亀裂
（ｃｒａｋ）を抑制することができその歩留まりの向上
を図ることができるようにした焼成方法を提供すること
にある。
的は焼成の際、ＰＬＺＴウェハと他のものとの反応をな
くし、焼成して得るＰＬＺＴウェハに発生する歪や亀裂
（ｃｒａｋ）を抑制することができその歩留まりの向上
を図ることができるようにした焼成方法を提供すること
にある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、この発明は、試料（ＰＬＺ
Ｔウェハ）を容器内に置き、その試料を焼成する焼成方
法において、上記試料（ＰＬＺＴウェハ）の下にそれと
同質のシート（生シート）を敷き、その試料（ＰＬＺＴ
）を前記容器内で焼成するようにしたことを要旨とする
。
Ｔウェハ）を容器内に置き、その試料を焼成する焼成方
法において、上記試料（ＰＬＺＴウェハ）の下にそれと
同質のシート（生シート）を敷き、その試料（ＰＬＺＴ
）を前記容器内で焼成するようにしたことを要旨とする
。
［作 用］
上記方法としたので、試料（ＰＬＺＴ）を焼成した場合
、その試料の下にそれと同質のシート（生シート）を敷
いているため、その試料とシートの間に反応が起こらず
、またそれらの収縮率が略同じであるため、その試料に
応力が働かない、その結果、焼成により得た試料（ＰＬ
ＺＴウェハ）に発生する歪や亀裂を抑制することができ
る。
、その試料の下にそれと同質のシート（生シート）を敷
いているため、その試料とシートの間に反応が起こらず
、またそれらの収縮率が略同じであるため、その試料に
応力が働かない、その結果、焼成により得た試料（ＰＬ
ＺＴウェハ）に発生する歪や亀裂を抑制することができ
る。
［実 施 例］
以下、この発明の実施例を第１図に基づいて説明する。
なお、図中、第２図乃至第４図と同一部分には同一符号
を付し重複説明を省略する。
を付し重複説明を省略する。
この図において、こう鉢２内に配置されている多孔質の
セクタ３の上にはＰＬＺＴウェハ１と同質の生シート（
９／６５／３５；Ｌａ／Ｚｒ／Ｔｉ ｒａｔｉｏ；グリ
ーンシート）５が配置される。なお、生シート５は例え
ばＰＬＺＴの粉末により作製され、予め脱バインダした
ものであり、その形状は焼成しようとするＰＬＺＴウェ
ハ１より僅かに大きければよい。
セクタ３の上にはＰＬＺＴウェハ１と同質の生シート（
９／６５／３５；Ｌａ／Ｚｒ／Ｔｉ ｒａｔｉｏ；グリ
ーンシート）５が配置される。なお、生シート５は例え
ばＰＬＺＴの粉末により作製され、予め脱バインダした
ものであり、その形状は焼成しようとするＰＬＺＴウェ
ハ１より僅かに大きければよい。
そして、ＰＬＺＴウェハ１を雰囲気焼成する場合、多孔
質のセクタ３に生シート５を配置し、その生シート５上
にＰＬＺＴウェハ１を載置し、それらをこう鉢２内に置
き、こう鉢２に蓋をした後、そのこう鉢２内を所定温度
プロフィールにしたがって制御する。その後、そのこう
鉢２内を冷却し、つまりＰＬＺＴウェハ１を冷却するこ
とによりＰＬＺＴウェハが得られる。
質のセクタ３に生シート５を配置し、その生シート５上
にＰＬＺＴウェハ１を載置し、それらをこう鉢２内に置
き、こう鉢２に蓋をした後、そのこう鉢２内を所定温度
プロフィールにしたがって制御する。その後、そのこう
鉢２内を冷却し、つまりＰＬＺＴウェハ１を冷却するこ
とによりＰＬＺＴウェハが得られる。
そのＰＬＺＴウェハ１の焼成時においては、ＰＬＺＴウ
ェハ１と生シート５とが同じ成分であることから、ＰＬ
ＺＴウェハ１に反応が起こることもなく、反応物が析出
されるこもない。また、ＰＬＺＴウェハ１と生シート５
の収縮率が略同じであることから、それら間に発生する
応力を抑制することができ、その焼成により得たＰＬＺ
Ｔウェハに発生する歪や亀裂（ｃｒａｋ）を抑制するこ
とができ、その焼成したＰＬＺＴウェハ１の歩留まりを
小さくすることができる。
ェハ１と生シート５とが同じ成分であることから、ＰＬ
ＺＴウェハ１に反応が起こることもなく、反応物が析出
されるこもない。また、ＰＬＺＴウェハ１と生シート５
の収縮率が略同じであることから、それら間に発生する
応力を抑制することができ、その焼成により得たＰＬＺ
Ｔウェハに発生する歪や亀裂（ｃｒａｋ）を抑制するこ
とができ、その焼成したＰＬＺＴウェハ１の歩留まりを
小さくすることができる。
なお、上記実施例では、ＰＬＺＴウェハ１を焼成する場
合について説明したが、他の物質であっても同様の効果
を得ることができる。この場合、生シート５をその被焼
成物質と同じ成分とすればよい。
合について説明したが、他の物質であっても同様の効果
を得ることができる。この場合、生シート５をその被焼
成物質と同じ成分とすればよい。
［発明の効果］
以」−説明したように、この発明の焼成方法によれば、
容器内に多孔質のセンタを置き、その上にＰＬＺＴのグ
リーンシートを敷き、そのグリーンシート」；に焼成す
るＰＬＺＴウェハを載置し、そのＰＬＺＴウェハを焼成
するようにしたので、その焼成の際、ＰＬＺＴウェハに
反応による析出物が生じることもなく、また、ＰＬＺＴ
ウェハに応力が働くこともなく、焼成したＰＬＺＴウェ
ハに発生する欠陥（歪や亀裂）を抑制することができ、
そのＰＬＺＴウェハの歩留まりの向上を図ることができ
る。
容器内に多孔質のセンタを置き、その上にＰＬＺＴのグ
リーンシートを敷き、そのグリーンシート」；に焼成す
るＰＬＺＴウェハを載置し、そのＰＬＺＴウェハを焼成
するようにしたので、その焼成の際、ＰＬＺＴウェハに
反応による析出物が生じることもなく、また、ＰＬＺＴ
ウェハに応力が働くこともなく、焼成したＰＬＺＴウェ
ハに発生する欠陥（歪や亀裂）を抑制することができ、
そのＰＬＺＴウェハの歩留まりの向上を図ることができ
る。
第１図はこの発明の一実施例を示し、焼成方法が適用さ
れるＰＬＺＴの焼成コニ程を説明する図、第２図乃至第
４図は従来の焼成方法が適用されるＰＬＺＴの焼成工程
を説明する図である。 図中、１はこう鉢、２はＰＬＺＴウェハ、３はセンタ、
５は生シート（グリーンシート）である。 第２
れるＰＬＺＴの焼成コニ程を説明する図、第２図乃至第
４図は従来の焼成方法が適用されるＰＬＺＴの焼成工程
を説明する図である。 図中、１はこう鉢、２はＰＬＺＴウェハ、３はセンタ、
５は生シート（グリーンシート）である。 第２
Claims (2)
- （１）試料を容器内に置き、その試料を焼成する焼成方
法において、 前記試料の下にそれと同質のシートを敷き、その試料を
前記容器内で焼成するようにしたことを特徴とする焼成
方法。 - （２）ＰＬＺＴウェハ容器内に置き、そのＰＬＺＴウェ
ハを焼成するＰＬＺＴの焼成方法において、 前記ＰＬＺＴウェハの下にそれと同質の生シートを敷き
、そのＰＬＺＴウェハを前記容器内で焼成するようにし
たことを特徴とする焼成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2106992A JPH046165A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | 焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2106992A JPH046165A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | 焼成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH046165A true JPH046165A (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=14447735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2106992A Pending JPH046165A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | 焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH046165A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2100675A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-09-16 | Howmet Corporation | Apparatus and method for use in firing cores |
-
1990
- 1990-04-23 JP JP2106992A patent/JPH046165A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2100675A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-09-16 | Howmet Corporation | Apparatus and method for use in firing cores |
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