JPS63281430A - ドライエッチング装置の電極構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体基板等のドライエツチング装置、特にカ
ソードカップリング型ドライエツチング装置の電極構造
に関するものである。

従来の技術 従来のカソードカップリング型ドライエツチング装置の
反応室の構造を第２図に示す。１は真空容器、２は上部
電極で接地されており、３は下部電極でウェハ４が載置
され、高周波電源５が接続されている。上下電極共にセ
ラミックリング６で絶縁されている。反応ガスはガス導
入口８より導入され、排気口９よシ排気される。ウエノ
・４はウェハ突上げピン７によって上昇して搬送用アー
ムに乗せられ真空容器外へと搬出される。下部電極３は
アルミニウム製でプラズマにさらされる表面はアルミナ
溶射されている。さらにウエノ・突上げピン７もプラズ
マにさらされる表面はアルミナ溶射されている。アルミ
ナ溶射はスパッタによる消耗や重金属汚染を防ぐために
行々っている。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記構成では連続して数十枚のウェハをエ
ツチングすると、電極表面とウエノ・表面が帯電し、静
電吸着現象によって電極とウニ／’ｔが強く引合うよう
になる。この場合、ウエノ・を突上げる際反動でウニ・
・が大きく振動したり傾くためウェハがアームにきちん
と乗らず真空容器内で落下するという問題があった。

問題点を解決するだめの手段 本発明は上記問題点を解決するため、ウエノ１突上げピ
ンのウェハとの接触部のみ金属表面を露出３へへ。

させてプラズマにさらされる他の表面にアルミナ溶射し
たものである。

作　　用 ウェハ突上げピンの一部を金属を露出させることにより
電極表面の帯電を抑制でき、しかも突上げ時にウェハと
接触してウェハ表面の静電気を突±げピンの方へ分散さ
せることができる。このようにして電極とウェハの静電
吸着力を弱めることによってウェハ突上げ時の振動や＃
斜の発生を防ぐことができる。

実施例 以下、本発明の一実施例を図面を参照しつつ述べる。第
１図はウェハ載置電極である下部電極及びウェハ突上げ
ピンの概略断面図である。ステンレス製突」二げピン１
ｏの表面には溶射にて厚さ約１ｏＯ１１ｍのアルミナ層
１１が形成され、ウェハとの接触部１２は金属が露出し
ている。下部電極１３はプラズマにさらされる表面全体
に約５ｏμｍのアルミナ層１４が溶射にて形成されてい
る。

前記下部電極１３及びウェハ突上げピン１ｏを第２図に
示した真空容器１に取り付けでエツチングを行なった。

ＣＦ４とＣＨＦ３と０２との混合ガスを用い、圧力３０
０ｍＴ　ｏｒｒ　、高周波出力３５０Ｗでシリコン酸化
膜を形成したウェハを２００枚連続してエツチングした
が、その間ウェハ突上げ時の振動はほとんど見られなか
った。

発明の効果 以上のように、本発明によれば電極とウェハの静電吸着
を弱めることができ、ウニ・・突上げ時の反発力による
振動や傾斜が起こらず搬送の信頼性を高めることができ
る。さらに、電極及び突上げピンの表面はアルミナコー
ティングが施されているので消耗や重金属汚染の恐れが
ない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の電極構造の概要を示す断面
図、第２図は従来のドライエツチング装置の概要を示す
断面図である。 １ｏ・・・・・・突上げピン、１１．１４・・・・・・
アルミナ層、１２・・・・・・ウニ・・接触部、１３・
・・・・・下部電極。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　プラズマにさらされる表面をアルミナ溶射したウェハ
   載置用電極と、ウェハとの接触部のみ金属を露出させて
   プラズマにさらされる表面をアルミナ溶射したウェハ突
   上げピンとからなるドライエッチング装置の電極構造。