JPH0463423A - プラズマエツチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、Ｌ８工製造工程における。シリコンウェハ
のプラズマエツチングに関するものであるＯ 〔従来の技術〕 第３図は例えば現在市販されている従来のバッチ式プラ
ズマエツチング装置を示す模式断面図であり、図におい
て、（１）はプラズマ発生室となる石英チャンバ、　（
２）はシリコンウェハ１Ｂｌｄシリコンウエハ（２）を
支持し１石英チャンバ（１）の底部をプラズマ発生室と
して独立させる為の石英ボー）　、（４）は本体、（５
）はプロセスガスを導入するガス導入孔。

（６）はガスを排気し、又、ガス導入時（て石英チャン
バ（１）内の圧力を調整しつつガスを排気する為の排気
孔、（７）は高周波電源、（８）は電極１　、　（９）
は電極２である。

次に動作について説明する。石英チャンバ（１）内に１
石英ボート（３）上に載置されたシリコンウェハ（２）
が挿入される。石英チャンバ（１）と、本体（４）によ
って形成された空間に、ガス導入孔（５）からＯＦ４等
のガスを流し込み、一定の圧力に保持したのち。

電極１　（８）に高周波電源（７）により高周波を印加
し。

電極２（９）との間にガスプラズマを発生させシリコン
ウェハ（２）ヲエッチンクスる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のプラズマエツチング装置は以上の様に構成されて
いるので、シリコンウェハ表面色１　面２＞Ｚ同時にエ
ツチングされる。この為、シリコンウェハ表面にすでに
パターン等が形成されている時に。

仁れを保護する為に１耐ドライエツチング性の膜をシリ
コンウェハ表面に付け、シリコンウェハ表面をエツチン
グした後、耐ドライエツチング性の保護膜を除去する必
要があるなどの問題点があった０ この発明は、上記のような問題点を解決する為になされ
たもので、シリコンウェハの表面ヲーｒ−ツチングせず
に、裏面のみをエツチングできるプラズマエツチング装
置を得ることを目的とする。

〔！ｆ！題を解決するための手段〕

この発明に係るプラズマエツチング装置は、シリコンウ
ェハを、周辺部のみ電極に吸着させ、シリコンウェハ表
面をプラズマから隔離し、プラズマと接する面がシリコ
ンウエノ・裏面のみになる様にしたものである。

〔作　用〕

この発明におけるプラズマエツチング装置は、シリコン
ウェハ表面をプラズマより隔離する為に底面を凹型にし
たリング状の電極を設け、これに直流電源を付加する事
によりシリコンウエノ・ヲ靜電吸着させ、シリコンウエ
ノ・表面を保護する。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。　’
ＦＫ　１図にオイテ、（１＞　、　（２）　Ｉ　（５）
　〜＜７）Ｉｄ、　ｉｉ　Ｓ図ノ従来例に示したものと
同等であるので説明を省略する。（ト）はシリコンウェ
ハ（２）を吸着するウェハ吸着ｗｉ、、ｕはウェハ吸着
電極（ト）にシリコンウエノ・（２）を吸着させる為に
、シリコンウェハ（２）ヲ持ち上げ、かつ、高周波を印
加する為の高周波印加電極。

（６）はウェハ表面の配線、（２）は静電吸着を実施す
る為の直ｉｔ源、α→は静電吸着時シリコンウェハ（２
）と接する部分の絶縁体である。

次に動作について説明する。まず、石英チャンバ（１）
内に、シリコンウェハ（２）が高周波印加電極（６）上
に載置され次状態で搬入される。その後１石英チャンバ
（１）内を排気孔（６ンから排気する。高周波印加電極
（ロ）を上昇させ、シリコンウェハ（２）を、ウェハ吸
着電極（６）に接触させる。この時、ウェハ吸着電極（
ト）に、直流電源（至）をＯＮ　し、絶縁体（ロ）を帯
電させる事により、シリコンウェハ（２）をウェハ吸着
電極（ト）に吸着させる。その後、ガス導入孔（５）か
らエツチングガスを流し、所定の圧力に維持し九後。

高周波印加電極（ロ）に高周波電源（７ンにより高周波
を印加し１石英チャンバ（１）内にガスプラズマを発生
させる。このガスプラズマは、ウェハ表面の配線（６）
に菫で入り込む事が無い為、シリコンウニ／（２）の裏
面のみがエツチングされる。この効果により。

従来シリコンクエバ（２）表面の保護用に耐エツチング
性の膜を付けていた工程を省略する事が可能となり、シ
リコンウェハ（２）の裏面のエツチングが簡単にできる
。

なお、上記１ｊ！施例ではシリコンウェハ（２）のウェ
ハ吸着電極■への搬送を、高周波印加電極（６）により
行ったものを示したが、この発明の他の実施例を第２図
に示す。第２図において、（１）、（２）、（５）〜（
７）　、　Ｑｏｘ■〜α４は第１図に示したものと同等
であり％（８八（９）は第３図の従来例に示したものと
同等であるので説明を省略する。（イ）はシリコンウェ
ハ（２）をウェハ吸Ｎ電極叩・へ搬送するためのウエノ
・搬送用支持板である。第１図の実施例においては、高
周波印加電極（ロ）とウェハ吸着電極（ト）をシリコン
ウェハ（２）に平行に設置したが、ｌ！２図では、を極
１（８）と電極２（９）をシリコンウェハ（２）に対し
垂直な方向へ設ｆし、ウェハ搬送用支持板μｓを別に設
置した。シリコンウェハ（２）吸着の動作に関しては、
第１図に示す実施例と同じである。ｔた、高周波を印加
しプラズマエツチングを実施する動作Ｆｉｉ３図の従来
例に示したものと同じである。

〔発明の効果〕

以上の様にこの発明によれば、シリコンウェハの表面を
プラズマから隔離した状態でエツチング可能としている
為、シリコンウェハ表面の保護ノ為のプロセスを省略で
き、かつ、シリコンウェハ表面の保護Ｏ不完全による表
面のエツチング等の偶発的不良も無く女り、ＬＥ工の歩
留りが向上する効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるプラズマエッチング
装置を示す模式断面図、第２図はこの発明の他の笑施例
を示すプラズマエツチング装置の模式断面図、第３図は
従来のプラズマエツチング装置を示す模式断面図である
。 図において、（１）は石英チャンバ、（２）はシリコン
ウェハ、（５）はガス導入孔、（６）は排気孔、（７〕
は高周波電源、（８）は電極１　、　（９）は電極２．
０（ｊはウニ／Ｓ吸着電極、（ロ）は高周波印加電極、
＠はウニ八表面の配線、０３は直流電源、（ロ）は絶縁
体、ｏ５はウエノ１搬送用支持板である。 なお、図中、同一符号は同一　父は札当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ＬＳＩを製造するに際して、シリコンウェハのパター
   ン配線を施した後、上記シリコンウェハの裏面をプラズ
   マにより除去するプラズマエッチング装置において、リ
   ング状のウェハ吸着電極を設け、シリコンウェハ表面を
   プラズマから分離する事により、シリコンウェハ表面に
   特に耐プラズマ性の膜等を付着させる必要無く、エッチ
   ング可能とした事を特徴とするプラスマエッチング装置
   。