JPH0462014B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0462014B2 JPH0462014B2 JP59200016A JP20001684A JPH0462014B2 JP H0462014 B2 JPH0462014 B2 JP H0462014B2 JP 59200016 A JP59200016 A JP 59200016A JP 20001684 A JP20001684 A JP 20001684A JP H0462014 B2 JPH0462014 B2 JP H0462014B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- metal plate
- metal
- infrared
- absorbing layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、熱赤外線計測において、熱赤外発生
部の面積を熱赤外量で検知することにより、熱赤
外発生部の位置情報を得るための赤外検出素子、
一例として、一定温度の発熱体の一端を監視し、
その端部の位置を測定するのに用いる赤外検出素
子の製造方法に関する。
部の面積を熱赤外量で検知することにより、熱赤
外発生部の位置情報を得るための赤外検出素子、
一例として、一定温度の発熱体の一端を監視し、
その端部の位置を測定するのに用いる赤外検出素
子の製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
従来の熱電堆型赤外検出素子を、第１図によつ
て説明すると、左右の支持台１，１の上に配置さ
れた基板薄膜２に、二種類の金属薄層３，４が交
互にその両端が重積接合されて直列に配置され、
この二種類の金属薄層３，４の重積接合部が一つ
おきに感温接合部５と基準接合部６（第２図参
照）に分離配置され、感温接合部５の上に赤外吸
収層７が配置されている。尚、基準接合部６は左
右の支持台１，１が位置する基板薄膜２の左右両
側上面に位置していて、赤外線が入射しても昇温
しないようになつている。８は直列に接合配置さ
れた二種類の金属薄層３，４の末端部に重合配置
された信号取出電極である。
て説明すると、左右の支持台１，１の上に配置さ
れた基板薄膜２に、二種類の金属薄層３，４が交
互にその両端が重積接合されて直列に配置され、
この二種類の金属薄層３，４の重積接合部が一つ
おきに感温接合部５と基準接合部６（第２図参
照）に分離配置され、感温接合部５の上に赤外吸
収層７が配置されている。尚、基準接合部６は左
右の支持台１，１が位置する基板薄膜２の左右両
側上面に位置していて、赤外線が入射しても昇温
しないようになつている。８は直列に接合配置さ
れた二種類の金属薄層３，４の末端部に重合配置
された信号取出電極である。
斯かる構成の熱電堆型赤外検出素子９は、赤外
吸収層７に赤外線が照射されると、感温接合部５
が昇温し、基準接合部６との温度差に相当した起
電力がゼーベツク効果により信号取出電極８に発
生するが、赤外線のエネルギーを有効に電気信号
に変換するために感温接合部５は極力熱容量を小
さくする必要がある。そのため、赤外吸収層７及
び感温接合部５の蒸着される基板薄膜２の厚さは
極力薄くするわけであるが、10μm程度の厚さに
なると、甚だ取扱いが厄介で、各種の蒸着作業及
びマウント作業、特に基板薄膜２を支持台１，１
に接着するのは困難を極め、赤外検出素子９を製
造する上での歩留低下の原因となつている。
吸収層７に赤外線が照射されると、感温接合部５
が昇温し、基準接合部６との温度差に相当した起
電力がゼーベツク効果により信号取出電極８に発
生するが、赤外線のエネルギーを有効に電気信号
に変換するために感温接合部５は極力熱容量を小
さくする必要がある。そのため、赤外吸収層７及
び感温接合部５の蒸着される基板薄膜２の厚さは
極力薄くするわけであるが、10μm程度の厚さに
なると、甚だ取扱いが厄介で、各種の蒸着作業及
びマウント作業、特に基板薄膜２を支持台１，１
に接着するのは困難を極め、赤外検出素子９を製
造する上での歩留低下の原因となつている。
発明の目的
本発明は、熱電堆型赤外検出素子を製造する上
での歩留りの向上を図ることができ、量産化，低
価格化を可能にした製造方法を提供せんとするも
のである。
での歩留りの向上を図ることができ、量産化，低
価格化を可能にした製造方法を提供せんとするも
のである。
発明の構成
本発明は、中間が座ぐりされその中央部が視野
制限窓として開口された開口部を有する金属板の
座ぐり部の周辺に基板薄膜を接着し、次にその基
板薄膜の前記金属板の反対側の面に二種類の金属
薄層を交互にその両端が重積し直列に配置される
ように蒸着し且つその金属薄層の直列に配置され
た二種類の金属薄層の末端に信号取出電極を蒸着
し、 最後に前記金属板の開口部である視野制限窓を
蒸着マスクパターンとして、前記基板薄膜の感温
接合部の反対面に当該視野制限窓と幾何学的に合
同となる赤外吸収層を、当該金属板に当接しない
ように、蒸着することを特徴とするものである。
制限窓として開口された開口部を有する金属板の
座ぐり部の周辺に基板薄膜を接着し、次にその基
板薄膜の前記金属板の反対側の面に二種類の金属
薄層を交互にその両端が重積し直列に配置される
ように蒸着し且つその金属薄層の直列に配置され
た二種類の金属薄層の末端に信号取出電極を蒸着
し、 最後に前記金属板の開口部である視野制限窓を
蒸着マスクパターンとして、前記基板薄膜の感温
接合部の反対面に当該視野制限窓と幾何学的に合
同となる赤外吸収層を、当該金属板に当接しない
ように、蒸着することを特徴とするものである。
実施例の説明
本発明による熱電堆型赤外検出素子の製造方法
の実施例を第２図ａ，ｂによつて説明する。先ず
中間部が前後両端部を残して座ぐりされて厚さ
0.1mmになされ、さらにその中央部が開口された
厚さ0.2mmの銅板よりなる金属板１０の座ぐり部
１１の左右両側部に架渡して厚さ10μmのカプト
ンフイルムよりなる基板薄膜２２を接着する。前
記金属板１０はフオトマスクを用いて、エツチン
グ法により容易に製作できるものである。前記基
板薄膜２を接着する接着剤は二液混合型のエポキ
シ樹脂系を用い、300℃にて固化させる。次に第
２図ａに示されるようなパターンの蒸着マスクを
金属薄膜２の前記金属板１０とは反対側の面に順
次セツトして、ビスマス，アンチモン，金の順で
蒸着して、二種類のビスマス，アンチモンの金属
薄層３，４を交互に配してその両端を重積接合し
て直列に配置し、且つその金属薄層３，４の末端
に金の信号取出電極８を配置する。ビスマス，ア
ンチモンは約200℃に昇温して蒸着する。前記二
種類の金属薄層３，４の重積接合部は、一つおき
に感温接合部５と基準接合部６とに分離配置され
る。最後に基板薄膜２上の感温接合部５群の反対
側の面に金属板１０の開口部１２（形成後に赤外
吸収層７の視野制限窓となる）を蒸着マスクパタ
ーンとして、同一面積で同一位置、すなわち開口
部１２と赤外吸収層７の双方が幾何学的に合同の
関係になるように金黒を蒸着して、赤外吸収層７
を配置する。
の実施例を第２図ａ，ｂによつて説明する。先ず
中間部が前後両端部を残して座ぐりされて厚さ
0.1mmになされ、さらにその中央部が開口された
厚さ0.2mmの銅板よりなる金属板１０の座ぐり部
１１の左右両側部に架渡して厚さ10μmのカプト
ンフイルムよりなる基板薄膜２２を接着する。前
記金属板１０はフオトマスクを用いて、エツチン
グ法により容易に製作できるものである。前記基
板薄膜２を接着する接着剤は二液混合型のエポキ
シ樹脂系を用い、300℃にて固化させる。次に第
２図ａに示されるようなパターンの蒸着マスクを
金属薄膜２の前記金属板１０とは反対側の面に順
次セツトして、ビスマス，アンチモン，金の順で
蒸着して、二種類のビスマス，アンチモンの金属
薄層３，４を交互に配してその両端を重積接合し
て直列に配置し、且つその金属薄層３，４の末端
に金の信号取出電極８を配置する。ビスマス，ア
ンチモンは約200℃に昇温して蒸着する。前記二
種類の金属薄層３，４の重積接合部は、一つおき
に感温接合部５と基準接合部６とに分離配置され
る。最後に基板薄膜２上の感温接合部５群の反対
側の面に金属板１０の開口部１２（形成後に赤外
吸収層７の視野制限窓となる）を蒸着マスクパタ
ーンとして、同一面積で同一位置、すなわち開口
部１２と赤外吸収層７の双方が幾何学的に合同の
関係になるように金黒を蒸着して、赤外吸収層７
を配置する。
このようにして製造した熱電堆型赤外検出素子
は、その後信号取出電極８に直径30μmの微細金
線をドータイトで接着し、支持台１，１を介して
パツケージに固定する。その後、微細金線をパツ
ケージの端子にドータイトで接着して、赤外線透
過板であるゲルマニウム窓板をパツケージに気密
に接着し、排気銅パイプから真空排気して、真空
封止する。かくして、熱電堆型赤外検出器が完成
する。
は、その後信号取出電極８に直径30μmの微細金
線をドータイトで接着し、支持台１，１を介して
パツケージに固定する。その後、微細金線をパツ
ケージの端子にドータイトで接着して、赤外線透
過板であるゲルマニウム窓板をパツケージに気密
に接着し、排気銅パイプから真空排気して、真空
封止する。かくして、熱電堆型赤外検出器が完成
する。
発明の効果
以上詳記した通り本発明の熱電堆型赤外検出素
子の製造方法によれば、基板薄膜を、中間を座ぐ
りしその中央部を開口した金属板に接着した状態
で、該基板薄膜に二種類の金属薄層，信号取出電
極を蒸着マスクを用いて容易に蒸着して配置で
き、また金属板の開口部から開口部を蒸着マスク
パターンとして基板薄膜に赤外吸収層を同一面積
で同一位置、すなわち双方が幾何学的に合同の関
係にに蒸着して配置できるので、寸法精度の高い
赤外吸収層を容易に得ることができる。このよう
に基板薄膜を金属板に接着した状態で、全ての蒸
着作業を行うことがきるので、歩留りが良くな
り、しかも比較的時間のかかかる蒸着工程が金属
板への基板薄膜の接着後となつたので、接着失敗
によつて蒸着作業が無効になるということが無く
なり、歩留向上と共に無効作業時間を大巾に削減
できた。実際に熱電堆型赤外検出素子の製造にお
いて、従来は無効作業が50％であつたものが、本
発明では５％と1/10以下に低下した。
子の製造方法によれば、基板薄膜を、中間を座ぐ
りしその中央部を開口した金属板に接着した状態
で、該基板薄膜に二種類の金属薄層，信号取出電
極を蒸着マスクを用いて容易に蒸着して配置で
き、また金属板の開口部から開口部を蒸着マスク
パターンとして基板薄膜に赤外吸収層を同一面積
で同一位置、すなわち双方が幾何学的に合同の関
係にに蒸着して配置できるので、寸法精度の高い
赤外吸収層を容易に得ることができる。このよう
に基板薄膜を金属板に接着した状態で、全ての蒸
着作業を行うことがきるので、歩留りが良くな
り、しかも比較的時間のかかかる蒸着工程が金属
板への基板薄膜の接着後となつたので、接着失敗
によつて蒸着作業が無効になるということが無く
なり、歩留向上と共に無効作業時間を大巾に削減
できた。実際に熱電堆型赤外検出素子の製造にお
いて、従来は無効作業が50％であつたものが、本
発明では５％と1/10以下に低下した。
また、かかる方法により製造された熱電堆型赤
外検出素子は、赤外吸収層以外へ赤外光が照射
（あるいは迷光）されることにより生じる測定誤
差を一掃することができる。
外検出素子は、赤外吸収層以外へ赤外光が照射
（あるいは迷光）されることにより生じる測定誤
差を一掃することができる。
すなわち、本願発明では、金属板は基板薄膜
（赤外吸収層）の周辺が座ぐられて当該基板薄膜
（赤外吸収層）に接触しないようになされた上で、
さらにその赤外吸収層の形状、大きさを視野制限
窓と幾何学的合同となるようにしているため、視
野制限窓を通過する赤外光は全て赤外吸収層のみ
に吸収され、迷光もなく、「赤外吸収層以外の周
辺に吸収されて、当該赤外光による信号（誤差）
が発生する」というようなことを防止することが
できる。
（赤外吸収層）の周辺が座ぐられて当該基板薄膜
（赤外吸収層）に接触しないようになされた上で、
さらにその赤外吸収層の形状、大きさを視野制限
窓と幾何学的合同となるようにしているため、視
野制限窓を通過する赤外光は全て赤外吸収層のみ
に吸収され、迷光もなく、「赤外吸収層以外の周
辺に吸収されて、当該赤外光による信号（誤差）
が発生する」というようなことを防止することが
できる。
このように本願発明は、製造時には金属板の開
口部を赤外吸収層の蒸着マスクパターンとすると
ともに、当該開口部を製造後、赤外吸収層の視野
制限窓として活用したものである。
口部を赤外吸収層の蒸着マスクパターンとすると
ともに、当該開口部を製造後、赤外吸収層の視野
制限窓として活用したものである。
第１図は従来の熱電堆型赤外検出素子の断面
図、第２図ａ，ｂは本発明の製造法により製造さ
れた熱電堆型赤外検出素子を示し、同図ａは平面
図、同図ｂは同図ａのＡ−Ａ断面図である。 １……支持台、２……基板薄膜、３，４……金
属薄層、５……感温接合部、６……基準接合部、
７……赤外吸収層、８……信号取出電極、９′…
…本発明の製造方法により作られた熱電堆型赤外
検出素子、１０……金属板、１１……座ぐり、１
２……開口部。
図、第２図ａ，ｂは本発明の製造法により製造さ
れた熱電堆型赤外検出素子を示し、同図ａは平面
図、同図ｂは同図ａのＡ−Ａ断面図である。 １……支持台、２……基板薄膜、３，４……金
属薄層、５……感温接合部、６……基準接合部、
７……赤外吸収層、８……信号取出電極、９′…
…本発明の製造方法により作られた熱電堆型赤外
検出素子、１０……金属板、１１……座ぐり、１
２……開口部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 中間が座ぐりされその中央部が視野制限窓と
して開口された開口部を有する金属板の座ぐり部
の周辺に基板薄膜を接着し、次にその基板薄膜の
前記金属板の反対側の面に二種類の金属薄層を交
互にその両端が重積し直列に配置されるように蒸
着し且つその金属薄層の直列に配置された二種類
の金属薄層の末端に信号取出電極を蒸着し、 最後に前記金属板の開口部である視野制限窓を
蒸着マスクパターンとして、前記基板薄膜の感温
接合部の反対面に当該視野制限窓と幾何学的に合
同となる赤外吸収層を、当該金属板に当接しない
ように、蒸着することを特徴とする熱電堆型赤外
検出素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200016A JPS6177729A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 熱電堆型赤外検出素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200016A JPS6177729A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 熱電堆型赤外検出素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177729A JPS6177729A (ja) | 1986-04-21 |
| JPH0462014B2 true JPH0462014B2 (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=16417397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59200016A Granted JPS6177729A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 熱電堆型赤外検出素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177729A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2594474B2 (ja) * | 1990-07-19 | 1997-03-26 | アンリツ株式会社 | 紫外線センサ |
| JP6591315B2 (ja) * | 2016-03-09 | 2019-10-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、チャージポンプ回路、半導体システム、車両及び半導体装置の制御方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120767A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Yoshio Furusawa | Stas type film thermocouple radiation detictor and its manufacturing m ethod |
| JPS52134786A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-11 | Fuji Electric Co Ltd | Radiation detector |
| JPS5739338U (ja) * | 1980-08-14 | 1982-03-03 |
-
1984
- 1984-09-25 JP JP59200016A patent/JPS6177729A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6177729A (ja) | 1986-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6140154B2 (ja) | ||
| JP3254787B2 (ja) | 赤外線センサの製造方法 | |
| JP3580126B2 (ja) | 赤外線センサ | |
| JPH07209089A (ja) | 赤外線センサ | |
| JPS6177728A (ja) | 熱電堆型赤外検出素子 | |
| JPS6212454B2 (ja) | ||
| JPH0462014B2 (ja) | ||
| JPH0249124A (ja) | サーモパイル | |
| JP3136649B2 (ja) | 複合型赤外線検出器 | |
| JP3246131B2 (ja) | 赤外線検出素子の製造方法 | |
| JP3181363B2 (ja) | 赤外線センサおよびその製造方法 | |
| JPS6177727A (ja) | 熱電堆型赤外検出素子 | |
| JPH08178748A (ja) | 焦電アレイセンサ | |
| JP2772776B2 (ja) | サーモパイル | |
| JPH0795002B2 (ja) | センサ素子 | |
| JPS6142204B2 (ja) | ||
| JP3013716B2 (ja) | 赤外線検出素子 | |
| JPH085452A (ja) | 赤外線検出素子 | |
| JPS6351494B2 (ja) | ||
| JPH06137935A (ja) | 赤外線センサ | |
| JPS6188115A (ja) | 赤外線検出器 | |
| JPS6047541B2 (ja) | 赤外線検出器 | |
| JPS6140522A (ja) | 熱電堆型赤外線検出素子 | |
| JPS6135320A (ja) | 焦電型赤外検出素子およびその製造方法 | |
| JPS62119421A (ja) | 焦電形リニアアレイ赤外検出素子 |