JPH0462477B2 - - Google Patents
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- JPH0462477B2 JPH0462477B2 JP2971686A JP2971686A JPH0462477B2 JP H0462477 B2 JPH0462477 B2 JP H0462477B2 JP 2971686 A JP2971686 A JP 2971686A JP 2971686 A JP2971686 A JP 2971686A JP H0462477 B2 JPH0462477 B2 JP H0462477B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor laser
- output
- beam splitter
- absorption cell
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
《産業上の利用分野》
本発明は、半導体レーザ出力光の波長を安定化
する半導体レーザ安定化装置に関するものであ
る。特に半導体レーザの波長を金属ガスの吸収ス
ペクトルに固定した量子標準型半導体レーザ安定
化装置の改良に関する。
する半導体レーザ安定化装置に関するものであ
る。特に半導体レーザの波長を金属ガスの吸収ス
ペクトルに固定した量子標準型半導体レーザ安定
化装置の改良に関する。
《従来の技術》
半導体レーザは、小型、低電力動作、常温動
作、高周波における変調容易性、広い周波数調整
範囲、低価格などの特長により広い分野で利用さ
れている。しかし、その半面、半導体レーザの発
振周波数はレーザ温度およびレーザ電流に大きく
依存するため、これらの微小変化でも発振周波数
は速やかに変化してしまい、その安定度は非常に
悪い。この欠点は、半導体レーザを種々の計測や
高分解能分光に用いる場合に大きな問題となる。
また、光通信においても、将来周波数多重方式へ
と発展するために、半導体レーザの周波数安定化
が重要な条件となる。
作、高周波における変調容易性、広い周波数調整
範囲、低価格などの特長により広い分野で利用さ
れている。しかし、その半面、半導体レーザの発
振周波数はレーザ温度およびレーザ電流に大きく
依存するため、これらの微小変化でも発振周波数
は速やかに変化してしまい、その安定度は非常に
悪い。この欠点は、半導体レーザを種々の計測や
高分解能分光に用いる場合に大きな問題となる。
また、光通信においても、将来周波数多重方式へ
と発展するために、半導体レーザの周波数安定化
が重要な条件となる。
周波数安定化の方法として、原子（または分
子、以下同じ）の吸収線を用いる方法があるが、
レーザ光を標準ガスに吸収させると、原子の熱運
動のため、ドツプラ拡がりのある幅広の吸収スペ
クトル線しか得られない。
子、以下同じ）の吸収線を用いる方法があるが、
レーザ光を標準ガスに吸収させると、原子の熱運
動のため、ドツプラ拡がりのある幅広の吸収スペ
クトル線しか得られない。
しかしながら飽和吸収分光では、吸収セルの一
方向からレーザ光をポンプ光として入射し、特定
の速度の標準ガス原子を励起した状態で、反対方
向から同一周波数で強度の弱いプローブ光を入射
する。レーザ周波数が原子の共鳴周波数に一致し
たときのみプローブ光は吸収を受けないので、原
子の熱運動による速度分布の影響を受けず、ドツ
プラ拡がりのない鋭い吸収線を得ることができ
る。これを周波数の標準とすれば周波数安定度を
大幅に高めることができる。（T.Yabuzaki，A.
Hori，M.Kitano，and T.Ogawa：Frequency
Stabilization of Diode Lasers Using Doppler
−Free Atomic Spectra，Proc.Int.Conf.Laser′s
83／堀、門田、北野、藪崎、小川：飽和吸収分光
を用いた半導体レーザの周波数安定化、信学技報
OQE82−116） 《発明が解決しようとする問題点》 しかしながら、上記のような構成の半導体レー
ザ波長安定化装置では、構成が複雑で装置が大き
く、光学系の調整が面倒という欠点がある。
方向からレーザ光をポンプ光として入射し、特定
の速度の標準ガス原子を励起した状態で、反対方
向から同一周波数で強度の弱いプローブ光を入射
する。レーザ周波数が原子の共鳴周波数に一致し
たときのみプローブ光は吸収を受けないので、原
子の熱運動による速度分布の影響を受けず、ドツ
プラ拡がりのない鋭い吸収線を得ることができ
る。これを周波数の標準とすれば周波数安定度を
大幅に高めることができる。（T.Yabuzaki，A.
Hori，M.Kitano，and T.Ogawa：Frequency
Stabilization of Diode Lasers Using Doppler
−Free Atomic Spectra，Proc.Int.Conf.Laser′s
83／堀、門田、北野、藪崎、小川：飽和吸収分光
を用いた半導体レーザの周波数安定化、信学技報
OQE82−116） 《発明が解決しようとする問題点》 しかしながら、上記のような構成の半導体レー
ザ波長安定化装置では、構成が複雑で装置が大き
く、光学系の調整が面倒という欠点がある。
本発明はこのような問題点を解決するためにな
されたもので、構成が簡単で小型の半導体レーザ
波長安定化装置を実現することを目的とする。
されたもので、構成が簡単で小型の半導体レーザ
波長安定化装置を実現することを目的とする。
《問題点を解決するための手段》
本発明に係る半導体レーザ波長安定化装置は標
準物質の吸収スペクトル線に半導体レーザの波長
を制御することにより波長を安定化する半導体レ
ーザ波長安定化装置に係るもので、その特徴とす
るところは半導体レーザの出力光を入射する偏光
ビームスプリツタと、この偏光ビームスプリツタ
の一方の出力光の一部を入射する標準物質を封入
した吸収セルおよび1/4波長板と、この吸収セル
および1/4波長板を通過した光が入射するミラー
と、このミラーで反射した光を前記1/4波長板、
前記吸収セルおよび前記偏光ビームスプリツタを
介して入射する第１の受光素子と、前記偏光ビー
ムスプリツタの前記一方の出力光の他の一部が前
記吸収セルを透過した光に関連する光を入射する
第２の受光素子とを備え、２つの前記受光素子の
出力を演算し、この演算出力に対応して前記半導
体レーザの電流または温度を駆動することにより
前記吸収セル内の吸収スペクトル線に発振周波数
を制御するように構成した点にある。
準物質の吸収スペクトル線に半導体レーザの波長
を制御することにより波長を安定化する半導体レ
ーザ波長安定化装置に係るもので、その特徴とす
るところは半導体レーザの出力光を入射する偏光
ビームスプリツタと、この偏光ビームスプリツタ
の一方の出力光の一部を入射する標準物質を封入
した吸収セルおよび1/4波長板と、この吸収セル
および1/4波長板を通過した光が入射するミラー
と、このミラーで反射した光を前記1/4波長板、
前記吸収セルおよび前記偏光ビームスプリツタを
介して入射する第１の受光素子と、前記偏光ビー
ムスプリツタの前記一方の出力光の他の一部が前
記吸収セルを透過した光に関連する光を入射する
第２の受光素子とを備え、２つの前記受光素子の
出力を演算し、この演算出力に対応して前記半導
体レーザの電流または温度を駆動することにより
前記吸収セル内の吸収スペクトル線に発振周波数
を制御するように構成した点にある。
《実施例》
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第１図は本発明に係る半導体レーザ波長安定化
装置の一実施例を示す構成ブロツク図である。
LD１は半導体レーザ素子、LS１は半導体レーザ
素子LD１の出力光を集光するレンズ、BS１はこ
のレンズLS１を通過した光を入射する偏光ビー
ムスプリツタ、CL１はこの偏光ビームスプリツ
タBS１の透過光を入射しRb，Csなどの金属ガス
が封入された吸収セル、Ｐ１はこの吸収セルCL
１を透過する光の一部（図で上側の部分）が入射
する1/4波長板、Ｆ１はこの1/4波長板Ｐ１の出力
光を入射するNDフイルタ、Ｍ１はこのNDフイ
ルタＦ１の出力光を入射するミラー、PD１はこ
のミラーＭ１の反射光が前記のフイルタＦ１、1/
４波長板Ｐ１、吸収セルCL１およびビームスプリ
ツタBS１を介して入射する受光素子、BS２は吸
収セルCL１を透過する光の他の一部（図の下側
の部分）を入射するビームスプリツタ、PD２は
このビームスプリツタBS２で反射した光が入射
する第２の受光素子、OP１は前記受光素子PD
１，PD２の出力の演算を行う演算回路、DR１は
この演算回路OP１の出力を入力して半導体レー
ザLD１の注入電流制御を行う駆動回路である。
装置の一実施例を示す構成ブロツク図である。
LD１は半導体レーザ素子、LS１は半導体レーザ
素子LD１の出力光を集光するレンズ、BS１はこ
のレンズLS１を通過した光を入射する偏光ビー
ムスプリツタ、CL１はこの偏光ビームスプリツ
タBS１の透過光を入射しRb，Csなどの金属ガス
が封入された吸収セル、Ｐ１はこの吸収セルCL
１を透過する光の一部（図で上側の部分）が入射
する1/4波長板、Ｆ１はこの1/4波長板Ｐ１の出力
光を入射するNDフイルタ、Ｍ１はこのNDフイ
ルタＦ１の出力光を入射するミラー、PD１はこ
のミラーＭ１の反射光が前記のフイルタＦ１、1/
４波長板Ｐ１、吸収セルCL１およびビームスプリ
ツタBS１を介して入射する受光素子、BS２は吸
収セルCL１を透過する光の他の一部（図の下側
の部分）を入射するビームスプリツタ、PD２は
このビームスプリツタBS２で反射した光が入射
する第２の受光素子、OP１は前記受光素子PD
１，PD２の出力の演算を行う演算回路、DR１は
この演算回路OP１の出力を入力して半導体レー
ザLD１の注入電流制御を行う駆動回路である。
次に上記のような構成の装置の動作を詳しく説
明する。半導体レーザLD１から出力された光は
レンズLS１で集光されたのち、偏光ビームスプ
リツタBS１に入射する。このとき半導体レーザ
LD１の偏波面はその出力光が偏光ビームスプリ
ツタBS１を全部透過する方向となつている。偏
光ビームスプリツタBS１を透過した光は吸収セ
ルCL１に飽和光（ポンプ光）として入射し吸収
セルCL１内の原子の吸収を受ける。吸収セルCL
１を通過した光の一部（上半分）は1/4波長板Ｐ
１に入射して円偏光となり、NDフイルタＦ１を
介してミラーＭ１で反射される。ミラーＭ１の反
射光は再びNDフイルタＦ１および1/4波長板Ｐ
１を介してポンプ光と逆向きのプローブ光として
吸収セルCL１に入射する。このとき吸収セルCL
１中で飽和光とプローブ光の光軸が重なるように
調節されている。吸収セルCL１から出力される
プローブ光は1/4波長板Ｐ１を２回通過する間に
偏波面を90°回転されているので、偏光ビームス
プリツタBS１で反射され、受光素子PD１に入射
する。吸収セルCL１を通過した光の他の一部
（下半分）はビームスプリツタBS２に入射し、そ
の透過光は外部への出力光となり、反射光は参照
光として受光素子PD２に入射する。受光素子PD
１の出力と受光素子PD２の出力は演算回路OP１
で演算され、その出力は駆動回路DR１に入力す
る。駆動回路DR１の出力で半導体レーザの電流
を駆動することにより、吸収セルCL１内の基準
ガスの飽和吸収スペクトル信号に半導体レーザの
発振周波数を制御する。
明する。半導体レーザLD１から出力された光は
レンズLS１で集光されたのち、偏光ビームスプ
リツタBS１に入射する。このとき半導体レーザ
LD１の偏波面はその出力光が偏光ビームスプリ
ツタBS１を全部透過する方向となつている。偏
光ビームスプリツタBS１を透過した光は吸収セ
ルCL１に飽和光（ポンプ光）として入射し吸収
セルCL１内の原子の吸収を受ける。吸収セルCL
１を通過した光の一部（上半分）は1/4波長板Ｐ
１に入射して円偏光となり、NDフイルタＦ１を
介してミラーＭ１で反射される。ミラーＭ１の反
射光は再びNDフイルタＦ１および1/4波長板Ｐ
１を介してポンプ光と逆向きのプローブ光として
吸収セルCL１に入射する。このとき吸収セルCL
１中で飽和光とプローブ光の光軸が重なるように
調節されている。吸収セルCL１から出力される
プローブ光は1/4波長板Ｐ１を２回通過する間に
偏波面を90°回転されているので、偏光ビームス
プリツタBS１で反射され、受光素子PD１に入射
する。吸収セルCL１を通過した光の他の一部
（下半分）はビームスプリツタBS２に入射し、そ
の透過光は外部への出力光となり、反射光は参照
光として受光素子PD２に入射する。受光素子PD
１の出力と受光素子PD２の出力は演算回路OP１
で演算され、その出力は駆動回路DR１に入力す
る。駆動回路DR１の出力で半導体レーザの電流
を駆動することにより、吸収セルCL１内の基準
ガスの飽和吸収スペクトル信号に半導体レーザの
発振周波数を制御する。
上記装置において、吸収セルCL１に入射した
光はポンプ光として働き、原子を励起して飽和状
態にする。その結果、吸収セルCL１の出射光を
検出する受光素子PD２の出力は第２図の１に示
すような線形吸収（ドツプラ拡がりのある吸収）
を受ける。吸収セルCL１の上側の出力光はNDフ
イルタを２回通過する際に充分減衰された後、ポ
ンプ光として逆方向から吸収セルCL１に入射し
飽和吸収を受ける。すなわち前述のように、レー
ザ周波数が吸収セル内の原子の共鳴周波数に一致
したときのみプローブ光が吸収を受けないので、
ドツプラ拡がりのない鋭い吸収線を得ることがで
きる。この結果、第１の受光素子PD１の出力は
第３図の実線２に示すような飽和吸収特性とな
る。演算回路OP１で例えば受光素子PD２の出力
を調整し、第３図の破線３に一致させて受光素子
PD１の出力から引算し、増幅すると第４図の特
性が得られる。この特性のピーク値になるように
駆動回路DR１内のPID回路を介して半導体レー
ザLD１の電流を制御する。
光はポンプ光として働き、原子を励起して飽和状
態にする。その結果、吸収セルCL１の出射光を
検出する受光素子PD２の出力は第２図の１に示
すような線形吸収（ドツプラ拡がりのある吸収）
を受ける。吸収セルCL１の上側の出力光はNDフ
イルタを２回通過する際に充分減衰された後、ポ
ンプ光として逆方向から吸収セルCL１に入射し
飽和吸収を受ける。すなわち前述のように、レー
ザ周波数が吸収セル内の原子の共鳴周波数に一致
したときのみプローブ光が吸収を受けないので、
ドツプラ拡がりのない鋭い吸収線を得ることがで
きる。この結果、第１の受光素子PD１の出力は
第３図の実線２に示すような飽和吸収特性とな
る。演算回路OP１で例えば受光素子PD２の出力
を調整し、第３図の破線３に一致させて受光素子
PD１の出力から引算し、増幅すると第４図の特
性が得られる。この特性のピーク値になるように
駆動回路DR１内のPID回路を介して半導体レー
ザLD１の電流を制御する。
このような構成の半導体レーザ波長安定化装置
によれば、Rb，Csなどの標準ガスあるいはNH3，
H2Ｏなどの飽和吸収スペクトルに周波数を固定
するので、半導体レーザの発振波長が安定とな
る。
によれば、Rb，Csなどの標準ガスあるいはNH3，
H2Ｏなどの飽和吸収スペクトルに周波数を固定
するので、半導体レーザの発振波長が安定とな
る。
また吸収セルと平行あるいは直交するような光
路がなく、従来の装置より光学系の構成が簡単で
小型になる。また光軸の調整等も簡単になる。
路がなく、従来の装置より光学系の構成が簡単で
小型になる。また光軸の調整等も簡単になる。
また参照光がポンプ光やプローブ光と直交せ
ず、外乱を受けないので、精度・安定性がよい。
ず、外乱を受けないので、精度・安定性がよい。
なお上記の実施例において駆動回路などにロツ
クインアンプを用いて、飽和吸収信号の１次微分
波形のゼロクロスポイントに周波数を制御しても
よい。
クインアンプを用いて、飽和吸収信号の１次微分
波形のゼロクロスポイントに周波数を制御しても
よい。
またミラーＭ１の反射率を小さくすればNDフ
イルタＦ１を不要にすることもできる。
イルタＦ１を不要にすることもできる。
また上記の実施例とは逆に偏光ビームスプリツ
タBS１において、半導体レーザLD１の出力を反
射させて吸収セルCL１に導き、プローブ光を透
過させて受光素子PD１に導いてもよい。
タBS１において、半導体レーザLD１の出力を反
射させて吸収セルCL１に導き、プローブ光を透
過させて受光素子PD１に導いてもよい。
また上記の実施例において、1/4波長板Ｐ１を
吸収セルCL１の前に配置してもよい。また吸収
セルのCL１後ろの場合でも、ミラーＭ１の手前
に配置してもよい。
吸収セルCL１の前に配置してもよい。また吸収
セルのCL１後ろの場合でも、ミラーＭ１の手前
に配置してもよい。
また半導体レーザLD１の出射光の偏波面を完
全に偏光ビームスプリツタBS１と合せずに一部
を反射させて外部への出力光とし、ビームスプリ
ツタBS２の代りに同じ位置に受光素子PD２を配
置することにより、ビームスプリツタを１つ省略
するとともに吸収などの外乱を受けない出力光を
得ることができる。
全に偏光ビームスプリツタBS１と合せずに一部
を反射させて外部への出力光とし、ビームスプリ
ツタBS２の代りに同じ位置に受光素子PD２を配
置することにより、ビームスプリツタを１つ省略
するとともに吸収などの外乱を受けない出力光を
得ることができる。
第５図は本発明の第２の実施例を示すための要
部構成斜視図である。第１図装置に対し、1/4波
長板Ｐ２，NDフイルタＦ２およびミラーＭ２を
吸収セルの出射光の中心部に配置して、中心部の
光を飽和吸収信号に用いるようにしたもので、動
作は第１図の場合と同様である。第６図はこれと
逆に、ドーナツ型の1/4波長板Ｐ３、NDフイル
タＦ３およびミラーＭ３を用いることにより、周
辺部の光を飽和吸収信号に用いるようにしたもの
である。Ｐ４，Ｆ４およびＭ４は第１図の場合と
同様のそれぞれ1/4波長板、NDフイルタおよび
ミラーである。
部構成斜視図である。第１図装置に対し、1/4波
長板Ｐ２，NDフイルタＦ２およびミラーＭ２を
吸収セルの出射光の中心部に配置して、中心部の
光を飽和吸収信号に用いるようにしたもので、動
作は第１図の場合と同様である。第６図はこれと
逆に、ドーナツ型の1/4波長板Ｐ３、NDフイル
タＦ３およびミラーＭ３を用いることにより、周
辺部の光を飽和吸収信号に用いるようにしたもの
である。Ｐ４，Ｆ４およびＭ４は第１図の場合と
同様のそれぞれ1/4波長板、NDフイルタおよび
ミラーである。
第７図は本発明の第３の実施例を示すための要
部構成ブロツク図である。第１図装置と異なり、
ビームスプリツタBS２を用いずに、入射光を３
部分に分け、ミラーＭ５で反射した光を参照光と
し、吸収セルCL１の出力光の一部を直接外部へ
の出力光として取出すものである。
部構成ブロツク図である。第１図装置と異なり、
ビームスプリツタBS２を用いずに、入射光を３
部分に分け、ミラーＭ５で反射した光を参照光と
し、吸収セルCL１の出力光の一部を直接外部へ
の出力光として取出すものである。
なお上記の各実施例では吸収セル内にガスを封
入した場合を示したが、吸収線はガスに限らない
ので、液体や固体を用いてもよい。
入した場合を示したが、吸収線はガスに限らない
ので、液体や固体を用いてもよい。
《発明の効果》
以上述べたように本発明によれば、高精度かつ
構成が簡単で小型の半導体レーザ波長安定化装置
を簡単な構成で実現することができる。
構成が簡単で小型の半導体レーザ波長安定化装置
を簡単な構成で実現することができる。
第１図は本発明に係る半導体レーザ波長安定化
装置の一実施例を示す構成ブロツク図、第２図〜
第４図は第１図装置の動作を説明するための特性
曲線図、第５図および第６図は本発明の第２の実
施例を示すための要部構成斜視図、第７図は本発
明の第３の実施例を示すための要部構成ブロツク
図である。 LD１……半導体レーザ、BS１……偏光ビーム
スプリツタ、CL１……吸収セル、Ｐ１……1/4波
長板、Ｍ１……ミラー、PD１……第１の受光素
子、PD２……第２の受光素子。
装置の一実施例を示す構成ブロツク図、第２図〜
第４図は第１図装置の動作を説明するための特性
曲線図、第５図および第６図は本発明の第２の実
施例を示すための要部構成斜視図、第７図は本発
明の第３の実施例を示すための要部構成ブロツク
図である。 LD１……半導体レーザ、BS１……偏光ビーム
スプリツタ、CL１……吸収セル、Ｐ１……1/4波
長板、Ｍ１……ミラー、PD１……第１の受光素
子、PD２……第２の受光素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 標準物質の吸収スペクトル線に半導体レーザ
の波長を制御することにより波長を安定化する半
導体レーザ波長安定化装置において、 半導体レーザの出力光を入射する偏光ビームス
プリツタと、この偏光ビームスプリツタの一方の
出力光の一部を入射する標準物質を封入した吸収
セルおよび1/4波長板と、この吸収セルおよび1/4
波長板を通過した光が入射するミラーと、このミ
ラーで反射した光を前記1/4波長板、前記吸収セ
ルおよび前記偏光ビームスプリツタを介して入射
する第１の受光素子と、前記偏光ビームスプリツ
タの前記一方の出力光の他の一部が前記吸収セル
を透過した光に関連する光を入射する第２の受光
素子とを備え、２つの前記受光素子の出力を演算
し、この演算出力に対応して前記半導体レーザの
電流または温度を駆動することにより前記吸収セ
ル内の吸収スペクトル線に発振周波数を制御する
ように構成したことを特徴とする半導体レーザ波
長安定化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2971686A JPS62188291A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2971686A JPS62188291A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188291A JPS62188291A (ja) | 1987-08-17 |
| JPH0462477B2 true JPH0462477B2 (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=12283833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2971686A Granted JPS62188291A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62188291A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04116173U (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-16 | 横河電機株式会社 | 周波数安定化レ―ザ光源 |
| US10162021B2 (en) * | 2013-08-02 | 2018-12-25 | Hitachi, Ltd. | Magnetic field measurement device |
-
1986
- 1986-02-13 JP JP2971686A patent/JPS62188291A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62188291A (ja) | 1987-08-17 |
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