JPH0482070B2 - - Google Patents
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- JPH0482070B2 JPH0482070B2 JP5586686A JP5586686A JPH0482070B2 JP H0482070 B2 JPH0482070 B2 JP H0482070B2 JP 5586686 A JP5586686 A JP 5586686A JP 5586686 A JP5586686 A JP 5586686A JP H0482070 B2 JPH0482070 B2 JP H0482070B2
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- semiconductor laser
- light
- wavelength
- output
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
《産業上の利用分野》
本発明は、半導体レーザの波長を原子や分子の
吸収線に制御して安定化する量子標準形半導体レ
ーザ波長安定化装置の特性の改善に関する。
吸収線に制御して安定化する量子標準形半導体レ
ーザ波長安定化装置の特性の改善に関する。
《従来の技術》
第１０図は従来の半導体レーザ波長安定化装置
を示す構成ブロツク図である。半導体レーザLD
の電流に周波数mの変調信号を重畳してレーザ
出力の発振波長を変調し、ビームスプリツタBS
で分離した光の一方を特定の波長で吸収を起こす
標準物質を封入した吸収セルCLに入射する。ビ
ームスプリツタBSで分離した他方の光はミラー
Ｍで反射されて出力光となる。吸収セルCLから
の出射光は光検出器PDで電気信号に変換され、
ロツクインアンプLAで同期整流される。制御手
段CTでロツクインアンプLAの出力すなわち周波
数に対する１次微分信号が０となるように半導体
レーザLDの電流を制御することにより、半導体
レーザLDの波長を吸収セルCL内の原子の吸収線
にロツクさせることができる。
を示す構成ブロツク図である。半導体レーザLD
の電流に周波数mの変調信号を重畳してレーザ
出力の発振波長を変調し、ビームスプリツタBS
で分離した光の一方を特定の波長で吸収を起こす
標準物質を封入した吸収セルCLに入射する。ビ
ームスプリツタBSで分離した他方の光はミラー
Ｍで反射されて出力光となる。吸収セルCLから
の出射光は光検出器PDで電気信号に変換され、
ロツクインアンプLAで同期整流される。制御手
段CTでロツクインアンプLAの出力すなわち周波
数に対する１次微分信号が０となるように半導体
レーザLDの電流を制御することにより、半導体
レーザLDの波長を吸収セルCL内の原子の吸収線
にロツクさせることができる。
《発明が解決しようとする問題点》
しかしながら、上記のような構成の半導体レー
ザ波長安定化装置では、半導体レーザの出力光の
平均周波数は標準物質の吸収線にロツクされて安
定となるが、変調周波数mで常に周波数が変動
しているので、発振周波数の瞬時値は安定でな
く、スペクトル幅が広がるという問題点があつ
た。
ザ波長安定化装置では、半導体レーザの出力光の
平均周波数は標準物質の吸収線にロツクされて安
定となるが、変調周波数mで常に周波数が変動
しているので、発振周波数の瞬時値は安定でな
く、スペクトル幅が広がるという問題点があつ
た。
本発明はこのような問題点を解決するためにな
されたもので、波長が安定でスペクトル幅の狭い
半導体レーザ波長安定化装置を実現することを目
的とする。
されたもので、波長が安定でスペクトル幅の狭い
半導体レーザ波長安定化装置を実現することを目
的とする。
《問題点を解決するための手段》
本発明は物質の吸収スペクトル線に半導体レー
ザの波長を制御して波長を安定化する半導体レー
ザ波長安定化装置に係るもので、その特徴とする
ところは半導体レーザの出力光を所定の周波数差
を有する２つの光出力に分離するシフト分離手段
と、このシフト分離手段からの２つの出力光を入
射して特定の波長で吸収を起こす物質を封入した
吸収セルとを備え、前記吸収セルの２つの出力光
の検出出力の差が０となるように半導体レーザの
波長を制御する点にある。
ザの波長を制御して波長を安定化する半導体レー
ザ波長安定化装置に係るもので、その特徴とする
ところは半導体レーザの出力光を所定の周波数差
を有する２つの光出力に分離するシフト分離手段
と、このシフト分離手段からの２つの出力光を入
射して特定の波長で吸収を起こす物質を封入した
吸収セルとを備え、前記吸収セルの２つの出力光
の検出出力の差が０となるように半導体レーザの
波長を制御する点にある。
《実施例》
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成ブロツク
図である。LDは半導体レーザ、LSはこの半導体
レーザLDの出力光を平行光とするレンズ、Ｓ１
はこのレンズLSの出力光を入力するシフト分離
手段である。シフト分離手段Ｓ１において、
PBS１は前記レンズLSからの出力光を入射する
第１の偏光ビームスプリツタ、Ｐ１はこの偏光ビ
ームスプリツタPBS１で反射した光を入射する
１／４波長板、AOMはこの1/4波長板Ｐ１を通過し
た光を入射する音響光学変調器、Ｍ１はこの音響
光学変調器AOMの出力光を入射するミラー、Ｐ
２はこのミラーＭ１で反射された光が前記音響光
学変調器AOM，1/4波長板Ｐ１および前記偏光
ビームスプリツタPBS１を介して入射する1/4波
長板、Ｍ２はこの1/4波長板Ｐ１を通過した光が
入射するミラーである。CLはこのシフト分離手
段Ｓ１のミラーＭ２で反射した光が前記1/4波長
板Ｐ２および前記偏光ビームスプリツタPBS１
を介して出力される光を入射し特定の波長の光を
吸収する標準物質（ここではCs）を封入した吸
収セル、PBS２はこの吸収セルCLの透過光を入
射する第２の偏光ビームスプリツタ、BS１はこ
の偏光ビームスプリツタPBS２の透過光を入射
するビームスプリツタ、PD１，PD２は前記偏光
ビームスプリツタPBS２，ビームスプリツタBS
１の反射光をそれぞれ入射する受光素子、Ａはこ
の受光素子PD１，PD２の電気出力を入力する差
動増幅器、OPはこの差動増幅器Ａの出力を入力
する演算回路、DRはこの演算回路OPの出力を入
力して前記半導体レーザLDの電流を駆動する駆
動回路、Ｖは前記音響光学変調器AOMを周波数
mで駆動する駆動源である。
図である。LDは半導体レーザ、LSはこの半導体
レーザLDの出力光を平行光とするレンズ、Ｓ１
はこのレンズLSの出力光を入力するシフト分離
手段である。シフト分離手段Ｓ１において、
PBS１は前記レンズLSからの出力光を入射する
第１の偏光ビームスプリツタ、Ｐ１はこの偏光ビ
ームスプリツタPBS１で反射した光を入射する
１／４波長板、AOMはこの1/4波長板Ｐ１を通過し
た光を入射する音響光学変調器、Ｍ１はこの音響
光学変調器AOMの出力光を入射するミラー、Ｐ
２はこのミラーＭ１で反射された光が前記音響光
学変調器AOM，1/4波長板Ｐ１および前記偏光
ビームスプリツタPBS１を介して入射する1/4波
長板、Ｍ２はこの1/4波長板Ｐ１を通過した光が
入射するミラーである。CLはこのシフト分離手
段Ｓ１のミラーＭ２で反射した光が前記1/4波長
板Ｐ２および前記偏光ビームスプリツタPBS１
を介して出力される光を入射し特定の波長の光を
吸収する標準物質（ここではCs）を封入した吸
収セル、PBS２はこの吸収セルCLの透過光を入
射する第２の偏光ビームスプリツタ、BS１はこ
の偏光ビームスプリツタPBS２の透過光を入射
するビームスプリツタ、PD１，PD２は前記偏光
ビームスプリツタPBS２，ビームスプリツタBS
１の反射光をそれぞれ入射する受光素子、Ａはこ
の受光素子PD１，PD２の電気出力を入力する差
動増幅器、OPはこの差動増幅器Ａの出力を入力
する演算回路、DRはこの演算回路OPの出力を入
力して前記半導体レーザLDの電流を駆動する駆
動回路、Ｖは前記音響光学変調器AOMを周波数
mで駆動する駆動源である。
上記のような構成の半導体レーザ波長安定化装
置の動作を以下に詳しく説明する。半導体レーザ
LDの周波数oの出力光はレンズLSで平行光とな
つたのち、偏光ビームスプリツタPBS１で２方
向に分離される。偏光ビームスプリツタPBS１
の（紙面に垂直な偏波面を有する）反射光は第２
図の動作説明図に示すように、1/4波長板Ｐ１で
円偏光となり、音響光学変調器AOMで回折しド
ツプラ効果によりmの周波数シフトを受ける。
この回折光はミラーＭ１で反射して元の方向へ戻
り、再び音響光学変調器AOMでmの周波数シフ
トを受けるので、最終的に2mの周波数シフトを
受けた周波数o＋2mの光となる。この光が再び
１／４波長板Ｐ１を通過すると紙面に平行な偏波面
となり、偏光ビームスプリツタPBS１を透過す
る。この透過光を1/4波長板Ｐ２で円偏光とし、
ミラーＭ２で反射した後1/4波長板Ｐ２で紙面に
垂直な偏波面として再び偏光ビームスプリツタ
PBS１に入射すると、全て反射される。この反
射光は吸収セルCLに入射し透過光が偏光ビーム
スプリツタPBS２で全て反射されて受光素子PD
１に入射する。一方第３図に示すように、初めに
偏光ビームスプリツタPBS１を透過した紙面に
偏波面が水平な光は吸収セルCLを通過した後、
偏光ビームスプリツタPBS２を透過しビームス
プリツタBS１で一部が反射して受光素子PD２に
入射する。ビームスプリツタBS１を透過した光
は出力光として外部へ取出される。受光素子PD
２に入射する光および外部への出力光は半導体レ
ーザの発振周波数oそのままであるが、受光素
子PD１に入射する光は、2mの周波数シフトを
受けた周波数o＋2mの光となつているから、発
振周波数oを掃引した場合の受光素子の出力は
第４図に示すようになりＡの受光素子PD１出力
とＢの受光素子PD２出力は互いに吸収の中心が
周波数2mだけずれている。差動増幅器Ａは受光
素子PD１およびPD２の出力の差を演算し、その
出力はＣのようになる。演算回路OPおよび駆動
回路DRはこの差動増幅器Ａ出力のゼロクロス点
（０と交差する点）に半導体レーザLDの発振波長
を制御する。ゼロクロス点に波長が制御された状
態における半導体レーザLDの発振周波数は、吸
収セル内の物質の共鳴周波数をRとすると、o＝
R−mとなつて安定する。但し、共鳴周波数R
に対するドツプラシフトの広がりは対称であると
する。
置の動作を以下に詳しく説明する。半導体レーザ
LDの周波数oの出力光はレンズLSで平行光とな
つたのち、偏光ビームスプリツタPBS１で２方
向に分離される。偏光ビームスプリツタPBS１
の（紙面に垂直な偏波面を有する）反射光は第２
図の動作説明図に示すように、1/4波長板Ｐ１で
円偏光となり、音響光学変調器AOMで回折しド
ツプラ効果によりmの周波数シフトを受ける。
この回折光はミラーＭ１で反射して元の方向へ戻
り、再び音響光学変調器AOMでmの周波数シフ
トを受けるので、最終的に2mの周波数シフトを
受けた周波数o＋2mの光となる。この光が再び
１／４波長板Ｐ１を通過すると紙面に平行な偏波面
となり、偏光ビームスプリツタPBS１を透過す
る。この透過光を1/4波長板Ｐ２で円偏光とし、
ミラーＭ２で反射した後1/4波長板Ｐ２で紙面に
垂直な偏波面として再び偏光ビームスプリツタ
PBS１に入射すると、全て反射される。この反
射光は吸収セルCLに入射し透過光が偏光ビーム
スプリツタPBS２で全て反射されて受光素子PD
１に入射する。一方第３図に示すように、初めに
偏光ビームスプリツタPBS１を透過した紙面に
偏波面が水平な光は吸収セルCLを通過した後、
偏光ビームスプリツタPBS２を透過しビームス
プリツタBS１で一部が反射して受光素子PD２に
入射する。ビームスプリツタBS１を透過した光
は出力光として外部へ取出される。受光素子PD
２に入射する光および外部への出力光は半導体レ
ーザの発振周波数oそのままであるが、受光素
子PD１に入射する光は、2mの周波数シフトを
受けた周波数o＋2mの光となつているから、発
振周波数oを掃引した場合の受光素子の出力は
第４図に示すようになりＡの受光素子PD１出力
とＢの受光素子PD２出力は互いに吸収の中心が
周波数2mだけずれている。差動増幅器Ａは受光
素子PD１およびPD２の出力の差を演算し、その
出力はＣのようになる。演算回路OPおよび駆動
回路DRはこの差動増幅器Ａ出力のゼロクロス点
（０と交差する点）に半導体レーザLDの発振波長
を制御する。ゼロクロス点に波長が制御された状
態における半導体レーザLDの発振周波数は、吸
収セル内の物質の共鳴周波数をRとすると、o＝
R−mとなつて安定する。但し、共鳴周波数R
に対するドツプラシフトの広がりは対称であると
する。
このような構成の半導体レーザ波長安定化装置
によれば、ロツクインアツプを用いずにゼロクロ
ス点に波長を制御するので、出力光が変調されて
おらず、スペクトル幅を狭くすることができる。
によれば、ロツクインアツプを用いずにゼロクロ
ス点に波長を制御するので、出力光が変調されて
おらず、スペクトル幅を狭くすることができる。
またゼロクロス点に制御するので高安定であ
り、吸収セルの温度が変化して吸収量が変つても
ゼロクロス点の波長は変らない。
り、吸収セルの温度が変化して吸収量が変つても
ゼロクロス点の波長は変らない。
なお上記の実施例では半導体レーザの発振波長
を電流を制御して変えているが、これに限らず、
温度などを制御してもよい。
を電流を制御して変えているが、これに限らず、
温度などを制御してもよい。
また吸収セルCLの標準物質としては、Csのほ
かに例えばRb，NH3，H2Oなどを用いてもよい。
かに例えばRb，NH3，H2Oなどを用いてもよい。
また後述の飽和吸収法を用いてもよい。
第５図は本発明に係る半導体レーザ波長安定化
装置の第２の実施例を示す構成ブロツク図であ
る。第１図装置と同じ部分は同一の記号を付して
説明を省略する。シフト分離手段Ｓ２において、
BS２は半導体レーザLDの出力光を２方向に分離
するビームスプリツタ、BS３はこのビームスプ
リツタBS２の透過光を入射しその透過光を外部
出力光とし反射光が音響光学変調器AOMに入射
するビームスプリツタである。受光素子PD１，
PD２はそれぞれビームスプリツタBS２の反射光
および音響光学変調器AOMの透過光を吸収セル
CLを介して入射する。受光素子PD１には半導体
レーザLDの発振周波数oの光が入射し、受光素
子PD２にはシフトした周波数o＋mの光が入射
する。
装置の第２の実施例を示す構成ブロツク図であ
る。第１図装置と同じ部分は同一の記号を付して
説明を省略する。シフト分離手段Ｓ２において、
BS２は半導体レーザLDの出力光を２方向に分離
するビームスプリツタ、BS３はこのビームスプ
リツタBS２の透過光を入射しその透過光を外部
出力光とし反射光が音響光学変調器AOMに入射
するビームスプリツタである。受光素子PD１，
PD２はそれぞれビームスプリツタBS２の反射光
および音響光学変調器AOMの透過光を吸収セル
CLを介して入射する。受光素子PD１には半導体
レーザLDの発振周波数oの光が入射し、受光素
子PD２にはシフトした周波数o＋mの光が入射
する。
このような構成の装置によれば、音響光学変調
器AOMに光を２回通さずにそのまま吸収セルに
照射しているので、構成が簡単になる。
器AOMに光を２回通さずにそのまま吸収セルに
照射しているので、構成が簡単になる。
第６図は本発明の第３の実施例で飽和吸収を用
いたものを示す構成ブロツク図であ（飽和吸収に
関する参考文献：T.Yabuzaki，A.Hori，M.
Kitano，and T.Ogawa；Frequency
Stabilization of Diode Lasers Using Doppler
−Free Atomic Spectra，Proc.Int.Conf.Laser's
83／堀，門田，北野，藪崎，小川；飽和吸収分光
を用いた半導体レーザの周波数安定化，信学技報
OQE82−116）。第５図と同じ部分は同一の記
号を付して説明を省略する。シフト分離手段Ｓ２
のビームスプリツタBS２の反射光はポンプ光と
して吸収セルCLに入射し、透過光がミラーＭ３
で反射し、再びプローブ光として反対方向からポ
ンプ光と重なるように吸収セルCLを通過し受光
素子PD１でドツプラ広がりのない鋭い吸収光を
検出する。同様に音響光学変調器AOMの出力回
折光はポンプ光として吸収セルCLに入射し、透
過光がミラーＭ４で反射して再びプローブ光とし
て吸収セルCLを通過し受光素子PD２でドツプラ
広がりのない鋭い吸収光を検出する。第７図Ａに
示すように、受光素子PD１，PD２の出力の周波
数特性は共にラム・デイツプを生じ、互いに周波
数mのずれを有する。このときの差動増幅器Ａ
の出力特性はＢのようになり、ゼロクロス点が鋭
い勾配を有するもので周波数安定度をより高める
ことができる。
いたものを示す構成ブロツク図であ（飽和吸収に
関する参考文献：T.Yabuzaki，A.Hori，M.
Kitano，and T.Ogawa；Frequency
Stabilization of Diode Lasers Using Doppler
−Free Atomic Spectra，Proc.Int.Conf.Laser's
83／堀，門田，北野，藪崎，小川；飽和吸収分光
を用いた半導体レーザの周波数安定化，信学技報
OQE82−116）。第５図と同じ部分は同一の記
号を付して説明を省略する。シフト分離手段Ｓ２
のビームスプリツタBS２の反射光はポンプ光と
して吸収セルCLに入射し、透過光がミラーＭ３
で反射し、再びプローブ光として反対方向からポ
ンプ光と重なるように吸収セルCLを通過し受光
素子PD１でドツプラ広がりのない鋭い吸収光を
検出する。同様に音響光学変調器AOMの出力回
折光はポンプ光として吸収セルCLに入射し、透
過光がミラーＭ４で反射して再びプローブ光とし
て吸収セルCLを通過し受光素子PD２でドツプラ
広がりのない鋭い吸収光を検出する。第７図Ａに
示すように、受光素子PD１，PD２の出力の周波
数特性は共にラム・デイツプを生じ、互いに周波
数mのずれを有する。このときの差動増幅器Ａ
の出力特性はＢのようになり、ゼロクロス点が鋭
い勾配を有するもので周波数安定度をより高める
ことができる。
第８図は本発明の半導体レーザ波長安定化装置
の第４の実施例を示す構成ブロツク図である。半
導体レーザLDからの出力光の一部はビームスプ
リツタBS４で反射され、シフト分離手段Ｓ３の
音響光学素子AOMに入射する。音響光学素子
AOMの−１次回折光はo−mの周波数シフト
を受け、＋１次回折光はo＋mの周波数シフトを
受けて、吸収セルCLを介してそれぞれ受光素子
PD１，PD２に入射する。第９図Ａは受光素子
PD１，PD２の出力の周波数特性を示し、その差
である差動増幅器Ａ出力は第９図Ｂに示すよう
に、ゼロクロス点が吸収セルの共鳴周波数Rに
一致する。したがつて変調周波数mの値が変動
してもゼロクロス点が変化しない。また音響光学
変調器AOMの回折効率が変つてもPD１，PD２
出力が同じように変わるので、ゼロクロス点は動
かない。また第６図装置と同様に飽和吸収法を用
いることもできる。
の第４の実施例を示す構成ブロツク図である。半
導体レーザLDからの出力光の一部はビームスプ
リツタBS４で反射され、シフト分離手段Ｓ３の
音響光学素子AOMに入射する。音響光学素子
AOMの−１次回折光はo−mの周波数シフト
を受け、＋１次回折光はo＋mの周波数シフトを
受けて、吸収セルCLを介してそれぞれ受光素子
PD１，PD２に入射する。第９図Ａは受光素子
PD１，PD２の出力の周波数特性を示し、その差
である差動増幅器Ａ出力は第９図Ｂに示すよう
に、ゼロクロス点が吸収セルの共鳴周波数Rに
一致する。したがつて変調周波数mの値が変動
してもゼロクロス点が変化しない。また音響光学
変調器AOMの回折効率が変つてもPD１，PD２
出力が同じように変わるので、ゼロクロス点は動
かない。また第６図装置と同様に飽和吸収法を用
いることもできる。
なお上記の各実施例では差動増幅回路Ａの出力
が０となるように半導体レーザの波長を制御して
いるが、ゼロクロス点の安定性の低下を我慢すれ
ば任意の値を用いることができる。
が０となるように半導体レーザの波長を制御して
いるが、ゼロクロス点の安定性の低下を我慢すれ
ば任意の値を用いることができる。
《発明の効果》
以上述べたように本発明によれば、波長が安定
でスペクトル幅の狭い半導体レーザ波長安定化装
置を簡単な構成で実現することができる。
でスペクトル幅の狭い半導体レーザ波長安定化装
置を簡単な構成で実現することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成ブロツク
図、第２図および第３図は第１図装置の動作を説
明するための動作説明図、第４図は第１図装置の
動作を説明するための特性曲線図、第５図は本発
明の第２の実施例を示す構成ブロツク図、第６図
は本発明の第３の実施例を示す構成ブロツク図、
第７図は第６図装置の動作を説明するための特性
曲線図、第８図は本発明の第４の実施例を示す構
成ブロツク図、第９図は第８図装置の動作を説明
するための特性曲線図、第１０図は従来の半導体
レーザ波長安定化装置を示す構成ブロツク図であ
る。 LD…半導体レーザ、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…シフ
ト分離手段、CL…吸収セル。
図、第２図および第３図は第１図装置の動作を説
明するための動作説明図、第４図は第１図装置の
動作を説明するための特性曲線図、第５図は本発
明の第２の実施例を示す構成ブロツク図、第６図
は本発明の第３の実施例を示す構成ブロツク図、
第７図は第６図装置の動作を説明するための特性
曲線図、第８図は本発明の第４の実施例を示す構
成ブロツク図、第９図は第８図装置の動作を説明
するための特性曲線図、第１０図は従来の半導体
レーザ波長安定化装置を示す構成ブロツク図であ
る。 LD…半導体レーザ、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…シフ
ト分離手段、CL…吸収セル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 物質の吸収スペクトル線に半導体レーザの波
長を制御して波長を安定化する半導体レーザ波長
安定化装置において、 半導体レーザの出力光を所定の周波数差を有す
る２つの光出力に分離するシフト分離手段と、こ
のシフト分離手段からの２つの出力光を入射して
特定の波長で吸収を起こす物質を封入した吸収セ
ルとを備え、前記吸収セルの２つの出力光の検出
出力の差が０となるように半導体レーザの波長を
制御することを特徴とする半導体レーザ波長安定
化装置。 ２ シフト分離手段が半導体レーザの出力光を周
波数シフトする音響光学素子を備えた特許請求の
範囲第１項記載の半導体レーザ波長安定化装置。 ３ 物質としてRbまたはCsを用いた特許請求の
範囲第１項記載の半導体レーザ波長安定化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5586686A JPS62213186A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5586686A JPS62213186A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62213186A JPS62213186A (ja) | 1987-09-19 |
| JPH0482070B2 true JPH0482070B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=13010994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5586686A Granted JPS62213186A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62213186A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2519335B2 (ja) * | 1990-02-20 | 1996-07-31 | 日本電信電話株式会社 | レ―ザ発振波長安定化装置 |
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-
1986
- 1986-03-13 JP JP5586686A patent/JPS62213186A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62213186A (ja) | 1987-09-19 |
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