JPH0673169B2 - 磁気デイスク - Google Patents
磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPH0673169B2 JPH0673169B2 JP12534785A JP12534785A JPH0673169B2 JP H0673169 B2 JPH0673169 B2 JP H0673169B2 JP 12534785 A JP12534785 A JP 12534785A JP 12534785 A JP12534785 A JP 12534785A JP H0673169 B2 JPH0673169 B2 JP H0673169B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic disk
- magnetic
- present
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は情報処理システムに於けるファイル記憶として
用いられる磁気ディスクに関するものである。
用いられる磁気ディスクに関するものである。
従来の技術 近年、磁気ディスクは高密度磁気記録の要求に応えるべ
く、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気ディスクの
開発が盛んである。
く、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気ディスクの
開発が盛んである。
第2図,第3図は従来の磁気ディスクの一例の断面図で
ある。
ある。
第2図において、1はポリエステルフィルムから成る基
板で、2はCr等の非磁性下地層3はCo−Ni(Ni:20wt
%)スパッタ膜で4は含弗素系プラズマ重合保護膜であ
る。
板で、2はCr等の非磁性下地層3はCo−Ni(Ni:20wt
%)スパッタ膜で4は含弗素系プラズマ重合保護膜であ
る。
第3図は、両面アクセスの垂直磁気記録用のフロッピー
ディスクの断面を示すものである。
ディスクの断面を示すものである。
第3図に於て、5はポリイミドから成る基板6,7はパー
マロイ(Niは80wt%近傍の含有量がよく用いられる。)
下地層で、8,9はCoCr(Cr:20wt%)スパッタ膜で、磁化
容易軸の方向が基板面に垂直となっている、いわゆる垂
直磁化膜である。〔例えば、東北大通研シンポジウム論
文集「垂直磁気記録」PP.131〜141(1984)〕 第2図,第3図に示したいずれも、薄膜の厚みの合計の
値が0.3μmから0.7μmと大きい。
マロイ(Niは80wt%近傍の含有量がよく用いられる。)
下地層で、8,9はCoCr(Cr:20wt%)スパッタ膜で、磁化
容易軸の方向が基板面に垂直となっている、いわゆる垂
直磁化膜である。〔例えば、東北大通研シンポジウム論
文集「垂直磁気記録」PP.131〜141(1984)〕 第2図,第3図に示したいずれも、薄膜の厚みの合計の
値が0.3μmから0.7μmと大きい。
これは高密度磁気記録に必要な、保磁力の確保の点から
出ているものであると説明されている。
出ているものであると説明されている。
第3図で10,11は、第2図の4と同じで、保護膜であ
る。
る。
発明が解決しようとする問題点 しかし上記したような構成では、磁気ヘッドとの接触時
に起る媒体のダメージを回避することが充分できていな
い。この現象は、信頼度を著しく低下させることになり
改善が望まれている。
に起る媒体のダメージを回避することが充分できていな
い。この現象は、信頼度を著しく低下させることになり
改善が望まれている。
これは恐らく、薄膜の圧縮方向に対して受ける応力に対
する強度が、従来のディスクに用いられているち密な磁
性薄膜では弱いためと思われるもので、本発明は上記事
情に鑑み、磁気ヘッドから受ける圧縮応力のパルス的変
動に対して強度を有する磁気記録層を配した磁気ディス
クを提供することを目的としている。
する強度が、従来のディスクに用いられているち密な磁
性薄膜では弱いためと思われるもので、本発明は上記事
情に鑑み、磁気ヘッドから受ける圧縮応力のパルス的変
動に対して強度を有する磁気記録層を配した磁気ディス
クを提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため、本発明の磁気ディスクは、
長手方向の熱収縮が横方向の30%から60%の高分子フィ
ルム上に微粒子塗布層を配し、その上に斜め蒸着法で形
成した強磁性金属薄膜を備えたものである。
長手方向の熱収縮が横方向の30%から60%の高分子フィ
ルム上に微粒子塗布層を配し、その上に斜め蒸着法で形
成した強磁性金属薄膜を備えたものである。
作 用 本発明は上記した構成により、磁気ディスクに必要な磁
気記録層の面内等方性が、斜め蒸着膜の有する異方性
と、該蒸着膜が高分子フィルムの熱収縮比率の長手方向
と横方向の差違で平均化されるため大きい抗磁力で得ら
れるものと考えられるのと、斜め蒸着膜は、欠陥が多く
含まれかつボイドも多く、パルス的な圧縮応力に対して
強くなっているため、磁気ヘッドからダメージを受けな
いようにすることができ、磁気ディスクの信頼性を保て
るものである。
気記録層の面内等方性が、斜め蒸着膜の有する異方性
と、該蒸着膜が高分子フィルムの熱収縮比率の長手方向
と横方向の差違で平均化されるため大きい抗磁力で得ら
れるものと考えられるのと、斜め蒸着膜は、欠陥が多く
含まれかつボイドも多く、パルス的な圧縮応力に対して
強くなっているため、磁気ヘッドからダメージを受けな
いようにすることができ、磁気ディスクの信頼性を保て
るものである。
実施例 以下、本発明の実施例の磁気ディスクについて図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る磁気記録媒体の拡大断
面図である。
面図である。
第1図で、12は厚み26μmのポリエチレンテレフタレー
トフィルムで、150℃3分間の熱収縮率が長手方向と横
方向の比率が30%から60%の範囲にあるものである。熱
収縮率の大きさは1.5%から8%の範囲までの範囲では
比率で決ることを確かめている。
トフィルムで、150℃3分間の熱収縮率が長手方向と横
方向の比率が30%から60%の範囲にあるものである。熱
収縮率の大きさは1.5%から8%の範囲までの範囲では
比率で決ることを確かめている。
又、150℃3分間はひとつの評価法であるが、ポリエチ
レン2−6ナフタレート、ポリカーボネート、ポリフエ
ニレンサルファイドの各フィルムについてはこの条件を
満たせば充分である。
レン2−6ナフタレート、ポリカーボネート、ポリフエ
ニレンサルファイドの各フィルムについてはこの条件を
満たせば充分である。
13は微粒子塗布層で、直径300Åのシリカ微粒子を平均1
0ケ/(μm)2、エポキシ樹脂(平均厚み40Å)でフ
ィルム12の表面に固定したものである。
0ケ/(μm)2、エポキシ樹脂(平均厚み40Å)でフ
ィルム12の表面に固定したものである。
14は斜め蒸着法にて形成したCo−O膜で厚み0.15μm、
Co:Oの原子%比率は84:16である。
Co:Oの原子%比率は84:16である。
この膜の形成は、直径1mの円筒キヤンに沿ってフィルム
を移動させながら、5×15-5Torrの酸素分圧中でCoを電
子ビーム蒸着して行った。最小入射角は22度で、円筒キ
ヤンの表面温度は66〔℃〕に保った。
を移動させながら、5×15-5Torrの酸素分圧中でCoを電
子ビーム蒸着して行った。最小入射角は22度で、円筒キ
ヤンの表面温度は66〔℃〕に保った。
得られたCo−O膜の保磁力は805±15〔e〕の範囲で
面内に於てほぼ等方的であると見なせるものであった。
面内に於てほぼ等方的であると見なせるものであった。
15は溶液塗布法にて形成したステアリン酸鉛の塗膜で平
均膜厚は110Åとした。
均膜厚は110Åとした。
広幅(50cm幅、長さ1000m)のものから3.5インチの磁気
ディスクを打ち塗いて、アモルファス合金ヘッドを用い
て記録再生をくり返した。
ディスクを打ち塗いて、アモルファス合金ヘッドを用い
て記録再生をくり返した。
最外周トラックと最内周トラックを交互に10分ずつトレ
ースしてドロップアウトとドロップインの頻度を調べ
た。
ースしてドロップアウトとドロップインの頻度を調べ
た。
比較のためにスパッタ法でポリイミドフィルム(厚みは
25μm)上にCoNi(N:20wt%)を0.16μm形成し、その
上にステアリン酸鉛をスピンコート法で平均膜厚110Å
塗布した媒体を用いた。このCo−Niの保磁力は600(
e)であった。
25μm)上にCoNi(N:20wt%)を0.16μm形成し、その
上にステアリン酸鉛をスピンコート法で平均膜厚110Å
塗布した媒体を用いた。このCo−Niの保磁力は600(
e)であった。
保磁力に於て実施例と差があるので、比較例に不利にな
らないように記録ビット長は0.6μmで比較し、ドロッ
プアウトは信号出力が定常値の値を0(dB)とした時、
−10(dB)以上低下した時、ドロップイン+3(dB)以
上出力が増加した時を計数した。
らないように記録ビット長は0.6μmで比較し、ドロッ
プアウトは信号出力が定常値の値を0(dB)とした時、
−10(dB)以上低下した時、ドロップイン+3(dB)以
上出力が増加した時を計数した。
実施例と比較例についてドラップアウトパルスとドロッ
プインパルス数を各10分毎に比較した結果を表に示す。
プインパルス数を各10分毎に比較した結果を表に示す。
以上のように本実施例によれば、熱収縮の異方性と斜方
蒸着の組み合わせにより、磁気記録層がダメージを受け
て変化するとみられるドロップアウトやドロップインを
良好な水準で維持できることがわかる。
蒸着の組み合わせにより、磁気記録層がダメージを受け
て変化するとみられるドロップアウトやドロップインを
良好な水準で維持できることがわかる。
なお実施例ではポリエチレンテレフタレートを高分子フ
ィルムとして用いたが、他にポリエチレン2−6ナフタ
レート,ポリカーボネート,ポリフエニレンサルファイ
ド,ポリアミド,ポリイミド等でもよい。
ィルムとして用いたが、他にポリエチレン2−6ナフタ
レート,ポリカーボネート,ポリフエニレンサルファイ
ド,ポリアミド,ポリイミド等でもよい。
又微粒子塗布層の構成材料はシリカとエポキシ樹脂とし
たが、他にCaCO3,TiO2,CaSO4,BaSO4,Fe3O4,ポリエステ
ル球等の微粒子,ポリエステル,ポリサルフオン,ポリ
ウレタン,ポリイミド等の樹脂でもよい。
たが、他にCaCO3,TiO2,CaSO4,BaSO4,Fe3O4,ポリエステ
ル球等の微粒子,ポリエステル,ポリサルフオン,ポリ
ウレタン,ポリイミド等の樹脂でもよい。
強磁性金属薄膜としてCo−O膜を用いたが、他にCo−N
i,Co−Cr,Co−Ti,Co−Mo,Co−W,Co−Ta,Co−Si,Co−Sn,
Co−Sm,Co−Pt,Co−Rh,Co−Ru,Co−Ni−P,Co−Ni−O等
の斜め蒸着膜でもよい。
i,Co−Cr,Co−Ti,Co−Mo,Co−W,Co−Ta,Co−Si,Co−Sn,
Co−Sm,Co−Pt,Co−Rh,Co−Ru,Co−Ni−P,Co−Ni−O等
の斜め蒸着膜でもよい。
なお、保護,潤滑の目的のオーバーコートは適宜工夫す
ればよい。
ればよい。
発明の効果 以上のように本発明によれば、磁気ディスクの表面が磁
気ヘッドから受けるパルス的な圧縮応力でダメージを受
けないため、くり返し長時間使用してもドロップアウト
やドロップイン等の信号誤りの極めて少い状態を維持で
きるといったすぐれた効果を得ることができる。
気ヘッドから受けるパルス的な圧縮応力でダメージを受
けないため、くり返し長時間使用してもドロップアウト
やドロップイン等の信号誤りの極めて少い状態を維持で
きるといったすぐれた効果を得ることができる。
第1図は本発明の一実施例に係る磁気ディスクの拡大断
面図、第2図および第3図は従来の磁気ディスクの拡大
断面図である。 12……高分子フィルム、13……微粒子塗布層、14……強
磁性金属薄膜。
面図、第2図および第3図は従来の磁気ディスクの拡大
断面図である。 12……高分子フィルム、13……微粒子塗布層、14……強
磁性金属薄膜。
Claims (1)
- 【請求項1】長手方向の熱収縮が横方向の30%から60%
の高分子フィルム上に微粒子塗布層を配し、その上に斜
め蒸着法で形成した強磁性金属薄膜を配したことを特徴
とする磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12534785A JPH0673169B2 (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12534785A JPH0673169B2 (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 磁気デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284828A JPS61284828A (ja) | 1986-12-15 |
| JPH0673169B2 true JPH0673169B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=14907867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12534785A Expired - Lifetime JPH0673169B2 (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0673169B2 (ja) |
-
1985
- 1985-06-10 JP JP12534785A patent/JPH0673169B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61284828A (ja) | 1986-12-15 |
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