JPH0462838A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0462838A JPH0462838A JP2167143A JP16714390A JPH0462838A JP H0462838 A JPH0462838 A JP H0462838A JP 2167143 A JP2167143 A JP 2167143A JP 16714390 A JP16714390 A JP 16714390A JP H0462838 A JPH0462838 A JP H0462838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- interconnection
- layer
- diffusion layer
- type diffusion
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、入力保護回路のサージ耐圧向上させることか
可能な半導体装置に関するものである。
可能な半導体装置に関するものである。
従来の技術
従来より、半導体装置は、人体や機械などの外部から入
ってくる過大な静電気（以下、サージと称す）より、内
部回路を保護するために入力保護回路を用いてサージに
対する耐圧を向上させている。
ってくる過大な静電気（以下、サージと称す）より、内
部回路を保護するために入力保護回路を用いてサージに
対する耐圧を向上させている。
以下、従来の半導体装置の入力保護回路について説明す
る。第２図は従来の半導体装置の入力保護回路の要所断
面図である。Ｐ型半導体基板１の上部にＮ型拡散層２を
、イオン注入により（深さ約０．２ミクロン）形成する
。Ｐ型半導体基板１の電位は０ホルトかそれ以下の電位
が与えられている。Ｎ型拡散層２の上部には、化学的気
相成長法により、酸化シリコンを主成分にする層間絶縁
膜３を形成する。コンタクト窓４は層間絶縁膜３にエツ
チングにより形成し、アルミニウム配線５をＮ型拡散層
３と接続する。
る。第２図は従来の半導体装置の入力保護回路の要所断
面図である。Ｐ型半導体基板１の上部にＮ型拡散層２を
、イオン注入により（深さ約０．２ミクロン）形成する
。Ｐ型半導体基板１の電位は０ホルトかそれ以下の電位
が与えられている。Ｎ型拡散層２の上部には、化学的気
相成長法により、酸化シリコンを主成分にする層間絶縁
膜３を形成する。コンタクト窓４は層間絶縁膜３にエツ
チングにより形成し、アルミニウム配線５をＮ型拡散層
３と接続する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の構造では、Ｐ型半導体基板１
とＮ型拡散層２とのＰＮ接合部の逆方向接合耐圧（通常
１２〜１５ポルト程度）以上のサージ電圧が加わる場合
過大電流が流れ、ＰＮ接合部近傍の温度が上昇し、アル
ミニウム配線５の融点（６６０，４度）に達するとアル
ミニウムか溶融する。ひいてはＮ型拡散層３を破壊し、
Ｐ型半導体基板１にまでアルミニウム配線５か達し、Ｐ
Ｎ接合が破壊し入力保護回路部でのリーク電池が急増す
る不都合が生じる。
とＮ型拡散層２とのＰＮ接合部の逆方向接合耐圧（通常
１２〜１５ポルト程度）以上のサージ電圧が加わる場合
過大電流が流れ、ＰＮ接合部近傍の温度が上昇し、アル
ミニウム配線５の融点（６６０，４度）に達するとアル
ミニウムか溶融する。ひいてはＮ型拡散層３を破壊し、
Ｐ型半導体基板１にまでアルミニウム配線５か達し、Ｐ
Ｎ接合が破壊し入力保護回路部でのリーク電池が急増す
る不都合が生じる。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の半導体装置は、入
力保護回路のアルミニウム配線とＮ型拡散層を接続する
コンタクト窓の下部に、ポリ→ノーイド配線（下層にポ
リシリコン、上層にタングステンシリサイドＷ Ｓ ｒ
ｘなどの高融点金属との２層構造配線）とコンタクト
窓を有する。
力保護回路のアルミニウム配線とＮ型拡散層を接続する
コンタクト窓の下部に、ポリ→ノーイド配線（下層にポ
リシリコン、上層にタングステンシリサイドＷ Ｓ ｒ
ｘなどの高融点金属との２層構造配線）とコンタクト
窓を有する。
作用
この構造によってサージ電圧印加時にアルミニウムが溶
融し、Ｎ型拡散層とアルミニウムが直接的に反応するこ
とをポリサイド配線により抑制される。従来アルミニウ
ムの融点に律速されていたザージに対する耐圧を、ポリ
サイド配線の融点（下層のポリシリコンの融点１４１４
℃、上層のタングステンシリサイドの融点３３８７℃）
にまで向」ニすることができる。
融し、Ｎ型拡散層とアルミニウムが直接的に反応するこ
とをポリサイド配線により抑制される。従来アルミニウ
ムの融点に律速されていたザージに対する耐圧を、ポリ
サイド配線の融点（下層のポリシリコンの融点１４１４
℃、上層のタングステンシリサイドの融点３３８７℃）
にまで向」ニすることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の一実施例における、半導体装置の入
力保護回路の要所断面図を示すものである。なお、１は
Ｐ型半導体基板、２はＮ型拡散層、３は層間絶縁膜、４
はコンタクト窓、５はアルミニウム配線であり、これら
は、従来例の構成と同じである。６はポリサイド配線（
下層にポリシリコン、上層にタングステンシリサイドＷ
Ｓｉ、、などの高融点金属との２層構造配線）であり、
コンタクト窓４によりＮ型拡散層と接続し、上部コンタ
クト窓４によりアルミニウム配線５とも接続する。なお
、ポリサイド配線６、および下部コンタクト窓４は高集
積半導体装置に用いられる多層配線のレイアウトパター
ンを一部変更するだけで形成することができる。
力保護回路の要所断面図を示すものである。なお、１は
Ｐ型半導体基板、２はＮ型拡散層、３は層間絶縁膜、４
はコンタクト窓、５はアルミニウム配線であり、これら
は、従来例の構成と同じである。６はポリサイド配線（
下層にポリシリコン、上層にタングステンシリサイドＷ
Ｓｉ、、などの高融点金属との２層構造配線）であり、
コンタクト窓４によりＮ型拡散層と接続し、上部コンタ
クト窓４によりアルミニウム配線５とも接続する。なお
、ポリサイド配線６、および下部コンタクト窓４は高集
積半導体装置に用いられる多層配線のレイアウトパター
ンを一部変更するだけで形成することができる。
発明の効果
本発明の半導体装置入力保護回路は、アルミニウム配線
５とＮ型拡散層２との接続の間にポリサイド配線６とコ
ンタクト窓４を設けることにより、アルミニウムとＮ型
拡散層との接触を回避し、サージ印加時の温度上昇にと
もなう、アルミニウムの溶融によるＰＮ接合部の破壊臨
界温度をポリシリコンの融点にまで上昇すること、すな
わち、ザージ耐圧を著しく高める効果が奏される。
５とＮ型拡散層２との接続の間にポリサイド配線６とコ
ンタクト窓４を設けることにより、アルミニウムとＮ型
拡散層との接触を回避し、サージ印加時の温度上昇にと
もなう、アルミニウムの溶融によるＰＮ接合部の破壊臨
界温度をポリシリコンの融点にまで上昇すること、すな
わち、ザージ耐圧を著しく高める効果が奏される。
また、従来品に比較してレイアウト面積を縮小させる効
果も奏される。
果も奏される。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の断面図
、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・・・・Ｐ型半導体基板、２・・・・・・Ｎ型拡
散層、３・・・・・・層間絶縁膜、４・・・・・・コン
タクト窓、５・・・・・・アルミニウム配線、６・・・
・・・ポリサイド配線。
、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・・・・Ｐ型半導体基板、２・・・・・・Ｎ型拡
散層、３・・・・・・層間絶縁膜、４・・・・・・コン
タクト窓、５・・・・・・アルミニウム配線、６・・・
・・・ポリサイド配線。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された第１の拡散層と、前記第１
の拡散層に第１の絶縁膜のコンタクト窓を介して接続さ
れた少なくともアルミニウムより融点の高い第１の導電
層と、前記第１の導電層と第２の絶縁膜のコンタクト窓
を介して接続されたアルミニウム層を備えたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167143A JPH0462838A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167143A JPH0462838A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0462838A true JPH0462838A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15844222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2167143A Pending JPH0462838A (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0462838A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0722187A3 (en) * | 1995-01-11 | 1996-11-06 | Nec Corp | Integrated semiconductor component with protective device against electrostatic discharge |
| US5968449A (en) * | 1997-07-28 | 1999-10-19 | Nippon Steel Welding Products & Engineering Co., Ltd. | Iron base Si--Mn alloy or iron base Si--Mn--Ni alloy having good crushability and alloy powder thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439059A (en) * | 1987-04-20 | 1989-02-09 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPH01283851A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-06-25 JP JP2167143A patent/JPH0462838A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6439059A (en) * | 1987-04-20 | 1989-02-09 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPH01283851A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0722187A3 (en) * | 1995-01-11 | 1996-11-06 | Nec Corp | Integrated semiconductor component with protective device against electrostatic discharge |
| US5844281A (en) * | 1995-01-11 | 1998-12-01 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit device with electrostatic protective function |
| US5968449A (en) * | 1997-07-28 | 1999-10-19 | Nippon Steel Welding Products & Engineering Co., Ltd. | Iron base Si--Mn alloy or iron base Si--Mn--Ni alloy having good crushability and alloy powder thereof |
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