JPH0462128B2 - - Google Patents
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- JPH0462128B2 JPH0462128B2 JP58059480A JP5948083A JPH0462128B2 JP H0462128 B2 JPH0462128 B2 JP H0462128B2 JP 58059480 A JP58059480 A JP 58059480A JP 5948083 A JP5948083 A JP 5948083A JP H0462128 B2 JPH0462128 B2 JP H0462128B2
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 26
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N docosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UKMSUNONTOPOIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- QMMJWQMCMRUYTG-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrachloro-3-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=C(Cl)C(Cl)=CC(Cl)=C1Cl QMMJWQMCMRUYTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021357 Behenic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910020632 Co Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020678 Co—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020517 Co—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020515 Co—W Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229940116226 behenic acid Drugs 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWSXIWIELAIOBE-UHFFFAOYSA-N octyl docosanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCCCCCCC MWSXIWIELAIOBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は垂直磁気記録方式に利用できる磁気テ
ープに関する。 従来例の構成とその問題点 従来より、長手記録方式は、磁気記録方式とし
て定着し、かつ実用面でも記録密度向上による機
器の小型軽量化にこたえてきたが、媒体内の減磁
界により記録密度の向上が限界に達していた。 そこで最近、長手記録方式の記録密度の限界を
打破する可能性のある記録方式として、媒体の表
面と直交する方向の磁化を利用する、いわゆる垂
直記録方式が提案され注目されている。 前記垂直磁気記録方式は、優れた短波長記録特
性を有し、又ピークシフトが極めて少ないため、
デイジタル信号の記録に最適であり、面記録密度
的にも光記録と同等或いは、同等以上の109ビツ
ト／平方インチの可能性もあることが明らかにな
りつつあるものである。 この垂直磁気記録方式には、記録媒体表面に、
垂直方向に磁化容易軸を有する媒体が必要であ
る。現在知られている媒体の構成材料はCo−Cr，
Co−Ｖ，Co−Ru，Co−Mn，Co−Mo，Co−
Ｗ，Co−Ti，Co−Ni−Cr等である。 しかし、従来よりこれらCo合金から成る垂直
磁気記録媒体をテープとして使用する時、テープ
に傷が発生する問題があつた。 このテープの傷の発生を防止するため、有機滑
剤等を薄くコーテイングすることが考えられてい
たが、実用に至る耐久性を持たせることができな
かつた。 発明の目的 本発明は、前記従来の欠点を除去するものであ
り垂直磁気記録方式の短波長記録での優れた特長
を生かし、且つ実用耐久性を向上させた磁気テー
プの提供を目的とする。 発明の構成 本発明の磁気テープは、運動する磁気ヘツドに
より記録、再生する磁気テープであつて前記ヘツ
ドの運動方向に、5°以上25°以下傾斜した柱状構
造の結晶から成る磁性層を有し、前記柱状結晶の
Ｃ軸方向が磁化方向であることを特徴とするもの
である。 実施例の説明 第１図に本発明の磁気テープの断面のモデル図
を示す。 同図において矢印が磁気ヘツドの運動方向とす
ると、柱状構造を有する結晶粒子１のＣ軸２が、
基板３面に立てた法線との成す角θが、5°以上で
25°以下であることが、実用耐久性の向上に効果
がある。 この角度範囲であれば、完全な垂直磁化の理想
状態、（実際はＣ軸の分散があり、θ＝0°は作り
得ない。）の出力と殆んど測定誤差内におさまる
ことから、短波長記録での有用性は維持できる。 5°以上傾斜したことで、何故テープ表面に傷の
発生がみられないかは明らかではないが、25°以
上になると走行系で、柱状の柱を起すように力が
作用するポスト等で傷のトリガが生ずることで一
方の限界が決つてくる。 傾きが5°以下の場合、実際には、製膜条件を精
度に管理しても、何割かは、ヘツドの運動方向と
逆に傾いた成分が生ずることから、傷のトリガが
生ずるものと考えられる。 尚、Ｃ軸の角度は平均値である。 本発明の磁気テープは、高分子基板に直接、又
は非磁性層、軟磁性層等を介して、強磁性層を形
成した後、所定の幅にスリツトして得られるもの
である。 ここで用いられる高分子基板は、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート、芳
香族ポリアミド、ポリイミド等であり非磁性層と
しては、Cr，Ti，Mo，Ｗ、等が用いられ、軟磁
性層は80％Ni20％Feのパーマロイが良く用いら
れる。 強磁性層としては、Coに20％程度のCrを添加
して、飽和磁化を下げ、Ｃ軸方向に磁化できるよ
うにしたものが代表的であるが、Crの他に、
NiCr，Ti，Mn，Ｖ，Mo，ｗ，Ru等が適宜用い
られる。 本発明の磁気テープを得る方法は、電子ビーム
蒸着、イオンプレーテイング、電界蒸着、スパツ
タリング等であり、必要に応じて強磁性層の上
に、有機滑剤、防錆剤、等をコーテイングするこ
とができるのは勿論である。 以下さらに具体的な実施例を説明する。 〔実施例１〕 芳香族ポリアミド基板上に、0.3μmの厚みにCo
−Cr層を電子ビーム蒸着法で形成した。 前記基板を250℃の回転キヤンに沿つて移動さ
せた。 Crの濃度は21％の一定値としスリツトの位置
を変えて、柱状構造の基板に対する傾斜角を変化
させた。 Ｘ線回折によりＣ軸の傾きと分散を調べ、平均
的な角度を調べた。 表面にステアリン酸を約30Å有機蒸着したもの
を８mm幅の磁気テープにした。 VHSデツキを改造し、バツクテンシヨン20ｇ
を８mm幅のテープにかけてくり返し走行させて、
50パス（50回通過）後、表面を顕微鏡で観察し、
傷の有無を調べた。 その実験結果は第２図に示したように、実用レ
ベルのＣ軸の傾きは5°から25°の間であることが
わかる。 尚傷の発生頻度は100本（テープ長15m）テス
トして傷の発生したテープの本数を調査した結果
である。テスト環境は33℃88％RHである。 〔実施例２〕 8μmの膜厚のポリエチレンテレフタレート上
に、Ar分圧１×10-2TORR、周波数13.56MHzの
高周波グロー放電により、Co−Ｖ膜を0.25μm厚
で形成した。Ｃ軸の傾斜角を約10°となるよう、
回転キヤン上のスリツト位置を調整した。 これをベースとして、表面に滑剤を塗布した。
それらを８mm幅のテープとし、実施例１と同じ実
験を行つた。
ープに関する。 従来例の構成とその問題点 従来より、長手記録方式は、磁気記録方式とし
て定着し、かつ実用面でも記録密度向上による機
器の小型軽量化にこたえてきたが、媒体内の減磁
界により記録密度の向上が限界に達していた。 そこで最近、長手記録方式の記録密度の限界を
打破する可能性のある記録方式として、媒体の表
面と直交する方向の磁化を利用する、いわゆる垂
直記録方式が提案され注目されている。 前記垂直磁気記録方式は、優れた短波長記録特
性を有し、又ピークシフトが極めて少ないため、
デイジタル信号の記録に最適であり、面記録密度
的にも光記録と同等或いは、同等以上の109ビツ
ト／平方インチの可能性もあることが明らかにな
りつつあるものである。 この垂直磁気記録方式には、記録媒体表面に、
垂直方向に磁化容易軸を有する媒体が必要であ
る。現在知られている媒体の構成材料はCo−Cr，
Co−Ｖ，Co−Ru，Co−Mn，Co−Mo，Co−
Ｗ，Co−Ti，Co−Ni−Cr等である。 しかし、従来よりこれらCo合金から成る垂直
磁気記録媒体をテープとして使用する時、テープ
に傷が発生する問題があつた。 このテープの傷の発生を防止するため、有機滑
剤等を薄くコーテイングすることが考えられてい
たが、実用に至る耐久性を持たせることができな
かつた。 発明の目的 本発明は、前記従来の欠点を除去するものであ
り垂直磁気記録方式の短波長記録での優れた特長
を生かし、且つ実用耐久性を向上させた磁気テー
プの提供を目的とする。 発明の構成 本発明の磁気テープは、運動する磁気ヘツドに
より記録、再生する磁気テープであつて前記ヘツ
ドの運動方向に、5°以上25°以下傾斜した柱状構
造の結晶から成る磁性層を有し、前記柱状結晶の
Ｃ軸方向が磁化方向であることを特徴とするもの
である。 実施例の説明 第１図に本発明の磁気テープの断面のモデル図
を示す。 同図において矢印が磁気ヘツドの運動方向とす
ると、柱状構造を有する結晶粒子１のＣ軸２が、
基板３面に立てた法線との成す角θが、5°以上で
25°以下であることが、実用耐久性の向上に効果
がある。 この角度範囲であれば、完全な垂直磁化の理想
状態、（実際はＣ軸の分散があり、θ＝0°は作り
得ない。）の出力と殆んど測定誤差内におさまる
ことから、短波長記録での有用性は維持できる。 5°以上傾斜したことで、何故テープ表面に傷の
発生がみられないかは明らかではないが、25°以
上になると走行系で、柱状の柱を起すように力が
作用するポスト等で傷のトリガが生ずることで一
方の限界が決つてくる。 傾きが5°以下の場合、実際には、製膜条件を精
度に管理しても、何割かは、ヘツドの運動方向と
逆に傾いた成分が生ずることから、傷のトリガが
生ずるものと考えられる。 尚、Ｃ軸の角度は平均値である。 本発明の磁気テープは、高分子基板に直接、又
は非磁性層、軟磁性層等を介して、強磁性層を形
成した後、所定の幅にスリツトして得られるもの
である。 ここで用いられる高分子基板は、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート、芳
香族ポリアミド、ポリイミド等であり非磁性層と
しては、Cr，Ti，Mo，Ｗ、等が用いられ、軟磁
性層は80％Ni20％Feのパーマロイが良く用いら
れる。 強磁性層としては、Coに20％程度のCrを添加
して、飽和磁化を下げ、Ｃ軸方向に磁化できるよ
うにしたものが代表的であるが、Crの他に、
NiCr，Ti，Mn，Ｖ，Mo，ｗ，Ru等が適宜用い
られる。 本発明の磁気テープを得る方法は、電子ビーム
蒸着、イオンプレーテイング、電界蒸着、スパツ
タリング等であり、必要に応じて強磁性層の上
に、有機滑剤、防錆剤、等をコーテイングするこ
とができるのは勿論である。 以下さらに具体的な実施例を説明する。 〔実施例１〕 芳香族ポリアミド基板上に、0.3μmの厚みにCo
−Cr層を電子ビーム蒸着法で形成した。 前記基板を250℃の回転キヤンに沿つて移動さ
せた。 Crの濃度は21％の一定値としスリツトの位置
を変えて、柱状構造の基板に対する傾斜角を変化
させた。 Ｘ線回折によりＣ軸の傾きと分散を調べ、平均
的な角度を調べた。 表面にステアリン酸を約30Å有機蒸着したもの
を８mm幅の磁気テープにした。 VHSデツキを改造し、バツクテンシヨン20ｇ
を８mm幅のテープにかけてくり返し走行させて、
50パス（50回通過）後、表面を顕微鏡で観察し、
傷の有無を調べた。 その実験結果は第２図に示したように、実用レ
ベルのＣ軸の傾きは5°から25°の間であることが
わかる。 尚傷の発生頻度は100本（テープ長15m）テス
トして傷の発生したテープの本数を調査した結果
である。テスト環境は33℃88％RHである。 〔実施例２〕 8μmの膜厚のポリエチレンテレフタレート上
に、Ar分圧１×10-2TORR、周波数13.56MHzの
高周波グロー放電により、Co−Ｖ膜を0.25μm厚
で形成した。Ｃ軸の傾斜角を約10°となるよう、
回転キヤン上のスリツト位置を調整した。 これをベースとして、表面に滑剤を塗布した。
それらを８mm幅のテープとし、実施例１と同じ実
験を行つた。
【表】
ポリイミド25μm上に、回転キヤン温度130℃条
件で回転キヤンに13.56MHzの高周波を印加した
状態で、CoとＷを別々に電子ビーム蒸発させる
方法で、Ｃ軸傾斜角をスリツト位置を変化させて
試作した。 得られたCo−Ｗ（W19.7at％厚み0.33μm）層上
に、ベヘン酸オクチルを1000ppmだけｎ−ヘキサン
に溶かして塗布し、８mm幅にスリツトして磁気テ
ープとした。 Ｃ軸の傾斜角が5°での傷の発生頻度は２％であ
つたが傾斜角が3.7°では12％という高い発生頻度
であつた。 〔実施例４〕 実施例３と同じ条件で、CoとMoを用いて、
Co−Mo（Mo23at％、厚み0.5μm）層を形成しそ
の表面にステアリン酸ブチルをｎ−ヘキサンに
800ppm溶かして塗布し、８mm幅にスリツトして磁
気テープとした。 Ｃ軸の傾斜角が6°では傷の発生がなかつたが、
傾斜角が4.8°では８％の傷がみられた。 〔実施例５〕 5.5μm厚のポリエチレンナフタレート上に、80
％Ni−20％Feの薄膜を電子ビーム蒸着により、
0.6μm膜厚に形成した基板を用い、Co−Cr
（Cr20at％）薄膜を0.3μm形成した。その表面に、
ベヘン酸を35〓有機蒸着した。これらを８mm幅の
テープとして評価した。 Ｃ軸の傾斜角5.5°のもののうち、Co−Crを電子
ビーム蒸着法によつたものをＡテープ、回転キヤ
ンを絶縁して、前記回転キヤンに13.56MHzの高
周波電圧を印加しての電子ビーム蒸着法によつた
ものをＢテープ、13.56MHz，Ar8×10-3TORRで
の高周波グローを用いたスパツタリング法によつ
たものをＣテープとすると、33℃88％RHでは、
Ａ，Ｂ，Ｃの各テープの傷は共に０％，40℃88％
RHではＡが２％ Ｂが０％ Ｃが１％，45℃10
％RHではＡが３％ Ｂが１％ Ｃが０％、であ
つたのに対し、Ｃ軸の傾きが4.8°では、平均する
と、どの環境でも10％以下のものはなかつた。 発明の効果 本発明により、垂直磁気記録方式に利用できる
磁気テープの耐久性が向上した。 これにより、垂直方式による短波長記録が実用
に供しうる見通しがたつた。 すなわち、デイジタル記録で重要なエラーレイ
トの原因となる傷の発生は、インタフエイスの改
良により０％にできるところまでおさえることが
できた。
件で回転キヤンに13.56MHzの高周波を印加した
状態で、CoとＷを別々に電子ビーム蒸発させる
方法で、Ｃ軸傾斜角をスリツト位置を変化させて
試作した。 得られたCo−Ｗ（W19.7at％厚み0.33μm）層上
に、ベヘン酸オクチルを1000ppmだけｎ−ヘキサン
に溶かして塗布し、８mm幅にスリツトして磁気テ
ープとした。 Ｃ軸の傾斜角が5°での傷の発生頻度は２％であ
つたが傾斜角が3.7°では12％という高い発生頻度
であつた。 〔実施例４〕 実施例３と同じ条件で、CoとMoを用いて、
Co−Mo（Mo23at％、厚み0.5μm）層を形成しそ
の表面にステアリン酸ブチルをｎ−ヘキサンに
800ppm溶かして塗布し、８mm幅にスリツトして磁
気テープとした。 Ｃ軸の傾斜角が6°では傷の発生がなかつたが、
傾斜角が4.8°では８％の傷がみられた。 〔実施例５〕 5.5μm厚のポリエチレンナフタレート上に、80
％Ni−20％Feの薄膜を電子ビーム蒸着により、
0.6μm膜厚に形成した基板を用い、Co−Cr
（Cr20at％）薄膜を0.3μm形成した。その表面に、
ベヘン酸を35〓有機蒸着した。これらを８mm幅の
テープとして評価した。 Ｃ軸の傾斜角5.5°のもののうち、Co−Crを電子
ビーム蒸着法によつたものをＡテープ、回転キヤ
ンを絶縁して、前記回転キヤンに13.56MHzの高
周波電圧を印加しての電子ビーム蒸着法によつた
ものをＢテープ、13.56MHz，Ar8×10-3TORRで
の高周波グローを用いたスパツタリング法によつ
たものをＣテープとすると、33℃88％RHでは、
Ａ，Ｂ，Ｃの各テープの傷は共に０％，40℃88％
RHではＡが２％ Ｂが０％ Ｃが１％，45℃10
％RHではＡが３％ Ｂが１％ Ｃが０％、であ
つたのに対し、Ｃ軸の傾きが4.8°では、平均する
と、どの環境でも10％以下のものはなかつた。 発明の効果 本発明により、垂直磁気記録方式に利用できる
磁気テープの耐久性が向上した。 これにより、垂直方式による短波長記録が実用
に供しうる見通しがたつた。 すなわち、デイジタル記録で重要なエラーレイ
トの原因となる傷の発生は、インタフエイスの改
良により０％にできるところまでおさえることが
できた。
第１図は本発明の磁気テープの断面図、第２図
は同テープのＣ軸の傾斜角と傷の発生頻度の関係
を示す図である。 １……柱状結晶粒子、３……基板。
は同テープのＣ軸の傾斜角と傷の発生頻度の関係
を示す図である。 １……柱状結晶粒子、３……基板。
Claims (1)
- １ ヘツドの運動方向に5°以上25°以下傾斜した
柱状構造の結晶から成る磁性層を有し、前記柱状
構造の結晶のＣ軸方向が磁化方向であることを特
徴とする磁気テープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059480A JPS59185021A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | 磁気テ−プ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58059480A JPS59185021A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | 磁気テ−プ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59185021A JPS59185021A (ja) | 1984-10-20 |
| JPH0462128B2 true JPH0462128B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=13114508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58059480A Granted JPS59185021A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | 磁気テ−プ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59185021A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61110332A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-04-04 JP JP58059480A patent/JPS59185021A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59185021A (ja) | 1984-10-20 |
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