JPH04372582A - 整流装置のコンデンサ突入電流防止回路 - Google Patents
整流装置のコンデンサ突入電流防止回路Info
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- JPH04372582A JPH04372582A JP14636691A JP14636691A JPH04372582A JP H04372582 A JPH04372582 A JP H04372582A JP 14636691 A JP14636691 A JP 14636691A JP 14636691 A JP14636691 A JP 14636691A JP H04372582 A JPH04372582 A JP H04372582A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電動機の可変速度制
御用インバ−タ装置等の直流電源に用いられる整流装置
、ことにその始動時に平滑コンデンサに流入する突入電
流を抑制するために設けられる突入電流防止回路に関す
る。
御用インバ−タ装置等の直流電源に用いられる整流装置
、ことにその始動時に平滑コンデンサに流入する突入電
流を抑制するために設けられる突入電流防止回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】交流電力を直流電力に変換する整流装置
において、平滑コンデンサをダイオ−ド整流ブリッジの
直流出力側に直接接続して交流電源を投入すると、平滑
コンデンサにピ−ク値が極めて大きい充電電流（突入電
流）が流れる。そのため、ダイオ−ド整流ブリッジには
サ−ジ電流定挌の大きい整流素子を用いる必要があり、
また整流装置の容量が大きい場合には充電電流により交
流電源系統の電圧が低下するなどの障害をおよぼす。そ
こで整流素子の大型化や電源系統への悪影響を排除する
ために、ダイオ−ド整流ブリッジの直流出力側にコンデ
ンサ突入電流防止回路を設けたものが知られている。
において、平滑コンデンサをダイオ−ド整流ブリッジの
直流出力側に直接接続して交流電源を投入すると、平滑
コンデンサにピ−ク値が極めて大きい充電電流（突入電
流）が流れる。そのため、ダイオ−ド整流ブリッジには
サ−ジ電流定挌の大きい整流素子を用いる必要があり、
また整流装置の容量が大きい場合には充電電流により交
流電源系統の電圧が低下するなどの障害をおよぼす。そ
こで整流素子の大型化や電源系統への悪影響を排除する
ために、ダイオ−ド整流ブリッジの直流出力側にコンデ
ンサ突入電流防止回路を設けたものが知られている。
【０００３】図３は整流装置の従来のコンデンサ突入電
流防止回路を示す接続図であり、交流電源系統２からの
交流電力を直流電力に変換して外部負荷に供給する整流
装置はダイオ−ド整流ブリッジ１と平滑コンデンサ３と
で構成される。また、コンデンサ突入電流防止回路１０
は、ダイオ−ド整流ブリッジ１と平滑コンデンサ２との
間に直列接続された制限抵抗７とサイリスタ８との並列
回路からなる主回路９と、サイリスタ８のゲ−トＧにゲ
−ト電流を供給するトリガ−回路１１とで構成される。 トリガ−回路１１は、平滑コンデンサ３の電圧が規定の
充電電圧に達したことを電圧検出器１２で検出し、その
出力をＡＮＤゲ−ト１４のゲ−ト信号として発振回路１
３の出力を絶縁トランス１５の１次巻線に供給し、その
２次巻線電圧をダイオ−ド１６および抵抗１７を介して
サイリスタ８のゲ−トＧにゲ−ト電流として供給するよ
う構成される。
流防止回路を示す接続図であり、交流電源系統２からの
交流電力を直流電力に変換して外部負荷に供給する整流
装置はダイオ−ド整流ブリッジ１と平滑コンデンサ３と
で構成される。また、コンデンサ突入電流防止回路１０
は、ダイオ−ド整流ブリッジ１と平滑コンデンサ２との
間に直列接続された制限抵抗７とサイリスタ８との並列
回路からなる主回路９と、サイリスタ８のゲ−トＧにゲ
−ト電流を供給するトリガ−回路１１とで構成される。 トリガ−回路１１は、平滑コンデンサ３の電圧が規定の
充電電圧に達したことを電圧検出器１２で検出し、その
出力をＡＮＤゲ−ト１４のゲ−ト信号として発振回路１
３の出力を絶縁トランス１５の１次巻線に供給し、その
２次巻線電圧をダイオ−ド１６および抵抗１７を介して
サイリスタ８のゲ−トＧにゲ−ト電流として供給するよ
う構成される。
【０００４】したがって、電源投入直後は平滑コンデン
サ３の電圧が低いのでサイリスタ８はオフ状態にあり、
ダイオ−ド整流ブリッジ１の直流出力電流は制限抵抗７
を介して平滑コンデンサ３を充電することにより、平滑
コンデンサ３に過大な充電電流が流れることを防止でき
る。また、平滑コンデンサ３の充電電圧が規定の電圧に
到達すると、トリガ−回路１１を介してサイリスタ８に
ゲ−ト電流が流れ、サイリスタ８がオンし、その後の負
荷電流はサイリスタ８を介して供給される。
サ３の電圧が低いのでサイリスタ８はオフ状態にあり、
ダイオ−ド整流ブリッジ１の直流出力電流は制限抵抗７
を介して平滑コンデンサ３を充電することにより、平滑
コンデンサ３に過大な充電電流が流れることを防止でき
る。また、平滑コンデンサ３の充電電圧が規定の電圧に
到達すると、トリガ−回路１１を介してサイリスタ８に
ゲ−ト電流が流れ、サイリスタ８がオンし、その後の負
荷電流はサイリスタ８を介して供給される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来のコ
ンデンサ突入電流防止回路においては、トリガ−回路の
構成部材の数が多く回路が複雑であるため経済的不利益
を生ずるばかりか、絶縁トランスを含むために電力用半
導体素子を内蔵したモジュ−ル製品（ダイオ−ドモジュ
−ル）に内蔵させることが困難であり、したがってモジ
ュ−ルの外部回路が複雑かつ大型化するという問題があ
り、その改善が求められている。
ンデンサ突入電流防止回路においては、トリガ−回路の
構成部材の数が多く回路が複雑であるため経済的不利益
を生ずるばかりか、絶縁トランスを含むために電力用半
導体素子を内蔵したモジュ−ル製品（ダイオ−ドモジュ
−ル）に内蔵させることが困難であり、したがってモジ
ュ−ルの外部回路が複雑かつ大型化するという問題があ
り、その改善が求められている。
【０００６】この発明の目的は、回路の構成が簡素で、
ダイオ−ドモジュ−ルに容易に内蔵できるトリガ−回路
を有する整流装置のコンデンサ突入電流防止回路を得る
ことにある。
ダイオ−ドモジュ−ルに容易に内蔵できるトリガ−回路
を有する整流装置のコンデンサ突入電流防止回路を得る
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明によれば、ダイオ−ド整流ブリッジと、そ
の直流出力側に並列接続された平滑コンデンサとからな
る整流装置が、前記ダイオ−ド整流ブリッジと平滑コン
デンサとの間に直列接続された制限抵抗およびサイリス
タの並列回路を備え、前記ダイオ−ド整流ブリッジの始
動時には前記サイリスタをオフして前記制限抵抗により
前記平滑コンデンサへの突入電流を防止するものにおい
て、前記ダイオ−ド整流ブリッジの直流出力側に並列接
続された積分コンデンサおよび抵抗器の直列体からなる
積分回路と、前記積分コンデンサの電圧を所定のレベル
で検出して前記サイリスタにゲ−ト電流を供給するトリ
ガ−回路とを備えてなるものとする。
に、この発明によれば、ダイオ−ド整流ブリッジと、そ
の直流出力側に並列接続された平滑コンデンサとからな
る整流装置が、前記ダイオ−ド整流ブリッジと平滑コン
デンサとの間に直列接続された制限抵抗およびサイリス
タの並列回路を備え、前記ダイオ−ド整流ブリッジの始
動時には前記サイリスタをオフして前記制限抵抗により
前記平滑コンデンサへの突入電流を防止するものにおい
て、前記ダイオ−ド整流ブリッジの直流出力側に並列接
続された積分コンデンサおよび抵抗器の直列体からなる
積分回路と、前記積分コンデンサの電圧を所定のレベル
で検出して前記サイリスタにゲ−ト電流を供給するトリ
ガ−回路とを備えてなるものとする。
【０００８】またトリガ−回路が、サイリスタのアノ−
ド，ゲ−ト間にエミッタおよびコレクタがゲ−ト側に抵
抗を配して接続されたトランジスタと、このトランジス
タのベ−スと積分回路の中間接続点との間に接続された
ツェナ−ダイオ−ドとからなり、前記積分回路の積分電
圧が前記ツェナ−ダイオ−ドのツェナ−電圧を越えたと
き、前記トランジスタにベ−ス電流が流れ始めるよう形
成されてなるものとする。
ド，ゲ−ト間にエミッタおよびコレクタがゲ−ト側に抵
抗を配して接続されたトランジスタと、このトランジス
タのベ−スと積分回路の中間接続点との間に接続された
ツェナ−ダイオ−ドとからなり、前記積分回路の積分電
圧が前記ツェナ−ダイオ−ドのツェナ−電圧を越えたと
き、前記トランジスタにベ−ス電流が流れ始めるよう形
成されてなるものとする。
【０００９】さらに、トリガ−回路が、平滑コンデンサ
の充電電圧が所定レベルに到達するまで積分回路の動作
を抑制する遅延回路を備えてなるものとし、遅延回路が
、平滑コンデンサに並列接続された抵抗分圧器と、積分
回路にエミッタおよびコレクタが直列接続されたトラン
ジスタと、このトランジスタのベ−スと前記抵抗分圧器
の分圧端子との間に接続されたツェナ−ダイオ−ドとか
らなるものとする。
の充電電圧が所定レベルに到達するまで積分回路の動作
を抑制する遅延回路を備えてなるものとし、遅延回路が
、平滑コンデンサに並列接続された抵抗分圧器と、積分
回路にエミッタおよびコレクタが直列接続されたトラン
ジスタと、このトランジスタのベ−スと前記抵抗分圧器
の分圧端子との間に接続されたツェナ−ダイオ−ドとか
らなるものとする。
【００１０】
【作用】この発明の構成において、ダイオ−ド整流ブリ
ッジと平滑コンデンサとの間に直列接続された制限抵抗
およびサイリスタの並列回路に、ダイオ−ド整流ブリッ
ジの直流出力側に並列接続された積分コンデンサおよび
抵抗器の直列体からなる積分回路と、この積分回路の積
分電圧を所定のレベルで検出してサイリスタにゲ−ト電
流を供給するトリガ−回路とを付加するよう構成したこ
とにより、積分回路の時定数の決め方によりサイリスタ
がオンするまでの時間を遅延する機能が得られ、その間
平滑コンデンサが制限抵抗を介して充電されるので、過
大な突入電流を抑制する機能が得られる。
ッジと平滑コンデンサとの間に直列接続された制限抵抗
およびサイリスタの並列回路に、ダイオ−ド整流ブリッ
ジの直流出力側に並列接続された積分コンデンサおよび
抵抗器の直列体からなる積分回路と、この積分回路の積
分電圧を所定のレベルで検出してサイリスタにゲ−ト電
流を供給するトリガ−回路とを付加するよう構成したこ
とにより、積分回路の時定数の決め方によりサイリスタ
がオンするまでの時間を遅延する機能が得られ、その間
平滑コンデンサが制限抵抗を介して充電されるので、過
大な突入電流を抑制する機能が得られる。
【００１１】また、トリガ−回路を、サイリスタのアノ
−ド，ゲ−ト間にエミッタおよびコレクタがゲ−ト側に
抵抗を配して接続されたトランジスタと、このトランジ
スタのベ−スと積分回路の中間接続点との間に接続され
たツェナ−ダイオ−ドとで構成し、積分回路の積分電圧
がツェナ−ダイオ−ドのツェナ−電圧を越えたとき、ト
ランジスタにベ−ス電流が流れ始めるよう形成すれば、
積分回路を含めてトリガ−回路を簡素に構成できるとと
もに、ダイオ−ドモジュ−ルへの内蔵を阻害する絶縁ト
ランスが排除されるので、コンデンサ突入電流防止回路
と整流装置とが一体化したダイオ−ドモジュ−ルを得る
ことができる。
−ド，ゲ−ト間にエミッタおよびコレクタがゲ−ト側に
抵抗を配して接続されたトランジスタと、このトランジ
スタのベ−スと積分回路の中間接続点との間に接続され
たツェナ−ダイオ−ドとで構成し、積分回路の積分電圧
がツェナ−ダイオ−ドのツェナ−電圧を越えたとき、ト
ランジスタにベ−ス電流が流れ始めるよう形成すれば、
積分回路を含めてトリガ−回路を簡素に構成できるとと
もに、ダイオ−ドモジュ−ルへの内蔵を阻害する絶縁ト
ランスが排除されるので、コンデンサ突入電流防止回路
と整流装置とが一体化したダイオ−ドモジュ−ルを得る
ことができる。
【００１２】さらに、トリガ−回路に平滑コンデンサの
充電電圧が所定レベルに到達するまで積分回路の動作を
抑制する遅延回路を付加するよう構成すれば、サイリス
タがオンするまでの遅延時間を積分回路と遅延回路とで
分担することになり、積分回路のコンデンサ容量を低減
してモジュ−ル化を一層容易にする機能が得られる。こ
とに遅延回路を、平滑コンデンサに並列接続された抵抗
分圧器と、積分回路にエミッタおよびコレクタが直列接
続されたトランジスタと、このトランジスタのベ−スと
抵抗分圧器の中間接続点との間に接続されたツェナ−ダ
イオ−ドとで構成すれば、遅延回路および積分回路のモ
ジュ−ル化も容易になる。
充電電圧が所定レベルに到達するまで積分回路の動作を
抑制する遅延回路を付加するよう構成すれば、サイリス
タがオンするまでの遅延時間を積分回路と遅延回路とで
分担することになり、積分回路のコンデンサ容量を低減
してモジュ−ル化を一層容易にする機能が得られる。こ
とに遅延回路を、平滑コンデンサに並列接続された抵抗
分圧器と、積分回路にエミッタおよびコレクタが直列接
続されたトランジスタと、このトランジスタのベ−スと
抵抗分圧器の中間接続点との間に接続されたツェナ−ダ
イオ−ドとで構成すれば、遅延回路および積分回路のモ
ジュ−ル化も容易になる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づいて説明する
。図１はこの発明の実施例になる整流装置のコンデンサ
突入電流防止回路を示す接続図であり、以下、従来技術
と同じ構成部分には同一参照符号を付すことにより、重
複した説明を省略する。図において、平滑コンデンサ３
の突入電流防止回路２０は、ダイオ−ド整流ブリッジ１
の直流出力側に並列接続された積分回路２１と、積分コ
ンデンサ２２と抵抗２３の直列回路で構成される積分回
路２１の積分電圧（積分コンデンサ２２の電圧）を検知
してサイリスタ８にゲ−ト電流を供給するトリガ−回路
２５とで構成される。トリガ−回路２５は、エミッタＥ
がサイリスタ８のアノ−ドに，コレクタＣが抵抗２８を
介してサイリスタ８のゲ−トＧにそれぞれ接続された図
の場合ｐｎｐトランジスタ２６と、そのベ−スＢと積分
回路２１の中点との間に接続されたツェナ−ダイオ−ド
２７とで構成される。
。図１はこの発明の実施例になる整流装置のコンデンサ
突入電流防止回路を示す接続図であり、以下、従来技術
と同じ構成部分には同一参照符号を付すことにより、重
複した説明を省略する。図において、平滑コンデンサ３
の突入電流防止回路２０は、ダイオ−ド整流ブリッジ１
の直流出力側に並列接続された積分回路２１と、積分コ
ンデンサ２２と抵抗２３の直列回路で構成される積分回
路２１の積分電圧（積分コンデンサ２２の電圧）を検知
してサイリスタ８にゲ−ト電流を供給するトリガ−回路
２５とで構成される。トリガ−回路２５は、エミッタＥ
がサイリスタ８のアノ−ドに，コレクタＣが抵抗２８を
介してサイリスタ８のゲ−トＧにそれぞれ接続された図
の場合ｐｎｐトランジスタ２６と、そのベ−スＢと積分
回路２１の中点との間に接続されたツェナ−ダイオ−ド
２７とで構成される。
【００１４】このように構成された整流装置のコンデン
サ突入電流防止回路において、ダイオ−ド整流ブリッジ
１に交流電源系統２を投入すると、投入直後はｐｎｐト
ランジスタ２６のＥ，Ｂ間に加わる積分コンデンサ２２
の積分電圧が低く、トランジスタ２６のベ−ス電流がツ
ェナ−ダイオ−ド２７のツェナ−電圧により阻止され、
サイリスタ８にはゲ−ト電流が供給されないので、サイ
リスタ８はオフ状態を維持し、ダイオ−ド整流ブリッジ
１の出力電流は制限抵抗７を介して平滑コンデンサ３を
充電する。したがって、ダイオ−ド整流ブリッジの始動
直後に平滑コンデンサ３に流れる過大なピ−ク値を有す
る突入電流は、制限抵抗７によりそのピ−ク値が抑制さ
れる。積分回路２１の積分電圧がその時定数によって決
まる上昇速度で上昇し、ツェナ−ダイオ−ド２７のツェ
ナ−電圧に到達すると、ｐｎｐトランジスタ２６にはベ
−ス電流が流れ、増幅されたコレクタ電流がゲ−ト電流
としてサイリスタ８のゲ−トＧに供給されるので、サイ
リスタ８がトリガ−されて導通状態となり、ダイオ−ド
整流ブリッジ１の出力電流がサイリスタを介して平滑コ
ンデンサ３を充電するとともに、平滑化された直流電流
が外部負荷に供給される。
サ突入電流防止回路において、ダイオ−ド整流ブリッジ
１に交流電源系統２を投入すると、投入直後はｐｎｐト
ランジスタ２６のＥ，Ｂ間に加わる積分コンデンサ２２
の積分電圧が低く、トランジスタ２６のベ−ス電流がツ
ェナ−ダイオ−ド２７のツェナ−電圧により阻止され、
サイリスタ８にはゲ−ト電流が供給されないので、サイ
リスタ８はオフ状態を維持し、ダイオ−ド整流ブリッジ
１の出力電流は制限抵抗７を介して平滑コンデンサ３を
充電する。したがって、ダイオ−ド整流ブリッジの始動
直後に平滑コンデンサ３に流れる過大なピ−ク値を有す
る突入電流は、制限抵抗７によりそのピ−ク値が抑制さ
れる。積分回路２１の積分電圧がその時定数によって決
まる上昇速度で上昇し、ツェナ−ダイオ−ド２７のツェ
ナ−電圧に到達すると、ｐｎｐトランジスタ２６にはベ
−ス電流が流れ、増幅されたコレクタ電流がゲ−ト電流
としてサイリスタ８のゲ−トＧに供給されるので、サイ
リスタ８がトリガ−されて導通状態となり、ダイオ−ド
整流ブリッジ１の出力電流がサイリスタを介して平滑コ
ンデンサ３を充電するとともに、平滑化された直流電流
が外部負荷に供給される。
【００１５】その結果、積分回路２１の時定数と制限抵
抗７の抵抗値の決め方により平滑コンデンサ３への突入
電流を抑制できるので、ダイオ−ド整流ブリッジ１に使
用するダイオ−ドはそのサ−ジ電流定挌をことさら大き
くする必要がなく、したがってダイオ−ド整流ブリッジ
を小型かつ経済的に有利に構成できるとともに、過大な
突入電流が流れることによる交流電源系統の電圧降下等
の悪影響も排除される。また、コンデンサ突入電流防止
回路２０は絶縁トランスを含まず、半導体プロセスによ
る１チップ化が可能な簡素な素子構成となるので、電力
用半導体チップを複数内蔵したダイオ−ドモジュ−ルか
らなる整流装置に内蔵させることができるとともに、外
部回路を排除または簡素化することができる。
抗７の抵抗値の決め方により平滑コンデンサ３への突入
電流を抑制できるので、ダイオ−ド整流ブリッジ１に使
用するダイオ−ドはそのサ−ジ電流定挌をことさら大き
くする必要がなく、したがってダイオ−ド整流ブリッジ
を小型かつ経済的に有利に構成できるとともに、過大な
突入電流が流れることによる交流電源系統の電圧降下等
の悪影響も排除される。また、コンデンサ突入電流防止
回路２０は絶縁トランスを含まず、半導体プロセスによ
る１チップ化が可能な簡素な素子構成となるので、電力
用半導体チップを複数内蔵したダイオ−ドモジュ−ルか
らなる整流装置に内蔵させることができるとともに、外
部回路を排除または簡素化することができる。
【００１６】なお、前述の実施例はトリガ−回路にｐｎ
ｐトランジスタを用いた場合を例に説明したが、ｎｐｎ
トランジスタを用いても前述の実施例と同様の機能を有
するコンデンサ突入電流防止回路を構成することが可能
である。この場合、トランジスタのＥ，Ｃ端子のサイリ
スタへの接続方向、およびツェナ−ダイオ−ドの接続方
向は図１に示す方向と逆向きにする。
ｐトランジスタを用いた場合を例に説明したが、ｎｐｎ
トランジスタを用いても前述の実施例と同様の機能を有
するコンデンサ突入電流防止回路を構成することが可能
である。この場合、トランジスタのＥ，Ｃ端子のサイリ
スタへの接続方向、およびツェナ−ダイオ−ドの接続方
向は図１に示す方向と逆向きにする。
【００１７】図２はこの発明の異なる実施例を示す接続
図であり、平滑コンデンサ３に並列接続された抵抗分圧
器３２と、積分回路２１にコレクタＣおよびエミッタＥ
が直列接続されたトランジスタ（図の場合ｎｐｎトラン
ジスタ）３４と、そのベ−スＢと抵抗分圧器３２の分圧
端子間に接続されたツェナ−ダイオ−ド３３とからなる
遅延回路３１を付加した点が前述の実施例と異なってお
り、遅延回路３１の抵抗分圧器３２が平滑コンデンサ３
の充電電圧を監視し、その電圧がツェナ−ダイオ−ド３
３のツェナ−電圧に到達するまで、トランジスタ３４の
ベ−ス電流の通流を阻止するので、平滑コンデンサの充
電電圧が規定の電圧値に到達するまでの間、トランジス
タ３４はオフ状態を維持して積分回路２１の積分動作を
阻止することになる。したがって、サイリスタ８がオフ
状態を維持する時間を積分回路２１と遅延回路３１とで
分担することになり、両者の時定数の選択の仕方により
、積分コンデンサ２２の容量を低減し、ダイオ−ドモジ
ュ−ルへのコンデンサ突入電流防止回路の内蔵を一層容
易化することができる。
図であり、平滑コンデンサ３に並列接続された抵抗分圧
器３２と、積分回路２１にコレクタＣおよびエミッタＥ
が直列接続されたトランジスタ（図の場合ｎｐｎトラン
ジスタ）３４と、そのベ−スＢと抵抗分圧器３２の分圧
端子間に接続されたツェナ−ダイオ−ド３３とからなる
遅延回路３１を付加した点が前述の実施例と異なってお
り、遅延回路３１の抵抗分圧器３２が平滑コンデンサ３
の充電電圧を監視し、その電圧がツェナ−ダイオ−ド３
３のツェナ−電圧に到達するまで、トランジスタ３４の
ベ−ス電流の通流を阻止するので、平滑コンデンサの充
電電圧が規定の電圧値に到達するまでの間、トランジス
タ３４はオフ状態を維持して積分回路２１の積分動作を
阻止することになる。したがって、サイリスタ８がオフ
状態を維持する時間を積分回路２１と遅延回路３１とで
分担することになり、両者の時定数の選択の仕方により
、積分コンデンサ２２の容量を低減し、ダイオ−ドモジ
ュ−ルへのコンデンサ突入電流防止回路の内蔵を一層容
易化することができる。
【００１８】
【発明の効果】この発明は前述のように、ダイオ−ド整
流ブリッジと平滑コンデンサとの間に直列接続された制
限抵抗とサイリスタの並列回路に、ダイオ−ド整流ブリ
ッジの直流出力側に並列接続された積分コンデンサと抵
抗器の直列体からなる積分回路と、この積分回路の積分
電圧を所定のレベルで検出してサイリスタにゲ−ト電流
を供給するトリガ−回路とを付加するよう構成した。そ
の結果、積分回路の時定数の決め方によりサイリスタが
オンするまでの時間を遅延する機能が得られ、その間平
滑コンデンサが制限抵抗を介して充電されるので、過大
な突入電流を抑制することができ、したがってダイオ−
ド整流ブリッジにサ−ジ電流耐量の大きい電力半導体素
子を用いる必要性が回避され、小型化された整流装置を
経済的に有利に提供することができる。
流ブリッジと平滑コンデンサとの間に直列接続された制
限抵抗とサイリスタの並列回路に、ダイオ−ド整流ブリ
ッジの直流出力側に並列接続された積分コンデンサと抵
抗器の直列体からなる積分回路と、この積分回路の積分
電圧を所定のレベルで検出してサイリスタにゲ−ト電流
を供給するトリガ−回路とを付加するよう構成した。そ
の結果、積分回路の時定数の決め方によりサイリスタが
オンするまでの時間を遅延する機能が得られ、その間平
滑コンデンサが制限抵抗を介して充電されるので、過大
な突入電流を抑制することができ、したがってダイオ−
ド整流ブリッジにサ−ジ電流耐量の大きい電力半導体素
子を用いる必要性が回避され、小型化された整流装置を
経済的に有利に提供することができる。
【００１９】また、トリガ−回路を、サイリスタのアノ
−ド，ゲ−ト間にエミッタおよびコレクタがゲ−ト側に
抵抗を配して接続されたトランジスタと、このトランジ
スタのベ−スと積分回路の中点との間に接続されたツェ
ナ−ダイオ−ドとで構成し、積分回路の積分電圧がツェ
ナ−ダイオ−ドのツェナ−電圧を越えたとき、トランジ
スタにベ−ス電流が流れ始めるよう形成すれば、従来技
術で問題となったコンデンサ突入電流防止回路の大型化
やダイオ−ドモジュ−ルへの内蔵を阻害する絶縁トラン
スが排除されるとともに、コンデンサ突入電流防止回路
をコンデンサ，抵抗，および小型半導体素子からなり，
ダイオ−ドモジュ−ルへの内蔵が容易で簡素な回路構成
とすることができるので、電力用半導体チップを複数内
蔵したダイオ−ドモジュ−ルからなる整流装置にコンデ
ンサ突入電流防止回路を内蔵した整流装置を提供するこ
とができる。
−ド，ゲ−ト間にエミッタおよびコレクタがゲ−ト側に
抵抗を配して接続されたトランジスタと、このトランジ
スタのベ−スと積分回路の中点との間に接続されたツェ
ナ−ダイオ−ドとで構成し、積分回路の積分電圧がツェ
ナ−ダイオ−ドのツェナ−電圧を越えたとき、トランジ
スタにベ−ス電流が流れ始めるよう形成すれば、従来技
術で問題となったコンデンサ突入電流防止回路の大型化
やダイオ−ドモジュ−ルへの内蔵を阻害する絶縁トラン
スが排除されるとともに、コンデンサ突入電流防止回路
をコンデンサ，抵抗，および小型半導体素子からなり，
ダイオ−ドモジュ−ルへの内蔵が容易で簡素な回路構成
とすることができるので、電力用半導体チップを複数内
蔵したダイオ−ドモジュ−ルからなる整流装置にコンデ
ンサ突入電流防止回路を内蔵した整流装置を提供するこ
とができる。
【００２０】さらに、トリガ−回路に平滑コンデンサの
充電電圧が所定レベルに到達するまで積分回路の動作を
抑制する遅延回路を付加するよう構成すれば、サイリス
タがオンするまでの遅延時間を積分回路と遅延回路とで
分担することになり、積分回路のコンデンサ容量を低減
してモジュ−ル化を一層容易化できる。ことに、遅延回
路を、平滑コンデンサに並列接続された抵抗分圧器と、
積分回路にエミッタおよびコレクタが直列接続されたト
ランジスタと、このトランジスタのベ−スと抵抗分圧器
の中点との間に接続されたツェナ−ダイオ−ドとで構成
すれば、遅延回路および積分回路のモジュ−ル化も一層
容易になる利点が得られる。
充電電圧が所定レベルに到達するまで積分回路の動作を
抑制する遅延回路を付加するよう構成すれば、サイリス
タがオンするまでの遅延時間を積分回路と遅延回路とで
分担することになり、積分回路のコンデンサ容量を低減
してモジュ−ル化を一層容易化できる。ことに、遅延回
路を、平滑コンデンサに並列接続された抵抗分圧器と、
積分回路にエミッタおよびコレクタが直列接続されたト
ランジスタと、このトランジスタのベ−スと抵抗分圧器
の中点との間に接続されたツェナ−ダイオ−ドとで構成
すれば、遅延回路および積分回路のモジュ−ル化も一層
容易になる利点が得られる。
【図１】この発明の実施例になる整流装置のコンデンサ
突入電流防止回路を簡略化して示す接続図
突入電流防止回路を簡略化して示す接続図
【図２】この
発明の異なる実施例を示す接続図
発明の異なる実施例を示す接続図
【図３】整流装置の従
来のコンデンサ突入電流防止回路を示す接続図
来のコンデンサ突入電流防止回路を示す接続図
１ ダイオ−ド整流ブリッジ
３ 平滑コンデンサ
７ 制限抵抗
８ サイリスタ
９ 主回路
１０ コンデンサ突入電流防止回路１１
トリガ−回路 ２０ コンデンサ突入電流防止回路２１
積分回路 ２２ 積分コンデンサ ２３ 抵抗 ２５ トリガ−回路 ２６ トランジスタ ２７ ツェナ−ダイオ−ド ２８ 抵抗 ３１ 遅延回路 ３２ 抵抗分圧器 ３３ ツェナ−ダイオ−ド ３４ トランジスタ
トリガ−回路 ２０ コンデンサ突入電流防止回路２１
積分回路 ２２ 積分コンデンサ ２３ 抵抗 ２５ トリガ−回路 ２６ トランジスタ ２７ ツェナ−ダイオ−ド ２８ 抵抗 ３１ 遅延回路 ３２ 抵抗分圧器 ３３ ツェナ−ダイオ−ド ３４ トランジスタ
Claims (4)
- 【請求項１】ダイオ−ド整流ブリッジと、その直流出力
側に並列接続された平滑コンデンサとからなる整流装置
が、前記ダイオ−ド整流ブリッジと平滑コンデンサとの
間に直列接続された制限抵抗およびサイリスタの並列回
路を備え、前記ダイオ−ド整流ブリッジの始動時には前
記サイリスタをオフして前記制限抵抗により前記平滑コ
ンデンサへの突入電流を防止するものにおいて、前記ダ
イオ−ド整流ブリッジの直流出力側に並列接続された積
分コンデンサおよび抵抗器の直列体からなる積分回路と
、前記積分コンデンサの積分電圧を所定のレベルで検出
して前記サイリスタにゲ−ト信号を供給するトリガ−回
路とを備えてなることを特徴とする整流装置のコンデン
サ突入電流防止回路。 - 【請求項２】トリガ−回路が、サイリスタのアノ−ド，
ゲ−ト間にエミッタおよびコレクタがゲ−ト側に抵抗を
配して接続されたトランジスタと、このトランジスタの
ベ−スと積分回路の中間接続点との間に接続されたツェ
ナ−ダイオ−ドとからなり、前記積分回路の積分電圧が
前記ツェナ−ダイオ−ドのツェナ−電圧を越えたとき、
前記トランジスタにベ−ス電流が流れ始めるよう形成さ
れてなることを特徴とする請求項１記載の整流装置のコ
ンデンサ突入電流防止回路。 - 【請求項３】トリガ−回路が、平滑コンデンサの充電電
圧が所定レベルに到達するまで積分回路の動作を抑制す
る遅延回路を備えてなることを特徴とする請求項１また
は請求項２記載の整流装置のコンデンサ突入電流防止回
路。 - 【請求項４】遅延回路が、平滑コンデンサに並列接続さ
れた抵抗分圧器と、積分回路にエミッタおよびコレクタ
が直列接続されたトランジスタと、このトランジスタの
ベ−スと前記抵抗分圧器の分圧端子との間に接続された
ツェナ−ダイオ−ドとからなることを特徴とする請求項
３記載の整流装置のコンデンサ突入電流防止回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14636691A JPH04372582A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 整流装置のコンデンサ突入電流防止回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14636691A JPH04372582A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 整流装置のコンデンサ突入電流防止回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04372582A true JPH04372582A (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=15406099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14636691A Pending JPH04372582A (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 整流装置のコンデンサ突入電流防止回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04372582A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009100639A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-05-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | スイッチング電源装置 |
| CN102075101A (zh) * | 2011-01-18 | 2011-05-25 | 江苏省电力公司常州供电公司 | 单相全控整流限流装置及其工作方法 |
| CN104092364A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-10-08 | 四川大学 | 大功率开关电源的软启动与安全关闭装置及方法 |
| WO2015125333A1 (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 株式会社村田製作所 | 充電電流制御回路、および充電電流制御装置 |
| KR20160147385A (ko) * | 2015-06-15 | 2016-12-23 | 현대로템 주식회사 | 독립적인 전원개폐장치를 가진 부하의 전원공급 시 발생하는 돌입전류 방지회로 |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP14636691A patent/JPH04372582A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009100639A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-05-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | スイッチング電源装置 |
| CN102075101A (zh) * | 2011-01-18 | 2011-05-25 | 江苏省电力公司常州供电公司 | 单相全控整流限流装置及其工作方法 |
| WO2015125333A1 (ja) * | 2014-02-20 | 2015-08-27 | 株式会社村田製作所 | 充電電流制御回路、および充電電流制御装置 |
| JPWO2015125333A1 (ja) * | 2014-02-20 | 2017-03-30 | 株式会社村田製作所 | 充電電流制御回路、および充電電流制御装置 |
| CN104092364A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-10-08 | 四川大学 | 大功率开关电源的软启动与安全关闭装置及方法 |
| KR20160147385A (ko) * | 2015-06-15 | 2016-12-23 | 현대로템 주식회사 | 독립적인 전원개폐장치를 가진 부하의 전원공급 시 발생하는 돌입전류 방지회로 |
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