JPH0464471B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0464471B2 JPH0464471B2 JP59258997A JP25899784A JPH0464471B2 JP H0464471 B2 JPH0464471 B2 JP H0464471B2 JP 59258997 A JP59258997 A JP 59258997A JP 25899784 A JP25899784 A JP 25899784A JP H0464471 B2 JPH0464471 B2 JP H0464471B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- metal
- hard
- ceramic substrate
- soldered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4251—Sealed packages
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4266—Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4274—Electrical aspects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、同一パツケージにICチツプと光電
変換素子とを共に実装したハイブリツドICに関
する。
変換素子とを共に実装したハイブリツドICに関
する。
［発明の技術的背景］
近年、光通信システムの実用化に伴つて光通信
用の各種機器の小型化が推進されつつあり、光送
信器および光受信器についても高密度化が検討さ
れている。
用の各種機器の小型化が推進されつつあり、光送
信器および光受信器についても高密度化が検討さ
れている。
ところで光送信器および光受信器においては、
光電変換素子とIC部品との接続の方式が重要な
課題となるが、先頃、同一パツケージにハイブリ
ツドICと光電変換素子とを共に搭載し、予め両
者の結合を図つたデバイスが開発された。
光電変換素子とIC部品との接続の方式が重要な
課題となるが、先頃、同一パツケージにハイブリ
ツドICと光電変換素子とを共に搭載し、予め両
者の結合を図つたデバイスが開発された。
第２図はこの光電変換素子搭載型のハイブリツ
ドICの一例を示す側面図である。
ドICの一例を示す側面図である。
同図において１はICチツプ実装用電極として
の各メタライズ部と後述する各部材を固着するた
めのメタライズ部が形成されたセラミック基板を
示している。
の各メタライズ部と後述する各部材を固着するた
めのメタライズ部が形成されたセラミック基板を
示している。
このセラミック基板１表側面の略中央部分に形
成されたICチツプ実装用メタライズ部（図示せ
ず）には、複数のICチツプ２がマウントおよび
ボンデイングされている。そしてICチツプ２を
覆うように、例えば鉄−ニツケル合金からなる金
属製蓋体３が周縁部分のメタライズ部１ａに半田
付けされている。４はその半田である。
成されたICチツプ実装用メタライズ部（図示せ
ず）には、複数のICチツプ２がマウントおよび
ボンデイングされている。そしてICチツプ２を
覆うように、例えば鉄−ニツケル合金からなる金
属製蓋体３が周縁部分のメタライズ部１ａに半田
付けされている。４はその半田である。
一方、セラミック基板１裏側面に形成されてい
るメタライズ部（図示せず）には、熱伝導性の良
好な金属製の放熱板５がろう付けされている。こ
の金属製放熱板５は一部がセラミック基板１の縁
部より突出しており、この突出部には、内部に光
電変換素子６を実装した光フアイバケーブルコネ
クタ７がねじ８により固着されている。
るメタライズ部（図示せず）には、熱伝導性の良
好な金属製の放熱板５がろう付けされている。こ
の金属製放熱板５は一部がセラミック基板１の縁
部より突出しており、この突出部には、内部に光
電変換素子６を実装した光フアイバケーブルコネ
クタ７がねじ８により固着されている。
そして光フアイバケーブルコネクタ７から延出
している信号入出力用リード９がセラミック基板
１表側面の縁部付近の光電変換素子実装用メタラ
イズ部１ｂに半田付けされている。
している信号入出力用リード９がセラミック基板
１表側面の縁部付近の光電変換素子実装用メタラ
イズ部１ｂに半田付けされている。
なお、セラミック基板１の裏側面には端子リー
ド１０がろう付けされている。
ド１０がろう付けされている。
このように構成されている光電変換素子搭載型
のハイブリツドICは、端子リード１０をプリン
ト基板のホールに挿入して半田付けし、光フアイ
バケーブルコネクタ７のねじ部７ａに光フアイバ
ケーブル側の端部ソケツト（図示せず）を螺入す
れば、他のモジユールとのデータ伝送の一部を光
信号により行なうことができる。
のハイブリツドICは、端子リード１０をプリン
ト基板のホールに挿入して半田付けし、光フアイ
バケーブルコネクタ７のねじ部７ａに光フアイバ
ケーブル側の端部ソケツト（図示せず）を螺入す
れば、他のモジユールとのデータ伝送の一部を光
信号により行なうことができる。
［背景技術の問題点］
しかしながら、上述したように構成された光電
変換素子搭載型のハイブリツドICは、金属製蓋
体および光フアイバケーブルコネクタ７の信号入
出力用リード９がセラミック基板１表面のメタラ
イズ部に対して半田付けされ、しかも半田部分が
露出しているので、その部分の耐熱性および耐久
性が低い。
変換素子搭載型のハイブリツドICは、金属製蓋
体および光フアイバケーブルコネクタ７の信号入
出力用リード９がセラミック基板１表面のメタラ
イズ部に対して半田付けされ、しかも半田部分が
露出しているので、その部分の耐熱性および耐久
性が低い。
この半田付けの部分は、通常の使用においては
特に問題とならない程度の耐熱性および耐久性を
有しているが、デバイスを船舶、航空機等の設備
の内部構成デバイスとして用いた場合には、半田
付けの部分が相当劣化してしまう。
特に問題とならない程度の耐熱性および耐久性を
有しているが、デバイスを船舶、航空機等の設備
の内部構成デバイスとして用いた場合には、半田
付けの部分が相当劣化してしまう。
特に船舶の設備に用いた場合には著しく、半田
付けの部分が塩分を含んだ外気により浸食され
て、接続不良や実装されているICチツプの機能
不良等のトラブルが発生し、最悪の場合には事故
につながる恐れがあるという問題があつた。
付けの部分が塩分を含んだ外気により浸食され
て、接続不良や実装されているICチツプの機能
不良等のトラブルが発生し、最悪の場合には事故
につながる恐れがあるという問題があつた。
［発明の目的］
本発明は上述したような光電変換素子搭載型の
ハイブリツドICの問題点を解決すべくなされた
もので、通常の場合は勿論、船舶、航空機等の設
備に用いた場合でも、接続不良やICチツプの機
能不良等が生じる心配のない光電変換素子搭載型
のハイブリツドICの提供を目的としている。
ハイブリツドICの問題点を解決すべくなされた
もので、通常の場合は勿論、船舶、航空機等の設
備に用いた場合でも、接続不良やICチツプの機
能不良等が生じる心配のない光電変換素子搭載型
のハイブリツドICの提供を目的としている。
［発明の概要］
すなわち本発明のハイブリツドICは、表側面
にICチツプ実装用電極と光電変換素子実装用電
極とが形成されたセラミック基板と、同面に前記
ICチツプ実装用電極付近を外囲するように硬ろ
う付けされた金属枠体と、この金属枠体内で前記
ICチツプ実装用電極にボンデイングされたICチ
ツプと、前記金属枠体に前記ICチツプの実装部
分を気密封止するように溶接された金属シエル
と、前記セラミック基板の裏側面に一部が突出す
るように硬ろう付けされた放熱板と、同面に硬ろ
う付けされた端子リードと、前記放熱板の突出部
分に固着された光電変換素子内蔵型の光フアイバ
ケーブルコネクタと、前記光電変換素子実装用電
極に硬ろう付けされた金属チツプと、前記光フア
イバケーブルコネクタから延出されかつ前記金属
チツプにスポツト溶接された信号入出力用リード
とからなることを特徴としている。
にICチツプ実装用電極と光電変換素子実装用電
極とが形成されたセラミック基板と、同面に前記
ICチツプ実装用電極付近を外囲するように硬ろ
う付けされた金属枠体と、この金属枠体内で前記
ICチツプ実装用電極にボンデイングされたICチ
ツプと、前記金属枠体に前記ICチツプの実装部
分を気密封止するように溶接された金属シエル
と、前記セラミック基板の裏側面に一部が突出す
るように硬ろう付けされた放熱板と、同面に硬ろ
う付けされた端子リードと、前記放熱板の突出部
分に固着された光電変換素子内蔵型の光フアイバ
ケーブルコネクタと、前記光電変換素子実装用電
極に硬ろう付けされた金属チツプと、前記光フア
イバケーブルコネクタから延出されかつ前記金属
チツプにスポツト溶接された信号入出力用リード
とからなることを特徴としている。
［発明の実施例］
以下本発明の実施例の詳細を図面に基づいて説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す側面図
である。
である。
同図において１１はICチツプ実装用電極とし
てのメタライズ部および後述する各部材を固着す
るためのメタライズ部が形成されたセラミック基
板を示している。
てのメタライズ部および後述する各部材を固着す
るためのメタライズ部が形成されたセラミック基
板を示している。
このセラミック基板１１表側面の略中央部付近
に形成されたメタライズ部（図示せず）には、
ICチツプ１２がマウントおよびボンデイングさ
れている。そしてICチツプ１２の実装部分を外
囲するように形成されているメタライズ部１１ａ
にはセラミック基板１１と略等しい熱膨張特性を
有するロ字状の金属枠体１３が硬ろう付けされて
いる。１４はその銀ろう材であり、半田の融点が
180〜200℃であるのに対し、800〜900℃の融点を
有している。さらに金属枠体１３の開放側には金
属シエル２３が溶接され、金属枠体１３の内部、
すなわちICチツプ１２が実装されている部分を
気密封止している。
に形成されたメタライズ部（図示せず）には、
ICチツプ１２がマウントおよびボンデイングさ
れている。そしてICチツプ１２の実装部分を外
囲するように形成されているメタライズ部１１ａ
にはセラミック基板１１と略等しい熱膨張特性を
有するロ字状の金属枠体１３が硬ろう付けされて
いる。１４はその銀ろう材であり、半田の融点が
180〜200℃であるのに対し、800〜900℃の融点を
有している。さらに金属枠体１３の開放側には金
属シエル２３が溶接され、金属枠体１３の内部、
すなわちICチツプ１２が実装されている部分を
気密封止している。
一方、セラミック基板１１裏側面に形成された
メタライズ部（図示せず）には熱伝導性の良好な
金属製放熱板１５が硬ろう付けされている。
メタライズ部（図示せず）には熱伝導性の良好な
金属製放熱板１５が硬ろう付けされている。
この金属製放熱板１５の一部はセラミック基板
１１の縁部から突出しており、突出部分の表側面
には内部に光電変換素子１６を実装した光フアイ
バケーブルコネクタ１７がねじ１８により固着さ
れている。
１１の縁部から突出しており、突出部分の表側面
には内部に光電変換素子１６を実装した光フアイ
バケーブルコネクタ１７がねじ１８により固着さ
れている。
また光フアイバケーブルコネクタ１７の後方か
らは信号入出力用リード１９が延出している。
らは信号入出力用リード１９が延出している。
セラミック基板１１の金属枠体１３が硬ろう付
けされている部分より外側の部分には光電変換素
子実装用電極としてのメタライズ部１１ｂが形成
されており、このメタライズ１１ｂにはセラミッ
ク基板１１と略等しい熱膨張特性を有する方形の
金属チツプ２０が硬ろう付けされている。２１は
その銀ろう材である。
けされている部分より外側の部分には光電変換素
子実装用電極としてのメタライズ部１１ｂが形成
されており、このメタライズ１１ｂにはセラミッ
ク基板１１と略等しい熱膨張特性を有する方形の
金属チツプ２０が硬ろう付けされている。２１は
その銀ろう材である。
さらに金属チツプ２０の上面には先に述べた光
フアイバケーブルコネクタ１７の信号入出力用リ
ード１９が、レーザ光Ｌによりスポツト溶接され
ている。
フアイバケーブルコネクタ１７の信号入出力用リ
ード１９が、レーザ光Ｌによりスポツト溶接され
ている。
なおセラミック基板１１の裏側面には端子リー
ド２２が延出するように硬ろう付けされている。
ド２２が延出するように硬ろう付けされている。
しかして上述したように構成された本実施例の
ハイブリツドICは、メタライズ部１１ａと金属
枠体１３との接合およびメタライズ部１１ｂと金
属チツプとの接合が共に硬ろう付けにより行なわ
れているので、これらの部分は従来の半田付けと
比較して各段に耐熱性および耐久性が高い。
ハイブリツドICは、メタライズ部１１ａと金属
枠体１３との接合およびメタライズ部１１ｂと金
属チツプとの接合が共に硬ろう付けにより行なわ
れているので、これらの部分は従来の半田付けと
比較して各段に耐熱性および耐久性が高い。
また金属チツプ２０に対して信号入出力用リー
ド１９がレーザスポツト溶接されているので、こ
の部分も従来の半田付けと比較して耐熱性および
耐久性が高い。
ド１９がレーザスポツト溶接されているので、こ
の部分も従来の半田付けと比較して耐熱性および
耐久性が高い。
本実施例のハイブリツドICを製造するには、
まずセラミック基板１１表側面のメタライズ部１
１ａおよび１１ｂに銀ろう材のシートを貼着し、
このシート上に金属枠体１３および金属チツプ２
０を載置したものを、同じく銀ろう材のシートを
介してリードフレームおよび金属性放熱板１８上
に載置して、これらを電気炉中で一括加熱する。
まずセラミック基板１１表側面のメタライズ部１
１ａおよび１１ｂに銀ろう材のシートを貼着し、
このシート上に金属枠体１３および金属チツプ２
０を載置したものを、同じく銀ろう材のシートを
介してリードフレームおよび金属性放熱板１８上
に載置して、これらを電気炉中で一括加熱する。
そして、得られたパツケージ部品の金属枠体１
３内でICチツプを従来通り実装し、金属シエル
２３を溶接して内部を気密封止する一方、金属製
放熱板１５の突出部分に光フアイバケーブルコネ
クタ１７をねじ１８によりねじ止めし、信号入出
力用リード１９を金属チツプ２０に対してレーザ
溶接すればよい。
３内でICチツプを従来通り実装し、金属シエル
２３を溶接して内部を気密封止する一方、金属製
放熱板１５の突出部分に光フアイバケーブルコネ
クタ１７をねじ１８によりねじ止めし、信号入出
力用リード１９を金属チツプ２０に対してレーザ
溶接すればよい。
なお本実施例のハイブリツドICは例えば第１
図中に示したように、少なくとも信号入出力用リ
ード１９と金属チツプ２０との接合部および金属
枠体１３とセラミック基板１１との接合部を金属
製カバー２４で覆うようにすると接合部分が露出
しないので、耐熱性および耐久性を一層向上させ
ることができる。
図中に示したように、少なくとも信号入出力用リ
ード１９と金属チツプ２０との接合部および金属
枠体１３とセラミック基板１１との接合部を金属
製カバー２４で覆うようにすると接合部分が露出
しないので、耐熱性および耐久性を一層向上させ
ることができる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明のハイブリツドIC
は、ICチツプ実装部分を保護する金属枠体およ
び光フアイバケーブルコネクタの信号入出力用リ
ードを接続する金属チツプがセラミック基板に対
してそれぞれ硬ろう付けされている一方、金属チ
ツプに対して前記信号入出力用リードがスポツト
溶接されているので、耐熱性および耐久性が良好
であり、通常の場合は勿論、船舶、航空機等の設
備に用いた場合でも接合部分が損われる恐れがな
い。
は、ICチツプ実装部分を保護する金属枠体およ
び光フアイバケーブルコネクタの信号入出力用リ
ードを接続する金属チツプがセラミック基板に対
してそれぞれ硬ろう付けされている一方、金属チ
ツプに対して前記信号入出力用リードがスポツト
溶接されているので、耐熱性および耐久性が良好
であり、通常の場合は勿論、船舶、航空機等の設
備に用いた場合でも接合部分が損われる恐れがな
い。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す側面
図、第２図は従来のハイブリツドICの構成を示
す側面図である。 １，１１……セラミック基板、２，１２……
ICチツプ、３……金属製蓋体、５，１５……金
属製放熱板、６，１６……光電変換素子、７，１
７……光フアイバケーブルコネクタ、９，１９…
…信号入出力用リード、２０……金属チツプ、１
３……金属枠体、２１，１４……銀ろう材、２３
……金属シエル。
図、第２図は従来のハイブリツドICの構成を示
す側面図である。 １，１１……セラミック基板、２，１２……
ICチツプ、３……金属製蓋体、５，１５……金
属製放熱板、６，１６……光電変換素子、７，１
７……光フアイバケーブルコネクタ、９，１９…
…信号入出力用リード、２０……金属チツプ、１
３……金属枠体、２１，１４……銀ろう材、２３
……金属シエル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表側面にICチツプ実装用電極と光電変換素
子実装用電極とが形成されたセラミック基板と、
同面に前記ICチツプ実装用電極付近を外囲する
ように硬ろう付けされた金属枠体と、この金属枠
体内で前記ICチツプ実装用電極にボンデイング
されたICチツプと、前記金属枠体に前記ICチツ
プの実装部分を気密封止するように溶接された金
属シエルと、前記セラミック基板の裏側面に一部
が突出するように硬ろう付けされた放熱板と、同
面に硬ろう付けされた端子リードと、前記放熱板
の突出部分に固着された光電変換素子内蔵型の光
フアイバケーブルコネクタと、前記光電変換素子
実装用電極に硬ろう付けされた金属チツプと、前
記光フアイバケーブルコネクタから延出されかつ
前記金属チツプにスポツト溶接された信号入出力
用リードとからなることを特徴とするハイブリツ
ドIC。 ２ 信号入出力用リードが金属チツプに対してレ
ーザスポツト溶接されている特許請求の範囲第１
項記載のハイブリツドIC。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59258997A JPS61137111A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | ハイブリツドｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59258997A JPS61137111A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | ハイブリツドｉｃ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61137111A JPS61137111A (ja) | 1986-06-24 |
| JPH0464471B2 true JPH0464471B2 (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=17327918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59258997A Granted JPS61137111A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | ハイブリツドｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61137111A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4861134A (en) * | 1988-06-29 | 1989-08-29 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Opto-electronic and optical fiber interface arrangement |
| JP4611472B2 (ja) * | 1999-08-04 | 2011-01-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 投受光装置 |
| CN102814866B (zh) * | 2012-08-31 | 2014-10-29 | 北京京运通科技股份有限公司 | 一种准单晶硅锭的切割方法及硅片制造方法 |
-
1984
- 1984-12-07 JP JP59258997A patent/JPS61137111A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61137111A (ja) | 1986-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0137000B2 (ja) | ||
| JPH06275773A (ja) | 集積化バッテリマウントを有する表面装着可能集積回路パッケージ | |
| JPH0652770B2 (ja) | 気密モジュラーパッケージ | |
| US4855869A (en) | Chip carrier | |
| CN203385898U (zh) | 光学组件用外壳 | |
| JP2004241915A (ja) | 光送受信モジュール、光送信モジュール及び光受信モジュール | |
| US6832049B1 (en) | Optical Module | |
| US10674596B2 (en) | Electronic component, electronic component manufacturing method, and mechanical component | |
| JPH0464471B2 (ja) | ||
| JPH09289329A (ja) | 電子回路モジュール | |
| CN210866169U (zh) | 芯片封装结构 | |
| JP2828385B2 (ja) | Ｉｃパッケージの構造 | |
| JP2004207565A (ja) | 基板接続構造及びそれを用いた電源装置 | |
| JP3555304B2 (ja) | 電子装置 | |
| JP3092319B2 (ja) | 光送受信モジュールのパッケージ | |
| CN223246761U (zh) | 电路板及电子设备 | |
| JP7808221B2 (ja) | 圧力センサ | |
| CN218770530U (zh) | 一种封装结构及激光发射器 | |
| JP3116367B2 (ja) | 光送／受信用モジュール | |
| JP2760167B2 (ja) | 電子部品搭載装置 | |
| CN215345245U (zh) | 一种贴片模块 | |
| JP2720819B2 (ja) | リードフレーム及びこれを用いた配線構造 | |
| JPS61198656A (ja) | 半導体装置 | |
| CN210629647U (zh) | 感光组件和具有其的摄像模组以及电子设备 | |
| JP3305577B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |