JPH0462210B2 - - Google Patents

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JPH0462210B2
JPH0462210B2 JP58207783A JP20778383A JPH0462210B2 JP H0462210 B2 JPH0462210 B2 JP H0462210B2 JP 58207783 A JP58207783 A JP 58207783A JP 20778383 A JP20778383 A JP 20778383A JP H0462210 B2 JPH0462210 B2 JP H0462210B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thyristor
triax
resistor
detection circuit
switching element
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP58207783A
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English (en)
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JPS6098720A (ja
Inventor
Kyoshi Myamoto
Hisatoshi Nodera
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Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
Application filed by Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Tateisi Electronics Co
Priority to JP58207783A priority Critical patent/JPS6098720A/ja
Publication of JPS6098720A publication Critical patent/JPS6098720A/ja
Publication of JPH0462210B2 publication Critical patent/JPH0462210B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/945Proximity switches

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明はスイツチング素子によつて負荷を直接
制御する交流二線式の電子スイツチに関し、特に
短絡保護に特徴を有する電子スイツチに関するも
のである。
従来技術とその問題点 負荷を直接制御するように構成されている光電
スイツチや近接スイツチ等の交流二線式電子スイ
ツチは、検知回路部とサイリスタ等のスイツチン
グ素子とを有し、検知出力に基づいてスイツチン
グ素子が駆動され負荷への電力の供給が制御され
るよう構成されている。ところで事故によつて負
荷が内部短絡状態となつた場合や誤つて負荷を接
続することなく電源を直接電子スイツチに接続す
ることがある。そのような場合にスイツチング素
子が閉成されると、スイツチング素子に短絡した
大電流が流れるため素子が破壊されたり場合によ
つては爆発することがあり、人体や周囲の物を損
傷する恐れがあつた。
そしてスイツチング素子に直列に電流制限用の
抵抗を接続してスイツチング素子に流れる電流を
制限することも行われている。しかしこのような
電流制限用抵抗は電力容量を大きくする必要があ
るため小型化することは困難であつた。又短絡電
流をおさえるために抵抗値を大きくすれば通常の
動作時に電子スイツチの残流電圧が大きくなると
いう問題点があつた。
発明の目的 本発明はこのような従来の電子スイツチの問題
点を解消するものであつて、短絡時に確実にスイ
ツチング素子を保護することができ、しかも動作
時の残留電圧を小さくすることができる交流二線
式の電子スイツチを提供するものである。
発明の構成と効果 本願の第1の発明はスイツチング素子によつて
負荷を直接制御する交流二線式の電子スイツチで
あつて、検知回路部と、電子スイツチの二つの端
子間に接続された電流制限用抵抗と短絡時にのみ
駆動されるトライアツクとの直列接続体と、トラ
イアツクに並列に接続され、検知回路部の出力に
よつて駆動されて負荷を制御する出力開閉用スイ
ツチング素子と、出力開閉用スイツチング素子に
直列に接続され、過電流を検出する過電流検出用
抵抗と、過電流検出用抵抗の両端の電圧が一定以
上になればトリガされ、検知回路部の動作をリセ
ツトすると共にトライアツクをトリガするフオト
カツプラサイリスタと、を具備することを特徴と
するものである。
又本願の第2の発明は検知回路部と、電子スイ
ツチの二つの端子間に接続された電流制限用抵抗
と短絡時にのみ駆動されるトライアツクとの直列
接続体と、トライアツクに並列に接続され、検知
回路部の出力によつて駆動されて負荷を制御する
出力開閉用スイツチング素子と、出力開閉用スイ
ツチング素子に直列に接続され、過電流を検出す
る過電流検出用抵抗と、検知回路部のリセツト端
子に接続され、過電流検出用抵抗の両端の電圧が
一定以上になればトリガされ、検知回路部をリセ
ツトするサイリスタと、サイリスタの導通によつ
て発光する発光部、及びその発光部によつて導通
してトライアツクをトリガするサイリスタ部を有
するフオトカツプラサイリスタと、を具備するこ
とを特徴とするものである。
このような特徴を有する第1の発明によれば、
所定の過電流が流れたときに直ちにトライアツク
がトリガされると共に、フオトカツプラサイリス
タが駆動されて検知回路部の動作がリセツトされ
る。又第2の発明によれば、所定の過電流が流れ
たときにサイリスタが駆動されて検知回路部をリ
セツトし、同時にフオトカツプラサイリスタの発
光部が発光してそのサイリスタ部によつてトライ
アツクがトリガされる。従つていずれの場合も短
絡電流はトライアツクを流れ出力開閉用のスイツ
チング素子に流れなくなり、出力開閉用スイツチ
ング素子を保護することが可能となる。トライア
ツクを流れる短絡電流は電流制限用抵抗によつて
制限されるが、トライアツクの耐サージ電流はサ
イリスタに比べて大きいため電流制限用抵抗の抵
抗値を小さくすることができる。そのため通常の
動作時にこの抵抗によつて生じる残留電圧を小さ
くすることが可能となる。又検知回路部をリセツ
トするサイリスタは検知回路部に与えられる電源
によつて保持されるため、短絡電流は交流のゼロ
クロス時以後流れることはなく電子スイツチを保
護することができる。
実施例の説明 第1図は本発明による電子スイツチの一実施例
を示す回路図である。本図において端子1,2間
には電流制限用抵抗R3と二つのサージ電圧吸収
用のアバランシエダイオード4a,4bが夫々逆
方向に直列に接続されている。そしてアバランシ
エダイオード4a,4bに並列に短絡時にのみ動
作するトライアツク5が接続されており、トライ
アツク5には更にダイオードブリツジ6と過電流
検出用の抵抗R7が接続される。過電流検出用抵
抗R7とダイオードブリツジ6との接続点は、二
つのフオトカツプラサイリスタ8,9の発光部で
ある発光ダイオード8L,9Lが夫々逆方向に接
続されている。電流制限用抵抗R3は短絡時にト
ライアツク5を流れる電流がその耐サージ電流値
以下となるように選択された低抵抗であり、過電
流検出用抵抗R7は短絡電流を検出してトライア
ツク5にトリガ信号を与えるものであつて、例え
ば0.1Ω以下の極めて低い抵抗値を有する抵抗と
する。この抵抗R7の抵抗値は極めて小さい値で
あるためサージアブソーバとしてトライアツクの
ゲートに通常設けられているC・R回路は不要と
なる。ダイオードブリツジ6は端子1,2間に与
えられる交流電圧を整流するものであつて、その
正負出力端間にサイリスタ10が接続され、更に
サイリスタ10に並列に定電圧回路11が接続さ
れている。サイリスタ10は端子1,2に接続さ
れる負荷に合わせてその負荷電流を開閉する出力
開閉用のスイツチング素子である。このサイリス
タ10は必要にして十分な定格電流(例えば2A)
を有するものとし、必要以上に大きなサイリスタ
を用いないようにする。これは定格電流が2A以
下のサイリスタではゲートトリガ電流は数mA程
度でよいが、定格電流が3A以上のサイリスタの
場合ゲートトリガ電流は数十mA以上を要するか
らである。定電圧回路11はICとして形成され
ている検知回路部であるセンサ回路12にトリガ
回路13を介して定電圧を供給するものである。
トリガ回路13にはセンサ回路12の出力を電流
増幅してサイリスタ10にゲート信号を与えるト
ランジスタ14と、電源用のコンデンサを充電す
るためのトランジスタ15とが設けられる。トラ
ンジスタ15はそのベースがツエナダイオード1
6を介してトランジスタ14のコレクタに接続さ
れ、そのコレクタはダイオード17を介してセン
サ回路12の電源入力端Vccに接続される。セン
サ回路12の電源端子間には平滑及び電力供給用
のコンデンサC18が接続される。又トランジス
タ15のコレクタ、エミツタ間には、トランジス
タ15のオフ時にコンデンサC18を充電してセ
ンサ回路12に電源電圧を与えるためのバイパス
用抵抗R19が接続されている。又トリガ回路1
3の電源出力端には抵抗R20を介して前述した
フオトカツプラサイリスタ8,9のサイリスタ部
8S,9Sが並列に接続されている。そして抵抗
R20とサイリスタ8S,9Sの共通接続端には
センサ回路12のリセツト端子がダイオード21
を介して接続される。又センサ回路12には検知
コイル22とコンデンサC23との共振回路が接
続されている。
さて端子1,2間に図示のように交流電源30
と負荷Lとを直列に接続する。そうすれば負荷L
と抵抗R3に微少電流が流れ、交流電源30の交
流電圧はダイオードブリツジ6によつて整流さ
れ、定電圧回路11によつて所定電圧の直流電圧
に変換され、抵抗R19及びダイオード17を介
してセンサ回路12に電源が供給されると共にコ
ンデンサC18が充電される。そしてセンサ回路
12に接続されている検知コイル22とコンデン
サC23による共振回路によりセンサ回路12の
発振器が発振し、物体を検知する動作状態とな
る。そして物体の近接により発振状態が変化する
とセンサ回路12は電源Vccとほぼ等しいHレベ
ルの電圧の出力を出し、トランジスタ14がオン
となつてサイリスタ10をトリガする。そうすれ
ばサイリスタ10がターンオンし、ダイオードブ
リツジ6を介して負荷Lに電流が供給され負荷L
が駆動される。この時抵抗R3及び抵抗R7に電
圧降下が生じるが、夫々前述したように低い抵抗
値の抵抗が選択されているためトライアツク5が
トリガされることはなく、電子スイツチの残留電
圧は小さい値に保たれる。以後の各サイクルにお
いてはゼロクロス点を通過するとサイリスタ10
は一旦ターンオフするが、トランジスタ14及び
15がオン状態となりコンデンサC18が急速充
電され、ツエナダイオード16のツエナ電圧に達
すればトランジスタ15がオフとなり、サイリス
タ10がターンオンする。このようにしてセンサ
回路12に電源を供給すると共にサイリスタ10
を位相制御している。
さて負荷Lに過電流が流れたり負荷Lが短絡さ
れた場合には、短絡電流は抵抗R3、ダイオード
ブリツジ6、サイリスタ10、過電流検出用の抵
抗R7を流れる。そして過電流検出用の抵抗R7
の電圧が瞬間的に上昇するため、フオトカツプラ
サイリスタ8L,9Lのいずれかの発光ダイオー
ドが点灯すると共にトライアツク5がトリガされ
る。そしてトライアツク5がトリガされてオン状
態となると以後短絡電流は抵抗R3、トライアツ
ク5を流れ、サイリスタ10の両端の電圧はゼロ
ボルトに近い値にまで低下するためサイリスタ1
0はターンオフする。従つてこれ以後短絡電流は
ほとんどトライアツク5を流れることとなる。一
方フオトカツプラサイリスタ8,9のいずれかの
発光ダイオード8L,9Lが点灯すれば、それに
対応するサイリスタ8S又は9Sがトリガされて
ターンオフする。そうすればサイリスタ8S又は
9Sのアノード端電圧が下がるため、センサ回路
12のリセツト端子の電圧が低下しセンサ回路1
2はリセツトされる。そしてサイリスタ8S又は
9SはコンデンサC18の放電電流によつてオン
状態を続けるためセンサ回路12もリセツト状態
を続ける。こうしてサイリスタ10には以後トリ
ガ信号が与えられなくなり、以後サイリスタ10
はターンオンすることはなくなる。そして次の半
サイクルにはサイリスタ8S又は9Sはコンデン
サC18の放電電流によつてオン状態を続けてい
るため、センサ回路12はリセツト状態を維持し
ておりサイリスタ10はターンオンしない。従つ
て抵抗R7には電流が流れないためトライアツク
5もターンオンすることはなく、トライアツク5
には短絡時に短絡時点からゼロクロス時点まで抵
抗R3によつて制限された電流が流れるだけとな
る。このように短絡時にはサイリスタに比べて耐
サージ電流が大きいトライアツクに短絡電流を流
して出力開閉用のサイリスタをターンオフするこ
とができ、しかもトライアツクも半サイクル以下
の時間でオフさせることが可能である。それ故ダ
イオードブリツジ6の容量もあまり大きなものと
する必要はなく、電流制限用の抵抗R3の抵抗値
も小さくすることができる。そのため電子スイツ
チの通常のオン時の残留電圧を小さくすることが
可能となる。又それ以後も抵抗R19を通じてセ
ンサ回路12とコンデンサC18に電流が供給さ
れるため、電源30を遮断するまでサイリスタ8
S又は9Sがオン状態を続け再び短絡電流が流れ
ることはなくなる。
第2図は本願の第2発明による一実施例を示す
回路図である。本図において第1図と同一部分は
同一符号で示している。本実施例では出力開閉用
のサイリスタ10に直列に過電流検出用抵抗R3
1を設け、トリガ回路13の電源出力端に二つの
フオトカツプラサイリスタ32,33の発光ダイ
オード部32L,33Lを並列に接続し、夫々抵
抗を介してサイリスタ34のアノード端に接続
し、サイリスタのカソードを接地している。この
サイリスタ34は過電流検知時にトリガされ、セ
ンサ回路12をリセツトするものである。サイリ
スタ34のゲートは抵抗R35及びツエナダイオ
ード36を介して過電流検出用抵抗31に接続さ
れている。又このフオトカツプラサイリスタのサ
イリスタ部を夫々逆方向に並列にトライアツク5
のゲート・アノード間に図示のように接続する。
このような構成によれば短絡時にはまず過電流
検出用抵抗R31の両端の電圧が上昇するため、
サイリスタ3がトリガされてターンオンしセンサ
回路12がリセツトされると共に、二つのフオト
カツプラサイリスタ32,33の発光ダイオード
32L及び33Lが同時に点灯してサイリスタ3
2S及び33Sを同時にトリガする。そうすれば
その時の極性によりいずれかのサイリスタによつ
てトライアツク5がトリガされ、短絡電流は以後
電流制限用抵抗R3及びトライアツク5を流れ
る。この時以後サイリスタ34がコンデンサC1
8によつて保持されることは第1図の実施例と同
様であり、この場合にも短絡時点から次のゼロク
ロス点まで短絡電流がトライアツクに流れるだけ
で以後の短絡を防止することが可能である。
尚本実施例は近接スイツチについて説明した
が、光電スイツチや他の形式の交流二線式電子ス
イツチに適用することができることはいうまでも
ない。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は夫々本願の第1発明及び第
2発明による交流二線式電子スイツチの異なる実
施例を示す回路図である。 1,2……端子、R3……電流制限用抵抗、5
……トライアツク、8,9,32,33……フオ
トカツプラサイリスタ、10,34……サイリス
タ、11……定電圧回路、12……センサ回路、
13……トリガ回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 検知回路部と、 電子スイツチの二つの端子間に接続された電流
    制限用抵抗と短絡時にのみ駆動されるトライアツ
    クとの直列接続体と、 前記トライアツクに並列に接続され、前記検知
    回路部の出力によつて駆動されて負荷を制御する
    出力開閉用スイツチング素子と、 前記出力開閉用スイツチング素子に直列に接続
    され、過電流を検出する過電流検出用抵抗と、 前記過電流検出用抵抗の両端の電圧が一定以上
    になればトリガされ、前記検知回路部の動作をリ
    セツトすると共に前記トライアツクをトリガする
    フオトカツプラサイリスタと、を具備することを
    特徴とする交流二線式電子スイツチ。 2 前記電流制限用抵抗は短絡時にトライアツク
    に流れる電流がその耐サージ電流以下となるよう
    に選定されていることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の交流二線式電子スイツチ。 3 前記フオトカツプラサイリスタは、その発光
    部が前記過電流検出用抵抗と前記トライアツクの
    ゲート間に接続され、そのサイリスタ部は前記検
    知回路部のリセツト端に接続され、該サイリスタ
    部の駆動により前記検知回路部をリセツトするよ
    う構成されていることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の交流二線式電子スイツチ。 4 検知回路部と、 電子スイツチの二つの端子間に接続された電流
    制限用抵抗と短絡時にのみ駆動されるトライアツ
    クとの直列接続体と、 前記トライアツクに並列に接続され、前記検知
    回路部の出力によつて駆動されて負荷を制御する
    出力開閉用スイツチング素子と、 前記出力開閉用スイツチング素子に直列に接続
    され、過電流を検出する過電流検出用抵抗と、 前記検知回路部のリセツト端子に接続され、前
    記過電流検出用抵抗の両端の電圧が一定以上にな
    ればトリガされ、前記検知回路部をリセツトする
    サイリスタと、 前記サイリスタの導通によつて発光する発光
    部、及びその発光部によつて導通して前記トライ
    アツクをトリガするサイリスタ部を有するフオト
    カツプラサイリスタと、を具備することを特徴と
    する交流二線式電子スイツチ。
JP58207783A 1983-11-04 1983-11-04 交流二線式電子スイツチ Granted JPS6098720A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58207783A JPS6098720A (ja) 1983-11-04 1983-11-04 交流二線式電子スイツチ

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JP58207783A JPS6098720A (ja) 1983-11-04 1983-11-04 交流二線式電子スイツチ

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Publication Number Publication Date
JPS6098720A JPS6098720A (ja) 1985-06-01
JPH0462210B2 true JPH0462210B2 (ja) 1992-10-05

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ID=16545429

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JP58207783A Granted JPS6098720A (ja) 1983-11-04 1983-11-04 交流二線式電子スイツチ

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JPS6098720A (ja) 1985-06-01

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