JPH0462190B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0462190B2 JPH0462190B2 JP57036440A JP3644082A JPH0462190B2 JP H0462190 B2 JPH0462190 B2 JP H0462190B2 JP 57036440 A JP57036440 A JP 57036440A JP 3644082 A JP3644082 A JP 3644082A JP H0462190 B2 JPH0462190 B2 JP H0462190B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetically sensitive
- bonding pad
- sensitive parts
- lead
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回転体の回転角度、回転数を計測する
磁気抵抗素子に係わり、特に回転を検出するに好
適な磁気抵抗素子に関するものである。
磁気抵抗素子に係わり、特に回転を検出するに好
適な磁気抵抗素子に関するものである。
第１図は従来より提案されている磁気抵抗素子
の一例を示す平面図である。同図において、１は
非磁性材でかつ電気的絶縁性を有する例えばガラ
ス板などからなる基板であり、この基板１の所定
位置には磁気抵抗効果を有する感磁部２ａ，２
ｂ，２ｃ，２ｄがそれぞれ計測する磁極幅と同一
ピツチで形成され、またこれらの各感磁部２ａ，
２ｂ，２ｃ，２ｄの両端には感磁信号、電源電流
を授受するリード部３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３
ｅが形成され、さらにこれらのリード部３ａ，３
ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅの他端側には外部回路と電
気的に接続するボンデイングパツド４ａ，４ｂ，
４ｃ，４ｄ，４ｅが形成されている。そして、こ
れらの感磁部２ａ〜２ｄ、リード部３ａ〜３ｅお
よびボンデイングパツド４ａ〜４ｅは基板１上に
パーマロイを蒸着して形成されたパーマロイパタ
ーンで構成されている。
の一例を示す平面図である。同図において、１は
非磁性材でかつ電気的絶縁性を有する例えばガラ
ス板などからなる基板であり、この基板１の所定
位置には磁気抵抗効果を有する感磁部２ａ，２
ｂ，２ｃ，２ｄがそれぞれ計測する磁極幅と同一
ピツチで形成され、またこれらの各感磁部２ａ，
２ｂ，２ｃ，２ｄの両端には感磁信号、電源電流
を授受するリード部３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３
ｅが形成され、さらにこれらのリード部３ａ，３
ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅの他端側には外部回路と電
気的に接続するボンデイングパツド４ａ，４ｂ，
４ｃ，４ｄ，４ｅが形成されている。そして、こ
れらの感磁部２ａ〜２ｄ、リード部３ａ〜３ｅお
よびボンデイングパツド４ａ〜４ｅは基板１上に
パーマロイを蒸着して形成されたパーマロイパタ
ーンで構成されている。
このように構成された磁気抵抗素子は、被検出
体の磁極から磁気信号を大きくとるために一般的
には第２図で示すように差動方式、つまりブリツ
ジ回路を構成するように接続して用られる。すな
わち、同図において、Raは感磁部２ａの電気抵
抗、Rbは感磁部２ｂ、Rcは感磁部２ｃ、Rdは感
磁部２ｄのそれぞれの電気抵抗を示し、電源電圧
Ｖはボンデイングパツド４ｃと４ａ，４ｅ間に接
続されて上記感磁部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄに磁
場を感知すると、感磁部２ａ〜２ｄの抵抗変化に
対応してボンデイングパツド４ｂと４ｄとから第
３図に示すように正弦波の信号電圧V1とV2とが
それぞれ得られる。
体の磁極から磁気信号を大きくとるために一般的
には第２図で示すように差動方式、つまりブリツ
ジ回路を構成するように接続して用られる。すな
わち、同図において、Raは感磁部２ａの電気抵
抗、Rbは感磁部２ｂ、Rcは感磁部２ｃ、Rdは感
磁部２ｄのそれぞれの電気抵抗を示し、電源電圧
Ｖはボンデイングパツド４ｃと４ａ，４ｅ間に接
続されて上記感磁部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄに磁
場を感知すると、感磁部２ａ〜２ｄの抵抗変化に
対応してボンデイングパツド４ｂと４ｄとから第
３図に示すように正弦波の信号電圧V1とV2とが
それぞれ得られる。
しかしながら上記構成による磁気抵抗素子にお
いて、各感磁部２ａ〜２ｄとこれに対応するボン
デイングパツド４ａ〜４ｅとの間に形成された各
リード部３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅは、各ボ
ンデイングパツド部４ａ〜４ｅのパターン表面積
が大きいため、それぞれ複雑な形状を有するパタ
ーン形状となることから、動作中の周囲温度の変
化、製作中のパターン形成の偏差（バラツキ）等
に対して抵抗値が個々に変動し、ボンデイングパ
ツド４ｂ，４ｄから出力される正弦波の信号電圧
V1，V2のオフセツト電圧V0、つまり信号電圧V1
とV2との電位差あるいは信号電圧V1，V2の約10
％以下の電圧が第４図に示すように大幅に偏差し
て高精度の出力信号が得られないという問題があ
つた。
いて、各感磁部２ａ〜２ｄとこれに対応するボン
デイングパツド４ａ〜４ｅとの間に形成された各
リード部３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅは、各ボ
ンデイングパツド部４ａ〜４ｅのパターン表面積
が大きいため、それぞれ複雑な形状を有するパタ
ーン形状となることから、動作中の周囲温度の変
化、製作中のパターン形成の偏差（バラツキ）等
に対して抵抗値が個々に変動し、ボンデイングパ
ツド４ｂ，４ｄから出力される正弦波の信号電圧
V1，V2のオフセツト電圧V0、つまり信号電圧V1
とV2との電位差あるいは信号電圧V1，V2の約10
％以下の電圧が第４図に示すように大幅に偏差し
て高精度の出力信号が得られないという問題があ
つた。
このような問題を改善したものとしては、磁気
抵抗素子の検出回路にオフセツト調整用の抵抗を
接続し、この抵抗値を調整することによつて、オ
フセツト量をほぼ零近傍となるように設定して用
いられていた。
抵抗素子の検出回路にオフセツト調整用の抵抗を
接続し、この抵抗値を調整することによつて、オ
フセツト量をほぼ零近傍となるように設定して用
いられていた。
しかしながら上記構成による磁気抵抗素子によ
ると、オフセツト量の調整が極めて複雑であると
ともに、その調整作業に多大な労力と調整時間を
要し、生産性を大幅に低下させるなどの欠点があ
つた。
ると、オフセツト量の調整が極めて複雑であると
ともに、その調整作業に多大な労力と調整時間を
要し、生産性を大幅に低下させるなどの欠点があ
つた。
したがつて本発明は、上記従来の欠点を改善す
るためになされたものであり、その目的とすると
ころは、各感磁部とボンデイングパツド間のリー
ド部の抵抗値を個々に一定となるようにリード部
を形成したものである。
るためになされたものであり、その目的とすると
ころは、各感磁部とボンデイングパツド間のリー
ド部の抵抗値を個々に一定となるようにリード部
を形成したものである。
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
第５図は本発明による磁気抵抗素子の一例を示
す前記第１図に相当する平面図であり、前述の図
と同記号は同一要素となるのでその説明は省略す
る。同図において、各感磁部２ａ，２ｂ，２ｃ，
２ｄとボンデイングパツド４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄ，４ｅ間にそれぞれ接続される各リード部３
a′，３b′，３c′，３d′，３e′は、それぞれ対応す
る各感磁部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄと各ボンデイ
ングパツド４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ間の距
離に対応してそれぞれ相互間で抵抗値がほぼ同等
となるように各リードの線幅を広くして形成され
ている。すなわち各リード部３a′，３b′，３c′，
３d′，３e′の抵抗をそれぞれra，rb，rc，rd，re
としたとき、中央部のボンデイングパツド４ｃに
対して両端部のボンデイングパツド４ａ，４ｅは
距離が長くなるので、各リード部３a′，３b′，３
c′，３d′，３e′は抵抗値がra＞rb＞rc，re＞rd＞
reとなるように各線幅を異ならせて形成されてい
る。換言すれば、感磁部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ
の面積は小さいので、各抵抗（Ra，Rb，Rc，
Rd）の抵抗値を一致させることは容易であるが、
一方これに対応する各ボンデイングパツド部４
ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅの面積が大きいた
め、リード部３a′，３b′，３c′，３d′，３e′の形
状が複雑となるので、その抵抗ra，rb，rc，rd，
reをra＞rb＞rc，re＞rd＞rcとなるように各リー
ド部３a′，３b′，３c′，３d′，３e′のパターン線
幅を調整することによつて、それぞれ各感磁部−
リード部−ボンデイングパツドの直列合成抵抗を
一致させたものである。第６図はその等価回路図
を示したものである。また、リード部３a′，３
b′，３c′，３d′，３e′の他の具体例としては膜厚
のみを大きくする方法もしくは感磁部２ａ，２
ｂ，２ｃ，２ｄよりも抵抗変化率の小さい金属膜
等を用いることにより、各リード部３a′，３b′，
３c′，３d′，３e′の抵抗値ra，rb，rc，rd，reは
各感磁部の抵抗Ra，Rb，Rc，Rdに対して無視
できる量とすることができ、したがつて第７図に
示すようにボンデイングパツド４ｂ，４ｄからオ
フセツト量の極めて小さい信号電圧V′1，V′2が得
られた。また、ボンデイングパツド４ｂ，４ｄか
ら出力される信号電圧V′1，V′2を電源電圧Ｖの1/
２に設定するには、両端側のリード部３ａ，３ｅ
の抵抗ra，reをそれぞれ2rc、つまりra＝2rc，re
＝2rcとなるように各リード３a′，３e′の抵抗ra，
reを線幅、膜厚で調整もしくは抵抗変化率の小さ
い金属膜を使用することによつて容易に設定可能
である。
す前記第１図に相当する平面図であり、前述の図
と同記号は同一要素となるのでその説明は省略す
る。同図において、各感磁部２ａ，２ｂ，２ｃ，
２ｄとボンデイングパツド４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄ，４ｅ間にそれぞれ接続される各リード部３
a′，３b′，３c′，３d′，３e′は、それぞれ対応す
る各感磁部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄと各ボンデイ
ングパツド４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ間の距
離に対応してそれぞれ相互間で抵抗値がほぼ同等
となるように各リードの線幅を広くして形成され
ている。すなわち各リード部３a′，３b′，３c′，
３d′，３e′の抵抗をそれぞれra，rb，rc，rd，re
としたとき、中央部のボンデイングパツド４ｃに
対して両端部のボンデイングパツド４ａ，４ｅは
距離が長くなるので、各リード部３a′，３b′，３
c′，３d′，３e′は抵抗値がra＞rb＞rc，re＞rd＞
reとなるように各線幅を異ならせて形成されてい
る。換言すれば、感磁部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ
の面積は小さいので、各抵抗（Ra，Rb，Rc，
Rd）の抵抗値を一致させることは容易であるが、
一方これに対応する各ボンデイングパツド部４
ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅの面積が大きいた
め、リード部３a′，３b′，３c′，３d′，３e′の形
状が複雑となるので、その抵抗ra，rb，rc，rd，
reをra＞rb＞rc，re＞rd＞rcとなるように各リー
ド部３a′，３b′，３c′，３d′，３e′のパターン線
幅を調整することによつて、それぞれ各感磁部−
リード部−ボンデイングパツドの直列合成抵抗を
一致させたものである。第６図はその等価回路図
を示したものである。また、リード部３a′，３
b′，３c′，３d′，３e′の他の具体例としては膜厚
のみを大きくする方法もしくは感磁部２ａ，２
ｂ，２ｃ，２ｄよりも抵抗変化率の小さい金属膜
等を用いることにより、各リード部３a′，３b′，
３c′，３d′，３e′の抵抗値ra，rb，rc，rd，reは
各感磁部の抵抗Ra，Rb，Rc，Rdに対して無視
できる量とすることができ、したがつて第７図に
示すようにボンデイングパツド４ｂ，４ｄからオ
フセツト量の極めて小さい信号電圧V′1，V′2が得
られた。また、ボンデイングパツド４ｂ，４ｄか
ら出力される信号電圧V′1，V′2を電源電圧Ｖの1/
２に設定するには、両端側のリード部３ａ，３ｅ
の抵抗ra，reをそれぞれ2rc、つまりra＝2rc，re
＝2rcとなるように各リード３a′，３e′の抵抗ra，
reを線幅、膜厚で調整もしくは抵抗変化率の小さ
い金属膜を使用することによつて容易に設定可能
である。
以上説明したように本発明によれば、磁気抵抗
素子自体にオフセツト量を小さく設定することが
できるので、検出回路において、オフセツト調整
用の抵抗が不要となるため、調整抵抗およびその
調整時間が節約できる。また、特に同時に多相の
磁気検出を行なう場合には、相数の分だけ調整抵
抗の数および調整時間が節約となるので生産性を
大幅に向上させることができるなどの極めて優れ
た効果が得られる。
素子自体にオフセツト量を小さく設定することが
できるので、検出回路において、オフセツト調整
用の抵抗が不要となるため、調整抵抗およびその
調整時間が節約できる。また、特に同時に多相の
磁気検出を行なう場合には、相数の分だけ調整抵
抗の数および調整時間が節約となるので生産性を
大幅に向上させることができるなどの極めて優れ
た効果が得られる。
第１図ないし第４図は従来の磁気抵抗素子の一
例を説明するための図、第５図ないし第７図は本
発明による磁気抵抗素子の一例を示す図である。 １……基板、２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ……感磁
部、３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ……リード
部、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ……ボンデイ
ングパツド。
例を説明するための図、第５図ないし第７図は本
発明による磁気抵抗素子の一例を示す図である。 １……基板、２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ……感磁
部、３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ……リード
部、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ……ボンデイ
ングパツド。
Claims (1)
- １ ガラス基板上に４ケのヘアピン状の感磁部２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを略々平行に配し、前記４
ケのヘアピンのうち、一方の２ケの感磁部２ａ，
２ｂによつてブリツジ回路の一方の辺を形成し、
他方の２ケの感磁部２ｃ，２ｄによつてブリツジ
回路の他の辺を形成し、前記ブリツジ回路を形成
する前記一方の２ケの感磁部２ａ，２ｂの中点
と、前記他方の２ケの感磁部２ｃ，２ｄの中点と
の差動出力を検出する磁気抵抗素子において、前
記一方および他方の感磁部のうちの一端は共通端
を有していて共通ボンデイングパツドに接続さ
れ、前記一方の２ケの感磁部２ａ，２ｂは第２の
端を有して第２のボンデイングパツドに接続さ
れ、前記他方の２ケの感磁部２ｃ，２ｄは第３の
端を有して第３のボンデイングパツドに接続さ
れ、前記共通端と前記共通ボンデイングパツド間
のリード部抵抗rcは前記第２の端子と前記第２の
ボンデイングパツド間のリード部抵抗raおよび前
記第３の端子と前記第３のボンデイングパツド間
のリード部抵抗reの1/2となるようにしたことを
特徴とした磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57036440A JPS58154282A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57036440A JPS58154282A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 磁気抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154282A JPS58154282A (ja) | 1983-09-13 |
| JPH0462190B2 true JPH0462190B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=12469864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57036440A Granted JPS58154282A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154282A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6218077A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Dai Ichi Seiko Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JPS64352U (ja) * | 1987-06-19 | 1989-01-05 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513959A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-31 | Nec Corp | Ferromagnetic resistance effect element |
| JPS6040197B2 (ja) * | 1979-03-30 | 1985-09-10 | ソニー株式会社 | 磁電変換装置 |
-
1982
- 1982-03-10 JP JP57036440A patent/JPS58154282A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58154282A (ja) | 1983-09-13 |
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