JPS61137111A - ハイブリツドｉｃ - Google Patents
ハイブリツドｉｃInfo
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- JPS61137111A JPS61137111A JP59258997A JP25899784A JPS61137111A JP S61137111 A JPS61137111 A JP S61137111A JP 59258997 A JP59258997 A JP 59258997A JP 25899784 A JP25899784 A JP 25899784A JP S61137111 A JPS61137111 A JP S61137111A
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- JP
- Japan
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- chip
- hard
- metal
- mounting
- signal input
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- G02—OPTICS
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4202—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details for coupling an active element with fibres without intermediate optical elements, e.g. fibres with plane ends, fibres with shaped ends, bundles
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4251—Sealed packages
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4266—Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G02B6/4274—Electrical aspects
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、同一パッケージにＩＣチップと光電変換素子
とを共に実装したハイブリッドＩＣに関する。
とを共に実装したハイブリッドＩＣに関する。
［発明の技術的背景］
近年、光通信システムの実用化に伴って光通信用の各種
機器の小型化が推進されつつあり、光送信器および光受
信器についても高密度化が検討されている。
機器の小型化が推進されつつあり、光送信器および光受
信器についても高密度化が検討されている。
ところで光送信器および光受信器においては、充電変換
素子とＩＣ部品との接続の方式が重要な課題となるが、
・先頃、同一パッケージにハイブリッドＩＣと光電変換
素子とを共に搭載し、予め両者の結合を図ったデバイス
が開発された。
素子とＩＣ部品との接続の方式が重要な課題となるが、
・先頃、同一パッケージにハイブリッドＩＣと光電変換
素子とを共に搭載し、予め両者の結合を図ったデバイス
が開発された。
第２図はこの光電変換素子搭載型のハイブリッドＩＣの
一例を示す側面図である。
一例を示す側面図である。
同図において１はＩＣチップ実装用電極としての各メタ
ライズ部と後述づ−る各部材を固着するためのメタライ
ズ部が形成されたセラミック基板を示している。
ライズ部と後述づ−る各部材を固着するためのメタライ
ズ部が形成されたセラミック基板を示している。
このセラミック基板１表側面の略中央部分に形成された
ＩＣチップ実装用メタライズ部（図示せず）には、複数
のＩＣチップ２がマウントおよびボンディングされてい
る。そしてＩＣデツプ２を覆うように、例えば鉄−ニッ
ケル合金からなる金属製蓋体３が周縁部分のメタライズ
部１ａに半田付すされている。４はその半田である。
ＩＣチップ実装用メタライズ部（図示せず）には、複数
のＩＣチップ２がマウントおよびボンディングされてい
る。そしてＩＣデツプ２を覆うように、例えば鉄−ニッ
ケル合金からなる金属製蓋体３が周縁部分のメタライズ
部１ａに半田付すされている。４はその半田である。
一方、セラミツク基板１裏側面に形成されているメタラ
イズ部（図示せず）には、熱伝導性の良好な金属製の放
熱板５がろう付（プされている。この金属製放熱板５は
一部がセラミック基板１の縁部より突出しており、この
突出部には、内部に光電変操索子６を実装した光ファイ
バケーブルコネクタ７がねじ８により固着されている。
イズ部（図示せず）には、熱伝導性の良好な金属製の放
熱板５がろう付（プされている。この金属製放熱板５は
一部がセラミック基板１の縁部より突出しており、この
突出部には、内部に光電変操索子６を実装した光ファイ
バケーブルコネクタ７がねじ８により固着されている。
そして光ファイバケーブルコネクタ７から延出している
伯号入出力用リード９がセラミツク基板１表側面の縁部
付近の光電変換素子実装用メタライズ部１ｂに半田イ４
りされている。
伯号入出力用リード９がセラミツク基板１表側面の縁部
付近の光電変換素子実装用メタライズ部１ｂに半田イ４
りされている。
なお、セラミック基１ｆｉｉ１の裏側面には端子り−ド
１０がろう付けされている。
１０がろう付けされている。
このように構成されている光電変換素子搭載型のハイブ
リッドＩＣは、端子リード１０をプリント基板のボール
に挿入して半「ロイ」けし、光ファイバケーブルコネク
タ７のねじ部７ａに光フアイバケーブル側の端部ソケッ
ト（図示せず）を螺入すれば、他のモジコールとのデー
タ伝送の一部を光信号により行なうことができる。
リッドＩＣは、端子リード１０をプリント基板のボール
に挿入して半「ロイ」けし、光ファイバケーブルコネク
タ７のねじ部７ａに光フアイバケーブル側の端部ソケッ
ト（図示せず）を螺入すれば、他のモジコールとのデー
タ伝送の一部を光信号により行なうことができる。
［前頭技術の問題点］
しかしながら、」上述したように構成された光電変換素
子搭載型のハイブリッドＩＣは、金属製蓋体および光フ
ァイバケーブルコネクタ７の信号入出力用リード９がセ
ラミック基板１表面のメタライズ部に対して半田付けさ
れ、しかも半田部分が露出しているので、その部分の耐
熱性および耐久性が低い。
子搭載型のハイブリッドＩＣは、金属製蓋体および光フ
ァイバケーブルコネクタ７の信号入出力用リード９がセ
ラミック基板１表面のメタライズ部に対して半田付けさ
れ、しかも半田部分が露出しているので、その部分の耐
熱性および耐久性が低い。
この半［０（−１’ ｔプの部分は、通常の使用におい
ては特に問題どならない程痕の耐熱性および耐久性を有
しているが、デバイスを船舶、航空機等の設備の内部構
成デバイスとして用いた場合には、半田付けの部分が相
当劣化してしまう。
ては特に問題どならない程痕の耐熱性および耐久性を有
しているが、デバイスを船舶、航空機等の設備の内部構
成デバイスとして用いた場合には、半田付けの部分が相
当劣化してしまう。
特に船舶の設備に用いた場合には著しく、半田付ｌプの
部分が塩分を含んだ外気により浸食されて、接続不良や
実装されているＩＣチップの機能不良等の１〜ラブルが
発生し、最悪の場合には事故につながる恐れがあるとい
う問題があった。
部分が塩分を含んだ外気により浸食されて、接続不良や
実装されているＩＣチップの機能不良等の１〜ラブルが
発生し、最悪の場合には事故につながる恐れがあるとい
う問題があった。
［発明の目的］
本発明は上述したような光電変換素子搭載型のハイブリ
ッドＩＣの問題点を解決すべくなされたもので、通常の
場合は勿論、船舶、航空機等の設備に用いた場合でも、
接続不良やＩＣチップの機能不良等が生じる心配のない
光電変換素子搭載型のハイブリッドＩＣの提供を目的と
している。
ッドＩＣの問題点を解決すべくなされたもので、通常の
場合は勿論、船舶、航空機等の設備に用いた場合でも、
接続不良やＩＣチップの機能不良等が生じる心配のない
光電変換素子搭載型のハイブリッドＩＣの提供を目的と
している。
［発明の概要］
すなわち本発明のハイブリッドＩＣは、表側面にＩＣチ
ップ実装用電極と光電変換素子搭載型電極とが形成され
たセラミック基板と、同面に前記ＩＣチップ実装用電極
付近を外囲するように硬ろう付すされた金属枠体と、こ
の金属枠体内で前記ＩＣチップ実装用電極にボンディン
グされたＩＣチップと、前記金属枠体に奮１記ＩＣチッ
プの実装部分を気密封止するように溶接された金属シェ
ルと、前記セラミック基板の裏側面に一部が突出するよ
うに硬ろうイ」けされた放熱板と、同面に硬ろう付番プ
された端子リードと、前記放熱板の突出部分に固着され
た光電変換素子内蔵型の光ファイバケーブルコネクタと
、前記光電変換素子実装用電極に硬ろう付けされた金属
チップと、前記光ファイバケーブルコネクタから延出さ
れかつ前記金属チップにスポット溶接された信号入出力
用リードとからなることを特徴としている。
ップ実装用電極と光電変換素子搭載型電極とが形成され
たセラミック基板と、同面に前記ＩＣチップ実装用電極
付近を外囲するように硬ろう付すされた金属枠体と、こ
の金属枠体内で前記ＩＣチップ実装用電極にボンディン
グされたＩＣチップと、前記金属枠体に奮１記ＩＣチッ
プの実装部分を気密封止するように溶接された金属シェ
ルと、前記セラミック基板の裏側面に一部が突出するよ
うに硬ろうイ」けされた放熱板と、同面に硬ろう付番プ
された端子リードと、前記放熱板の突出部分に固着され
た光電変換素子内蔵型の光ファイバケーブルコネクタと
、前記光電変換素子実装用電極に硬ろう付けされた金属
チップと、前記光ファイバケーブルコネクタから延出さ
れかつ前記金属チップにスポット溶接された信号入出力
用リードとからなることを特徴としている。
［発明の実施例］
以下本発明の実施例の詳細を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す側面図である。
同図において１１はＩＣチップ実装用電極どしてのメタ
ライズ部および後述する各部材を固着するためのメタラ
イス部が形成されたセラミック基板を示している。
ライズ部および後述する各部材を固着するためのメタラ
イス部が形成されたセラミック基板を示している。
このセラミツク基板１１表側
に形成されたメタライズ部（図示せず）には、ＩＣチッ
プ１２がマウン１へおよびボンディングされている。そ
してＩＣチップ１２の実装部分を外囲するＪ、うに形成
されているメタライズ部１１ａにはセラミック基板１１
と略等しい熱膨張特性を有する［１字状の金属枠体１３
が硬ろう付番プされている。１４はイの銀ろう材であり
、半１１の融点が１８０〜２００℃であるのに対し、８
００〜９００℃の融点を有している。さらに金属枠体１
３の開放側には金属シェル２３が溶接され、金属枠体１
３の内部、づなわちＩＣチップ１２が実装されている部
分を気密封止している。
プ１２がマウン１へおよびボンディングされている。そ
してＩＣチップ１２の実装部分を外囲するＪ、うに形成
されているメタライズ部１１ａにはセラミック基板１１
と略等しい熱膨張特性を有する［１字状の金属枠体１３
が硬ろう付番プされている。１４はイの銀ろう材であり
、半１１の融点が１８０〜２００℃であるのに対し、８
００〜９００℃の融点を有している。さらに金属枠体１
３の開放側には金属シェル２３が溶接され、金属枠体１
３の内部、づなわちＩＣチップ１２が実装されている部
分を気密封止している。
一方、セラミツク基板１１裏側面に形成されたメタライ
ズ部（図示Ｕず〉には熱伝導性の良好な金属製放熱板１
５が硬ろうイ１１〕されている。
ズ部（図示Ｕず〉には熱伝導性の良好な金属製放熱板１
５が硬ろうイ１１〕されている。
この金属製放熱板１５の一部はセラミック基板１１の縁
部から突出しており、突出部分の表側面には内部に光電
変換素子１６を実装した光ファイバケーブルコネクタ１
７がねじ１８により固着されてる。
部から突出しており、突出部分の表側面には内部に光電
変換素子１６を実装した光ファイバケーブルコネクタ１
７がねじ１８により固着されてる。
また光ファイバケーブルコネクタ１７の後方からは信号
入出力用リード１９が延出している。
入出力用リード１９が延出している。
セラミック基板１１の金属枠体１３が硬ろうイ４りされ
ている部分より外側の部分には光電変換素子実装用電極
としてのメタライズ部１１ｂが形成されており、このメ
タライズ１１ｂにはセラミック基板１１と略等しい熱膨
張特性を有する方形の金属チップ２０が硬ろう付けされ
ている。２１はその銀ろう月である。
ている部分より外側の部分には光電変換素子実装用電極
としてのメタライズ部１１ｂが形成されており、このメ
タライズ１１ｂにはセラミック基板１１と略等しい熱膨
張特性を有する方形の金属チップ２０が硬ろう付けされ
ている。２１はその銀ろう月である。
さらに金属チップ２０の上面には先に述べた光ファイバ
ケーブルコネクタ１７の信号入出力用リード１９が、レ
ーザ光りによりスポット溶接されている。
ケーブルコネクタ１７の信号入出力用リード１９が、レ
ーザ光りによりスポット溶接されている。
なおセラミック基板１１の裏側面には端子り一層２２が
延出するように硬ろう付けされている。
延出するように硬ろう付けされている。
しかして上述したように構成された本実施例のハイブリ
ッドＩＣは、メタライズ部１１ａと金属枠体１３との接
合およびメタライズ部１１ｂと金属チップとの接合が共
に硬ろう付げにより行なわれているので、これらの部分
は従来の半田付けと比較して各段に耐熱性および耐久性
が高い。
ッドＩＣは、メタライズ部１１ａと金属枠体１３との接
合およびメタライズ部１１ｂと金属チップとの接合が共
に硬ろう付げにより行なわれているので、これらの部分
は従来の半田付けと比較して各段に耐熱性および耐久性
が高い。
また金属チップ２０に対して信号入出力用り一層１９が
レーザスポット溶接されているので、この部分も従来の
半ｆｆｌ Ｎ ！−１と比較して耐熱性および耐久性が
高い。
レーザスポット溶接されているので、この部分も従来の
半ｆｆｌ Ｎ ！−１と比較して耐熱性および耐久性が
高い。
本実施例のハイブリッドＩＣを製造するには、まずセラ
ミツク基板１１表側面のメタライズ部１１ａおにび１１
ｂに銀ろう材のシートを貼着し、このシート上に金属枠
体１３および金属チップ２０を載置したものを、同じく
銀ろう材のシートを介してリードフレームおよび金属性
放熱板１８上に載置して、これらを電気炉中で一括加熱
する。
ミツク基板１１表側面のメタライズ部１１ａおにび１１
ｂに銀ろう材のシートを貼着し、このシート上に金属枠
体１３および金属チップ２０を載置したものを、同じく
銀ろう材のシートを介してリードフレームおよび金属性
放熱板１８上に載置して、これらを電気炉中で一括加熱
する。
そして、得られたパッケージ部品の金属枠体１３内でＩ
Ｃチップを従来通り実装し、金属シェル２３を溶接して
内部を気密封止する一方、金属製放熱板１５の突出部分
に光ファイバケーブルコネクタ１７をねじ１８によりね
じ止めし、信号入出力用リード１９を金属チップ２０に
対してレーザ溶接すればよい。
Ｃチップを従来通り実装し、金属シェル２３を溶接して
内部を気密封止する一方、金属製放熱板１５の突出部分
に光ファイバケーブルコネクタ１７をねじ１８によりね
じ止めし、信号入出力用リード１９を金属チップ２０に
対してレーザ溶接すればよい。
なお本実施例のハイブリッ１〜ＩＣは例えば第１図中に
示したように、少なくとも信号入出力用リード１９と金
属チップ２０どの接合部および金属枠体１３とセラミッ
ク基板１１との接合部を金属製カバー２７１で覆うよう
にすると接合部分が露出しないので、耐熱性および耐久
性を一層向上させることができる。
示したように、少なくとも信号入出力用リード１９と金
属チップ２０どの接合部および金属枠体１３とセラミッ
ク基板１１との接合部を金属製カバー２７１で覆うよう
にすると接合部分が露出しないので、耐熱性および耐久
性を一層向上させることができる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明のハイブリッドＩＣは、ＩＣ
チップ実装部分を保護する金属枠体および光ファイバケ
ーブルコネクタの信号入出力用リードを接続する金属チ
ップがセラミック基板に対してそれぞれ硬ろう付けされ
ている一方、金属チップに対して前記信号入出力用リー
ドがスポット溶接されているので、耐熱性および耐久性
が良好であり、通常の場合は勿論、船舶、航空機等の設
備に用いた場合でも接合部分が損われる恐れがない。
チップ実装部分を保護する金属枠体および光ファイバケ
ーブルコネクタの信号入出力用リードを接続する金属チ
ップがセラミック基板に対してそれぞれ硬ろう付けされ
ている一方、金属チップに対して前記信号入出力用リー
ドがスポット溶接されているので、耐熱性および耐久性
が良好であり、通常の場合は勿論、船舶、航空機等の設
備に用いた場合でも接合部分が損われる恐れがない。
第１図は本発明の一実施例の構成を示ず側面図、第２図
は従来のハイブリッドＩＣの構成を示す側面図である。 １．１１・・・セラミック基板 ２．１２・・・ＩＣチップ ３・・・・・・・・・・・・金属製蓋体５．１５・・・
金属製放熱板 ６．１６・・・光電変換素子 ７．１７・・・光ファイバケーブルコネクタ９．１９・
・・信号入出力用リード ２０・・・・・・・・・・・・金属チップ１３・・・・
・・・・・・・・金属枠体２１．１４・・・銀ろう材 ２３・・・・・・・・・・・・金属シェル代理人弁理士
須 山 佐 − 第１図 トＬ 第２図
は従来のハイブリッドＩＣの構成を示す側面図である。 １．１１・・・セラミック基板 ２．１２・・・ＩＣチップ ３・・・・・・・・・・・・金属製蓋体５．１５・・・
金属製放熱板 ６．１６・・・光電変換素子 ７．１７・・・光ファイバケーブルコネクタ９．１９・
・・信号入出力用リード ２０・・・・・・・・・・・・金属チップ１３・・・・
・・・・・・・・金属枠体２１．１４・・・銀ろう材 ２３・・・・・・・・・・・・金属シェル代理人弁理士
須 山 佐 − 第１図 トＬ 第２図
Claims (2)
- （１）表側面にＩＣチップ実装用電極と光電変換素子実
装用電極とが形成されたセラミック基板と、同面に前記
ＩＣチップ実装用電極付近を外囲するように硬ろう付け
された金属枠体と、この金属枠体内で前記ＩＣチップ実
装用電極にボンディングされたＩＣチップと、前記金属
枠体に前記ＩＣチップの実装部分を気密封止するように
溶接された金属シェルと、前記セラミック基板の裏側面
に一部が突出するように硬ろう付けされた放熱板と、同
面に硬ろう付けされた端子リードと、前記放熱板の突出
部分に固着された光電変換素子内蔵型の光ファイバケー
ブルコネクタと、前記光電変換素子実装用電極に硬ろう
付けされた金属チップと、前記光ファイバケーブルコネ
クタから延出されかつ前記金属チップにスポット溶接さ
れた信号入出力用リードとからなることを特徴とするハ
イブリッドＩＣ。 - （２）信号入出力用リードが金属チップに対してレーザ
スポット溶接されている特許請求の範囲第１項記載のハ
イブリッドＩＣ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59258997A JPS61137111A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | ハイブリツドｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59258997A JPS61137111A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | ハイブリツドｉｃ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61137111A true JPS61137111A (ja) | 1986-06-24 |
| JPH0464471B2 JPH0464471B2 (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=17327918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59258997A Granted JPS61137111A (ja) | 1984-12-07 | 1984-12-07 | ハイブリツドｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61137111A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0246410A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-02-15 | American Teleph & Telegr Co <Att> | オプトエレクトロニクス組織化集成装置 |
| JP2001053333A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-23 | Hamamatsu Photonics Kk | 投受光装置 |
| CN102814866A (zh) * | 2012-08-31 | 2012-12-12 | 北京京运通科技股份有限公司 | 一种准单晶硅锭的切割方法及硅片制造方法 |
-
1984
- 1984-12-07 JP JP59258997A patent/JPS61137111A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0246410A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-02-15 | American Teleph & Telegr Co <Att> | オプトエレクトロニクス組織化集成装置 |
| JP2001053333A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-02-23 | Hamamatsu Photonics Kk | 投受光装置 |
| CN102814866A (zh) * | 2012-08-31 | 2012-12-12 | 北京京运通科技股份有限公司 | 一种准单晶硅锭的切割方法及硅片制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0464471B2 (ja) | 1992-10-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |