JPH0464193B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0464193B2 JPH0464193B2 JP4553283A JP4553283A JPH0464193B2 JP H0464193 B2 JPH0464193 B2 JP H0464193B2 JP 4553283 A JP4553283 A JP 4553283A JP 4553283 A JP4553283 A JP 4553283A JP H0464193 B2 JPH0464193 B2 JP H0464193B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- section
- substrate
- amorphous semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
- H10F55/25—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices
- H10F55/255—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices formed in, or on, a common substrate
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気信号を光信号に変換する発光素
子部及び前記光信号を電気信号に変換するアモル
フアス半導体構成の光起電力素子部からなる光結
合装置に関する。
子部及び前記光信号を電気信号に変換するアモル
フアス半導体構成の光起電力素子部からなる光結
合装置に関する。
従来、電気信号を光信号に変換する発光素子部
及び前記光信号を電気信号に変換するアモルフア
ス半導体構成の光起電力素子部とからなる光結合
素子は、第１図に示すように構成される。
及び前記光信号を電気信号に変換するアモルフア
ス半導体構成の光起電力素子部とからなる光結合
素子は、第１図に示すように構成される。
同図において、１はガラス等の透光性基板、２
は基板１の一主面（下面）に形成された透明導電
膜、３は透明導電膜２の下面に形成されたアモル
フアスシリコン等のアモルフアス半導体層、４は
半導体層３の下面に形成された導電性電極であ
り、透明導電膜２、半導体層３および導電性電極
４により発光素子部５が構成されており、発光素
子部５により、接続線６を介して入力された電気
信号が光信号に変換される。
は基板１の一主面（下面）に形成された透明導電
膜、３は透明導電膜２の下面に形成されたアモル
フアスシリコン等のアモルフアス半導体層、４は
半導体層３の下面に形成された導電性電極であ
り、透明導電膜２、半導体層３および導電性電極
４により発光素子部５が構成されており、発光素
子部５により、接続線６を介して入力された電気
信号が光信号に変換される。
７は基板１の他主面（上面）に形成された透明
導電膜、８は透明導電膜７の上面に形成されたア
モルフアスシリコン等のＰ−Ｉ−Ｎ構造のアモル
フアス半導体層、９は半導体層８の上面に形成さ
れた導電性電極であり、透明導電膜７、半導体層
８及び導電性電極９により光起電力素子部１０が
構成されている。
導電膜、８は透明導電膜７の上面に形成されたア
モルフアスシリコン等のＰ−Ｉ−Ｎ構造のアモル
フアス半導体層、９は半導体層８の上面に形成さ
れた導電性電極であり、透明導電膜７、半導体層
８及び導電性電極９により光起電力素子部１０が
構成されている。
そして、第１図中の実線矢印に示す基板１を介
した発光素子部５の光信号は光起電力素子部１０
により電気信号に変換され、この信号が接続線１
１を介して外部に取出される。
した発光素子部５の光信号は光起電力素子部１０
により電気信号に変換され、この信号が接続線１
１を介して外部に取出される。
前記従来装置の場合、光起電力素子部１０から
出力される電気信号が微弱であるため、この電気
信号をそのまま利用することができず、何らかの
信号増幅手段を装置と別個に設ける必要があり、
実用性に欠ける問題点がある。
出力される電気信号が微弱であるため、この電気
信号をそのまま利用することができず、何らかの
信号増幅手段を装置と別個に設ける必要があり、
実用性に欠ける問題点がある。
本発明は、前記の点に留意してなされたもので
あり、新規で実用的な光結合装置を提供すること
を目的とする。
あり、新規で実用的な光結合装置を提供すること
を目的とする。
前記の目的を達成するために、本発明の光結合
装置においては、透光性基板１２の一主面に形成
された発光素子部１６と、基板１２の他主面に形
成された透明導電膜１８をゲート電極とする、ア
モルフアス半導体からなる電界効果トランジスタ
部２７と、透明導電膜１８と電界効果トランジス
タ部２７のゲート絶縁膜２３との間に介挿された
膜面に平行なpin接合を有するアモルフアス半導
体からなる光起電力素子部２２と、により形成す
る。
装置においては、透光性基板１２の一主面に形成
された発光素子部１６と、基板１２の他主面に形
成された透明導電膜１８をゲート電極とする、ア
モルフアス半導体からなる電界効果トランジスタ
部２７と、透明導電膜１８と電界効果トランジス
タ部２７のゲート絶縁膜２３との間に介挿された
膜面に平行なpin接合を有するアモルフアス半導
体からなる光起電力素子部２２と、により形成す
る。
前記のように構成された本発明の光結合装置に
おいては、発光素子部１６の光信号が基板１２を
介して光起電力素子部２２に受光され、この素子
部２２により電気信号に変換される。
おいては、発光素子部１６の光信号が基板１２を
介して光起電力素子部２２に受光され、この素子
部２２により電気信号に変換される。
さらに、この電気信号は光起電力素子部２２上
に設けられた電界効果トランジスタ部２７により
増幅されて装置外に出力される。
に設けられた電界効果トランジスタ部２７により
増幅されて装置外に出力される。
１実施例について、第２図及び第３図を参照し
て説明する。
て説明する。
第２図においては、１２はガラス等の透光性基
板、１３は基板１２の一主面（下面）に形成され
た透明導電膜、１４は透明導電膜１３の下面に形
成されたアモルフアスシリコン等のアモルフアス
半導体層、１５は半導体層１４の下面に形成され
た導電性電極であり、透明導電膜１３、半導体層
１４及び導電性電極１５により発光素子部１６が
構成されている。
板、１３は基板１２の一主面（下面）に形成され
た透明導電膜、１４は透明導電膜１３の下面に形
成されたアモルフアスシリコン等のアモルフアス
半導体層、１５は半導体層１４の下面に形成され
た導電性電極であり、透明導電膜１３、半導体層
１４及び導電性電極１５により発光素子部１６が
構成されている。
そして、基板１２の下側に形成された発光素子
部１６により、接続線１７を介して外部から入力
された電気信号が光信号に変換され、この光信号
が上方に放出される。
部１６により、接続線１７を介して外部から入力
された電気信号が光信号に変換され、この光信号
が上方に放出される。
１８は基板１２の他主面（上面）に形成された
酸化錫あるいは酸化インジウム等の透明導電膜、
１９，２０，２１は透明導電膜１８の上面に順次
積層して形成されたアモルフアスシリコン等のＰ
形、Ｉ形、Ｎ形のアモルフアス半導体層（以下そ
れぞれＰ層、Ｉ層、Ｎ層という）であり、Ｐ層１
９、Ｉ層２０、Ｎ層２１により光起電力素子部２
２が構成されている。
酸化錫あるいは酸化インジウム等の透明導電膜、
１９，２０，２１は透明導電膜１８の上面に順次
積層して形成されたアモルフアスシリコン等のＰ
形、Ｉ形、Ｎ形のアモルフアス半導体層（以下そ
れぞれＰ層、Ｉ層、Ｎ層という）であり、Ｐ層１
９、Ｉ層２０、Ｎ層２１により光起電力素子部２
２が構成されている。
そして、基板１２の上側に形成された光起電力
素子部２２により、第２図中の実線矢印に示す基
板１２を介した発光素子部１６からの光信号が電
気信号に変換される。
素子部２２により、第２図中の実線矢印に示す基
板１２を介した発光素子部１６からの光信号が電
気信号に変換される。
２３はＮ層２１の上面に形成された絶縁性薄膜
構成のゲート絶縁膜、２４，２５はゲート絶縁膜
２３の上面に形成された導電性電極、２６はゲー
ト絶縁膜２３及び両導電性電極２４，２５上に形
成されたアモルフアスシリコン等からなるＮ形ア
モルフアス半導体層であり、透明導電膜１８、ゲ
ート絶縁膜２３及び両導電性電極２４，２５、半
導体層２６により電界効果トランジスタ部（以下
FET部という）２７が構成されている。
構成のゲート絶縁膜、２４，２５はゲート絶縁膜
２３の上面に形成された導電性電極、２６はゲー
ト絶縁膜２３及び両導電性電極２４，２５上に形
成されたアモルフアスシリコン等からなるＮ形ア
モルフアス半導体層であり、透明導電膜１８、ゲ
ート絶縁膜２３及び両導電性電極２４，２５、半
導体層２６により電界効果トランジスタ部（以下
FET部という）２７が構成されている。
すなわち、透明導電膜１８とFET部２７のゲ
ート絶縁膜２３との間に膜面に平行なpin接合を
有する光起電力素子部２２が介挿されている。
ート絶縁膜２３との間に膜面に平行なpin接合を
有する光起電力素子部２２が介挿されている。
そして、FET部２７は透明導電膜１８により
ゲートが形成されるとともに導電性電極２４，２
５によりソース、ドレインが形成され、その等価
回路図は第３図に示すようになる。
ゲートが形成されるとともに導電性電極２４，２
５によりソース、ドレインが形成され、その等価
回路図は第３図に示すようになる。
第３図において、Ｇはゲート、Ｓはソース、Ｄ
はドレイン、DCはゲートＧの直流バイアス電源
であり、第２図では省略している。
はドレイン、DCはゲートＧの直流バイアス電源
であり、第２図では省略している。
そして、第３図の波形の矢印線に示す発光素子
部１６からの光信号は、光起電力素子部２２によ
り電気信号に変換され、この電気信号はFET部
２７内で直流バイアス電源DCのバイアス電圧に
重畳されて適当に増幅される。
部１６からの光信号は、光起電力素子部２２によ
り電気信号に変換され、この電気信号はFET部
２７内で直流バイアス電源DCのバイアス電圧に
重畳されて適当に増幅される。
この増幅によりFETを用いた信号増幅が行わ
れ、FET部２７のソースＳ、ドレインＤから前
記電気信号を増幅した出力が取出される。
れ、FET部２７のソースＳ、ドレインＤから前
記電気信号を増幅した出力が取出される。
本発明は、以上説明したように構成されている
ため、以下に記載する効果を奏する。
ため、以下に記載する効果を奏する。
透光性基板１２の一主面に発光素子部１６を形
成し、基板１２の他主面に透明導電膜１８をゲー
ト電極とするアモルフアス半導体構成の電界効果
トランジスタ部２７を形成し、透明導電膜１８と
電界効果トランジスタ部２７のゲート絶縁膜２３
との間にアモルフアス半導体構成の光起電力素子
部２２を介挿したため、発光素子部１６の光信号
を変換した光起電力素子部２２の電気信号が電界
効果トランジスタ部２７により増幅されて装置外
に出力され、実用性の優れた光結合装置を容易に
提供することができる。
成し、基板１２の他主面に透明導電膜１８をゲー
ト電極とするアモルフアス半導体構成の電界効果
トランジスタ部２７を形成し、透明導電膜１８と
電界効果トランジスタ部２７のゲート絶縁膜２３
との間にアモルフアス半導体構成の光起電力素子
部２２を介挿したため、発光素子部１６の光信号
を変換した光起電力素子部２２の電気信号が電界
効果トランジスタ部２７により増幅されて装置外
に出力され、実用性の優れた光結合装置を容易に
提供することができる。
また、電界効果トランジスタ部２７をアモルフ
アス半導体により形成したため、このトランジス
タ部２７の製作を容易に行なうことができるとと
もに、装置を立体的に容易に構成することができ
る利点もある。
アス半導体により形成したため、このトランジス
タ部２７の製作を容易に行なうことができるとと
もに、装置を立体的に容易に構成することができ
る利点もある。
第１図は従来の光結合装置の正面図、第２図は
本発明の光結合装置の１実施例の正面図、第３図
は第２図の等価回路図である。 １２……透光性基板、１６……発光素子部、１
８……透明導電膜、２２……光起電力素子部、２
３……ゲート絶縁膜、２７……電界効果トランジ
スタ部。
本発明の光結合装置の１実施例の正面図、第３図
は第２図の等価回路図である。 １２……透光性基板、１６……発光素子部、１
８……透明導電膜、２２……光起電力素子部、２
３……ゲート絶縁膜、２７……電界効果トランジ
スタ部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性基板１２の一主面に形成された発光素
子部１６と、 前記基板１２の他主面に形成された透明導電膜
１８をゲート電極とする、アモルフアス半導体か
らなる電界効果トランジスタ部２７と、 上記透明導電膜１８と上記電界効果トランジス
タ部２７のゲート絶縁膜２３との間に介挿された
膜面に平行なpin接合を有するアモルフアス半導
体からなる光起電力素子部２２と、 からなることを特徴とする光結合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58045532A JPS59171181A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58045532A JPS59171181A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 光結合装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171181A JPS59171181A (ja) | 1984-09-27 |
| JPH0464193B2 true JPH0464193B2 (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=12722005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58045532A Granted JPS59171181A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 光結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171181A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220054348A (ko) | 2019-08-30 | 2022-05-02 | 티에이이 테크놀로지스, 인크. | 빔 위치 모니터링 및 빔 이미징을 위한 시스템들, 디바이스들 및 방법들 |
| JP2022546687A (ja) | 2019-08-30 | 2022-11-07 | ティーエーイー テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 高品質イオンビーム形成のためのシステム、デバイス、および方法 |
| WO2021045972A1 (en) | 2019-09-03 | 2021-03-11 | Tae Technologies, Inc. | Systems, devices, and methods for contaminant resistant insulative structures |
| CN115968581A (zh) | 2020-07-23 | 2023-04-14 | Tae技术公司 | 用于减少和抵抗金属体中的形变的系统、设备和方法 |
| EP4298870A1 (en) | 2021-04-02 | 2024-01-03 | TAE Technologies, Inc. | Materials and configurations for protection of objective materials |
-
1983
- 1983-03-17 JP JP58045532A patent/JPS59171181A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59171181A (ja) | 1984-09-27 |
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