JPH0464532B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0464532B2 JPH0464532B2 JP59231157A JP23115784A JPH0464532B2 JP H0464532 B2 JPH0464532 B2 JP H0464532B2 JP 59231157 A JP59231157 A JP 59231157A JP 23115784 A JP23115784 A JP 23115784A JP H0464532 B2 JPH0464532 B2 JP H0464532B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- thiophene
- present
- oxidizing agent
- electron acceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は有機高分子電導体の製造方法に関す
る。さらに詳しくは、チオフエンの新規な重合方
法とそれによつて得られる重合体を基体とする有
機高分子電導体の製造方法に関するものである。
る。さらに詳しくは、チオフエンの新規な重合方
法とそれによつて得られる重合体を基体とする有
機高分子電導体の製造方法に関するものである。
本発明を実施することにより得られる有機高分
子電導体は電気伝導性又は半伝導性材料として、
また種々の電子素子の材料として用いられる。
子電導体は電気伝導性又は半伝導性材料として、
また種々の電子素子の材料として用いられる。
電子材料用素材としてのポリチオフエンの製造
方法としてはジブロモチオフエンを原料として合
成する方法（例えば、T.Yamamoto et.al.J.
Polym.Sci.，Polym.Lett.Ed.18 ９（1980））及び
チオフエンをモノマーとして電気化学的方法によ
り得る方法（例えばK.Kaneto et.al.，Japan J.
Appl.Phys.21 L567（1982））などが知られてい
る。また、T.Yamamotoらの文献にはジブロモ
チオフエンから得られた重合体にヨウ素をドープ
した半導体の例も示されている。
方法としてはジブロモチオフエンを原料として合
成する方法（例えば、T.Yamamoto et.al.J.
Polym.Sci.，Polym.Lett.Ed.18 ９（1980））及び
チオフエンをモノマーとして電気化学的方法によ
り得る方法（例えばK.Kaneto et.al.，Japan J.
Appl.Phys.21 L567（1982））などが知られてい
る。また、T.Yamamotoらの文献にはジブロモ
チオフエンから得られた重合体にヨウ素をドープ
した半導体の例も示されている。
しかしながら、従来このような方法ではたとえ
ば、T.Yamamotoらの方法では、ジブロモチオ
フエンを原料として、マグネシウム金属やニツケ
ル触媒を用いるためコストが高くなり、また触媒
残渣が大量に重合体中に残留する可能性が大き
く、電気伝導率も10-6〜10-1（Ｓcm-1）とあまり
高いものが得られない問題があつた。
ば、T.Yamamotoらの方法では、ジブロモチオ
フエンを原料として、マグネシウム金属やニツケ
ル触媒を用いるためコストが高くなり、また触媒
残渣が大量に重合体中に残留する可能性が大き
く、電気伝導率も10-6〜10-1（Ｓcm-1）とあまり
高いものが得られない問題があつた。
一方、電気化学的方法によれば白金などの高価
な電極を使用して特殊な電解質や電解装置を必要
とするなどコスト高で大量合成には不適であり、
また電解液が分解して、重合体中に不純物として
取り込まれる可能性が大きい等の問題を有してい
る。
な電極を使用して特殊な電解質や電解装置を必要
とするなどコスト高で大量合成には不適であり、
また電解液が分解して、重合体中に不純物として
取り込まれる可能性が大きい等の問題を有してい
る。
本発明の目的は安価に容易に金属的な電気伝導
性を有するチオフエン重合体の製造方法を提供す
ることにある。
性を有するチオフエン重合体の製造方法を提供す
ることにある。
本発明者らは、これらの問題を解決するため、
鋭意検討したところ、金属的伝導率を持つたチオ
フエン重合体を安価に大量に製造し得る方法を見
い出して、本発明を完成した。
鋭意検討したところ、金属的伝導率を持つたチオ
フエン重合体を安価に大量に製造し得る方法を見
い出して、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、チオフエンを遷移金属化
合物を酸化剤として用いて重合して得られる重合
体に電子受容体を存在させることを特徴とする有
機高分子電導体の製造方法である。
合物を酸化剤として用いて重合して得られる重合
体に電子受容体を存在させることを特徴とする有
機高分子電導体の製造方法である。
本発明において、チオフエン重合体は、チオフ
エンモノマーと酸化剤とを混合するだけで容易に
生成する。
エンモノマーと酸化剤とを混合するだけで容易に
生成する。
本発明に使用する酸化剤としては、チタン、バ
ナジウム、クロム、モリブデン、タングステン、
鉄、ルテニウム、パラジウム、白金、ロジウム、
イリジウム等の金属の塩化物、硫酸塩、硝酸塩、
アセチルアセトナート化合物などの遷移金属化合
物が挙げられる。これらの酸化剤は１種あるいは
２種以上混合して用いても差支えない。
ナジウム、クロム、モリブデン、タングステン、
鉄、ルテニウム、パラジウム、白金、ロジウム、
イリジウム等の金属の塩化物、硫酸塩、硝酸塩、
アセチルアセトナート化合物などの遷移金属化合
物が挙げられる。これらの酸化剤は１種あるいは
２種以上混合して用いても差支えない。
本発明においては、溶媒は特に用いなくとも構
わないが、急激な反応を抑えるために適当な有機
溶媒を使用することが好ましい。
わないが、急激な反応を抑えるために適当な有機
溶媒を使用することが好ましい。
使用しうる有機溶媒としては、ヘキサン、ヘプ
タンなどの炭化水素、クロロメチレン、クロロホ
ルム、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水
素、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエー
テル化合物などが好適である。
タンなどの炭化水素、クロロメチレン、クロロホ
ルム、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水
素、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエー
テル化合物などが好適である。
これらの酸化剤溶液中にチオフエンモノマーを
滴下することによりチオフエン重合体が生成す
る。
滴下することによりチオフエン重合体が生成す
る。
生成した重合体は過した後、新しい溶媒を用
いて洗浄し、乾燥すれば良い。このようにして得
られるチオフエン重合体は酸化剤を含むが、これ
らの酸化剤は電子受容体として働くため、特に電
子受容体を添加しなくとも高電導性高分子として
用いることができる。即ち、酸化剤としてチオフ
エン重合体に対して電子受容体である遷移金属化
合物を使用した場合は、遷移金属化合物が除去さ
れない条件下にチオフエン重合体を分離すること
で新たに電子受容体を添加しなくても、チオフエ
ン重合体に電子受容体を存在させることが可能で
あり、添加したのと同様の効果が得られる。
いて洗浄し、乾燥すれば良い。このようにして得
られるチオフエン重合体は酸化剤を含むが、これ
らの酸化剤は電子受容体として働くため、特に電
子受容体を添加しなくとも高電導性高分子として
用いることができる。即ち、酸化剤としてチオフ
エン重合体に対して電子受容体である遷移金属化
合物を使用した場合は、遷移金属化合物が除去さ
れない条件下にチオフエン重合体を分離すること
で新たに電子受容体を添加しなくても、チオフエ
ン重合体に電子受容体を存在させることが可能で
あり、添加したのと同様の効果が得られる。
また別の電子受容体を添加したい場合には、生
成した重合体をアルコールで洗浄することにより
酸化剤が洗い流されるので、乾燥後あらためて、
電子受容体を添加することにより高電導性重合体
が得られる。
成した重合体をアルコールで洗浄することにより
酸化剤が洗い流されるので、乾燥後あらためて、
電子受容体を添加することにより高電導性重合体
が得られる。
本発明において電子受容体としては、比較的電
子親和力が大きく、チオフエン重合体から電子を
浮け取ることが可能なものであれば良く、特に制
限はないが、先に示した遷移金属化合物又はヨウ
素などの無機化合物が好ましく使用できる。
子親和力が大きく、チオフエン重合体から電子を
浮け取ることが可能なものであれば良く、特に制
限はないが、先に示した遷移金属化合物又はヨウ
素などの無機化合物が好ましく使用できる。
以下、実施例により本発明をさらに説明する。
実施例 １
200ml三ツ口フラスコ内を窒素で置換したあと
無水塩化第二鉄１ｇと精製したクロロホルム50ml
を入れた。この溶液中に室温でチオフエン１mlを
加えたところ速やかに重合が起つて黒色の沈澱が
生成した。
無水塩化第二鉄１ｇと精製したクロロホルム50ml
を入れた。この溶液中に室温でチオフエン１mlを
加えたところ速やかに重合が起つて黒色の沈澱が
生成した。
生成した重合体をグラスフイルターで過し、
さらにクロロホルムで４回洗浄したのち、減圧で
乾燥した。生成物を500Kg／cm2で圧縮成形して電
気伝導度を測定したところ13Scm-1であつた。
さらにクロロホルムで４回洗浄したのち、減圧で
乾燥した。生成物を500Kg／cm2で圧縮成形して電
気伝導度を測定したところ13Scm-1であつた。
実施例 ２
実施例１と同様にしてチオフエンを重合したの
ち、洗浄をクロロホルムの代わりにエタノールで
行なつたところ、重合体の色が黒から赤褐色にな
つた。この生成物を実施例１と同様にして電気伝
導度を測定したところ５×10-10Scm-1であつた。
この生成物をヨウ素蒸気に３時間さらしたのち、
同様にして電気伝導度を測定したところ24Scm-1
であつた。
ち、洗浄をクロロホルムの代わりにエタノールで
行なつたところ、重合体の色が黒から赤褐色にな
つた。この生成物を実施例１と同様にして電気伝
導度を測定したところ５×10-10Scm-1であつた。
この生成物をヨウ素蒸気に３時間さらしたのち、
同様にして電気伝導度を測定したところ24Scm-1
であつた。
実施例 ３
酸化剤として五塩化モリブデンを用いた他は実
施例１と同様にして重合を行なつて得られた重合
体の電気伝導度は8Scm-1であつた。
施例１と同様にして重合を行なつて得られた重合
体の電気伝導度は8Scm-1であつた。
以上のように本発明を実施することにより金属
的電気伝導性を有する高分子電導体が安価に、容
易に得られる。
的電気伝導性を有する高分子電導体が安価に、容
易に得られる。
これらの伝導体は、電子受容体をドーピング、
脱ドーピングすることが可能であり、たとえば電
池電極用材料として使用した場合内部抵抗が小さ
くなるなどの効果があり、工業的価値がある。
脱ドーピングすることが可能であり、たとえば電
池電極用材料として使用した場合内部抵抗が小さ
くなるなどの効果があり、工業的価値がある。
Claims (1)
- １ チオフエンを遷移金属化合物を酸化剤として
用いて重合して得られる重合体に、電子受容体を
存在させることを特徴とする有機高分子電導体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23115784A JPS61111324A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 有機高分子電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23115784A JPS61111324A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 有機高分子電導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61111324A JPS61111324A (ja) | 1986-05-29 |
| JPH0464532B2 true JPH0464532B2 (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=16919190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23115784A Granted JPS61111324A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 有機高分子電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61111324A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2544432B2 (ja) * | 1988-03-09 | 1996-10-16 | 清蔵 宮田 | 高導電性有機重合体の製造方法 |
| EP0385523A1 (fr) * | 1989-02-20 | 1990-09-05 | SOLVAY (Société Anonyme) | Procédé pour la préparation de polymères électroconducteurs dérivés de 3-alkylthiophènes et dispositifs électroconducteurs les contenant |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3224157A1 (de) * | 1982-06-29 | 1983-12-29 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Oxidierende polymerisation mit no(pfeil hoch)o(pfeil hoch) oder no(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)(pfeil hoch)o(pfeil hoch) |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP23115784A patent/JPS61111324A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61111324A (ja) | 1986-05-29 |
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