JPH046206B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH046206B2 JPH046206B2 JP59178087A JP17808784A JPH046206B2 JP H046206 B2 JPH046206 B2 JP H046206B2 JP 59178087 A JP59178087 A JP 59178087A JP 17808784 A JP17808784 A JP 17808784A JP H046206 B2 JPH046206 B2 JP H046206B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealant
- curing agent
- weight
- epoxy resin
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、例えば半導体パツケージなどの封止
特性、特に封止剤の流れ性をコントロールするよ
うにした電子部品用封止体およびその製造方法に
関するものである。 背景技術 近時、半導体装置の封止方法においては、たと
えば、第１図に示す如くシリコンなどの半導体素
子を搭載し、ワイヤーボンデイングされた基板１
に予め封止剤２を塗布した封止体である蓋部材３
を加圧熱処理して一体化させることにより、第２
図に示す如き半導体装置５を得ることが考えられ
ていた。このような封止方法においては、同図に
示す如く前記加圧熱処理時に溶融した樹脂が半導
体装置内あるいは接続リードまたはスルーホール
４へ流れ出して接続不良を生じる、などの問題が
あつた。また、これを解消するために封止剤２の
硬化反応を促進させることにより流れを抑制しよ
うとすると、封止時の密着性が低下して接着性に
影響を及ぼす結果となる。 発明が解決しようとする問題点 本発明者は上記の現状に鑑み鋭意研究の結果、
封止剤中に低温で硬化を促進させる架橋剤を一定
量含有させて、封止剤の蓋部材に予め塗布させた
封止剤を低温で予熱処理時に若干硬化させておく
ことにより、封止のための高温での加圧熱処理時
に封止剤の流れを抑制できることを知見した。 発明の目的 本発明においては、半導体装置などにおける封
止剤の流れをコントロールすることにより、半導
体装置内あるいは接続リードへの流れ出しを抑制
して接続不良を生じることがないとともに、封止
剤としての本来の接着特性を劣化させることのな
い電子部品用封止体およびその製造方法を提供す
るものである。 問題点を解決するための手段 本発明によれば、エポキシ樹脂100重量部に、
少なくとも硬化剤として100℃以上で反応を促進
させる潜在性硬化剤を１〜10重量部と、10℃未満
で硬化するアミノ基を有する架橋剤を前記エポキ
シ樹脂に対する当量の20〜40％とを配合してなる
封止剤を塗布してなる電子部品用封止体が提供さ
れる。 また、本発明においては前記封止剤を塗布した
後、100℃未満の温度で予熱することを特徴とす
る電子部品用封止体の製造方法が提供される。 前記エポキシ樹脂100重量部に対して潜在性硬
化剤が１重量部未満であると100℃以上での熱処
理の段階で充分硬化せず、接着部の剥離を生じる
とともに硬化性が低いため封止剤の流れが進み、
10重量部を越えると封止剤の硬化が進み過ぎ接着
性が悪化する。また前記架橋剤がエポキシ樹脂に
対する当量の20％未満であると、封止剤の溶融粘
度が低くなるため封止時に半導体装置内部に存在
する空気の膨張によりブローホールが生じ易くな
り、40％を越えると封止剤の硬化が進み過ぎ接着
性が劣化する。 実施例 ラクトン変性を含むエポキシ樹脂100重量部に
硬化剤としてトリアジン環を有するイソシアヌー
ル酸を付加したイミダゾール（２，４−ジアミノ
−６｛2′−メチルイミダゾリル(1)′｝エチル−Ｓ−
トリアジン・イソシアヌール酸付加物）、および
架橋剤として芳香族ジアミン（ジアミノフエニル
メタン）を第１表に示す比率で配合して成る組成
物を溶剤に溶かした後、シリカ微粉末を100重量
部配合し、３本ロールにて３回混練してペースト
を作る。次いで第１図を参考にして、半導体用封
止体を形成する蓋部材３をその接着面を上に向け
て治具（図示せず）に並べ、前記ペーストを接着
面にスクリーン印刷によつて塗布する。然る後、
ペースト中の溶剤を除去するため80℃に温度設定
したオーブン中へ15時間入れておく。このように
して封止剤２のプレコートされた蓋部材３を半導
体パツケージのセラミツク基板１の上に載置し、
接着面同士の位置合わせを行なつた後、クリツプ
を用いて接着面と垂直方向に約１Kgの圧力を加え
て圧着する。その後、175℃に温度設定したオー
ブン中で約15分間加熱して封止剤２の硬化を行な
い、第１表の試料１〜12を得た。 かくして得られた各試料について初期封止のグ
ロスリークテストおよび流れ性の評価を行なつ
た。グロスリークテストは各試料のそれぞれ複数
個ずつの半導体装置を125±５℃に温度設定した
フロリナート中に約30秒間浸漬し、封止面からの
気泡の発生を目視により判断し、良品率をパーセ
ントで評価した。封止剤２の流れ性については加
熱溶融された封止剤２がスルーホール４にほとん
ど流れないものについて「〇印」、やや流れてい
るものに「△印」、使用に供し得ないものに「×
印」として評価した。
特性、特に封止剤の流れ性をコントロールするよ
うにした電子部品用封止体およびその製造方法に
関するものである。 背景技術 近時、半導体装置の封止方法においては、たと
えば、第１図に示す如くシリコンなどの半導体素
子を搭載し、ワイヤーボンデイングされた基板１
に予め封止剤２を塗布した封止体である蓋部材３
を加圧熱処理して一体化させることにより、第２
図に示す如き半導体装置５を得ることが考えられ
ていた。このような封止方法においては、同図に
示す如く前記加圧熱処理時に溶融した樹脂が半導
体装置内あるいは接続リードまたはスルーホール
４へ流れ出して接続不良を生じる、などの問題が
あつた。また、これを解消するために封止剤２の
硬化反応を促進させることにより流れを抑制しよ
うとすると、封止時の密着性が低下して接着性に
影響を及ぼす結果となる。 発明が解決しようとする問題点 本発明者は上記の現状に鑑み鋭意研究の結果、
封止剤中に低温で硬化を促進させる架橋剤を一定
量含有させて、封止剤の蓋部材に予め塗布させた
封止剤を低温で予熱処理時に若干硬化させておく
ことにより、封止のための高温での加圧熱処理時
に封止剤の流れを抑制できることを知見した。 発明の目的 本発明においては、半導体装置などにおける封
止剤の流れをコントロールすることにより、半導
体装置内あるいは接続リードへの流れ出しを抑制
して接続不良を生じることがないとともに、封止
剤としての本来の接着特性を劣化させることのな
い電子部品用封止体およびその製造方法を提供す
るものである。 問題点を解決するための手段 本発明によれば、エポキシ樹脂100重量部に、
少なくとも硬化剤として100℃以上で反応を促進
させる潜在性硬化剤を１〜10重量部と、10℃未満
で硬化するアミノ基を有する架橋剤を前記エポキ
シ樹脂に対する当量の20〜40％とを配合してなる
封止剤を塗布してなる電子部品用封止体が提供さ
れる。 また、本発明においては前記封止剤を塗布した
後、100℃未満の温度で予熱することを特徴とす
る電子部品用封止体の製造方法が提供される。 前記エポキシ樹脂100重量部に対して潜在性硬
化剤が１重量部未満であると100℃以上での熱処
理の段階で充分硬化せず、接着部の剥離を生じる
とともに硬化性が低いため封止剤の流れが進み、
10重量部を越えると封止剤の硬化が進み過ぎ接着
性が悪化する。また前記架橋剤がエポキシ樹脂に
対する当量の20％未満であると、封止剤の溶融粘
度が低くなるため封止時に半導体装置内部に存在
する空気の膨張によりブローホールが生じ易くな
り、40％を越えると封止剤の硬化が進み過ぎ接着
性が劣化する。 実施例 ラクトン変性を含むエポキシ樹脂100重量部に
硬化剤としてトリアジン環を有するイソシアヌー
ル酸を付加したイミダゾール（２，４−ジアミノ
−６｛2′−メチルイミダゾリル(1)′｝エチル−Ｓ−
トリアジン・イソシアヌール酸付加物）、および
架橋剤として芳香族ジアミン（ジアミノフエニル
メタン）を第１表に示す比率で配合して成る組成
物を溶剤に溶かした後、シリカ微粉末を100重量
部配合し、３本ロールにて３回混練してペースト
を作る。次いで第１図を参考にして、半導体用封
止体を形成する蓋部材３をその接着面を上に向け
て治具（図示せず）に並べ、前記ペーストを接着
面にスクリーン印刷によつて塗布する。然る後、
ペースト中の溶剤を除去するため80℃に温度設定
したオーブン中へ15時間入れておく。このように
して封止剤２のプレコートされた蓋部材３を半導
体パツケージのセラミツク基板１の上に載置し、
接着面同士の位置合わせを行なつた後、クリツプ
を用いて接着面と垂直方向に約１Kgの圧力を加え
て圧着する。その後、175℃に温度設定したオー
ブン中で約15分間加熱して封止剤２の硬化を行な
い、第１表の試料１〜12を得た。 かくして得られた各試料について初期封止のグ
ロスリークテストおよび流れ性の評価を行なつ
た。グロスリークテストは各試料のそれぞれ複数
個ずつの半導体装置を125±５℃に温度設定した
フロリナート中に約30秒間浸漬し、封止面からの
気泡の発生を目視により判断し、良品率をパーセ
ントで評価した。封止剤２の流れ性については加
熱溶融された封止剤２がスルーホール４にほとん
ど流れないものについて「〇印」、やや流れてい
るものに「△印」、使用に供し得ないものに「×
印」として評価した。
【表】
【表】
＊印は本発明の範囲外のものである。
第１表から明らかなとおり、試料２〜５および
８〜11は本発明の範囲内のものであり、初期の封
止の良品質および封止剤の流れ性のいずれもが優
れていることが理解される。 しかしながら試料１においては高温で反応を促
進させる潜在性硬化剤イミダゾールの量が少なく
充分な硬化が得られず、ほとんどが剥離するなど
の接着不良を生じた。試料６および12は潜在性硬
化剤またはアミン系架橋剤の量が多く、エージン
クグ工程中に反応が進み過ぎ、流れ性は良好であ
つても接着性が劣化してしまう。また試料７はア
ミ系架橋剤が少なくなるため、封止時の溶融粘度
が低すぎ、素子を内蔵する空隙間のガスの熱膨張
によるブローホール（風穴現象）が発生し、また
流れ性も大きかつた。 前述の実施例では封止剤２は蓋部材３の接着面
に塗布するようにしたけれども、本発明の他の実
施例としてシリコン基板１上にスクリーン印刷に
よつて塗布し、一定時間加熱して封止剤２を硬化
した後、基板１と蓋部材３とを圧着して半導体素
子を封止するような構成であつてもよい。 本発明に従う電子部品用封止体およびその製造
方法は、半導体装置に関連して実施されるだけで
なく、その他広範囲の技術分野に関連して実施さ
れ得る。 発明の効果 以上のように本発明によれば、半導体装置など
の電子部品の封止時に封止剤の流れ性を抑制する
ことができ、電子部品内あるいはスルーホールな
どへ封止剤が流れ出して接続不良を生じることな
く、かつ封着特性を劣化させることがない。
第１表から明らかなとおり、試料２〜５および
８〜11は本発明の範囲内のものであり、初期の封
止の良品質および封止剤の流れ性のいずれもが優
れていることが理解される。 しかしながら試料１においては高温で反応を促
進させる潜在性硬化剤イミダゾールの量が少なく
充分な硬化が得られず、ほとんどが剥離するなど
の接着不良を生じた。試料６および12は潜在性硬
化剤またはアミン系架橋剤の量が多く、エージン
クグ工程中に反応が進み過ぎ、流れ性は良好であ
つても接着性が劣化してしまう。また試料７はア
ミ系架橋剤が少なくなるため、封止時の溶融粘度
が低すぎ、素子を内蔵する空隙間のガスの熱膨張
によるブローホール（風穴現象）が発生し、また
流れ性も大きかつた。 前述の実施例では封止剤２は蓋部材３の接着面
に塗布するようにしたけれども、本発明の他の実
施例としてシリコン基板１上にスクリーン印刷に
よつて塗布し、一定時間加熱して封止剤２を硬化
した後、基板１と蓋部材３とを圧着して半導体素
子を封止するような構成であつてもよい。 本発明に従う電子部品用封止体およびその製造
方法は、半導体装置に関連して実施されるだけで
なく、その他広範囲の技術分野に関連して実施さ
れ得る。 発明の効果 以上のように本発明によれば、半導体装置など
の電子部品の封止時に封止剤の流れ性を抑制する
ことができ、電子部品内あるいはスルーホールな
どへ封止剤が流れ出して接続不良を生じることな
く、かつ封着特性を劣化させることがない。
第１図は従来技術および本発明が適用される半
導体装置５の分解斜視図、第２図は従来の半導体
装置５の側面図である。 １……基板、２……封止剤、３……蓋部材、４
……スルーホール、５……半導体装置。
導体装置５の分解斜視図、第２図は従来の半導体
装置５の側面図である。 １……基板、２……封止剤、３……蓋部材、４
……スルーホール、５……半導体装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エポキシ樹脂100重量部に、少なくとも硬化
剤として100℃以上で反応を促進させる潜在性硬
化剤を１〜10重量部と、100℃未満で硬化するア
ミノ基を有する架橋剤を前記エポキシ樹脂に対す
る当量の20〜40％とを配合してなる封止剤を塗布
してなることを特徴とする電子部品用封止体。 ２ 前記潜在性硬化剤が三フツ化ホウ素アミン錯
体およびトリアジン環を有するイミダゾールより
選択されることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の電子部品用封止体。 ３ 前記アミノ基を有する架橋剤が芳香族ポリア
ミン、脂肪族ポリアミンおよびポリアミドアミン
より選択されることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の電子部品用封止体。 ４ エポキシ樹脂100重量部に、少なくとも硬化
剤として100℃以上で反応を促進させる潜在性硬
化剤を１〜10重量部と、100℃未満で硬化するア
ミノ基を有する架橋剤を前記エポキシ樹脂に対す
る当量の20〜40％とを配合してなる封止剤を塗布
した後、100℃未満の温度で予熱することを特徴
とする電子部品用封止体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178087A JPS6154653A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 電子部品用封止体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178087A JPS6154653A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 電子部品用封止体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154653A JPS6154653A (ja) | 1986-03-18 |
| JPH046206B2 true JPH046206B2 (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=16042399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59178087A Granted JPS6154653A (ja) | 1984-08-25 | 1984-08-25 | 電子部品用封止体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154653A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008530321A (ja) * | 2005-02-18 | 2008-08-07 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン | ラクトンを含有する低収縮アミン硬化エポキシ樹脂組成物 |
| JP5254265B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2013-08-07 | 株式会社巴川製紙所 | 電子部品封止用樹脂組成物及びそれを用いた電子部品封止用蓋体 |
| JP5770995B2 (ja) * | 2010-12-01 | 2015-08-26 | デクセリアルズ株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性接着シート及び熱硬化性接着シートの製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6030337B2 (ja) * | 1979-09-27 | 1985-07-16 | 株式会社日立製作所 | 熱硬化性樹脂組成物 |
| JPS5815528A (ja) * | 1981-07-21 | 1983-01-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物およびエポキシ樹脂プリプレグの製造法 |
| JPS58225121A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-27 | Sanyurejin Kk | エポキシ樹脂組成物及びそれを用いる電子部品の封止方法 |
| JPS5917289A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | Toshiba Corp | 樹脂封止型発光装置 |
| JPS5958023A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-03 | Toshiba Corp | エポキシ樹脂組成物の硬化方法 |
-
1984
- 1984-08-25 JP JP59178087A patent/JPS6154653A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6154653A (ja) | 1986-03-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |